RU2481671C2 - Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой - Google Patents

Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой Download PDF

Info

Publication number
RU2481671C2
RU2481671C2 RU2010110803/28A RU2010110803A RU2481671C2 RU 2481671 C2 RU2481671 C2 RU 2481671C2 RU 2010110803/28 A RU2010110803/28 A RU 2010110803/28A RU 2010110803 A RU2010110803 A RU 2010110803A RU 2481671 C2 RU2481671 C2 RU 2481671C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
wavelength
layer
converting layer
light source
Prior art date
Application number
RU2010110803/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010110803A (ru
Inventor
Серж Й. БИРХЭЙЗЕН
Герард ХАРБЕРС
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2010110803A publication Critical patent/RU2010110803A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2481671C2 publication Critical patent/RU2481671C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

Светоизлучающее устройство содержит источник света, выполненный с возможностью излучения первого света; преобразующий длину волны слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света и содержит первый преобразующий длину волны материал, выполненный с возможностью поглощения первого света и излучения второго света; и отражающий слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен между отражающим слоем и источником света, отражающий слой является нижней поверхностью радиатора. Изобретение обеспечивает повышение эффективности излучения, повышение надежности и снижение стоимости. 13 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Предпосылки создания изобретения
Область техники, к которой относится изобретение
Это изобретение относится к источникам света с преобразованием длины волны, таким как полупроводниковые светоизлучающие устройства с преобразованием длины волны.
Описание родственной области техники
Полупроводниковые светоизлучающие приборы, включающие в себя светоизлучающие диоды, светоизлучающие диоды с объемным резонатором, лазерные диоды с вертикальным резонатором и лазеры краевого излучения, принадлежат к числу наиболее эффективных источников света, имеющихся в настоящее время. Системы материалов, представляющих в настоящее время интерес для изготовления светоизлучающих приборов высокой яркости, способных работать во всем видимом спектре, включают в себя полупроводники III-V групп, в частности, двойные, тройные и четверные сплавы галлия, алюминия, индия и азота, также называемые III-нитридными материалами. Обычно III-нитридные светоизлучающие приборы изготавливают эпитаксиальным выращиванием многослойной структуры из полупроводниковых слоев различного состава и с различными концентрациями примесей на сапфировой, карбидокремниевой, III-нитридной или другой подходящей подложке методами химического осаждения из паров металлоорганического соединения, молекулярно-пучковой эпитаксии или другими эпитаксиальными методами. Многослойная структура часто включает в себя один или несколько слоев n-типа, легированных, например, Si, сформированных поверх подложки, один или несколько светоизлучающих слоев в активной области, сформированных поверх слоя или слоев n-типа, и один или несколько слоев p-типа, легированных, например, Mg, сформированных поверх активной области. Электрические контакты сформированы на областях n- и p-типа.
Поскольку свет, излучаемый серийно выпускаемыми в настоящее время III-нитридными приборами, обычно находится на участке коротковолнового конца видимого спектра, то свет, генерируемый III-нитридными приборами, можно легко преобразовывать, чтобы получать свет, имеющий более длинную длину волны. В данной области техники известно, что свет, имеющий первую пиковую длину волны («первичный свет»), можно преобразовывать в свет, имеющий одну или несколько более длинных пиковых длин волн («вторичный свет»), используя процесс, известный как люминесценция/флуоресценция. Процесс флуоресценции включает в себя поглощение первичного света преобразующим длину волны материалом, таким как люминофор, и возбуждение центров люминесценции люминофорного материала, которые излучают вторичный свет. Пиковая длина волны вторичного света зависит от люминофорного материала. Вид люминофорного материала можно выбирать, чтобы получать вторичный свет, имеющий конкретную пиковую длину волны.
На фиг.1 показан светоизлучающий диод 10 с люминофорным преобразованием из предшествующего уровня техники, описанный в патенте США № 6351069. Светоизлучающий диод 10 включает в себя III-нитридный кристалл 12, который при подаче напряжения генерирует голубой первичный свет. III-нитридный кристалл 12 расположен на чашеобразной отражающей выводной рамке 14 и электрически соединен с выводами 16 и 18. Выводы 16 и 18 проводят электрическую энергию к III-нитридному кристаллу 12. III-нитридный кристалл 12 покрыт слоем 20 часто прозрачной смолы, которая включает в себя преобразующий длину волны материал 22. В зависимости от требуемого спектрального распределения вторичного света, который должен генерироваться флуоресцентным материалом 22, вид преобразующего длину волны материала, используемого для формирования слоя 20, можно изменять. III-нитридный кристалл 12 и флуоресцентный слой 20 покрыты линзой 24. Линзу 24 обычно изготавливают из прозрачной эпоксидной смолы или силикона.
В процессе работы к III-нитридному кристаллу 12 подводят электрическую энергию, чтобы подать напряжение на кристалл. Под напряжением кристалл 12 излучает первичный свет вдаль от верхней поверхности кристалла. Часть излучаемого первичного света поглощается преобразующим длину волны материалом 22 в слое 20. В таком случае в ответ на поглощение первичного света преобразующий длину волны материал 22 излучает вторичный свет, то есть преобразованный свет, имеющий более длинную пиковую длину волны. Остающаяся не поглощенной часть излучаемого первичного света проходит через преобразующий длину волны свет вместе со вторичным светом. Линза 24 направляет непоглощенный первичный свет и вторичный свет в общем направлении, показанном стрелкой 26, в качестве выходного света. Таким образом, выходной свет представляет собой составной свет, который состоит из первичного света, излучаемого из кристалла 12, и вторичного света, излучаемого из преобразующего длину волны слоя 20. Кроме того, преобразующему длину волны материалу можно придавать такую структуру, что первичный свет будет выходить из прибора в очень небольшом количестве или не будет выходить, как в случае кристалла, который излучает ультрафиолетовый первичный свет, объединенного с одним или несколькими преобразующими длину волны материалами, которые излучают видимый вторичный свет.
Варианты конфигураций светоизлучающих диодов с люминофорным преобразованием включают в себя светодиодные приборы, выращенные на монокристаллических люминесцентных подложках, описанных в патенте США № 6630691, тонкопленочные люминофорные слои, сформированные на светоизлучающих диодах, описанные в патенте США № 6696703, и конформные слои, осажденные на светоизлучающие диоды электрофоретическим осаждением, описанным в патенте США №6576488, или нанесением по трафарету, описанным в патенте США №6650044.
Описанные выше приборы, в которых люминофорный слой сформирован на поверхности светоизлучающего прибора, могут иметь несколько недостатков. Трудно получать однородность цвета при нанесении люминофора непосредственно на поверхность светоизлучающего диода вследствие изменений на пути света через люминофор и в толще люминофорного слоя. Кроме того, теплота из светоизлучающего диода может нежелательно сдвигать цветовую температуру люминофора или разрушать люминофор.
Краткое изложение
Согласно осуществлениям изобретения источник света, выполненный с возможностью излучения первого света, объединен с преобразующим длину волны слоем. Преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света и включает в себя по меньшей мере один преобразующий длину волны материал, такой как люминофор, выполненный с возможностью поглощения первого света и излучения второго света. Преобразующий длину волны слой расположен между отражающим слоем и источником света. В некоторых осуществлениях преобразующий длину волны свет является толстым слоем.
Цветовую температуру смешанного первого и второго света существующей системы можно легко регулировать, поскольку преобразующий длину волны слой является толстым, находящимся на расстоянии от источника света, и является отражающим слоем. Поскольку преобразующий длину волны слой находится на расстоянии от источника света, преобразующий длину слой не нагревается источником света и может эффективно охлаждаться радиатором, при этом исключаются или снижаются потери эффективности и/или сдвиг цветовой температуры вследствие нагрева, преобразующего длину волны материала. Кроме того, преобразующий длину волны слой является недорогим и надежным в изготовлении.
Краткое описание чертежей
На чертежах:
фиг.1 - сечение светоизлучающего диода с люминофорным преобразованием из предшествующего уровня техники;
фиг.2 - сечение светодиодной точечной лампы, включающей в себя отражающий, преобразующий длину волны слой, согласно осуществлениям изобретения;
фиг.3 - сечение светодиодной точечной лампы, включающей в себя отражающий, преобразующий длину волны слой и сплошную оптику, согласно осуществлениям изобретения;
фиг.4 - вид преобразующего длину волны слоя с единственным люминофором или несколькими смешанными люминофорами;
фиг.5 - вид преобразующего длину волны слоя с не преобразующими длину волны участками; и
фиг.6 - вид преобразующего длину волны слоя с не преобразующими длину волны участками и несколькими люминофорами, осажденными на отдельных участках.
Подробное описание
В соответствии с осуществлениями изобретения толстый отражающий, преобразующий длину волны слой, например люминофорный, находится на расстоянии от полупроводникового светоизлучающего прибора, такого как светоизлучающий диод. На фиг.2 представлено сечение светодиодной точечной лампы согласно осуществлению изобретения. Источник 30 света установлен на держателе 34 и при желании на радиаторе 36. Как показано на фиг.2, радиатор 36 может быть ребристым. Свет, излучаемый из источника 30 света и отражаемый зеркалом 32, окружающим источник 30 света, выводится на оптическую пластинку 38. Преобразующий длину волны слой 42 находится на расстоянии от источника 30 света и позиционирован для приема света из источника 30 света. Используемый по желанию радиатор 44 может охлаждать преобразующий длину волны слой 42. Собирающая оптика 40 коллимирует свет.
Источник 30 света может быть, например, любым подходящим источником света, который может создавать коротковолновый свет, например голубой или ультрафиолетовый свет, таким как светоизлучающий диод или другой полупроводниковый прибор, матрица светоизлучающих диодов, ксеноновая лампа или ртутная лампа. В случае использования полупроводникового прибора в качестве источника 30 света прибор можно выполнить так, чтобы основная часть света излучалась с боковой поверхности прибора, или можно выполнить с характеристикой излучения, которая является ламбертовской (90-градусный конус света от нормали к поверхности источника света) или ограниченной до более узкого конуса, например, фотонным кристаллом, таким как решетчатая структура, образованным на поверхности вывода прибора.
Источник 30 света может быть установлен на используемом при желании держателе 34 и присоединен к используемому при желании радиатору 36. В некоторых осуществлениях в источнике света, состоящем из матрицы светоизлучающих диодов, используются светоизлучающие диоды, которые излучают свет на различных длинах волн. Для получения повышенной эффективности или для согласования с конкретным люминофором в преобразующем длину волны слое 42 каждую длину волны можно выбирать для настройки точки белого смешанного светодиодного и с преобразованной длиной волны света, излучаемого из системы.
Свет выводится из источника 30 на оптическую пластинку 38. Оптической пластинке 38 может быть придана определенная форма для направления света к собирающей оптике 40. Например, боковые поверхности 48 могут быть наклонными или криволинейными, так что вследствие полного внутреннего отражения свет будет направляться на собирающую оптику 40. Оптическая пластинка 38 может быть, например, прозрачным материалом, таким как стекло или пластик. При желании боковые поверхности 48 могут быть покрыты отражающим материалом. Оптическая пластинка 38 может иметь толщину порядка длины боковой поверхности источника 30 света. Если источником 30 света является единственный светоизлучающий диод или матрица светоизлучающих диодов, длина боковой поверхности источника 30 света может быть, например, от 0,5 до 5 мм, от 0,5 до 1,5 мм или от 0,5 до 2,5 мм. Источник 30 света может быть квадратным, прямоугольным или любой другой подходящей формы. Как показано на фиг.2, площадь нижней поверхности оптической пластинки 38 может быть больше, чем площадь источника 30 света; например, больше чем в 2-100 раз или больше чем в 5-15 раз. Преобразующий длину волны слой 42 находится на расстоянии от источника 30 света, равном по меньшей мере толщине оптической пластинки 38.
Источник 30 света может находиться на расстоянии от оптической пластинки 38, так что вследствие преломления на границе раздела со стеклянной оптической пластинкой 38 свет из источника 30 света удерживается в пучке при угле от нормали около 42°, зависящем от показателя преломления оптической пластинки 38. В таком случае преобразующий длину волны слой 42 выполняют так, чтобы свет из источника 30 света не обходил преобразующий длину волны слой 42. В качестве варианта источник 30 света может быть в оптическом контакте с пластинкой 38, и в этом случае свет из источника 30 света внутри оптической пластинки 38 будет расходиться в пределах ±90°. Некоторая часть света может обходить преобразующий длину волны слой и направляться к собирающей оптике 40.
Зеркало 32 расположено с прилеганием к источнику 30 света или под ним. В некоторых осуществлениях приблизительно 30% света, излучаемого преобразующим длину волны слоем 42, излучается обратно к источнику 30 света. Зеркало 32 отражает по меньшей мере некоторую часть этого света обратно на оптическую пластинку 38. Зеркало 32 может быть, например, сильно отражающим покрытием на нижней стороне оптической пластинки 38 или отдельным зеркалом, находящимся на расстоянии от оптической пластинки 38. Примеры подходящих покрытий и материалов включают в себя серебро, алюминий, дихроичные покрытия, алюминий в сочетании с дихроичным покрытием для повышения коэффициента отражения алюминия и материалы, такие как оксиды титана и оксиды алюминия, образованные золь-гель процессом.
Собирающая оптика 40, показанная на фиг.2, представляет собой полый отражатель. Форма может быть параболической, составной параболической, эллиптической или образованной из многочисленных плоских граней или сегментов. Сегментированная оптика может повышать однородность цвета.
На фиг.3 показан прибор со сплошной оптикой 50. Оптика 50 может быть, например, стеклянной или пластиковой и может быть прикреплена к верхней поверхности преобразующего длину волны слоя 42, например, клеем. В качестве варианта оптику 50 можно формовать поверх преобразующего длину волны слоя 42. Для поверхностного формования оптики 50 формовочную матрицу с углублением, соответствующим требуемой форме линзы 50, совмещают с прибором. Обычно матрица является металлической. При желании тонкая нелипкая пленка, имеющая общую форму матрицы, может быть размещена по всей поверхности матрицы. Нелипкая пленка представляет собой материал, который предотвращает прилипание формовочного материала к металлической матрице. Углубление в матрице заполняют термоотверждаемым жидким материалом линзы. Материал линзы может быть любым подходящим оптически прозрачным материалом, таким как силикон или эпоксидная смола. Силикон с достаточно высоким показателем преломления (например, по меньшей мере 1,76) может быть выбран для повышения выхода света из III-нитридного или другого прибора в дополнение к действию линзы. Между периферией прибора и матрицей можно создать вакуумное уплотнение, после чего две детали можно прижать друг к другу с тем, чтобы ввести прибор в жидкий материал линзы. Материал линзы может находиться под воздействием сжимающих сил. После этого структуру можно подогреть и выдержать при температуре и в течение времени, достаточных для затвердевания материала линзы, например, при по меньшей мере 150°С в течение по меньшей мере 30 мин. После затвердевания устройство отделяют от матрицы. Пленка позволяет извлечь затвердевшую линзу 50 из матрицы. Затем пленку удаляют.
Преобразующий длину волны слой 42 может включать в себя один или несколько люминофоров, введенных для поглощения света, излучаемого источником 30 света, и для излучения света большей длины волны. Например, в случае источника 30 света, который излучает голубой свет, преобразующий длину волны слой 42 может включать в себя единственный люминофор, который излучает желтый свет, или несколько люминофоров, которые излучают красный и зеленый свет. В случае источника света, который излучает ультрафиолетовый свет, преобразующий длину волны слой 42 может включать в себя люминофоры, которые излучают голубой и желтый свет, или люминофоры, которые излучают голубой, зеленый и красный свет. Для регулирования цветовой температуры смешанного света, излучаемого системой, можно добавлять дополнительные люминофоры, излучающие дополнительные цвета, и/или исключать люминофоры, излучающие описанные выше цвета.
Преобразующий длину волны слой 42 представляет собой толстый слой, выполненный так, что эффективная оптическая толщина определяется оптическими процессами рассеяния в конкретных используемых преобразующих длину материалах, обычно люминофорах. Преобразующий длину волны слой 42 может быть толщиной, например, от 5 до 500 мкм и часто толщиной от 100 до 250 мкм. Преобразующий длину волны слой 42 имеет толщину, достаточную для достижения соответствующей цветовой температуры смешанного света, выходящего из собирающей оптики 40, 50.
Преобразующий длину волны слой 42 можно сформировать, например, трафаретной печатью одного или нескольких люминофоров на нижнюю сторону радиатора 44 или на верхнюю сторону оптической пластинки 38. В некоторых осуществлениях преобразующий длину волны слой 42 имеет протяженность в поперечном направлении, достаточно большую для поглощения всего конуса света, выходящего из источника 30 света. В некоторых осуществлениях протяженность преобразующего длину волну слоя 42 в поперечном направлении выбирают так, чтобы допускалось пропускание некоторой части света из источника 30 света без преобразования, в обход преобразующего длину волны слоя 42. Для получения изотропной диаграммы направленности излучения оптической пластинки 38 преобразующий длину волны слой 42 может находиться в оптической связи с оптической пластинкой 38.
Преобразующий длину волны слой 42, сформированный на радиаторе 44, может удерживаться на своем месте, например, клеем, таким как силиконовый клей, расположенным между преобразующим длину волны слоем 42 и оптической пластинкой 38. В случае формирования преобразующего длину волны слоя 42 на оптической пластинке 38 радиатор 44 можно закреплять клеем, таким как силиконовый клей. Клеевой слой может быть тонким, например, тоньше, чем преобразующий длину волны слой 42. Радиатор 44 может быть из любого подходящего материала, такого как медь или алюминий, и может быть покрыт отражающим материалом или диэлектрической многослойной структурой. Как показано на фиг.2, для увеличения площади поверхности радиатор 44 может быть ребристым. Нижняя сторона радиатора 44 может быть профилированной, отражающей свет, излучаемый источником 30 света и преобразующим длину волны слоем 42.
В некоторых осуществлениях отражающая область поверх преобразующего длину волны слоя 42 (например, отражающий радиатор 44 или отражающее покрытие на радиаторе 44) имеет более значительную протяженность в поперечном направлении, чем преобразующий длину волны 42, однако же не такую большую, какую имеет верхняя поверхность оптической пластинки 38. Такую конфигурацию можно использовать, например, в осуществлениях, в которых некоторая часть света из источника 30 света обходит преобразующий длину волны слой. Отражающая область, продолжающаяся за пределы преобразующего длину волны слоя 42, отражает по меньшей мере некоторую часть не преобразованного света из источника 30 света. В примере отражающего радиатора 44 нижняя поверхность радиатора 44 может быть плоской, так что будет зазор между оптической пластинкой 38 и краями радиатора 44, продолжающимися за пределы преобразующего длину волны слоя 42, или конформной преобразующему длину волны слою 42, так что не будет зазора между верхней поверхностью оптической пластинки 38 и краями радиатора 44, продолжающимися на пределы преобразующего длину волны слоя 42.
На фиг. 4, 5 и 6 показаны три примера преобразующих длину волны слоев. В случае слоя, показанного на фиг.4, из единственного люминофора или нескольких люминофоров, смешанных друг с другом, методом трафаретной печати формируют по существу однородный слой 52. В случае слоя, показанного на фиг.5, несколько не преобразующих длину волны участков 56 окружают единственным или несколькими люминофорами, смешанными друг с другом, образованными в виде единственного по существу однородного слоя 54. Не преобразующие длину волны участки 56 могут быть, например, без преобразующего длину волны материала, исходной матрицей преобразующего длину волны материала без активирующей примеси (например, кристаллом Y3Al5O12 без примеси Се) или не преобразующим прозрачным, отражающим или рассеивающим материалом, таким как оксид алюминия или оксид титана. Размер и форма не преобразующих длину волны участков 56 могут определяться материалом, используемым в процессе изготовления, и требуемой степенью смешения света преобразованной длины волны с непреобразованным светом. Например, не преобразующие длину волны участки могут быть длиной от 50 мкм до 1 мм, а часто длиной от 100 мкм до 500 мкм.
В случае слоя, показанного на фиг.6, несколько преобразующих длину волны материалов А, В и С формируют на отдельных участках. Преобразующие длину волны материалы А, В и С могут быть, например, различными люминофорами и могут излучать свет различных цветов, однако же это не является обязательным. Каждый преобразующий длину волны материал может занимать некоторую часть площади всего преобразующего длину волны слоя, или некоторые преобразующие длину волны материалы могут занимать более значительную площадь, чем другие, что может приводить к дополнительному излучению с преобразующих длину волны материалов, занимающих более значительную площадь. При желании могут быть включены участки не преобразующего длину волны материала W. Например, если в системе с голубым источником света и красным и зеленым излучающими люминофорами для заданной точки белого требуется больше зеленого света, чем красного, участки излучающего зеленый свет люминофора могут занимать более значительную часть общей площади преобразующего длину волны материала, чем излучающий красный свет люминофор. Частичная площадь не преобразующего длину волны материала может обеспечить на выходе системы требуемое количество голубого света из источника 30 света, не преобразованного преобразующим длину волны слоем 42. Каждый участок преобразующего длину волны или не преобразующего длину волны материала может быть длиной от 50 мкм до 1 мм, а часто длиной от 100 мкм до 500 мкм. Все участки могут быть одинаковыми по размеру и форме, хотя это не является обязательным. Размер участка выбирают так, чтобы он был достаточно большим для легкого изготовления и достаточно малым для получения удовлетворительного смешения света различных цветов.
Преобразующие длину волны слои можно формировать, например, трафаретной печатью, нанесением покрытия центрифугированием, нанесением покрытия распылением, нанесением покрытия погружением, нанесением покрытия ножевым устройством или заливкой.
Примеры подходящих излучающих желтый или зеленый свет люминофоров включают в себя (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cea 3+Prb 3+, где 0<x<1; 0<y<1; 0<z≤0,1; 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1, в том числе, например, Lu3Al5O12:Ce3+ и Y3Al5O12:Ce3+; (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+ (a=0,002-0,2; b=0,0-0,25; c=0,0-0,25; x=1,5-2,5; y=1,5-2,5; z=1,5-2,5), в том числе, например, SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+, в том числе, например, SrGa2S4:Eu2+; и Sr1-xBaxSiO4:Eu2+.
Примеры подходящих излучающих красный свет люминофоров включают в себя (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x≤1, в том числе, например, CaS:Eu2+ и SrS:Eu2+; (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, где 0≤a<5; 0<x≤1; 0≤y≤1 и 0<z≤1, в том числе, например, Sr2Si5N8:Eu2+ и eCAS, который представляет собой Ca0,99AlSiN3:Eu0,01.
Примеры подходящих излучающих голубой свет люминофоров включают в себя, например, MgSrSiO4.
В некоторых осуществлениях преобразующие длину волны слои могут включать в себя люминесцентные керамические материалы. Синтез люминесцентных керамических материалов eCAS, BSSNE и SSONE описан ниже. Эти люминофоры можно использовать в порошкообразной форме с пропуском конечных этапов синтеза, когда порошковый люминофор прессуют в люминесцентную керамику.
В одном осуществлении люминесцентной керамикой является eCAS, которая представляет собой соединение Ca0,99AlSiN3:Eu0,01, синтезируемое из 5,436 г Ca3N2 (чистотой >98%), 4,099 г ALN (99%), 4,732 г Si3N4 (чистотой >98%) и 0,176 г Eu2O3 (чистотой 99,99%). Порошки перемешивают в планетарной шаровой мельнице и обжигают в течение 4 ч при 1500°С в атмосфере H2/N2 (5/95%). Гранулированный порошок прессуют при 5 кН по направлению одной оси в таблетки и изостатически прессуют в холодном состоянии при 3220 бар (322 МПа). Таблетки спекают при 1600°С в атмосфере H2/N2 (5/95%) в течение 4 ч. У получившихся таблеток обнаруживают закрытую пористость и затем их изостатически прессуют в горячем состоянии при 2000 бар (200 МПа) и 1700°С, чтобы получить плотные керамические материалы с плотностью >98% теоретической плотности.
В одном осуществлении люминесцентной керамикой является BSSNE, которая представляет собой Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1; 0≤y≤4; 0,0005≤z≤0,5). На диаграмме последовательности операций, представленной на фиг.2, схематически показано, каким образом получают керамические материалы Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1; 0≤y≤4; 0,0005≤z≤0,5). Сначала в порошкообразной форме получают Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1; 0≤y≤4; 0,0005≤z≤0,5). Для этого можно использовать несколько способов, таких как карботермическое восстановление, которое включает в себя перемешивание 60 г ВаСО3, 11,221 г SrCO3 и 1,672 г Eu2O3 (все чистотой 99,99%) в планетарной шаровой мельнице с использованием 2-пропанола в качестве диспергирующего вещества. После высушивания смесь обжигают в атмосфере формир-газа при 1000°С в течение 4 ч и 10 г таким образом полученного Ba0,8Sr0,2O:Eu (2%) смешивают с 5,846 г Si3N4 (чистотой >98%), 0,056 г AlN (чистотой 99%) и 1,060 г графита (микрокристаллической чистоты). Порошки тщательно перемешивают в планетарной шаровой мельнице около 20 мин и обжигают в течение 4 ч при 1450°С в атмосфере формир-газа (блок 188), чтобы получить порошок-предшественник Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1; 0≤y≤4; 0,0005≤z≤0,05). Порошок промывают HCl и опять измельчают. Затем полученный порошок-предшественник прессуют в горячем состоянии при 1550°С и 80 МПа, получая плотные керамические тела. Их разделяют на части, полируют и разрезают, чтобы получить требуемые форму и оптические свойства поверхности. При необходимости для удаления дефектов проводят отжиг в азоте при 1300°С.
В одном осуществлении люминесцентной керамикой является SSONE, которую изготавливают перемешиванием 80,36 г SrCO3 (чистотой 99,99%), 20,0 г SiN4/3 (чистотой >98%) и 2,28 г Eu2O3 (чистотой 99,99%) и обжигом при 1200°С в течение 4 ч в атмосфере N2/H2 (93/7). После промывки порошок-предшественник прессуют по направлению одной оси при 10 кН и затем изостатически прессуют в холодном состоянии при 3200 бар (320 МПа). Спекание обычно осуществляют при температурах от 1550°С до 1580°С в атмосфере H2/N2 (5/95) или чистого азота.
Прибор согласно осуществлениям изобретения может иметь несколько преимуществ перед обычными светоизлучающими приборами с люминофорным преобразованием. Во-первых, поскольку преобразующий длину волны слой является толстым и находится на расстоянии от источника света, то нет необходимости точно контролировать толщину преобразующего длину волны слоя, как, например, в случае, когда люминофорный слой осаждают непосредственно на поверхность светоизлучающего диода. Поэтому цветовую температуру света, выходящего из системы, можно легко регулировать. Во-вторых, поскольку преобразующий длину волны слой находится на расстоянии от источника света, то преобразующий длину волны слой не нагревается источником света и может эффективно охлаждаться радиатором; поэтому потерю эффективности и/или сдвиг цветовой температуры, обусловленные нагревом, можно уменьшить или исключить. В-третьих, способы осаждения, такие как трафаретная печать, на радиатор или оптическую пластинку могут быть менее дорогими и более надежными, чем некоторые способы осаждения люминофора непосредственно на поверхность светоизлучающего прибора, такие как электрофоретическое осаждение или нанесение по трафарету.
Имея подробно описанное изобретение, специалисты в данной области техники поймут, что с учетом настоящего раскрытия модификации изобретения могут быть сделаны без отступления от сущности изобретательского замысла, описанного в этой заявке. Поэтому не предполагается, что объем изобретения будет ограничен конкретными показанными и описанными осуществлениями.

Claims (14)

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
источник света, выполненный с возможностью излучения первого света; преобразующий длину волны слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света и содержит первый преобразующий длину волны материал, выполненный с возможностью поглощения первого света и излучения второго света; и
отражающий слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен между отражающим слоем и источником света и отражающий слой является нижней поверхностью радиатора.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором источник света содержит по меньшей мере один полупроводниковый светоизлучающий диод.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором преобразующий длину волны слой дополнительно содержит не преобразующий длину волны материал.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором преобразующий длину волны слой дополнительно содержит второй преобразующий длину волны материал.
5. Светоизлучающее устройство по п.4, в котором первый преобразующий длину волны материал расположен на первом участке преобразующего длину волны слоя и второй преобразующий длину волны материал расположен на втором участке преобразующего длину волны слоя.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором преобразующий длину волны слой имеет толщину от 5 до 500 мкм.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором отражающий слой находится в непосредственном контакте с преобразующим длину волны слоем.
8. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее клеевой слой, расположенный между отражающим слоем и преобразующим длину волны слоем.
9. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором отражающий слой имеет поперечную протяженность, приблизительно равную поперечной протяженности преобразующего длину волны слоя.
10. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором отражающий слой имеет большую поперечную протяженность, чем поперечная протяженность преобразующего длину волны слоя.
11. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее прозрачный элемент, расположенный между источником света и преобразующим длину волны слоем.
12. Светоизлучающее устройство по п.11, дополнительно содержащее зеркало вблизи нижней поверхности прозрачного элемента.
13. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором преобразующий длину слой позиционирован в коллимирующей оптике, содержащей отражающие боковые стенки.
14. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором преобразующий длину волны слой и источник света разнесены на расстояние по меньшей мере 0,5 мм.
RU2010110803/28A 2007-08-23 2008-08-22 Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой RU2481671C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/844,176 US7810956B2 (en) 2007-08-23 2007-08-23 Light source including reflective wavelength-converting layer
US11/844,176 2007-08-23
PCT/IB2008/053388 WO2009024952A2 (en) 2007-08-23 2008-08-22 Light source including reflective wavelength-converting layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010110803A RU2010110803A (ru) 2011-09-27
RU2481671C2 true RU2481671C2 (ru) 2013-05-10

Family

ID=40139364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010110803/28A RU2481671C2 (ru) 2007-08-23 2008-08-22 Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7810956B2 (ru)
EP (1) EP2193549B1 (ru)
JP (1) JP5389029B2 (ru)
KR (1) KR20100063081A (ru)
CN (1) CN101821864B (ru)
RU (1) RU2481671C2 (ru)
TW (1) TW200929615A (ru)
WO (1) WO2009024952A2 (ru)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
GB2453953A (en) * 2007-10-23 2009-04-29 Univ Brunel Protection of plastics using UV-absorbing phosphors
JP2009176933A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp 発光装置及び照明装置
KR101046079B1 (ko) * 2008-04-03 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 소자 및 이를 이용한 ｌｅｄ 조명기구
CN102187485B (zh) * 2008-10-15 2013-07-03 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
US8083364B2 (en) * 2008-12-29 2011-12-27 Osram Sylvania Inc. Remote phosphor LED illumination system
US8152352B2 (en) 2009-01-02 2012-04-10 Rambus International Ltd. Optic system for light guide with controlled output
US8272770B2 (en) 2009-01-02 2012-09-25 Rambus International Ltd. TIR switched flat panel display
US7828453B2 (en) * 2009-03-10 2010-11-09 Nepes Led Corporation Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
JP2010251686A (ja) * 2009-03-26 2010-11-04 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法
US8697458B2 (en) 2009-04-22 2014-04-15 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
US20100270574A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
US8152318B2 (en) 2009-06-11 2012-04-10 Rambus International Ltd. Optical system for a light emitting diode with collection, conduction, phosphor directing, and output means
US8297818B2 (en) 2009-06-11 2012-10-30 Rambus International Ltd. Optical system with reflectors and light pipes
WO2011063145A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Brian Edward Richardson Internal collecting reflector optics for leds
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
DE202010001155U1 (de) * 2010-01-20 2010-04-22 Zumtobel Lighting Gmbh Lichtleiterplatte mit phosphorhaltigen Strukturelementen
GB2477569A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Sharp Kk Lamp having a phosphor.
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
JP5833581B2 (ja) * 2010-03-11 2015-12-16 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 散乱光子抽出に基づく照明器具
US8936377B2 (en) * 2010-03-31 2015-01-20 Alcon Research, Ltd. Apparatus for enhancing brightness of a wavelength converting element
DE102010038659A1 (de) * 2010-07-29 2012-02-02 Osram Ag Lichteinheit
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
RU2452059C1 (ru) 2011-01-13 2012-05-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
DE112011104802A5 (de) * 2011-01-31 2013-10-24 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit Leuchtstoffelement und optischem System
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
RU2457393C1 (ru) * 2011-02-17 2012-07-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
JP5899507B2 (ja) * 2011-04-27 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
TWI435030B (zh) * 2011-05-06 2014-04-21 Univ Nat Central 高指向性光源裝置
TW201300702A (zh) 2011-05-13 2013-01-01 Rambus Inc 照明組件
EP2788673A2 (en) * 2011-09-09 2014-10-15 Koninklijke Philips N.V. Light-emitting arrangement
US8579451B2 (en) 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
DE102012101663B4 (de) 2012-02-29 2019-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, Leuchtmittel und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
JP5962103B2 (ja) * 2012-03-21 2016-08-03 カシオ計算機株式会社 蛍光体デバイス、照明装置及びプロジェクタ装置
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9356070B2 (en) * 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
US9388947B2 (en) * 2012-08-28 2016-07-12 Cree, Inc. Lighting device including spatially segregated lumiphor and reflector arrangement
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9587790B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Cree, Inc. Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction
KR102114607B1 (ko) * 2013-04-01 2020-05-25 엘지전자 주식회사 레이저 광원장치
US9291340B2 (en) 2013-10-23 2016-03-22 Rambus Delaware Llc Lighting assembly having n-fold rotational symmetry
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
KR20150116665A (ko) * 2014-04-08 2015-10-16 현대모비스 주식회사 프라이머리 옵틱 렌즈 및 이를 구비한 차량용 램프
TWI573962B (zh) * 2014-04-11 2017-03-11 新世紀光電股份有限公司 燈具結構
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US10801696B2 (en) 2015-02-09 2020-10-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US10378726B2 (en) 2015-02-09 2019-08-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting system generating a partially collimated distribution comprising a bowl reflector, a funnel reflector with two parabolic curves and an optically transparent body disposed between the funnel reflector and bowl reflector
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
CN105990507B (zh) 2015-03-18 2019-09-17 新世纪光电股份有限公司 侧照式发光二极管结构及其制造方法
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
TWI697136B (zh) * 2015-09-18 2020-06-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
CN111223975A (zh) 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
JP6868388B2 (ja) 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
CN108006599A (zh) * 2017-07-26 2018-05-08 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 基于led或ld的高功率多波长光源转换装置及其控制方法
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030201451A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
RU2233013C2 (ru) * 2002-03-06 2004-07-20 Институт проблем химической физики РАН Полупроводниковый электролюминесцентный источник света и способ его изготовления (варианты)
US20040145895A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US20050184638A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Lumileds Lighting, U.S., Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2000347601A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
US6630691B1 (en) 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
DE10013304B4 (de) * 2000-03-17 2005-05-25 We-Ef Leuchten Wolfgang Fritzsche Elektroapparatebau Gmbh & Co. Kg Leuchte
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
JP2003017751A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US20040159900A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
WO2005107420A2 (en) * 2004-05-05 2005-11-17 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
JP2005353650A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ光源および液晶表示装置
KR100752586B1 (ko) * 2004-06-28 2007-08-29 쿄세라 코포레이션 발광장치 및 조명장치
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
KR100631992B1 (ko) * 2005-07-19 2006-10-09 삼성전기주식회사 측면 방출형 이중 렌즈 구조 ｌｅｄ 패키지
US7196354B1 (en) 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US7293908B2 (en) * 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US8016443B2 (en) * 2008-05-02 2011-09-13 Light Prescriptions Innovators, Llc Remote-phosphor LED downlight

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2233013C2 (ru) * 2002-03-06 2004-07-20 Институт проблем химической физики РАН Полупроводниковый электролюминесцентный источник света и способ его изготовления (варианты)
US20030201451A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
US20040145895A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US20050184638A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Lumileds Lighting, U.S., Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009024952A3 (en) 2009-09-03
CN101821864A (zh) 2010-09-01
WO2009024952A2 (en) 2009-02-26
KR20100063081A (ko) 2010-06-10
TW200929615A (en) 2009-07-01
JP2010537420A (ja) 2010-12-02
US7810956B2 (en) 2010-10-12
CN101821864B (zh) 2012-01-18
RU2010110803A (ru) 2011-09-27
EP2193549B1 (en) 2019-01-09
US20090052158A1 (en) 2009-02-26
EP2193549A2 (en) 2010-06-09
JP5389029B2 (ja) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2481671C2 (ru) Источник света, включающий в себя отражающий, преобразующий длину волны слой
RU2457582C2 (ru) Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты)
RU2550753C2 (ru) Полупроводниковый светоизлучающий диод с конверсией длины волны
JP5951180B2 (ja) 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
RU2479072C2 (ru) Светоизлучающий прибор, включающий в себя фотонный кристалл и люминесцентную керамику
RU2504047C2 (ru) Сид с управляемой угловой неравномерностью
JP6435258B2 (ja) 波長変換側面被覆を具備する発光装置
US20090154137A1 (en) Illumination Device Including Collimating Optics
RU2451366C2 (ru) Осветительное устройство, в частности, с люминесцентной керамикой
JP2010514189A (ja) 光放出デバイス用のマルチ−粒子発光セラミックス
JP2010157774A (ja) 波長変換型半導体発光デバイス
JP2018527600A (ja) 蛍光体セラミック
US8941135B2 (en) Light emissive ceramic laminate and method of making same
JP2012167147A (ja) 蛍光体及び発光装置
Jiang et al. High color rendering and high-luminance laser lighting using all inorganic nitride phosphor films

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20180306

PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20180511

PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20210827

PD4A Correction of name of patent owner