RU2326394C1 - Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий - Google Patents

Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий Download PDF

Info

Publication number
RU2326394C1
RU2326394C1 RU2006141328/28A RU2006141328A RU2326394C1 RU 2326394 C1 RU2326394 C1 RU 2326394C1 RU 2006141328/28 A RU2006141328/28 A RU 2006141328/28A RU 2006141328 A RU2006141328 A RU 2006141328A RU 2326394 C1 RU2326394 C1 RU 2326394C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
products
electrical parameters
semi
stand
batches
Prior art date
Application number
RU2006141328/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Митрофан Иванович Горлов (RU)
Митрофан Иванович Горлов
Дмитрий Леонидович Ануфриев (RU)
Дмитрий Леонидович Ануфриев
Мари Сергеевна Котова (RU)
Мария Сергеевна Котова
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority to RU2006141328/28A priority Critical patent/RU2326394C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2326394C1 publication Critical patent/RU2326394C1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе серийного производства. Сущность: проводят электротермотренировки (ЭТТ) партии ППИ в электрическом и температурном режимах, установленных в технических условиях и технологических картах. После извлечения ППИ из стенда начинают проверку электрических параметров ППИ при комнатной температуре и проводят ее для всей партии не более 8 часов после изъятия изделий из стенда. При этом требования к электрическим параметрам ужесточают относительно норм, указанных в технических условиях, на 2Δ, где Δ - погрешность измерения.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов и интегральных схем (ИС)) в процессе серийного производства за счет дополнительной отбраковки потенциально ненадежных изделий после проведения электротермотренировки.
Известен способ повышения надежности выпускаемых партий ППИ путем проведения 100%-ных отбраковочных испытаний в процессе выходного контроля партий изделий на заводе изготовителе [1]. Недостаток способа заключается в том, что время контроля электрических параметров после испытаний не оговорено, что не позволяет достоверно судить о надежности всех изделий.
Известен способ повышения надежности партий изделий путем проведения электротермотренировки (ЭТТ) [2, 3]. Цель ЭТТ - обеспечить нагрузку, равную или несколько меньшую максимально допустимой при эксплуатации ППИ, или обеспечить такие эквивалентные условия испытаний, которые позволили бы за короткое время выявить максимальное число дефектных изделий в испытываемой партии, за счет чего надежность партии повысится. Контроль электрических параметров при комнатной температуре после проведения ЭТТ позволяет отбраковать изделия с катастрофическими и параметрическими дефектами.
К недостаткам способа относится то, что время контроля электрических параметров после проведения ЭТТ не регламентировано.
Наиболее близким аналогом является способ проведения ЭТТ [4], определяющей, что все промежуточные и заключительные измерения электропараметров должны быть закончены не позднее чем 24 ч после того, как изделия сняты со стенда.
К недостаткам способа относится то, что время контроля электрических параметров после проведения ЭТТ, ограниченное 24 часами, ничем не аргументировано и может быть более 48 часов, что может привести к пропуску потенциально ненадежного ППИ.
Анализ отказавших ППИ при ЭТТ показал, что процент катастрофических отказов в различных партиях был практически одинаков, а процент параметрических отказов в партиях изделий, контроль электрических параметров у которых проводился спустя многих часов после снятия со стендов ЭТТ, был значительно ниже.
Во всех реальных случаях поверхность ППИ, подвергнутая механической, химической и электрохимической обработке, оказывается покрытой оксидным слоем, имеющим сложный химический состав. Этот слой содержит примесные атомы металлов, имеющихся в травителе, а также молекулы воды, кислорода, ионы гидроксильной группы и др. [5]. Толщина оксидного слоя для германия и кремния невелика и обычно лежит в пределах 10-60 Å.
Возникновение поверхностных состояний и заполнение их электронами и дырками приводит к появлению неподвижного объемного заряда у поверхности и вызывает искривление энергетических зон в ту или иную сторону. Для германия и кремния поверхностные состояния подразделяются на быстрые и медленные. Для быстрых состояний характерно малое время рекомбинации, для медленных - достаточно большое время рекомбинации.
При длительном электрическом воздействии и воздействии повышенной температуры происходит возбуждение поверхностных состояний, за счет чего электрические параметры изделий ухудшаются. При измерении электрических параметров сразу после ЭТТ изделия с параметрическими отказами отбраковываются. Если же измерять электрические параметры изделий, прошедших ЭТТ, после 24-48 часов, то медленные поверхностные состояния рекомбинируют и электрические параметры ряда изделий приходят в нормы технических условий. И это в первую очередь относится к изделиям, имеющим нормы электрических параметров, близкие к граничным значениям по техническим условиям (ТУ).
Изобретение направлено на более достоверную отбраковку потенциально ненадежных ППИ после проведения на них ЭТТ. Это достигается тем, что проверку электрических параметров партии начинают сразу же после изъятия из стендов ЭТТ и проводят в течение не позже 8 часов, т.е. в одну рабочую смену, а нормы на электрические параметры ужесточаются относительно норм, указанных в ТУ, на 2Δ, где Δ - погрешность измерения.
Способ реализуется следующим образом. Партию ППИ загружают в камеру стенда ЭТТ, устанавливают необходимый по технологической карте электрический режим на каждое изделие и температурный режим в объеме камеры. В течение указанного в технологической карте времени контролируется стабильность электрического и температурного режима, после чего стенд отключается. Открывают дверцу камеры, разгружают платы с установленными в гнездах изделиями, а затем из каждой извлекается изделие. После этого изделия проверяются по электрическим параметрам при комнатной температуре. Так как партия может быть, как правило, объемом до 1000 штук, то полное время проверки электрических параметров у изделий всей партии практически составляло 8 часов, то есть одну рабочую смену.
Проверка эффективности предлагаемого способа была проведена на 991 схеме типа КР1005ВИ1. После проведения ЭТТ в течение 72 часов при температуре 55°С были замерены электрические параметры сразу (практически измерение схем всей партии заняло 6 часов). Отбраковано 11 схем. Перепроверка электрических параметров этих схем через 24 часа показала, что 4 схемы соответствуют требованиям технических условий, т.е. стали годными, а после перепроверки через 48 часов добавилось еще 2 схемы, т.е. всего 6 схем, имевших изменение электрических параметров, близких к нормам ТУ, стало годными, но потенциально ненадежными при эксплуатации.
Источники информации
1. Горлов М.И., Коваленко П.Ю. Технологические тренировки интегральных схем. // Микроэлектроника, 2000, том 29, №5, с.395-400
2. ГОСТ В 28146-89. Приборы полупроводниковые. Общие технические условия.
3. ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия.
4. MIL-STD-883. Test method and procedures for microelectronics. 1997 г.
5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высшая школа. 1986, с.64.

Claims (1)

  1. Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий, в соответствии с которым на партии изделий проводят электротермотренировку на стенде с подачей электрического и температурного режима, после которой проводят проверку электрических параметров изделий, отличающийся тем, что проверку электрических параметров изделий начинают сразу после извлечения изделий из стенда и проводят ее для всей партии не более 8 ч после изъятия изделий из стенда, а требования к электрическим параметрам ужесточают относительно норм, указанных в технических условиях, на 2Δ, где Δ - погрешность измерения.
RU2006141328/28A 2006-11-22 2006-11-22 Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий RU2326394C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006141328/28A RU2326394C1 (ru) 2006-11-22 2006-11-22 Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006141328/28A RU2326394C1 (ru) 2006-11-22 2006-11-22 Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2326394C1 true RU2326394C1 (ru) 2008-06-10

Family

ID=39581471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006141328/28A RU2326394C1 (ru) 2006-11-22 2006-11-22 Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2326394C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2664759C1 (ru) * 2017-11-29 2018-08-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ повышения надежности гибридных и монолитных интегральных схем
RU2684943C1 (ru) * 2018-06-21 2019-04-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ повышения надежности и качества функционирования партии гибридных и монолитных интегральных схем

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ГОРЛОВ М.И. и др. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. - Минск, 1997, с.247-248. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2664759C1 (ru) * 2017-11-29 2018-08-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ повышения надежности гибридных и монолитных интегральных схем
RU2684943C1 (ru) * 2018-06-21 2019-04-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ повышения надежности и качества функционирования партии гибридных и монолитных интегральных схем

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7038481B2 (en) Method and apparatus for determining burn-in reliability from wafer level burn-in
US6414508B1 (en) Methods for predicting reliability of semiconductor devices using voltage stressing
US10012687B2 (en) Methods, apparatus and system for TDDB testing
RU2326394C1 (ru) Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий
WO2007113968A1 (ja) 半導体集積回路の検査方法および情報記録媒体
US20150109013A1 (en) Semiconductor device and method of testing the same
CN104716069A (zh) 晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置
US20090237088A1 (en) Method for inspecting insulation property of capacitor
CN114720831A (zh) 热载流子效应退化性能的评估方法
RU2374658C1 (ru) Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности
RU2511633C2 (ru) Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности
JP2013120875A (ja) 半導体ウエハのテスト方法
US10496505B2 (en) Integrated circuit test method
CN113534033A (zh) 测试机台的校准方法及校准系统
RU2511617C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
KR20090115615A (ko) 고장 여부 판단장치를 포함한 메모리 테스트 시스템 및메모리 테스트 시스템에서 디바이스의 고장 여부 판단방법
RU2258234C1 (ru) Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности
RU2787306C1 (ru) Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду
KR100787742B1 (ko) 프로브 카드 인식장치 및 이를 이용한 프로브 카드인식방법
JP2003043099A (ja) 半導体試験方法および半導体装置
TWI735915B (zh) 與面向受測裝置側之光源整合的晶圓探針卡及製造方法
van Sas et al. Towards an effective I/sub DDQ/test vector selection and application methodology
RU2324194C1 (ru) Способ разделения интегральных схем по надежности
JP2017059564A (ja) 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法
RU2204142C2 (ru) Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20081123