TWI435030B - 高指向性光源裝置 - Google Patents

高指向性光源裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI435030B
TWI435030B TW100115861A TW100115861A TWI435030B TW I435030 B TWI435030 B TW I435030B TW 100115861 A TW100115861 A TW 100115861A TW 100115861 A TW100115861 A TW 100115861A TW I435030 B TWI435030 B TW I435030B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light source
light
emitting element
source device
high directivity
Prior art date
Application number
TW100115861A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201245628A (en
Inventor
Ching Cherng Sun
Shih Peng Chen
Ching Chuan Shiue
Li Fan Lin
Shuang Chao Chung
Shuang Hau Yang
Original Assignee
Univ Nat Central
Delta Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Nat Central, Delta Electronics Inc filed Critical Univ Nat Central
Priority to TW100115861A priority Critical patent/TWI435030B/zh
Priority to CN201110249238.4A priority patent/CN102767705B/zh
Priority to US13/448,535 priority patent/US20120281417A1/en
Publication of TW201245628A publication Critical patent/TW201245628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI435030B publication Critical patent/TWI435030B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

高指向性光源裝置
本發明係關於一種高指向性光源裝置，尤指一種可增加光展量(tendue)及出光效率之高指向性光源裝置。
請參閱第1圖所示，習用第一光源裝置1係由一電路板11、一發光元件12、一反射罩13及一光纖結構14所構成，該發光元件12電性連接在該電路板11之一面上，該反射罩13係蓋設該電路板11上，並將該發光元件12包覆在內，且在該反射罩13之頂部中央部位開設一開口131，以將該光纖結構14自該開口131置入，使該光纖結構14之一端放置在該發光元件12之表面，其中該光纖結構14為一透明中空體，當該發光元件12所發出之光源，經由該光纖結構14折射，再經該反射罩13反射，使該光源反射至該發光元件12表面再反射，經由該光纖結構14導引出去，或者該光源經由該光纖結構14反射後，直接導引出去；利用此種方式將該發光元件12所產生之光源予以導引至該反射罩13外，使該光源藉由該光纖結構14進行導引，藉以產生一光波導，讓習用光源裝置1透過該光纖結構14，將該光波導進行導引出該反射罩13。
惟，該習用第一光源裝置1主要利用該光纖結構14，將該發光元件12所產生之光源轉換成該光波導，以將該光波導傳送出去，並非用以增加該發光元件12所產生該光源之光展量(tendue)及出光效率。
請參閱第2a圖所示，為習用第二光源裝置3之第一實施態樣，習用第二光源裝置3係由一基板31、一發光元件32、二接觸電極33a、33b、一導線34、一光收集器35及一光纖36所構成，其中該等接觸電極33a、33b設在該基板31上，該發光元件32與該等接觸電極之第一接觸電極33a電性連接後，並透過該導線34與該等接觸電極之第二電極33b電性連接，使該發光元件32接收該等接觸電極33a、33b的電能轉換成光能，以產生一光源，且由蓋設在該發光元件32外圍之光收集器35將該光源收集後，投射至設在該光收集器35開口端之光纖36，由該光纖36將該光源投射出去，或該光源直接由該光收集器35開口端投射出去。
請參閱第2b圖所示，為習用第二光源裝置3之第二實施態樣，則是將該光纖36更換成具有厚度的光纖36a，且該光纖36a透過一連接器37與該光收集器35連接，及在該光纖36a兩側增加一支撐結構38，該支撐結構38透過一具有導熱之黏合材料39固定在該基板31上，以將該發光元件32所產生之熱能，導引到該支撐結構38進行散熱。
由第2a圖及第2b圖可知，該發光元件32所產生之光源，會經由該光收集器35集光後，再經由該光纖36、36a將該光源投射出去，而利用此方式會有下列缺點：1.該光源之發散角受到限制。2.會使發光面積變大。3.會進而導致光展量(tendue)並沒有改變，或者使光展量(tendue)過大(即非所需之光展量(tendue))。
請參閱第3a圖及第3b圖所示，習用第三光源裝置4係由 一發光元件41及一反射器42所組成，由該發光元件41產生一光源，該光源會由該反射器42反射導引至一光纖43(如第3b圖所示)，而該光源被導引到該光纖43，且由該光纖43將該光源輸出至一光源回收腔體44(如第3b圖所示)，當該光源輸出至該光源回收腔體44時，則會有部分光源會被導引到一波長轉換層45(如第3b圖所示)，而剩餘的光源會在被該光源回收腔體44再度回收，而被回收的光源會被導引到一光波長選擇層46，由該光波長選擇層46讓原始的波長穿透，並反射轉換原始的波長後，再輸出轉換過波長的光源，故習用第三光源裝置4主要在進行波長轉換。
因此，如何提供一種可增加發光元件之光展量(tendue)及出光效率之光源裝置，亟待業界解決之課題。
本發明之一目的即在提供一種高指向性光源裝置，係在一基板上電性連接一發光元件，將一具有一反射面之光子循環器蓋設在該基板之一面，且使該發光元件容置在其中，並在對應該發光元件之頂部中央部位開設一開口，使該發光元件產生之光源直接通過該開口投射出該光子循環器，及經由該光子循環器之反射面予以反射，讓反射之光源反射至該發光元件進行散射，經由該發光元件之結構散射或反射後，再通過該開口投射至該光子循環器外，藉以達到增加該高指向性光源裝置之光展量(tendue)之目的。
本發明之另一目的在提供一種高指向性光源裝置，係增設一聚光元件，該聚光元件設置在該發光元件之外緣，將該發光元件予以包覆在內，使該發光元件產生大角度之發散角光源，經由該光子循環器反射至聚光元件，再經由該聚光元件之聚光面反射，產生一偏移形成小角度之發散角光源至該發光元件，再透過該發光元件內部結構進行散射或反射，讓散射後之光源透過該聚光元件聚光，並通過該光子循環器之開口投射出，藉以增加該高指向性光源裝置之出光效率之目的。
本發明之次一目的在提供一種高指向性光源裝置，係增設一光轉換元件及一微結構散射層，該光轉換元件為設在該光子循環器之開口處，該微結構散射層設在該基板之一面上，二者用以將該高指向性光源裝置之光展量(tendue)及出光效率向上提昇之目的。
為達成上述目的之技術手段在於：一基板；一電性連接在該基板上之發光元件，用以產生一光源；一設在基板一面之光子循環器，其內部並具有一反射面，用以反射該光源，且包覆該發光元件，及在對應該發光元件之頂部中央部位開設一開口。
為便於 貴審查委員能對本發明之技術手段及運作過程有更進一步之認識與瞭解，茲舉實施例配合圖式，詳細說明如下。
請同時參閱第4a圖至第5圖所示，本發明所提供高指向 性光源裝置之第一實施例示意圖，該高指向性裝置2係由一基板21、一發光元件22及一光子循環器23所構成，該發光元件22係電性連接在該基板21上，用以產生一光源，該光子循環器23蓋設在該基板21之一面，且內部具有一反射面231，並使該發光元件22容置其中，及在對應該發光元件22之頂部中央部位開設一開口232，其中該發光元件22為一層狀結構，具有一表面微結構221、一第一介質層222一反射層223。
在本實施例中，該表面微結構221係設在該第一介質層222之一面上，且以一蝕刻方式形成鋸齒形狀，使該發光元件22產生之光源，可經由該表面微結構221進行散射及折射。
在本實施例中，該反射層223係設置在該發光元件22之底部，將經由該表面微結構221及該第一介質層222折射之光線予以反射。
再者，該表面微結構221除了設在該第一介層之一面上外，亦可將該表面微結構221設在該反射層223之一面上，或亦可將該表面微結構221設在該發光元件22之第二介質層224一面上(圖中未示)，以對經由該光子循環器23之反射面231反射回，且反射進入該發光元件22內之光源，進行折射及散射。
在本實施例中，該光子循環器23之底部蓋設在該基板21一面，該底部直徑為該發光元件22邊長的2至50倍。
在本實施例中，該光子循環器23之頂部中央部位開口 232之角度範圍為1至50度，而該開口232之角度較佳範圍為10至30度。
當該高指向性光源裝置2進行運作時，由該發光元件22產生該光源，該光源中之一部分光源會從路線D1之路徑，直接通過該光子循環器23對應該發光元件22之開口232投射出，而該光源之另一部份光源則從路線D2之路徑，經由該光子循環器23之反射面231反射後，使該另一部份光源會反射至該發光元件22，再經由該發光元件22進行散射或反射後，以將該另一部份光源再從該開口232投射出。
在本實施例中，該反射面231係選自一球面或一橢球面。
而該發光元件22在進行散射過程或反射過程，係接收從該光子循環器23之反射面231反射回之該另一部份光源，並藉由該發光元件22之表面微結構221折射(如第4b圖所示)，即是經由該表面微結構221之鋸齒狀構造進行一光源折射，使該另一部份光源透過一折射現象折射至該發光元件22之第一介質層222，且由該第一介質層222折射至該反射層223，並經由該反射層223予以反射後，再經由該第一介質層222進行折射，最後由該表面微結構221予以折射後，使該另一部份光源再順著該路線D1通過該開口232，投射出該光子循環器23外，藉以增加該高指向性光源裝置2之光展量(tendue)之目的。
再者，該發光元件22在進行散射過程或反射過程中，會使該另一部份光源受到該發光元件22之層狀結構關係， 讓該另一部份光源會偏離原有的軌道，進而形成小角度之光源，則該另一部份光源在散射後之軌道，會與該部份光源之軌道不盡相同，藉以獲得較均勻之光源。
又，該另一部份光源在反射過程中，若光源之發散角度越大時，反射回該發光元件22之比例則會越少，將會影響該高指向性光源裝置2之出光效率，因此，需對該高指向性光源裝置2之結構進行調整，以增加出光效率。
該光子循環器23頂部之開口232角度範圍在本實施例中，可分別設計為10度、20度及30度，而該開口232之角度為10度時(如第4a圖所示)，該高指向性裝置2所產生的光展量(tendue)及出光效率相對較小；若將該開口232之角度由10度擴展至20度時(如第4c圖所示)，則該高指向性裝置2所產生的光展量(tendue)及出光效率會稍微向上提升；若又將該開口232之角度由20度擴展至30度時(如第4d圖所示)，該高指向性裝置2所產生的光展量(tendue)及出光效率則為最佳。
第5圖為本發明所提供高指向性光源裝置在該開口232之角度為30度時，進行模擬及實驗所獲得能量數據和能量圖，而模擬及實驗所獲得的能量數據則依據下列公式進行計算：
可由該公式計算出該開口232之角度在30度內的能量，經由比較該發光元件22在角度30度內所有能量(Case a)，與經由該光子循環器23的中心孔徑輸出在角度30度內的能量(Case b)，其中經由該光子循環器23的中心孔徑輸出的能量在實驗所獲得的數據，較模擬時所獲得的數據提升更佳。
請參閱第6圖所示，本發明所提供高指向性光源裝置之第二實施例示意圖，在該高指向性光源裝置2之基板21的中央部位增設一具有一聚光面241之聚光元件24，並將該發光元件22設置在該聚光元件24內，且包覆於該發光元件22之外緣，使該發光元件22所產生大角度之發散角光源，經由該聚光元件24反射後，直接順著路線D3之路徑，並通過該光子循環器23之開口232投射出去，而所產生一偏移形成小角度之發散角光源經由該光子循環器23予以反射後，再透過該發光元件22內部結構進行散射或反射後，讓散射或反射後之光源可透過該聚光元件24聚光，經由路線D4之路徑，通過該光子循環器23之開口232投射出，藉以增加該高指向性光源裝置2之出光效率之目的。
在本實施例中，該聚光面241係為一拋物面。
而該高指向性光源裝置2係應用於一手電筒或一投影機。
請參閱第7圖所示，本發明所提供高指向性光源裝置之第三實施例示意圖，將該光子循環器23之結構進行變化，以使該光子循環器23內部之兩側具有如第6圖所示中該聚光元件24之聚光面241，其中將該光子循環器23頂部且位於該開口232之兩側內面設成一頂部拋物反射面233，及該光子 循環器23內部左右兩側且呈狹長狀之內面分別設成一第一拋物聚光面234及一第二拋物聚光面235。
該發光元件22產生之第一光源，則直接經由路線D5之路徑投射出去，即該第一光源直接從該光子循環器23之開口232直接進行投射。再者，該發光元件22產生之第二光源，則是經由路線D6之路徑進行投射，該路線D6路徑由該光子循環器23一側之第一拋物聚光面234，將該第二光源聚光反射至該頂部拋物反射面233，再由該頂部拋物反射面233將該第二光源反射回至該發光元件22進行散射後，最後經由該發光元件22之開口232投射出去。又，該發光元件22產生之第三光源，則是由路線D7之路徑進行投射，而該路線D7路徑是由該光子循環器23之頂部拋物反射面233，將該第三光源反射至該第二拋物聚光面235，再由該第二拋物聚光面235聚光反射回至該發光元件22進行散射後，最後經由該光子循環器23之開口232投射出去。
請參閱第8圖所示，本發明所提供高指向性光源裝置之第四實施例示意圖，為依據前述第一實施例為基礎，在該基板21之一面增設有一微結構散射層25，及在該光子循環器23之開口232處增設一光轉換元件26。
該光轉換元件26為一光轉換層，當該發光元件22所產生之光源，形成一路線D8和路線D9會通過該開口232及該光轉換件26，且經由該光轉換元件26上之光轉換層，選擇該光源之角度小者予以投射出，而光源角度大者則經由路線D10投射至該光子循環器23之反射面231，予以反射至該微 結構散射層25，再經由該微結構散射層25反射至該透明元件26後，能夠通過該光轉換元件26投射出去(如路線D11)，或再經由該光轉換元件26反射至該微結構散射層25後(如路線D12至路線D13)，再由該微結構散射層25進行再反射，使該光源經由前述元件投射出去時，讓該光展量(tendue)及該出光效率向上提昇。
該光轉換元件26係選自一螢光粉片、一半導體量子點、一半導體米線或一半導體量子井。
此外，在該光子循環器23之開口232處亦可增設一角度選擇膜27(其所在位置與該光轉換元件26相同)，其為將該發光元件22所產生之光源中之大角度光源予以反射，而使該光源中之小角度光源直接通過。
再者，該微結構散射層25除了上述設在該基板21之一面，對該光源進行反射及散射，但並不以此為限，亦可將該微結構散射層25增設在該發光元件22之第二介質層224上(圖中未示)，使經由該光子循環器23之反射面231反射回的光源，或經由該光轉換元件26反射回的光源，反射至該發光元件22內時，能夠進行折射及散射，藉以提昇該高指向性光源裝置之光展量(tendue)。
請參閱第9圖所示，本發明所提供高指向性光源裝置之第五實施例示意圖，為同樣依前述第一實施例為基礎，在該光子循環器23之開口232處增設該光轉換元件26，而該光源之行徑路線與前述相同，在此不再加以贅述。
請參閱第10圖所示，發明所提供高指向性光源裝置之 第六實施例示意圖，為依據前述第二實施例為基礎，在該光子循環器23之開口232處增設該光轉換元件26，及亦可將該微結構散射層25設在該基板21之一面，或該發光元件22之第二介質層224上(圖中未示)，而該光源之行徑路線與前述相同，在此不再加以贅述。
請參閱第11圖所示，發明所提供高指向性光源裝置之第七實施例示意圖，為依據前述第三實施例為基礎，在該光子循環器23之開口232處增設該光轉換元件26，及亦可將該微結構散射層25設在該基板21之一面，或該發光元件22之第二介質層224上(圖中未示)，而該光源之行徑路線與前述相同，在此不再加以贅述。
藉此可知，本發明之高指向性光源裝置2係將該發光元件22所產生之光源，直接通過該光子循環器23之開口232投射出，及由該光子循環器23之反射面231反射至該發光元件22，再經由該發光元件22將該反射之光源進行散射後，經由該光子循環器23之開口232投射出去，藉以達到增加該高指向性光源裝置之光展量(tendue)及出光效率之目的。
上列詳細說明係針對本發明之一可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
1‧‧‧習用第一光源裝置
11‧‧‧電路板
12‧‧‧發光元件
13‧‧‧反射罩
131‧‧‧開口
14‧‧‧光纖結構
2‧‧‧高指向性光源裝置
21‧‧‧基板
22‧‧‧發光元件
221‧‧‧表面微結構
222‧‧‧第一介質層
223‧‧‧反射層
224‧‧‧第二介質層
23‧‧‧光子循環器
231‧‧‧反射面
232‧‧‧開口
233‧‧‧頂部拋物反射面
234‧‧‧第一拋物聚光面
235‧‧‧第二拋物聚光面
24‧‧‧聚光元件
241‧‧‧聚光面
25‧‧‧微結構散射層
26‧‧‧光轉換元件
27‧‧‧角度選擇膜
3‧‧‧習用第二光源裝置
31‧‧‧基板
32‧‧‧發光元件
33a‧‧‧接觸電極
33b‧‧‧接觸電極
34‧‧‧導線
35‧‧‧光收集器
36‧‧‧光纖
36a‧‧‧光纖
37‧‧‧連接器
38‧‧‧支撐結構
39‧‧‧黏合材料
4‧‧‧習用第三光源裝置
41‧‧‧發光元件
42‧‧‧反射器
43‧‧‧光纖
44‧‧‧光源回收腔體
45‧‧‧波長轉換層
46‧‧‧光波長選擇層
D1~D13‧‧‧路線
第1圖為習用第一光源裝置之結構示意圖；第2a圖至第2b圖為習用第二光源裝置之結構示意圖； 第3a圖至第3b圖為習用第三光源裝置之結構示意圖；第4a圖為本發明高指向性光源裝置第一實施例之實施態樣示意圖(一)；第4b圖為本發明第一實施例之發光元件進行光散射示意圖；第4c圖為本發明高指向性光源裝置第一實施例之實施態樣示意圖(二)；第4d圖為本發明高指向性光源裝置第一實施例之實施態樣示意圖(三)；第5圖為本發明高指向性光源裝置之光子循環器開口在30度時進行實驗及模擬所獲得能量數據之比較示意圖；第6圖為本發明高指向性光源裝置之第二實施例示意圖；第7圖為本發明高指向性光源裝置之第三實施例示意圖；第8圖為本發明高指向性光源裝置之第四實施例示意圖；第9圖為本發明高指向性光源裝置之第五實施例示意圖；第10圖為本發明高指向性光源裝置之第六實施例示意圖；以及第11圖為本發明高指向性光源裝置之第七實施例示意圖。
2‧‧‧高指向性光源裝置
21‧‧‧基板
22‧‧‧發光元件
23‧‧‧光子循環器
231‧‧‧反射面
232‧‧‧開口
D1‧‧‧路線
D2‧‧‧路線

Claims (17)

  1. 一種高指向性光源裝置，包括：一基板；一發光元件，係電性連接在該基板上，用以產生一光源，該發光元件包含一表面微結構，其設在一第一介質層之一面上，用以對該發光元件所產生之光源進行散射及折射，該發光元件又包含一反射層，係設置在該發光元件之底部，用以將該光源予以反射；以及一光子循環器，係蓋設在該基板之一面，且內部具有一反射面，用以反射該光源，並包覆該發光元件，及在對應該發光元件之頂部中央部位開設一開口。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器之底部為蓋設在該基板一面，該底部之直徑為該發光元件邊長的2至50倍。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器開口之角度範圍為1至50度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該基板上設有一微結構散射層，為將反射後之光源，予以進行散射與再度進行反射。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，復包括一光轉換元件，係設置在該光子循環器之開口處。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之高指向性光源裝置，又復包括一微結構散射層，其係設在該發光元件之第二介質層及該基板一面之其中一者，用以對該光源經由該光子循環器或 該光轉換元件反射後進行再反射及散射。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，更復包括一角度選擇膜，係設置在光子循環器之開口處，用以將該光源中之大角度光源予以反射，而使該光源中之小角度光源直接通過。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該反射面係選自一球面及一橢球面其中之一。
  9. 申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器頂部且位於該開口兩側之內面為一頂部拋物反射面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器內部左右兩側且呈狹長狀之內面分別為一第一拋物聚光面及一第二拋物聚光面。
  11. 一種高指向性光源裝置，包括：一基板；一發光元件，係電性連接在該基板上，用以產生一光源，該發光元件包含一表面微結構設在一第一介質層之一面上，且以一蝕刻方式形成鋸齒形狀，用以對該發光元件所產生之光源進行散射及折射，該發光元件又包含一反射層，係設置在該發光元件之底部，用以將該光源予以反射；一光子循環器，係蓋設在該基板之一面，且內部具有一反射面，用以反射該光源，並使該發光元件容置其中，及在對應該發光元件之頂部中央部位開設一開口；以及 一聚光元件，係包覆於該發光元件之外緣，且具有一聚光面，用以接收該光子循環器反射之光源，將該光源反射至該發光元件進行散射後，以將該散射之光源進行聚光。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之高指向性光源裝置，其中該聚光面係為一拋物面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器之底部為蓋設在該基板一面，該底部之直徑為該發光元件邊長的2至50倍。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之高指向性光源裝置，其中該光子循環器開口之角度範圍為1至50度，以該開口之角度範圍以10至30度為較佳。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之高指向性光源裝置，其中該反射面係選自一球面及一橢球面其中之一。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之高指向性光源裝置，復包括一光轉換元件，係設置在該光子循環器之開口處。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之高指向性光源裝置，又復包括一微結構散射層，其係設在該發光元件之第二介質及該基板一面之其中一者，用以對該光源經由該光子循環器或該光轉換元件反射後進行再反射及散射。
TW100115861A 2011-05-06 2011-05-06 高指向性光源裝置 TWI435030B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100115861A TWI435030B (zh) 2011-05-06 2011-05-06 高指向性光源裝置
CN201110249238.4A CN102767705B (zh) 2011-05-06 2011-08-26 高指向性光源装置
US13/448,535 US20120281417A1 (en) 2011-05-06 2012-04-17 Directional light source device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100115861A TWI435030B (zh) 2011-05-06 2011-05-06 高指向性光源裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201245628A TW201245628A (en) 2012-11-16
TWI435030B true TWI435030B (zh) 2014-04-21

Family

ID=47090110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100115861A TWI435030B (zh) 2011-05-06 2011-05-06 高指向性光源裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120281417A1 (zh)
CN (1) CN102767705B (zh)
TW (1) TWI435030B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2885241A1 (en) * 2012-09-18 2014-03-27 Wavien, Inc. Lamp system having parabolic reflector with two reflections for recycling light
US20160170126A1 (en) * 2013-07-30 2016-06-16 Sakai Display Products Corporation Light Source Device, Lighting Device and Liquid Crystal Display Device
DE102014105839A1 (de) 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2016102354A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-30 Ge Healthcare Bio-Sciences Ab Improvements in and relating to led illumination in microscopy
CN107170867B (zh) * 2017-04-27 2019-07-19 湖北大学 应用于平行光照明的发光二极管

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220889C (zh) * 2001-02-21 2005-09-28 皇家菲利浦电子有限公司 照明设备
US7040774B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
US7048385B2 (en) * 2004-06-16 2006-05-23 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing color scrolling and light emitting diodes
DE202004011015U1 (de) * 2004-07-14 2004-11-11 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED-Strahler mit trichterförmiger Linse
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
WO2006130387A2 (en) * 2005-05-20 2006-12-07 K-Rain Manufacturing Corp. Cassegrain optical configuration to expand high intensity led flashlight to larger diameter lower intensity beam
CN1904465A (zh) * 2005-07-27 2007-01-31 财团法人工业技术研究院 照明单元结构与照明光源结构
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US20090135606A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Caltraco International Limited Multi-reflector mechanism for a led light source
US8147081B2 (en) * 2007-12-26 2012-04-03 Lumination Llc Directional linear light source
JP2009259582A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Casio Comput Co Ltd 光源装置及びこの光源装置を備えたプロジェクタ
TW200946827A (en) * 2008-05-12 2009-11-16 Radiant Opto Electronics Corp Lighting apparatus
CN101725899A (zh) * 2008-10-10 2010-06-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 照明装置
US20100117070A1 (en) * 2008-09-18 2010-05-13 Lumenz Llc Textured semiconductor light-emitting devices
EP2363896A4 (en) * 2008-11-28 2013-08-28 Koito Mfg Co Ltd LIGHT EMITTING MODULE, LIGHT TRANSMITTING MODULE MANUFACTURING METHOD, AND LAMP UNIT
US8408780B2 (en) * 2009-11-03 2013-04-02 Apple Inc. Portable computer housing with integral display
CN201526904U (zh) * 2009-11-04 2010-07-14 正峰新能源股份有限公司 照明装置改良

Also Published As

Publication number Publication date
US20120281417A1 (en) 2012-11-08
TW201245628A (en) 2012-11-16
CN102767705A (zh) 2012-11-07
CN102767705B (zh) 2014-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6145260B2 (ja) 発光装置
TWI435030B (zh) 高指向性光源裝置
JP2012529769A (ja) 収集、伝導、蛍光体配向および出力手段を有する発光ダイオードに関する光学システム
JP2007513382A (ja) 反射光結合器
TWM429802U (en) Light source module and light-emitting device thereof
JP2009545864A5 (zh)
TWI469383B (zh) A light emitting device and a manufacturing method thereof
US10995915B2 (en) LED module and lighting module
TW201114073A (en) Light-emitting diode structure
TW201221826A (en) Light source for crystal lamp
TWM399295U (en) Light emitting device increasing light extracting efficiency by destroying total reflection light source
JP2009049386A (ja) 照明用光源および照明装置
JP2015053189A (ja) 照明器具
TWI409501B (zh) 線性極化光轉換器
JP2014011415A (ja) 発光装置及び照明装置及び表示装置
KR102193342B1 (ko) 가스센서어셈블리
JP4897745B2 (ja) 発光ダイオード素子を用いた照明系及びその発光ダイオード素子
TWM423203U (en) High-brightness LED lamp structure
TWI577487B (zh) Laser lighting device
TW200947758A (en) Light emitting device
TWM324851U (en) High-brightness LED micro structure package
JP6688303B2 (ja) 背面発光型ｌｅｄ及び反射基板を用いた輝度パターン形成
TWM443271U (en) Optical element and light source module with the optical element
TWI487868B (zh) 多指向性發光裝置及其運作方法
JP2012094658A (ja) 発光装置および照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees