RU2009123456A - Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал - Google Patents
Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009123456A RU2009123456A RU2009123456/28A RU2009123456A RU2009123456A RU 2009123456 A RU2009123456 A RU 2009123456A RU 2009123456/28 A RU2009123456/28 A RU 2009123456/28A RU 2009123456 A RU2009123456 A RU 2009123456A RU 2009123456 A RU2009123456 A RU 2009123456A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- transparent material
- ceramic body
- semiconductor structure
- emitting region
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract 19
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 9
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract 3
- YIONJVUULJNSMK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);rubidium(1+) Chemical class [O-2].[Rb+].[Rb+] YIONJVUULJNSMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical class [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 claims 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 claims 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7729—Chalcogenides
- C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
1. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45, сформированных для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое прозрачного материала. ! 2. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом. ! 3. Устройство по п.1, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12. ! 4. Устройство по п.1, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30. !5. Устройство по п.1, где разница между показателем преломления частиц 45 и показателем преломления прозрачного материала 36 составляет, по меньшей мере, 0,4. ! 6. Устройство по п.1, где частицы 45 выбирают из группы, состоящей из оксидов иттрия, оксидов титана, оксидов стронция и оксидов рубидия. ! 7. Устройство по п.1, где частицы 45 имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ представляет собой длину волны света, испускаемого светоизлучающей областью 31, внутри полупроводниковой структуры 12. ! 8. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла. !9. Устройство по п.1, где слой прозрачного материала 36 имее
Claims (22)
1. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45, сформированных для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое прозрачного материала.
2. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
3. Устройство по п.1, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
4. Устройство по п.1, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30.
5. Устройство по п.1, где разница между показателем преломления частиц 45 и показателем преломления прозрачного материала 36 составляет, по меньшей мере, 0,4.
6. Устройство по п.1, где частицы 45 выбирают из группы, состоящей из оксидов иттрия, оксидов титана, оксидов стронция и оксидов рубидия.
7. Устройство по п.1, где частицы 45 имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ представляет собой длину волны света, испускаемого светоизлучающей областью 31, внутри полупроводниковой структуры 12.
8. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
9. Устройство по п.1, где слой прозрачного материала 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
10. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
11. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее первый преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45 из второго, преобразующего длину волны материала находятся в слое прозрачного материала.
12. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
13. Устройство по п.11, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
14. Устройство по п.11, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30.
15. Устройство по п.11, где светоизлучающая область 31 сформирована так, чтобы излучать синий свет, первый преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать желтый или зеленый свет, и второй преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать красный свет.
16. Устройство по п.11, где первый преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1; Lu3Al5O12:Ce3+; Y3Al5O12:Ce3+; SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+; SrGa2S4:Eu2+; и Sr1-xBaxSiO4:Eu2+.
17. Устройство по п.11, где второй преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x≤1; CaS:Eu2+; SrS:Eu2+; (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, где 0≤a<5, 0<x≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1; Sr2Si5N8:Eu2+; Ca0,99AlSiN3:Eu0,01; Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz (M=Sr, Ca; 0≤x≤1, 0≤y≤4, 0,0005≤z≤0,05); и Sr1-xSi2O2N2:Eu2+.
18. Устройство по п.11, дополнительно содержащее множество не преобразующих длину волны частиц, расположенных в слое прозрачного материала 36.
19. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
20. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
21. Устройство по п.11, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
22. Устройство по п.11, дополнительно содержащее n- и р-контакты 38, 39, электрически соединяющиеся с областями n- и р-типа, и крышку 108, расположенную над светоизлучающей областью.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/561,859 | 2006-11-20 | ||
US11/561,859 US7521862B2 (en) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009123456A true RU2009123456A (ru) | 2010-12-27 |
RU2457582C2 RU2457582C2 (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=39416048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009123456/28A RU2457582C2 (ru) | 2006-11-20 | 2007-11-20 | Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал (варианты) |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521862B2 (ru) |
EP (1) | EP2106621B1 (ru) |
JP (1) | JP2010510650A (ru) |
KR (1) | KR20090082499A (ru) |
CN (1) | CN101657910B (ru) |
BR (1) | BRPI0719067A2 (ru) |
RU (1) | RU2457582C2 (ru) |
TW (1) | TWI520401B (ru) |
WO (1) | WO2008096214A2 (ru) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
CN101467266A (zh) * | 2006-06-08 | 2009-06-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光器件 |
US8475683B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-07-02 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
US8529791B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-09-10 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US8133461B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-03-13 | Intematix Corporation | Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation |
US7781779B2 (en) * | 2007-05-08 | 2010-08-24 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices including wavelength converting material |
US9401461B2 (en) * | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
US7791093B2 (en) * | 2007-09-04 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
US7687810B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-03-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Robust LED structure for substrate lift-off |
US9634191B2 (en) * | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
DE102008025756B4 (de) * | 2008-05-29 | 2023-02-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiteranordnung |
CN102084507B (zh) * | 2008-07-01 | 2016-01-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有降低的未转换光发射的波长转换发光二极管 |
CN102106003B (zh) | 2008-07-22 | 2013-09-11 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于发光器件的光学元件及其制备方法 |
WO2010017831A1 (de) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Konversions led |
EP2342763B1 (en) * | 2008-10-01 | 2018-09-19 | Lumileds Holding B.V. | Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
US8287346B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-10-16 | Cfph, Llc | Late game series information change |
EP2202284B1 (en) * | 2008-12-23 | 2012-10-17 | Korea Institute of Energy Research | Nitride red phosphors and white light emitting diode using rare-earth-doped nitride red phosphors |
DE102009019161A1 (de) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
JP2012527763A (ja) | 2009-05-19 | 2012-11-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ledのための光散乱及び変換板 |
DE102009024425B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-11-17 | Diehl Aerospace Gmbh | Anschlusseinrichtung für eine lichtemittierende Diode und Beleuchtungseinheit |
KR20110000286A (ko) * | 2009-06-26 | 2011-01-03 | 삼성전자주식회사 | (옥시)나이트라이드 형광체의 제조방법, 이로부터 얻어진 (옥시)나이트라이드 형광체 및 이를 구비한 백색 발광 소자 |
US8547009B2 (en) * | 2009-07-10 | 2013-10-01 | Cree, Inc. | Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials |
US8431423B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective substrate for LEDS |
DE102009027977A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US8203161B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
DE102010005169A1 (de) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
US20110215348A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-09-08 | Soraa, Inc. | Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials |
EP2531572B1 (en) * | 2010-02-03 | 2015-09-16 | Koninklijke Philips N.V. | Phosphor converted led |
KR100969100B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2010-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
US8646949B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-02-11 | LumenFlow Corp. | Constrained folded path resonant white light scintillator |
KR102109668B1 (ko) * | 2010-04-08 | 2020-05-12 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
US8154052B2 (en) | 2010-05-06 | 2012-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device grown on wavelength converting substrate |
US8941135B2 (en) | 2010-07-15 | 2015-01-27 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
DE102010035490A1 (de) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
US8334646B2 (en) | 2010-09-27 | 2012-12-18 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers |
US8242684B2 (en) | 2010-09-27 | 2012-08-14 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-converting plate with microlenses |
JP2013539229A (ja) | 2010-09-29 | 2013-10-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 波長変換型発光デバイス |
KR101739573B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
DE102010061848B4 (de) * | 2010-11-24 | 2022-11-03 | Lumitech Patentverwertung Gmbh | LED-Modul mit vorgefertigtem Element |
EP2482350A1 (en) * | 2011-02-01 | 2012-08-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED assembly comprising a light scattering layer |
DE102011010118A1 (de) | 2011-02-02 | 2012-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements |
JP2012182376A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換部材および光源装置 |
JP2012186414A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 発光装置 |
WO2012120433A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor composition for leds |
US10056531B2 (en) | 2011-08-26 | 2018-08-21 | Lumileds Llc | Method of processing a semiconductor structure |
DE102011113777A1 (de) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement und Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit Wellenlängenkonversionselement |
DE102011115879A1 (de) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe |
US9257617B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-02-09 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device |
DE102012202927B4 (de) * | 2012-02-27 | 2021-06-10 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
CN104247053B (zh) * | 2012-03-23 | 2017-03-08 | 夏普株式会社 | 半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 |
JP6435258B2 (ja) | 2012-03-30 | 2018-12-05 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 波長変換側面被覆を具備する発光装置 |
US9620687B2 (en) | 2012-11-28 | 2017-04-11 | Lg Chem, Ltd. | Light emitting diode |
TWI581458B (zh) | 2012-12-07 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
CN103113898B (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-13 | 李迎九 | Led导光粉的制备方法 |
DE102013102482A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
CN105531833B (zh) | 2013-05-15 | 2018-01-30 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有衬底中的散射特征的led |
DE102013105307A1 (de) | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
CN111509112B (zh) * | 2013-07-08 | 2024-04-02 | 亮锐控股有限公司 | 波长转换的半导体发光器件 |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
WO2015077357A1 (en) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Nitto Denko Corporation | Light extraction element |
RU2545492C1 (ru) * | 2013-12-05 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Устройство полупроводникового светодиода |
KR102499548B1 (ko) | 2015-11-06 | 2023-03-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광패키지 및 이를 포함하는 차량용 헤드램프 |
JP6555111B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体 |
US10489924B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Structured light generator and object recognition apparatus including the same |
CN108069710A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-05-25 | 深圳市光峰光电技术有限公司 | 一种发光陶瓷及发光装置 |
KR102655479B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2024-04-08 | 엘지전자 주식회사 | Led 필름 |
US10600937B1 (en) | 2018-09-17 | 2020-03-24 | Lumileds Holding B.V. | Precise bondline control between LED components |
EP3900057A1 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-27 | Lumileds Holding B.V. | Color uniformity in converted light emitting diode using nanostructures |
US11322669B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-05-03 | Lumileds Llc | Color uniformity in converted light emitting diode using nano-structures |
US11515456B2 (en) * | 2019-02-21 | 2022-11-29 | Innolux Corporation | LED with light adjusting layer extending past the LED |
JP7301172B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2023-06-30 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 蛍光体変換器の接合 |
CN114080676A (zh) | 2019-06-25 | 2022-02-22 | 亮锐有限责任公司 | 用于微led应用的磷光体层 |
US11362243B2 (en) | 2019-10-09 | 2022-06-14 | Lumileds Llc | Optical coupling layer to improve output flux in LEDs |
USD933872S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture |
US11032976B1 (en) | 2020-03-16 | 2021-06-15 | Hgci, Inc. | Light fixture for indoor grow application and components thereof |
USD933881S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture having heat sink |
JP7299537B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11411146B2 (en) | 2020-10-08 | 2022-08-09 | Lumileds Llc | Protection layer for a light emitting diode |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5744815A (en) | 1995-10-05 | 1998-04-28 | Symbol Technologies, Inc. | Beam splitting optics in bar code readers |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6429583B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6696703B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
US6630691B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
US6409938B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-06-25 | The General Electric Company | Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG |
US6621211B1 (en) | 2000-05-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | White light emitting phosphor blends for LED devices |
US6501100B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-12-31 | General Electric Company | White light emitting phosphor blend for LED devices |
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
JP2002141559A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sanken Electric Co Ltd | 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム |
JP5110744B2 (ja) | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
US6576488B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
JP2003298115A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2005530349A (ja) * | 2002-06-13 | 2005-10-06 | クリー インコーポレイテッド | 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ |
US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
US7554258B2 (en) * | 2002-10-22 | 2009-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body |
RU2219622C1 (ru) * | 2002-10-25 | 2003-12-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник белого света |
US6917057B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-07-12 | Gelcore Llc | Layered phosphor coatings for LED devices |
JP4254266B2 (ja) | 2003-02-20 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
JP2005167091A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
TWI241034B (en) * | 2004-05-20 | 2005-10-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light emitting diode package |
US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
US20080143242A1 (en) * | 2005-02-16 | 2008-06-19 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Light Emitting Device Comprising Inorganic Light Emitting Diode (S) |
DE602006003087D1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-11-20 | Philips Intellectual Property | Beleuchtungssystem mit einem keramischen lumineszenzumwandler |
CN101467266A (zh) * | 2006-06-08 | 2009-06-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光器件 |
-
2006
- 2006-11-20 US US11/561,859 patent/US7521862B2/en active Active
-
2007
- 2007-11-19 TW TW096143729A patent/TWI520401B/zh active
- 2007-11-20 EP EP07872487.9A patent/EP2106621B1/en active Active
- 2007-11-20 KR KR1020097012700A patent/KR20090082499A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-20 WO PCT/IB2007/054718 patent/WO2008096214A2/en active Application Filing
- 2007-11-20 RU RU2009123456/28A patent/RU2457582C2/ru active
- 2007-11-20 JP JP2009536860A patent/JP2010510650A/ja active Pending
- 2007-11-20 CN CN2007800430972A patent/CN101657910B/zh active Active
- 2007-11-20 BR BRPI0719067-0A patent/BRPI0719067A2/pt not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090082499A (ko) | 2009-07-30 |
TWI520401B (zh) | 2016-02-01 |
CN101657910B (zh) | 2012-10-10 |
US20080116467A1 (en) | 2008-05-22 |
WO2008096214A3 (en) | 2009-02-26 |
EP2106621A2 (en) | 2009-10-07 |
WO2008096214A2 (en) | 2008-08-14 |
US7521862B2 (en) | 2009-04-21 |
EP2106621B1 (en) | 2018-08-22 |
JP2010510650A (ja) | 2010-04-02 |
CN101657910A (zh) | 2010-02-24 |
RU2457582C2 (ru) | 2012-07-27 |
TW200845456A (en) | 2008-11-16 |
BRPI0719067A2 (pt) | 2013-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009123456A (ru) | Светоизлучающее устройство, включающее в себя люминесцентную керамику и светорассеивающий материал | |
CN110003891B (zh) | 发光装置 | |
JP6396295B2 (ja) | 光源装置および発光装置 | |
JP3809760B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP4989936B2 (ja) | 照明装置 | |
CN108305929B (zh) | 具有高显色性的白光发光装置 | |
JP5511820B2 (ja) | アルファ−サイアロン発光体 | |
TWI784058B (zh) | 具有改良暖白色點之發光裝置 | |
US20060181192A1 (en) | White LEDs with tailorable color temperature | |
US20080191608A1 (en) | Illumination System Comprising a Ceramic Luminescence Converter | |
CN106104822B (zh) | 发光装置 | |
JP2005298817A (ja) | 蛍光体及びその製造方法並びに蛍光体を用いた発光装置 | |
TW201030427A (en) | Display device and lighting device for the same | |
TWI741532B (zh) | Led燈絲及led燈絲之燈具 | |
JP2001077433A (ja) | 発光装置及びその形成方法 | |
JP5509333B2 (ja) | Led電球 | |
TW201140891A (en) | Warelength converting member, optical elemant and manufacturing method for wavelength converting member | |
CN107408610B (zh) | 发光器件 | |
JP2016063001A (ja) | 発光装置 | |
CN104177079B (zh) | 用于白光LED荧光转换的含Sr的Ce:YAG基透明陶瓷及其制备方法 | |
JP4151284B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び発光装置並びにそれらの製造方法 | |
TW201327935A (zh) | 光電半導體組件及散射媒體 | |
JP2006124673A (ja) | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 | |
JP5462211B2 (ja) | 白色発光装置 | |
JP5559338B2 (ja) | 発光装置とled電球 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner |