RU2457582C2 - Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты) - Google Patents
Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2457582C2 RU2457582C2 RU2009123456/28A RU2009123456A RU2457582C2 RU 2457582 C2 RU2457582 C2 RU 2457582C2 RU 2009123456/28 A RU2009123456/28 A RU 2009123456/28A RU 2009123456 A RU2009123456 A RU 2009123456A RU 2457582 C2 RU2457582 C2 RU 2457582C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- transparent material
- semiconductor structure
- ceramic body
- emitting region
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 claims description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 claims description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YIONJVUULJNSMK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);rubidium(1+) Chemical class [O-2].[Rb+].[Rb+] YIONJVUULJNSMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical class [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- -1 Y 2 O 3 Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical class [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7729—Chalcogenides
- C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью 31 полупроводниковой структуры 12, содержащей светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью р-типа. Слой прозрачного материала 36 также расположен на пути света, испускаемого светоизлучающей областью. Прозрачный материал может соединять керамическое тело с полупроводниковой структурой. Частицы 45, сформированные для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое адгезивного материала. В некоторых вариантах осуществления данные частицы являются люминофором; в некоторых вариантах осуществления данные частицы являются не преобразующим длину волны материалом. Изобретение обеспечивает возможность улучшения равномерности вывода смешанного света из устройства, а также улучшения цветовых характеристик смешанного света. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Настоящее изобретение касается преобразующих длину волны полупроводниковых светоизлучающих устройств.
Полупроводниковые светоизлучающие устройства, включающие в себя светоизлучающие диоды (СИД), резонаторные светоизлучающие диоды (РСИД), вертикальные резонаторные лазерные диоды (ВРЛД) и лазеры с торцевым излучением, находятся среди наиболее эффективных источников света, доступных в настоящее время. Системы материалов, рассматриваемые в настоящее время при изготовлении светоизлучающих устройств высокой яркости, способные функционировать в видимом спектре, включают в себя полупроводники группы III V, в частности двойные, тройные и четверные сплавы галлия, алюминия, индия и азота, также называемые III-нитридными материалами. Обычно III-нитридные светоизлучающие устройства изготавливают путем эпитаксиального выращивания пакета полупроводниковых слоев с разными композициями и концентрациями легирующих примесей на сапфире, карбиде кремния, III-нитриде или другой подходящей подложке с помощью химического осаждения из металлоорганической газовой фазы (MOCVD), эпитаксии из молекулярного пучка (ЭМП) или других эпитаксиальных технологий. Данный пакет часто включает в себя один или несколько слоев n-типа, легированных, например, Si, образованных на подложке, один или несколько светоизлучающих слоев в активной области, образованных на данном слое или слоях n-типа, и один или несколько слоев р-типа, легированных, например, Mg, образованных поверх активной области. Электрические контакты формируют на областях n-типа.
Так как свет, излучаемый III-нитридными устройствами, находится, в целом, на коротковолновом краю видимого спектра, свет, генерируемый III-нитридными устройствами, может быть легко преобразован с получением света, имеющего большую длину волны. В данной области техники хорошо известно, что свет, имеющий первоначальную длину волны пика ("первичный свет"), может быть преобразован в свет, имеющий более длинную волну пика ("вторичный свет"), с использованием способа, известного как люминесценция/флуоресценция. Процесс флуоресценции включает в себя поглощение первичного света преобразующим длину волны материалом, таким как люминофор, и возбуждение люминесцентных центров данного люминофорного материала, которые излучают вторичный свет. Длина волны пика вторичного света будет зависеть от люминофорного материала. Тип люминофорного материала можно выбирать так, чтобы получать вторичный свет, имеющий конкретную длину волны пика.
Люминофоры могут быть расположены на пути света, излучаемого СИД, несколькими способами. Патент США 6351069 описывает III-нитридный СИД кристалл, покрытый слоем прозрачной смолы, с которой смешан преобразующий длину волны материал. Патент США 6630691 описывает выращивание СИД устройств на монокристаллических люминесцентных подложках. Патент США 6696703 описывает применение тонкопленочных люминофорных слоев, расположенных поверх СИД. Несколько патентов описывают формирование конформных люминофорных слоев на СИД, например, с помощью электрофоретического осаждения, как описано в патенте США 6576488, или с помощью трафаретной печати, как описано в патенте США 6650044. Многие из этих люминофорных слоев являются хрупкими и трудными в обращении и не выносящими высокой температуры и высокоинтенсивного освещения, вызываемых СИД. Кроме того, может быть трудно или невозможно сформировать множественные люминофорные слои с помощью некоторых способов.
Альтернативой вышеописанным люминофорным слоям является применение преобразующих длину волны материалов, сформированных в керамические плиты, как описано более подробно в публикации патентной заявки США 2005-0269582, которая включена сюда посредством ссылки. Люминесцентные керамические плиты, описанные в ней, являются, в целом, самоподдерживающими слоями, сформированными отдельно от полупроводникового устройства, затем прикрепляемыми к конечному полупроводниковому устройству или используемыми в качестве подложки роста для полупроводникового устройства. Люминесцентная керамика имеет тенденцию быть более крепкой, чем люминофорные слои, описанные выше.
Согласно вариантам осуществления данного изобретения керамическое тело, содержащее преобразующий длину волны материал, находится на пути света, испускаемого светоизлучающей областью полупроводниковой структуры, содержащей светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью р-типа. Слой прозрачного материала также находится на пути света, испускаемого светоизлучающей областью. Прозрачный материал может соединять керамическое тело с полупроводниковой структурой. Частицы, приспособленные для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в данном слое адгезивного материала. В некоторых вариантах осуществления данные частицы представляют собой люминофор; в некоторых вариантах осуществления данные частицы не являются преобразующим длину волны материалом. Присутствие рассеивающих частиц в адгезиве может улучшить равномерность выхода смешанного света из устройства и может улучшить цветные характеристики смешанного света.
Фиг.1 показывает люминесцентную керамику, расположенную над полупроводниковой структурой, включающей в себя светоизлучающий слой.
Фиг.2 показывает люминесцентную керамику, прикрепленную к полупроводниковой структуре с помощью прозрачного материала, включающего в себя рассеивающие частицы, согласно вариантам осуществления данного изобретения.
Фиг.3 представляет покомпонентное изображение упакованного светоизлучающего устройства.
Фиг.4 показывает прозрачный материал, включающий в себя рассеивающие частицы, сформированный над люминесцентной керамикой, соединенной с полупроводниковой структурой, согласно вариантам осуществления данного изобретения.
Люминесцентные керамические слои могут быть изготовлены путем нагрева обычного порошкового люминофора под давлением до тех пор, пока частицы люминофора не начнут размягчаться и плавиться. Частично расплавленные частицы слипаются вместе, образуя жесткий агломерат частиц. В отличие от тонкой пленки, которая оптически ведет себя как одна большая частица люминофора без оптических разрывов, люминесцентная керамика ведет себя как тесно упакованные отдельные люминофорные частицы, так что существуют небольшие оптические разрывы на поверхности раздела между разными люминофорными частицами. Так как исходный материал порошкового люминофора обычно имеет однородную композицию и легирование, полученная люминесцентная керамика является, в целом, прозрачной, оптически однородной и равномерно легированной по керамической плите активирующими примесями, которые действуют как люминесцентные центры.
Одна проблема с равномерно легированной люминесцентной керамикой заключается в том, что минимальная толщина люминесцентной керамики ограничивается возможностью воспроизводимого изготовления керамики. Многие люминофоры имеют предпочтительный диапазон легирования, где данный люминофор эффективно поглощает и излучает свет. При таких расположениях люминофора, как конформные слои, порошок люминофора с предпочтительным уровнем легирования осаждают с толщиной, необходимой для достижения желаемого числа люминесцентных центров, которые обеспечивают желаемую величину преобразования люминофора и утечки непреобразованного света из светоизлучающего диода, обеспечивая желаемые характеристики смешанного света. В люминесцентной керамике толщина, требуемая для возможности производства, может заставлять использовать гораздо меньший уровень легирования, чем предпочтительный уровень, если использование порошка люминофора с предпочтительным уровнем легирования в керамике при минимальной толщине, требуемой для возможности производства, дает слишком много люминесцентных центров и, следовательно, слишком большое люминофорное преобразование.
Вышеописанная проблема слишком большого числа люминесцентных центров является особенно острой для красно-излучающей люминесцентной керамики, объединенной с синим светоизлучающим диодом и желто-излучающей люминесцентной керамикой для получения белого смешанного света. Только небольшое количество красно-излучающего люминофора требуется для получения белого смешанного света; если применяют слишком много красно-излучающего люминофора, белый смешанный свет будет казаться слишком красным. При предпочтительном уровне легирования люминесцентных центров в красно-излучающем люминофоре желаемое количество люминесцентных центров, необходимых для получения желаемого красного излучения, достигается в люминесцентном керамическом слое толщиной 20 мкм. Однако минимальная, приемлемая для производства толщина люминесцентной керамики, образованной из люминофора, составляет 100 мкм. Чтобы достичь желаемого количества люминесцентных центров в люминесцентной керамике толщиной 100 мкм, нужно использовать порошок люминофора с гораздо меньшим, меньше желаемого, уровнем легирования для формирования люминесцентной керамики.
Вторая проблема, связанная с прозрачной люминесцентной керамикой, показана на фиг.1. Прозрачная люминесцентная керамика 30 соединяется со светоизлучающим устройством 12. Показаны два световых луча 33 и 34, испускаемых из светоизлучающей области 31. Так как световой луч 33 излучается при меньшем угле относительно нормали к поверхности светоизлучающего слоя, чем луч 34, луч 33 "видит" меньше люминофора в люминесцентной керамике 30 и, более вероятно, покидает люминесцентную керамику 30 без люминофорного преобразования. Напротив, луч 34 видит гораздо больше люминофора в люминофорной керамике и, более вероятно, подвергается люминофорному преобразованию перед уходом из люминесцентной керамики 30. В результате, предполагая, что светоизлучающая область 31 испускает синий свет, а люминофор в люминофорной керамике 30 излучает желтый свет, свет, испускаемый от верхней поверхности возле центра устройства, кажется более синим, тогда как свет, испускаемый от верхней поверхности возле краев устройства, кажется более желтым, вызывая нежелательное желтоватое "гало" вокруг центра более синеватого света.
Проблема желтого гало, показанная на фиг.1, может быть снижена или устранена путем увеличения рассеяния от люминесцентной керамики 30; то есть путем изготовления люминесцентной керамики 30 скорее полупрозрачной, чем прозрачной, часто с помощью внедрения воздушных карманов во время изготовления керамики, которые действуют в качестве центров рассеяния. Одна проблема с таким подходом заключается в том, что трудно регулировать внедрение воздушных карманов. Внедрение слишком большого числа воздушных карманов может приводить к слишком большому рассеянию, которое может снижать эффективность извлечения света из люминесцентной керамики 30.
В некоторых вариантах осуществления материал, который вызывает рассеяние, такой как люминофор, находится между полупроводниковым светоизлучающим устройством и люминесцентной керамикой, как в устройстве, показанном в разрезе на фиг.2. В устройстве на фиг.2 III-нитридная полупроводниковая структура, включающая в себя светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа, выращивается на подложке выращивания (не показана). Части области р-типа и светоизлучающей области вытравливают, обнажая часть области n-типа. Р- и n-контакты 39 и 38, часто отражающие контакты, формируют на обнаженных частях каждой из областей р-типа и n-типа полупроводниковой структуры. Полупроводниковая структура 12 электрически и физически соединяется с опорой 43 посредством р- и n-соединений 42 и 41, которые могут быть, например, соединениями из припоя или золота. Не полностью заполняющий материал 37 может вводиться в любые пространства между полупроводниковой структурой 12 и опорой 43 до, во время или после установки полупроводниковой структуры 12 на опору 43. Не полностью заполняющий материал 37 поддерживает полупроводниковую структуру 12, предотвращая и снижая растрескивание и другие повреждения, вызванные удалением подложки выращивания. Не полностью заполняющий материал 37 может быть сформирован так, что боковые стенки 37 распространяются вдоль и даже за края полупроводниковой структуры 12. После удаления подложки выращивания обнажается верхняя поверхность полупроводниковой структуры 12 согласно ориентации, показанной на фиг.2. Поверхность полупроводниковой структуры 12 может быть сделана шероховатой или текстурированой иным образом, чтобы улучшить извлечение света, например, с помощью фотоэлектрохимического травления.
Люминесцентная керамика 30 прикрепляется к верхней поверхности полупроводниковой структуры 12. Слой прозрачного материала 36 находится между полупроводниковой структурой 12 и люминесцентной керамикой 30. Хотя материал 36 описывается здесь как "прозрачный", следует понимать, что материал 36 не обязан быть полностью прозрачным, хотя в большинстве вариантов осуществления предпочтительно, когда материал 36 не поглощает существенного количества света. В некоторых вариантах осуществления прозрачный материал 36 действует в качестве адгезива, прикрепляя люминесцентную керамику 30 к полупроводниковой структуре 12. Боковые стенки 37 из не полностью заполняющего материала могут содержать боковую протяженность прозрачного материала 36.
В некоторых вариантах осуществления данного изобретения материал, который вызывает рассеяние, формируют над люминесцентной керамикой, соединенной с полупроводниковым светоизлучающим устройством, как в устройстве, показанном в разрезе на фиг.4. Как и на фиг.2, в устройстве на фиг.4 люминесцентная керамика соединяется, например, с помощью прозрачного адгезивного слоя, такого как силикон, эпоксидная смола или золь-гель, или путем прямого связывания, с III-нитридной полупроводниковой структурой, установленной на опоре. Прозрачный материал 36 формируют над люминесцентной керамикой 30. В некоторых вариантах осуществления данного изобретения слой прозрачного материала, расположенный между полупроводниковой структурой 12 и люминесцентной керамикой 30, как показано на фиг.2, может быть объединен со слоем прозрачного материала, образованным над люминесцентной керамикой, как показано на фиг.4.
Внутри прозрачного материала 36 на фиг.2 или фиг.4 находятся частицы 45, которые действуют как центры рассеяния. Прозрачный материал 36 может нагружаться достаточным количеством частиц 45, чтобы вызывать достаточное рассеяние для снижения или устранения проблемы желтого гало, описанной выше. Прозрачный материал 36 может иметь толщину, например, от 0,5 до 50 мкм в противоположность люминесцентной керамике 30, которая обычно имеет толщину больше чем 100 мкм. В некоторых вариантах осуществления рассеивающие частицы 45 не являются преобразующими длину волны материалами. Рассеивающие частицы 45 выбирают так, что разница показателей преломления между прозрачным материалом 36 и рассеивающими частицами 45 велика, насколько возможно. Например, прозрачный материал 36 может иметь показатель преломления от 1,4 до 1,5, как в случае с, например, эпоксидной смолой или силиконом. Рассеивающие частицы могут иметь показатель преломления от 1,8 до 2,4, как в случае, например, легированного или нелегированного Y3Al5O12 или ZnS. Чем меньше разница показателей преломления, тем больше рассеивающих частиц 45 должно находиться в прозрачном материале 36 для достижения заданной величины рассеяния. Примеры подходящих материалов для рассеивающих частиц 45 включают в себя оксиды иттрия, такие как Y2O3, оксиды титана, оксиды стронция и оксиды рубидия. В некоторых вариантах осуществления подходящие частицы имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ представляет собой длину волны внутри устройства света, испускаемого светоизлучающей областью. В некоторых вариантах осуществления подходящий объемный коэффициент заполнения частиц составляет от 10 до 50% объема прозрачного материала 36, и подходящая плотность числа частиц составляет одну частицу на объем (5 λ)3. И размер частиц, и плотность числа частиц могут зависеть от разницы показателя преломления между прозрачным материалом 36 и частицами 45.
В некоторых вариантах осуществления рассеивающие частицы 45 представляют собой люминофорные частицы, такие как красно-излучающие люминофорные частицы. Подходящие красно-излучающие люминофоры включают в себя eCAS, BSSNE, SSONE, а также (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x≤1, например CaS:Eu2+ и SrS:Eu2+; и (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, где 0≤a<5, 0<x≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1, включая, например, Sr2Si5N8:Eu2+. eCAS, который представляет собой Ca1-xAlSiN3:Eux, может быть синтезирован из 5,436 г Ca3N2 (чистота >98%), 4,099 г AlN (99%), 4,732 г Si3N4 (чистота >98%) и 0,176 г Eu2O3 (чистота 99,99%). Порошки смешивают с помощью планетарной шаровой мельницы и обжигают в течение 4 часов при 1500°С в атмосфере Н2/N2 (5/95%). BSSNE, который представляет собой Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1, 0≤y≤4, 0,0005≤z≤0,05), может быть синтезирован путем углетермического восстановления, которое включает в себя смешение 60 г ВаСО3, 11,221 г SrCO3 и 1,672 г Eu2O3 (все 99,99% чистоты) с помощью планетарной шаровой мельницы, используя 2-пропанол в качестве диспергирующего агента. После сушки данную смесь обжигают в атмосфере образующегося газа при 1000°С в течение 4 часов и 10 г полученного таким образом Ba0,8Sr0,2O:Eu (2%) смешивают с 5,846 г Si3N4 (чистота >98%), 0,056 г AlN (чистота 99%) и 1,060 г графита (микрокристаллического класса). Порошки тщательно смешивают 20 минут с помощью планетарной шаровой мельницы и обжигают в течение 4 часов при 1450°С в атмосфере образующегося газа, получая порошок Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1, 0≤y≤4, 0,0005≤z≤0,05). SSONE может быть изготовлен путем смешения 80,36 г SrCO3 (чистота 99,99%), 20,0 г SiN4/3 (чистота >98%) и 2,28 г Eu2O3 (чистота 99,99%) и обжига при 1200°С в течение 4 часов в атмосфере N2/Н2 (93/7). Такие красно-излучающие люминофорные частицы могут иметь средний диаметр частиц от 0,5λ до 20λ, где λ представляет собой длину волны внутри устройства света, испускаемого светоизлучающей областью, и концентрацию в прозрачном материале от 0,1 до 95 об.%, более предпочтительно от 10 до 30 об.%.
В одном варианте осуществления частицы красно-излучающего люминофора включают в прозрачный материал 36 в качестве рассеивающих частиц 45. Светоизлучающая область 31 полупроводниковой структуры 12 излучает синий свет. Люминесцентная керамика включает в себя люминофор, который излучает свет в желтом/зеленом диапазоне. Непреобразованный синий свет из светоизлучающей области 31 объединяется с желтым/зеленым светом, излучаемым люминесцентной керамикой 30, и красным светом, излучаемым красными люминофорными частицами 45, обеспечивая смешанный свет, который кажется белым. Количество красного люминофора и уровень легирования красного люминофора, находящегося в прозрачном материале 36, может быть выбран, чтобы получать желаемую величину красного излучения и желаемую величину рассеяния. Если количество красного люминофора, необходимое для желаемой величины красного излучения, не обеспечивает достаточного рассеяния, не преобразующие длину волны частицы, такие как частицы, описанные выше, могут быть включены в прозрачный материал 36 в добавление к красным люминофорным частицам, чтобы достичь желаемой величины рассеяния.
Люминесцентная керамика 30 может быть сформирована из любого подходящего люминофора. Подходящие желто-/зелено-излучающие люминофоры включают в себя алюминий-гранатные люминофоры с общей формулой (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1, такие как Lu3Al5O12:Ce3+ и Y3Al5O12:Ce3+; SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+, включая, например, SrGa2S4:Eu2+; и Sr1-xBaxSiO4:Eu2+. Подходящая Y3Al5O12:Ce3+ керамика может быть получена следующим образом: 40 г Y2O3 (99,998%), 32 г Al2O3 (99,999%) и 3,44 г СеО2 перемешивают с 1,5 кг шаров из высокочистого оксида алюминия (диаметром 2 мм) в изопропаноле на роликовом стенде в течение 12 часов. Высушенный порошок предшественника затем прокаливают при 1300°С в течение двух часов в атмосфере СО. Полученный порошок YAG затем деагломерируют с помощью планетарной шаровой мельницы (агатовые шары) в этаноле. Керамическую суспензию затем отливают в шаблоны, получая керамическое зеленое тело после сушки. Зеленые тела затем спекают между графитными пластинами при 1700°С в течение двух часов.
Хотя вышеописанный двухлюминофорный пример включает в себя желто-/зелено-излучающий люминофор, сформированный в люминесцентную керамику, и красно-излучающий люминофор, включенный в виде рассеивающих частиц в прозрачный материал, эти два люминофора можно менять местами. Например, один из красно-излучающих люминофоров, описанных выше, может быть сформирован в люминесцентную керамику и объединен со слоем прозрачного материала, включающего в качестве рассеивающих частиц один из желто-/зелено-излучающих люминофоров, описанных выше.
Прозрачный материал 36 может быть, например, органическим материалом, таким как эпоксидная смола, акриловая смола или силикон, одним или несколькими высокопреломляющими неорганическим материалами или золь-гель стеклом. Такие материалы могут использоваться в качестве адгезива, чтобы прикреплять люминесцентную керамику 30 к полупроводниковой структуре 12, как в устройстве, показанном на фиг.2.
Примеры высокопреломляющих материалов включают в себя высокопреломляющие оптические стекла, такие как Schott стекло SF59, Schott стекло LaSF 3, Schott стекло LaSF N18 и их смеси. Эти стекла доступны от Schott Glass Technologies Incorporated, of Duryea, Pa. Примеры других высокопреломляющих материалов включают в себя высокопреломляющее халькогенидное стекло, такое как (Ge,Sb,Ga)(S,Se) халькогенидные стекла, III-V полупроводники, включая GaP, InGaP, GaAs и GaN, но не ограничиваясь ими, II-VI полупроводники, включая ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe и CdTe, но не ограничиваясь ими, полупроводники и соединения IV группы, включая Si и Ge, но не ограничиваясь ими, органические полупроводники, оксиды металлов, включая оксид вольфрама, оксид титана, оксид никеля, оксид циркония, оксид индия олова и оксид хрома, но не ограничиваясь ими, фториды металлов, включая фторид магния и фторид кальция, но не ограничиваясь ими, металлы, включая Zn, In, Mg и Sn, но не ограничиваясь ими, иттрий-алюминиевый гранат (YAG), фосфидные соединения, арсенидные соединения, антимонидные соединения, нитридные соединения, высокопреломляющие органические соединения и их смеси или сплавы. Склеивание с высокопреломляющими неорганическими материалами описано более подробно в заявке с порядковым номером 09/660317, зарегистрированной 12 сентября 2000, и 09/880204, зарегистрированной 12 июня 2001, обе из которых включены сюда посредством ссылки.
Золь-гель стекла описаны более подробно в патенте США 6642618, который включен сюда посредством ссылки. В вариантах осуществления, где люминесцентная керамика прикреплена к устройству с помощью золь-гель стекла, один или несколько материалов, таких как оксиды титана, церия, свинца, галлия, висмута, кадмия, цинка, бария или алюминия, могут быть включены в SiO2 золь-гель стекло для увеличения показателя преломления стекла, чтобы близко сопоставить показатель преломления стекла с показателями преломления люминесцентной керамики и поверхности полупроводниковой структуры, к которой прикрепляется люминесцентная керамика.
Описанная здесь люминесцентная керамика может быть текстурированной или формованной, измельченной, механически обработанной, штампованной горячим способом или полированной в желаемые формы, например, для увеличения извлечения света. Например, люминесцентная керамика может быть формована в линзу, такую как выпуклая линза или линза Френеля, загрубленная или текстурированная с фотонной кристаллической структурой, такой как периодическая решетка из дырок, образованных в керамике. Формованный керамический слой может быть меньше, такого же размера или больше, чем поверхность, к которой он прикрепляется.
Фиг.3 представляет покомпонентное изображение упакованного светоизлучающего устройства, описанного более подробно в патенте США 6274924. Теплоотводящая гильза 100 помещается в формованную вставкой раму. Формованная вставкой рама представляет собой, например, заполняющий пластический материал 105, запрессованный вокруг металлической рамы 106, которая обеспечивает электрический путь. Гильза 100 может включать в себя необязательную чашку 102 отражателя. Кристалл 104 светоизлучающего устройства, который может быть любым из устройств, описанных в вариантах осуществления выше, устанавливается прямо или опосредованно с помощью теплопроводящей опоры 103 в гильзу 100. Крышка 108, которая может быть оптической линзой, может добавляться.
На основании подробно описанного изобретения специалистам в данной области техники будет очевидно, что к данному изобретению могут быть сделаны модификации без отклонения от сущности описанной здесь изобретенной идеи. Например, хотя примеры здесь относятся к III-нитридным светоизлучающим диодам, следует понимать, что варианты осуществления данного изобретения могут распространяться на другие светоизлучающие устройства, включая устройства из других систем материалов, таких как III-фосфид и III-арсенид, и другие структуры, такие как резонаторные СИД, лазерные диоды и вертикальные резонаторные лазеры с поверхностным излучением. Следовательно, не предполагается, что объем изобретения ограничивается конкретными показанными и описанными вариантами осуществления.
Claims (22)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее: полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью; и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45, сформированных для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое прозрачного материала.
2. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
3. Устройство по п.1, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
4. Устройство по п.1, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше, чем 50% толщины керамического тела 30.
5. Устройство по п.1, где разница между показателем преломления частиц 45 и показателем преломления прозрачного материала 36 составляет, по меньшей мере, 0,4.
6. Устройство по п.1, где частицы 45 выбирают из группы, состоящей из оксидов иттрия, оксидов титана, оксидов стронция и оксидов рубидия.
7. Устройство по п.1, где частицы 45 имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ, представляет собой длину волны света, испускаемого светоизлучающей областью 31, внутри полупроводниковой структуры 12.
8. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
9. Устройство по п.1, где слой прозрачного материала 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
10. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
11. Светоизлучающее устройство, содержащее: полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее первый, преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью; и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45 из второго, преобразующего длину волны материала находятся в слое прозрачного материала.
12. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
13. Устройство по п.11, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
14. Устройство по п.11, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше, чем 50% толщины керамического тела 30.
15. Устройство по п.11, где светоизлучающая область 31 сформирована так, чтобы излучать синий свет, первый, преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать желтый или зеленый свет, и второй, преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать красный свет.
16. Устройство по п.11, где первый, преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<х<1, 0<y<1, 0<z≤0,l, 0<а≤0,2 и 0<b≤0,1; Lu3Аl5О12:Се3+: Y3Аl5О12:Се3+; SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+; SrGa2S4:Eu2+; и Sr1-xBaxSiO4:Eu2+.
17. Устройство по п.11, где второй, преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<х≤1; CaS:Eu2+; SrS:Eu2+; (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, где 0≤а<5, 0<х≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1; Sr2Si5N8:Eu2+; Ca0,99AlSiN3:Eu0,01; Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤х≤1, 0≤y≤4, 0,0005≤z≤0,05); и Sr1-xSi2O2N2:Eu2+.
18. Устройство по п.11, дополнительно содержащее множество не преобразующих длину волны частиц, расположенных в слое прозрачного материала 36.
19. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
20. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
21. Устройство по п.11, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
22. Устройство по п.11, дополнительно содержащее: n- и р-контакты 38, 39, электрически соединяющиеся с областями n- и р-типа; и крышку 108, расположенную над светоизлучающей областью.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/561,859 US7521862B2 (en) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material |
US11/561,859 | 2006-11-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009123456A RU2009123456A (ru) | 2010-12-27 |
RU2457582C2 true RU2457582C2 (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=39416048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009123456/28A RU2457582C2 (ru) | 2006-11-20 | 2007-11-20 | Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты) |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521862B2 (ru) |
EP (1) | EP2106621B1 (ru) |
JP (1) | JP2010510650A (ru) |
KR (1) | KR20090082499A (ru) |
CN (1) | CN101657910B (ru) |
BR (1) | BRPI0719067A2 (ru) |
RU (1) | RU2457582C2 (ru) |
TW (1) | TWI520401B (ru) |
WO (1) | WO2008096214A2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2545492C1 (ru) * | 2013-12-05 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Устройство полупроводникового светодиода |
Families Citing this family (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
JP2009540558A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光装置 |
US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
US8475683B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-07-02 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
US8133461B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-03-13 | Intematix Corporation | Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation |
US8529791B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-09-10 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US7781779B2 (en) * | 2007-05-08 | 2010-08-24 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices including wavelength converting material |
US9401461B2 (en) * | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
US7791093B2 (en) * | 2007-09-04 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
US7687810B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-03-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Robust LED structure for substrate lift-off |
US9634191B2 (en) | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
DE102008025756B4 (de) | 2008-05-29 | 2023-02-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiteranordnung |
KR101596001B1 (ko) * | 2008-07-01 | 2016-03-07 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드 |
EP2308106B1 (en) | 2008-07-22 | 2018-03-21 | Philips Lighting Holding B.V. | An optical element for a light emitting device and a method of manufacturing thereof |
EP2311104B1 (de) * | 2008-08-11 | 2018-03-28 | OSRAM GmbH | Konversions-led |
JP2012504860A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光抽出の増加及び非黄色のオフ状態色のための封止材における粒子を含むled |
US8287346B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-10-16 | Cfph, Llc | Late game series information change |
EP2202284B1 (en) * | 2008-12-23 | 2012-10-17 | Korea Institute of Energy Research | Nitride red phosphors and white light emitting diode using rare-earth-doped nitride red phosphors |
DE102009019161A1 (de) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
BRPI1007686B1 (pt) | 2009-05-19 | 2019-11-05 | Koninl Philips Electronics Nv | sistema de iluminação |
DE102009024425B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-11-17 | Diehl Aerospace Gmbh | Anschlusseinrichtung für eine lichtemittierende Diode und Beleuchtungseinheit |
KR20110000286A (ko) * | 2009-06-26 | 2011-01-03 | 삼성전자주식회사 | (옥시)나이트라이드 형광체의 제조방법, 이로부터 얻어진 (옥시)나이트라이드 형광체 및 이를 구비한 백색 발광 소자 |
US8547009B2 (en) * | 2009-07-10 | 2013-10-01 | Cree, Inc. | Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials |
US8431423B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective substrate for LEDS |
DE102009027977A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US8203161B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
DE102010005169A1 (de) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
JP5887280B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2016-03-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
US20110215348A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-09-08 | Soraa, Inc. | Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials |
KR100969100B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2010-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
US8646949B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-02-11 | LumenFlow Corp. | Constrained folded path resonant white light scintillator |
EP2557607B1 (en) * | 2010-04-08 | 2019-02-20 | Nichia Corporation | Light-emitting device and process for production thereof |
US8154052B2 (en) | 2010-05-06 | 2012-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device grown on wavelength converting substrate |
US8941135B2 (en) | 2010-07-15 | 2015-01-27 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
DE102010035490A1 (de) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
US8242684B2 (en) | 2010-09-27 | 2012-08-14 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-converting plate with microlenses |
US8334646B2 (en) | 2010-09-27 | 2012-12-18 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers |
CN103155186A (zh) | 2010-09-29 | 2013-06-12 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 波长转换的发光器件 |
KR101739573B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
DE102010061848B4 (de) * | 2010-11-24 | 2022-11-03 | Lumitech Patentverwertung Gmbh | LED-Modul mit vorgefertigtem Element |
EP2482350A1 (en) * | 2011-02-01 | 2012-08-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED assembly comprising a light scattering layer |
DE102011010118A1 (de) | 2011-02-02 | 2012-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements |
JP2012182376A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換部材および光源装置 |
JP2012186414A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 発光装置 |
WO2012120433A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor composition for leds |
EP2748864B1 (en) | 2011-08-26 | 2020-02-05 | Lumileds Holding B.V. | Method of processing a semiconductor structure |
DE102011113777A1 (de) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement und Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit Wellenlängenkonversionselement |
DE102011115879A1 (de) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe |
WO2013118072A2 (en) | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device |
DE102012202927B4 (de) * | 2012-02-27 | 2021-06-10 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
CN104247053B (zh) * | 2012-03-23 | 2017-03-08 | 夏普株式会社 | 半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 |
JP6435258B2 (ja) | 2012-03-30 | 2018-12-05 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 波長変換側面被覆を具備する発光装置 |
CN104823289B (zh) * | 2012-11-28 | 2019-01-01 | 株式会社Lg化学 | 发光二极管 |
TWI581458B (zh) | 2012-12-07 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
CN103113898B (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-13 | 李迎九 | Led导光粉的制备方法 |
DE102013102482A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
CN108198918B (zh) | 2013-05-15 | 2020-10-02 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有衬底中的散射特征的led |
DE102013105307A1 (de) | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
JP7068771B2 (ja) | 2013-07-08 | 2022-05-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 波長変換式半導体発光デバイス |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
US9499740B2 (en) * | 2013-11-22 | 2016-11-22 | Nitto Denko Corporation | Light extraction element |
KR102499548B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2023-03-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광패키지 및 이를 포함하는 차량용 헤드램프 |
JP6555111B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体 |
US10489924B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Structured light generator and object recognition apparatus including the same |
CN108069710A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-05-25 | 深圳市光峰光电技术有限公司 | 一种发光陶瓷及发光装置 |
KR102655479B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2024-04-08 | 엘지전자 주식회사 | Led 필름 |
US10600937B1 (en) | 2018-09-17 | 2020-03-24 | Lumileds Holding B.V. | Precise bondline control between LED components |
EP3900057A1 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-27 | Lumileds Holding B.V. | Color uniformity in converted light emitting diode using nanostructures |
US11322669B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-05-03 | Lumileds Llc | Color uniformity in converted light emitting diode using nano-structures |
US11515456B2 (en) * | 2019-02-21 | 2022-11-29 | Innolux Corporation | LED with light adjusting layer extending past the LED |
JP7301172B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2023-06-30 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 蛍光体変換器の接合 |
JP7170917B2 (ja) | 2019-06-25 | 2022-11-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | マイクロled用の蛍光体層 |
US11362243B2 (en) | 2019-10-09 | 2022-06-14 | Lumileds Llc | Optical coupling layer to improve output flux in LEDs |
USD933881S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture having heat sink |
US11032976B1 (en) | 2020-03-16 | 2021-06-15 | Hgci, Inc. | Light fixture for indoor grow application and components thereof |
USD933872S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture |
JP7299537B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11411146B2 (en) | 2020-10-08 | 2022-08-09 | Lumileds Llc | Protection layer for a light emitting diode |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2219622C1 (ru) * | 2002-10-25 | 2003-12-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник белого света |
WO2006087651A2 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device comprising inorganic light emitting diode(s) |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5744815A (en) | 1995-10-05 | 1998-04-28 | Symbol Technologies, Inc. | Beam splitting optics in bar code readers |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6429583B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6630691B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
US6696703B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
US6409938B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-06-25 | The General Electric Company | Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG |
US6621211B1 (en) | 2000-05-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | White light emitting phosphor blends for LED devices |
US6501100B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-12-31 | General Electric Company | White light emitting phosphor blend for LED devices |
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
JP2002141559A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sanken Electric Co Ltd | 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム |
JP5110744B2 (ja) | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
US6576488B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
JP2003298115A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
TWI329367B (en) * | 2002-06-13 | 2010-08-21 | Cree Inc | Saturated phosphor solid state emitter |
US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
US7554258B2 (en) * | 2002-10-22 | 2009-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body |
US6917057B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-07-12 | Gelcore Llc | Layered phosphor coatings for LED devices |
JP4254266B2 (ja) | 2003-02-20 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
JP2005167091A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
TWI241034B (en) * | 2004-05-20 | 2005-10-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light emitting diode package |
US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
WO2006111907A2 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a ceramic luminescence converter |
JP2009540558A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光装置 |
-
2006
- 2006-11-20 US US11/561,859 patent/US7521862B2/en active Active
-
2007
- 2007-11-19 TW TW096143729A patent/TWI520401B/zh active
- 2007-11-20 BR BRPI0719067-0A patent/BRPI0719067A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2007-11-20 KR KR1020097012700A patent/KR20090082499A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-20 RU RU2009123456/28A patent/RU2457582C2/ru active
- 2007-11-20 JP JP2009536860A patent/JP2010510650A/ja active Pending
- 2007-11-20 WO PCT/IB2007/054718 patent/WO2008096214A2/en active Application Filing
- 2007-11-20 EP EP07872487.9A patent/EP2106621B1/en active Active
- 2007-11-20 CN CN2007800430972A patent/CN101657910B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2219622C1 (ru) * | 2002-10-25 | 2003-12-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник белого света |
WO2006087651A2 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device comprising inorganic light emitting diode(s) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2545492C1 (ru) * | 2013-12-05 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Устройство полупроводникового светодиода |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010510650A (ja) | 2010-04-02 |
TW200845456A (en) | 2008-11-16 |
CN101657910A (zh) | 2010-02-24 |
EP2106621B1 (en) | 2018-08-22 |
US20080116467A1 (en) | 2008-05-22 |
RU2009123456A (ru) | 2010-12-27 |
BRPI0719067A2 (pt) | 2013-11-26 |
WO2008096214A3 (en) | 2009-02-26 |
US7521862B2 (en) | 2009-04-21 |
KR20090082499A (ko) | 2009-07-30 |
TWI520401B (zh) | 2016-02-01 |
WO2008096214A2 (en) | 2008-08-14 |
CN101657910B (zh) | 2012-10-10 |
EP2106621A2 (en) | 2009-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2457582C2 (ru) | Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты) | |
US10290775B2 (en) | Luminescent ceramic for a light emitting device | |
JP5389029B2 (ja) | 反射型波長変換層を含む光源 | |
US7902564B2 (en) | Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices | |
RU2550753C2 (ru) | Полупроводниковый светоизлучающий диод с конверсией длины волны | |
US7446343B2 (en) | Phosphor converted light emitting device | |
US20040012027A1 (en) | Saturated phosphor solid state emitter | |
US20080191608A1 (en) | Illumination System Comprising a Ceramic Luminescence Converter | |
WO2007080555A1 (en) | Phosphor converted light emitting device | |
JP2008537002A (ja) | 赤色光を放射するセラミック・ルミネッセンス・コンバータから成る照明システム | |
US20220045245A1 (en) | Phosphor converter structures for thin film packages and method of manufacture | |
TWI619906B (zh) | 使用光擴散劑之磷光板 | |
TWI791901B (zh) | 用於薄膜封裝的磷光體轉換器結構及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner |