RU2462412C2 - Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур - Google Patents

Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур Download PDF

Info

Publication number
RU2462412C2
RU2462412C2 RU2010136662/28A RU2010136662A RU2462412C2 RU 2462412 C2 RU2462412 C2 RU 2462412C2 RU 2010136662/28 A RU2010136662/28 A RU 2010136662/28A RU 2010136662 A RU2010136662 A RU 2010136662A RU 2462412 C2 RU2462412 C2 RU 2462412C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
self
holes
structures
polymer
nanoscale
Prior art date
Application number
RU2010136662/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010136662A (ru
Inventor
Чарлз Т. БЛЭК (US)
Чарлз Т. БЛЭК
Тимоти Дж. ДЭЛТОН (US)
Тимоти Дж. ДЭЛТОН
Брюс Б. ДОРИС (US)
Брюс Б. ДОРИС
Карл РЕЙДЕНС (US)
Карл РЕЙДЕНС
Original Assignee
Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн filed Critical Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн
Publication of RU2010136662A publication Critical patent/RU2010136662A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2462412C2 publication Critical patent/RU2462412C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0369—Static structures characterized by their profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0147—Film patterning
    • B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0198—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making a masking layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/882—Assembling of separate components, e.g. by attaching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/888—Shaping or removal of materials, e.g. etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/2457—Parallel ribs and/or grooves
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
    • Y10T428/24736—Ornamental design or indicia
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Finishing Walls (AREA)

Abstract

Изобретение относится к самособирающимся сублитографическим наноразмерным структурам в упорядоченной периодической решетке и к способам их изготовления. Сущность изготовления: способ формирования наноразмерного рисунка на подложке включает формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке, выполнение в нем системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки, формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур, формирование второго трафаретного слоя, охватывающего указанный участок, выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки, формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур, формирование третьего трафаретного слоя, охватывающего указанный участок, выполнение в третьем трафаретном слое системы третьих отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур. Изобретение позволяет получить наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру, которая простиралась бы на участке большой площади. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 33 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится в целом к наноразмерным структурам и, в частности, к самособирающимся сублитографическим наноразмерным структурам в упорядоченной периодической решетке и к способам их изготовления.
Уровень техники
В полупроводниковой промышленности растет интерес к применению методов восходящего проектирования при изготовлении полупроводников. Согласно одному из таких методов для создания сублитографических наноразмерных рисунков согласно правилам проектирования используют самособирающиеся блок-сополимеры.
Самособирающиеся сополимерные материалы, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки, могут наноситься в пределах впадины в трафаретном слое для формирования наноразмерной структуры. В соответствующих условиях два или более несмешиваемых компонента блок-сополимера разделяются на две или более фазы нанометрового масштаба и таким образом образуют рельефные рисунки из изолированных наноразмерных структурных единиц. Такие упорядоченные рисунки из изолированных наноразмерных структурных единиц, образуемые самособирающимися блок-сополимерами, могут использоваться для изготовления наноразмерных структурных единиц в полупроводниковых, оптических и магнитных устройствах. Размеры получаемых таким образом структурных единиц обычно составляют от 5 до 40 нм, что соответствует сублитографическим размерам (т.е. размерам, находящимся ниже разрешающей способности оборудования для литографии).
Самособирающиеся блок-сополимеры сначала растворяют в соответствующей системе растворителей с получением раствора блок-сополимера, который затем наносят на поверхность подслоя с получением слоя блок-сополимера. Самособирающиеся блок-сополимеры подвергают отжигу при повышенной температуре с получением двух наборов полимерных блочных структур, содержащих два различных полимерных блочных компонента. Полимерной блочной структурой могут являться линии или цилиндры. Один набор полимерных блочных структур может быть встроен в другой набор полимерных блочных структур, или полимерные блочные структуры, относящиеся к различным наборам, могут чередоваться. Самособирающиеся блок-сополимеры являются нефоточувствительными резистами, формирование в которых рисунков осуществляется не фотонами, т.е. оптическим излучением, а за счет самосборки при соответствующих условиях, таких как условия отжига.
Если самосборка двух наборов полимерных блочных структур за счет отжига является химическим свойством, присущим самособирающимся блок-сополимерам, то для самовыстраивания двух наборов полимерных блочных структур требуется взаимодействие самособирающихся блок-сополимеров с окружающей средой, создающей физические ограничения. Иными словами, для самовыстраивания двух наборов полимерных блочных структур необходима внешняя структура, по которой выравнивались бы самовыстраивающиеся структуры. Такая внешняя структура действует как шаблон для выравнивания самовыстраивающейся структуры во время отжига, разделяющего первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент.
Область упорядочения, создаваемая внешней структурой и обеспечивающая самовыстраивание самособирающихся блок-сополимеров во время отжига, является конечной. Иными словами, пространственная протяженность эффекта присутствия внешней структуры в качестве шаблона является ограниченной и не распространяется до бесконечности. Если расстояние между самособирающимися блок-сополимерами и внешней структурой превышает эффективную область упорядочения, когерентность упорядочения теряется. В этом случае два набора полимерных блочных структур уже не выравниваются с внешней структурой. Хотя диапазон самособранной самовыстроенной наноразмерной структуры может колебаться в зависимости от состава самособирающихся блок-сополимеров, ограниченный диапазон области упорядочения обычно составляет менее 100 чередований первого полимерного блочного компонента и второго полимерного блочного компонента. Таким образом, получение самособранной самовыстроенной наноразмерной структуры размером свыше около 1 мкм является затруднительным.
Вместе с тем, для перспективных полупроводниковых и наноразмерных устройств весьма желательно иметь большие структуры с повторяющимся рельефным рисунком. В связи с этим существует потребность в наноразмерной самособранной самовыстроенной структуре, которая простиралась бы на участке большой площади и размер которой не ограничивался бы присущим самособирающимся блок-сополимерам эффективным диапазоном области упорядочения, и в способах формирования такой наноразмерной самособранной самовыстроенной структуры.
Раскрытие изобретения
Описанные выше потребности удовлетворяются настоящим изобретением за счет создания смежных наноразмерных самособранных самовыстроенных структур, простирающихся на участке, выходящем за диапазон области упорядочения самособирающихся блок-сополимеров, создаваемый внешними структурами, а также способов их изготовления.
В одном из вариантов осуществления изобретения участок большой площади, превышающей диапазон когерентности упорядочения при самовыстраивании, поделен на шестиугольные ячейки, имеющие литографические размеры. Шестиугольные ячейки поделены на три группы, в каждую из которых входит одна треть всех шестиугольных ячеек, не пересекающихся друг с другом. Шестиугольные ячейки каждой группы образуют шестиугольную решетку. В трафаретном слое выполняют отверстия для шестиугольных ячеек каждой группы, и внутри каждого отверстия наносят набор самособирающихся блок-сополимеров, образующий определенный рисунок. Этот процесс повторяют три раза по числу групп, в результате чего получают самовыстроенный рисунок на участке большой площади. В другом варианте осуществления изобретения участок большой площади делят на прямоугольные ячейки, образующие две неперекрывающиеся и дополняющие друг друга группы. Каждый прямоугольный участок имеет меньшую ширину, чем область упорядочения самособирающихся блок-сополимеров. В каждой группе последовательно формируют самособранные самовыстроенные линейно-пространственные структуры, в результате чего на участке большой площади, превышающей диапазон области упорядочения, формируется рельефный рисунок из линий и интервалов между ними. В качестве вариантов шестиугольных ячеек в изобретении также предусмотрены прямоугольные, квадратные и треугольные элементы.
Одним объектом настоящего изобретения является способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки,
- формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- формирование второго трафаретного слоя, охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки,
- формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- формирование третьего трафаретного слоя, охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- выполнение в третьем трафаретном слое системы третьих отверстий, каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и
- формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
В одном из вариантов осуществления изобретения каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий.
В другом варианте осуществления изобретения заданный участок соответствует объединению вместе взятых площадей первых отверстий, вместе взятых площадей вторых отверстий и вместе взятых площадей третьих отверстий.
В еще одном варианте осуществления изобретения вторая шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника, а третья шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на другой экземпляр указанного правильного шестиугольника, а относительно второй шестиугольной решетки - еще на один экземпляр указанного правильного шестиугольника.
В еще одном варианте осуществления изобретения каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур конгруэнтна другой из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
В еще одном варианте предлагаемый в изобретении способ дополнительно характеризуется тем, что:
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент,
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист, и
- перед формированием третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из третьих отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
В еще одном варианте осуществления изобретения каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере один круговой цилиндр, содержащий первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к указанному по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности.
В еще одном варианте осуществления изобретения каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур дополнительно включает в себя шесть экземпляров трети кругового цилиндра, каждый из которых имеет объем, составляющий одну треть общего объема указанного по меньшей мере одного кругового цилиндра, и угол 120° при ребре.
При этом шесть экземпляров трети кругового цилиндра и полимерная матрица могут примыкать боковыми поверхностями к границе одного из первых, вторых и третьих отверстий.
В еще одном варианте осуществления изобретения каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя множество круговых цилиндров, содержащих первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности, причем каждый из множества круговых цилиндров отделен от границ первых, вторых и третьих отверстий.
В еще одном варианте осуществления предлагаемый в изобретении способ дополнительно включает травление группы круговых цилиндров, избирательное по отношению к набору полимерных матриц, или травление группы полимерных матриц, избирательное по отношению к набору круговых цилиндров.
В еще одном из вариантов осуществления изобретения в подложке дополнительно формируют рисунок сублитографических размеров, используя оставшуюся часть круговых цилиндров и полимерных матриц в качестве маски для травления.
Еще одним объектом настоящего изобретения является способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину,
- формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- формирование второго трафаретного слоя непосредственно на первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структурах,
- выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину и которые дополняют первые отверстия в пределах заданного участка, и
- формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
Предлагаемый в изобретении способ в одном из вариантов его осуществления дополнительно характеризуется тем, что;
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, и
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
В другом варианте осуществления изобретения каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере одну линию номинальной ширины и две краевые линии, каждая из которых содержит первый полимерный компонент, при этом каждая из двух краевых линий примыкает к границе одного из первых отверстий, указанная по меньшей мере одна линия номинальной ширины отделена от двух краевых линий и имеет номинальную ширину, являющуюся сублитографической и превышающую ширину краевых линий.
В еще одном варианте осуществления изобретения каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя также дополняющие линии, содержащие второй полимерный компонент, причем каждая из дополняющих линий примыкает сбоку к двум линиям из числа по меньшей мере одной линии номинальной ширины и двух краевых линий и имеет другую ширину, являющуюся сублитографической.
Предлагаемый в изобретении способ в еще одном варианте его осуществления дополнительно включает:
- травление первого полимерного компонента, избирательное по отношению ко второму полимерному компоненту, или травление второго полимерного компонента, избирательное по отношению к первому полимерному компоненту, и
- формирование в подложке рисунка сублитографических размеров с периодическим повтором по меньшей мере одной первой линии, имеющей первый сублитографический размер, и второй линии, имеющей второй сублитографический размер, причем в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
Еще одним объектом настоящего изобретения является структура, содержащая подложку, имеющую рисунок, выступающий из по существу плоской поверхности или углубленный в нее и включающий в себя шестиугольную решетку с минимальной периодичностью, имеющей литографический размер, и элементарной ячейкой, имеющей форму правильного шестиугольника и содержащей окружности одинакового диаметра, причем совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности.
В одном из вариантов осуществления изобретения указанный одинаковый диаметр является сублитографическим.
В другом варианте осуществления изобретения рисунок выступает из поверхности, а предлагаемая в изобретении структура включает в себя множество цилиндров одинакового диаметра, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждом из выступающих элементов рисунка, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями указанных цилиндров.
В еще одном варианте осуществления изобретения рисунок углублен в поверхность, а предлагаемая в изобретении структура включает в себя матрицу из полимерного компонента нефоточувствительного полимерного резиста, имеющую цилиндрические отверстия, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями цилиндрических отверстий.
Еще одним объектом настоящего изобретения является структура, содержащая подложку с одномерным периодическим повтором элемента рисунка, включающего в себя по меньшей мере одну первую линию и вторую линию, выступающую из по существу плоской поверхности или углубленную в нее, причем первая линия или каждая из первых линий имеет первую сублитографическую ширину, вторая линия имеет вторую сублитографическую ширину, и в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
В одном из вариантов осуществления изобретения первая сублитографическая ширина и вторая сублитографическая ширина являются различными.
В другом варианте осуществления изобретения рисунок выступает из поверхности, а предлагаемая в изобретении структура включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждой из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
В еще одном варианте осуществления изобретения рисунок углублен в поверхность, а предлагаемая в изобретении структура включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на указанной по существу плоской поверхности, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
Краткое описание чертежей
Чертежи с одинаковыми цифровыми обозначениями относятся к одной стадии изготовления. На чертежах с индексом "А" показаны виды сверху вниз. На чертежах с индексом "Б" или "В" показаны виды в вертикальном поперечном разрезе соответственно вдоль плоскости В-В' или С-С' на соответствующем чертеже с таким же цифровым обозначением и индексом "А".
На фиг.1А-16Б показаны последовательные виды первого примера выполнения наноразмерной структуры,
на фиг.17А-18Б - последовательные виды одного из вариантов первого примера выполнения наноразмерной структуры,
на фиг.19А-23Б - последовательные виды одного из вариантов второго примера выполнения наноразмерной структуры,
на фиг.24А и 24Б - последовательные виды одного из вариантов второго примера выполнения наноразмерной структуры,
на фиг.25А-33Б - последовательные виды третьего примера выполнения наноразмерной структуры.
Подробное описание изобретения
Как указано выше, настоящее изобретение относится к самособранным сублитографическим наноразмерным структурам в регулярной периодической решетке и способам их изготовления, которые будут более подробно описаны далее со ссылкой на сопровождающие чертежи. Следует отметить, что одинаковые и сходные элементы обозначены на чертежах одинаковыми позициями.
Как показано на фиг.1, наноразмерная структура согласно первому примеру осуществления содержит первый трафаретный слой 20А, сформированный на подложке 10. Протяженность площади первого трафаретного слоя 20А и подложки 10 может превышать протяженность области упорядочения применяемых впоследствии нефоточувствительных полимерных резистов. Подложкой 10 может являться полупроводниковая подложка, диэлектрическая подложка, металлическая подложка или их сочетание. Полупроводниковой подложкой может являться кремниевая подложка, полупроводниковая подложка из другого элемента IV группы или подложка из полупроводникового соединения. Полупроводниковой подложкой также может являться монолитная подложка, подложка со структурой полупроводник на диэлектрике (ПНД или SOI, от английского - semiconductor-on-insulator) или гибридная подложка, имеющая монолитную часть и часть с ПНД-структурой. Первый трафаретный слой 20А может содержать полупроводниковый материал или изоляционный материал. Примеры полупроводниковых материалов включают поликремний, аморфный кремний, поликристаллический кремний, содержащий сплав, в который входит германий или углерод, или аморфный кремний, содержащий сплав, в который входит германий или кремний. Примеры изоляционных материалов включают диэлектрический окисел, диэлектрический оксинитрид, диэлектрический нитрид и пористый или непористый изоляционный материал с низкой диэлектрической постоянной (меньшей диэлектрической постоянной, чем у окиси кремния, т.е. 3,9). Кроме того, первый трафаретный слой 20 может содержать аморфный углерод или углерод с алмазоподобной структурой, такой как безводородный аморфный углерод, тетраэдрический безводородный аморфный углерод, металлосодержащий безводородный аморфный углерод, гидрогенизированный аморфный углерод, тетраэдрический гидрогенизированный аморфный углерод, металлосодержащий гидрогенизированный аморфный углерод и модифицированный гидрогенизированный аморфный углерод.
При формировании первого трафаретного слоя 20А сначала полностью покрывают верхнюю поверхность подложки 10 слоем покрытия, на котором затем литографическим способом формируют рисунок путем нанесения фоторезиста (не показан), формирования рисунка фоторезиста и анизотропного травления с целью переноса рисунка фоторезиста на первый трафаретный слой 20А. Рисунок содержит первые отверстия О1, которые выполнены в первом трафаретном слое 20А и под которыми находится вскрытая верхняя поверхность подложки 10. Каждое из первых отверстий О1 имеет форму правильного шестиугольника одинакового размера. Поскольку первые отверстия O1 формируются методами литографии, их характеристические размеры, например длина стороны правильного шестиугольника, являются литографическими размерами.
Является ли размер литографическим или сублитографическим, зависит от того, достижим ли он литографическими методами формирования рисунка. Минимальный размер, достижимый литографическими методами формирования рисунка, именуется в настоящем изобретении "минимальным литографическим размером" или "критическим размером". Хотя минимальный литографический размер задают только применительно к определенному литографическому оборудованию, и обычно он изменяется от поколения к поколению полупроводниковой техники, подразумевается, что минимальный литографический размер и сублитографический размер должны задаваться в расчете на оптимальные характеристики литографического оборудования, доступного на момент изготовления полупроводника. По данным на 2007 год минимальный литографический размер составляет около 45 нм, и по расчетам должен уменьшиться в будущем. Размер, меньший минимального литографического размера, является сублитографическим размером, а размер, равный или превышающий минимальный литографический размер, является литографическим размером.
Местоположение первых отверстий О1 определяют путем заполнения верхней поверхности первого трафаретного слоя 20А, которая сформирована путем осаждения или нанесения покрытия из материала, образующего первый трафаретный слой 20А и не содержащего рельеф, гипотетической шестиугольной решеткой правильных шестиугольников. Правильные шестиугольники заполняют верхнюю поверхность первого трафаретного слоя 20А таким же образом, как и шестиугольные элементы, используемые для заполнения заданного участка. Границы правильных шестиугольников показаны на фиг.1А пунктирными линиями. Набор из одной трети правильных шестиугольников содержит первые отверстия О1, при этом каждый из правильных шестиугольников в наборе отделен от других правильных шестиугольников того же набора и образует еще одну шестиугольную решетку, элементарный шестиугольник которой показан на фиг.1А сдвоенными пунктирными линиями. Эта шестиугольная решетка первых отверстий именуется в изобретении "первой шестиугольной решеткой". Таким образом, площадь первых отверстий О1 составляет приблизительно одну треть всей площади верхней поверхности первого трафаретного слоя 20А перед формированием рисунка.
Длина стороны правильного шестиугольника имеет литографический размер и, например, может превышать 45 нм. Стандартный интервал длин стороны правильного шестиугольника, применимый в 2007 году, составляет от 45 нм до около 1000 нм, в основном от около 45 нм до около 100 нм.
Как показано на фиг.2А и 2Б, первый нефоточувствительный полимерный резист наносят внутри каждого из первых отверстий О1 хорошо известными способами, такими как нанесение покрытия центрифугированием, чтобы сформировать участки 30А первого нефоточувствительного полимерного резиста. Верхняя поверхность участков 30А первого нефоточувствительного полимерного резиста лежит в одной плоскости с верхней поверхностью первого трафаретного слоя 20А или углублена относительно верхней поверхности первого трафаретного слоя 20А. Первый нефоточувствительный полимерный резист содержит самособирающиеся блок-сополимеры, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки.
Первый нефоточувствительный полимерный резист содержит первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, которые не способны смешиваться друг с другом. Нефоточувствительный полимерный резист может быть самовыстраивающимся. В качестве альтернативы, нефоточувствительный полимерный резист может выравниваться методами химико-механического совмещения, травления углублений или их сочетания.
Примеры материалов первого полимерного блочного компонента и второго полимерного блочного компонента описаны в одновременной находящейся на рассмотрении патентной заявке US 11/424963, поданной 19 июня 2006 г., правопреемником которой является правопреемник по настоящей заявке, и содержание которой путем ссылки включено в настоящую заявку. Конкретные примеры образующих нефоточувствительный полимерный резист самособирающихся блок-сополимеров, применимых для формирования структурных единиц согласно настоящему изобретению, могут включать, без ограничения, блок-сополимер стирола и метилметакрилата (PS-b-PMMA), блок-сополимер стирола и изопрена (PS-b-PI), блок-сополимер стирола и бутадиена (PS-b-PBD), блок-сополимер стирола и винилпиридина (PS-b-PVP), блок-сополимер стирола и этиленоксида (PS-b-PEO), блок-сополимер стирола и этилена (PS-b-PE), блок-сополимер стирола и органосиликата (PS-b-POS), блок-сополимер стирола и ферроценилдиметилсилана (PS-b-PFS), блок-сополимер этиленоксида и изопрена (PEO-b-PI), блок-сополимер этиленоксида и бутадиена (PEO-b-PBD), блок-сополимер этиленоксида и метилметакрилата (РЕО-b-РММА), блок-сополимер этиленоксида и этилэтилена (РЕО-b-РЕЕ), блок-сополимер бутадиена и винилпиридина (PBD-b-PVP) и блок-сополимер изопрена и метилметакрилата (PI-b-PMMA). Самособирающиеся блок-сополимеры сначала растворяют в применимой системе растворителей, чтобы получить раствор блок-сополимера, который затем наносят на поверхность структуры согласно первому примеру с целью формирования нефоточувствительного полимерного резиста. Система растворителей, используемая для растворения блок-сополимера и получения раствора блок-сополимера, может содержать любой применимый растворитель, включая без ограничения толуол, ацетат монометилового эфира пропиленгликоля (PGMEA), монометиловый эфир пропиленгликоля (PGME) и ацетон. Нефоточувствительный полимерный резист не является обычным фоторезистом, который может быть проявлен под действием ультрафиолетового излучения или видимого света. Кроме того, нефоточувствительный полимерный резист не является обычным диэлектриком с низкой диэлектрической постоянной.
Как показано на фиг.3А и 3Б, в каждом из первых отверстий О1 формируют первую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. В частности, первый нефоточувствительный полимерный резист отжигают путем обработки ультрафиолетовым излучением или термического отжига при повышенной температуре, чтобы получить первые столбчатые полимерные структуры 40А, содержащие первый полимерный блочный компонент, и первую полимерную матрицу 50А, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую сбоку к боковым стенкам первых столбчатых полимерных структур 40А.
Примеры процессов отжига самособирающихся блок-сополимеров в слое блок-сополимера с целью получения двух наборов полимерных блоков описаны в работе Nealey и др. "Self-assembling resists for nanolithography", IEDM Technical Digest, декабрь 2005 г., Digital Object Identifier 10.1109/IEDM.2005.1609349. содержание которой путем ссылки включено в настоящее описание. Могут применяться способы отжига, описанные в заявке '963. Отжиг может осуществляться, например, при температуре от около 200°С до около 300°С в течение от менее около 1 часа до около 100 часов.
Первые столбчатые полимерные структуры 40А содержат по меньшей мере один круговой цилиндр и шесть частичных круговых цилиндров, каждый из которых составляет одну треть по меньшей мере одного кругового цилиндра и имеет дугу с двугранным углом охвата, преимущественно равным 120° или 2π/3. Иными словами, каждый из шести частичных круговых цилиндров может быть получен путем разделения по меньшей мере одного кругового цилиндра на три равные части посредством трех радиальных разрезов, отстоящих на 120° друг от друга и берущих начало от центральной оси одного кругового цилиндра. Таким образом, каждый из шести частичных круговых цилиндров имеет две прямоугольные сопряженные поверхности, образующие гребень под углом 120°. Гребень частичного кругового цилиндра расположен в углу правильного шестиугольника, образующего одну из первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А). Шесть частичных круговых цилиндров формируют путем выбора материала первого трафаретного слоя 20А и первого и второго полимерных блочных компонентов таким образом, чтобы первый полимерный блочный компонент "смачивал" стенки первого трафаретного слоя 20А за счет поверхностного натяжения. Например, можно регулировать состав и среднюю молекулярную массу первого полимерного блочного компонента с тем, чтобы первый полимерный блочный компонент в большей или меньшей степени смачивал поверхность материала, выбранного для трафаретного слоя 20А.
Первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры (40А, 50А) являются "самособранными". Химический состав первого нефоточувствительного полимерного резиста таков, что несмешиваемость первого и второго полимерных блочных компонентов способствует самосборке первого полимерного блочного компонента в первые столбчатые полимерные структуры 40А, т.е. по меньшей мере в один круговой цилиндр и шесть частичных круговых цилиндров. Второй полимерный блочный компонент собирается в первую полимерную блочную матрицу 50А.
Первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры (40А, 50А) являются самовыровненными по стенкам первого трафаретного слоя 20А, образующего первые отверстия О1. В частности, каждая из первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) ограничена площадью правильного шестиугольника, который соответствует одному из первых отверстий О1 (смотри фиг.1А). Кроме того, за счет свойств самосборки и смачивания каждый из цилиндров, включающих по меньшей мере один круговой цилиндр, шесть частичных круговых цилиндров, самовыстроен относительно правильного шестиугольника. По меньшей мере одним круговым цилиндром может являться единственный цилиндр, семь цилиндров или любое множество цилиндров, совместимых с формированием шестиугольной решетки цилиндров в каждом из первых отверстий О1. Если общее число круговых цилиндров в каждом из первых отверстий О1 превышает семь цилиндров, в каждом из первых отверстий О1 могут быть сформированы полуцилиндры (не показаны), каждый из которых равен половине по меньшей мере одного кругового цилиндра и представляет собой первый полимерный блочный компонент с тем, чтобы по меньшей мере один круговой цилиндр, шесть частичных круговых цилиндров и полуцилиндры обеспечивали шестиугольную периодичность.
В одном из наглядных примеров внутри блок-сополимера метилметакрилата и стирола (PMMA-b-S) формируют "ячеистую" структуру. В случае диблочного сополимера с цилиндрическим фазовым объемом после термического отжига блок PMMA-b-S может разделиться на вертикально ориентированные цилиндры внутри матрицы полистирольного блока.
Как показано на фиг.4А и 4Б, избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40А, 50А) и подложке 10 удаляют первый трафаретный слой 20А. Для этого может использоваться влажное или сухое травление. Набор первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) образует шестиугольная решетка, элементарная ячейка которой содержит один экземпляр первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и пространство, не содержащее первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и имеющее объем, равный двум экземплярам первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Как показано на фиг.5А и 5Б, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и подложки 10 формируют второй трафаретный слой 20 В. Материал второго трафаретного слоя 20В может быть выбран из материалов, которые применяются в качестве первого трафаретного слоя 20А. Второй трафаретный слой 20В может содержать такой же материал, что и первый трафаретный слой 20А, или отличающийся материал. Второй трафаретный слой 20В формируют в качестве слоя покрытия, полностью покрывающего верхние поверхности первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Как показано на фиг.6А и 6Б, затем методами литографии формируют рисунок второго трафаретного слоя 20В путем нанесения фоторезиста (не показан), формирования рисунка фоторезиста и анизотропного травления с целью переноса рисунка фоторезиста на второй трафаретный слой 20В. Рисунок содержит вторые отверстия О2, которые выполнены во втором трафаретном слое 20В и под которыми находится вскрытая верхняя поверхность подложки 10. Каждое из вторых отверстий О2 имеет форму правильного шестиугольника одинакового размера, которая является формой первых отверстий О1 (смотри фиг.1А). Поскольку вторые отверстия О2 формируются методами литографии, их характеристические размеры, например длина стороны правильного шестиугольника, являются литографическими размерами.
Размер и ориентации каждого из вторых отверстий О2 идентичны размеру и ориентации каждого из первых отверстий О1. Местоположение вторых отверстий О2 определяют путем смещения набора первых отверстий О1 на один правильный шестиугольник размером с одно из первых отверстий О1 в направлении, перпендикулярном одной из сторон правильного шестиугольника. Таким образом, каждый экземпляр вторых отверстий О2 не перекрывает первые отверстия О1 или другой экземпляр вторых отверстий О2. Вторые отверстия О2 входят в показанный на фиг.1А набор, содержащий одну треть правильных шестиугольников, при этом каждый из правильных шестиугольников набора отделен от других правильных шестиугольников этого же набора. Вторые отверстия О2 образуют еще одну шестиугольную решетку, элементарный шестиугольник которой показан на фиг.6А сдвоенными пунктирными линиями. Эта шестиугольная решетка именуется в описании "второй шестиугольной решеткой". Вторая шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника. Площадь вторых отверстий О2 составляет приблизительно одну треть всей площади верхней поверхности второго трафаретного слоя 20В перед формированием рисунка.
Как показано на фиг.7А и 7Б, в каждом из вторых отверстий О2 наносят второй нефоточувствительный полимерный резист известными из техники способами, такими как нанесение покрытия центрифугированием, чтобы сформировать участки 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста. Верхняя поверхность участков 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста предпочтительно углублена относительно верхней поверхности второго трафаретного слоя 20В. Верхняя поверхность участков 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста также предпочтительно лежит в одной плоскости с верхними поверхностями первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А). Второй нефоточувствительный полимерный резист может быть нанесен таким образом, чтобы он лежал в одной плоскости или выше верхних поверхностей второго трафаретного слоя 20В, после чего он может быть углублен по высоте относительно верхних поверхностей первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) путем травления углублений или применения разбавленного раствора, из которого впоследствии испаряют растворитель, чтобы вызвать уменьшение объема внутри каждого из вторых отверстий О2.
Второй нефоточувствительный полимерный резист содержит самособирающиеся блок-сополимеры, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки. Таким образом, любой из перечисленных выше материалов первого нефоточувствительного полимерного резиста может применяться в качестве второго нефоточувствительного полимерного резиста. Второй нефоточувствительный полимерный резист может содержать такой же материал, что и первый нефоточувствительный полимерный резист, или отличающийся материал. В целях иллюстрирования настоящего изобретения предполагается, что в качестве первого нефоточувствительного полимерного резиста и второго нефоточувствительного полимерного резиста применяется одинаковый материал.
Как показано на фиг.8А и 8Б, в каждом из вторых отверстий О2 формируют вторую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. Для формирования вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур может применяться способ, применяемый для формирования первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Каждая из вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур содержит вторые столбчатые полимерные структуры 40В и вторую полимерную блочную матрицу 50В. Вторые столбчатые полимерные структуры 40В включают по меньшей мере один круговой цилиндр и шесть частичных круговых цилиндров, каждый из которых соответствует одной трети по меньшей мере одного кругового цилиндра и имеет дугу с углом охвата, преимущественно равным 120° или 2π/3. Таким образом, каждая из вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40В имеет такую же структуру, как и одна из описанных выше первых столбчатых полимерных структур 40А, и формируется такими же способами. Вторая полимерная матрица 30В содержит второй полимерный блочный компонент и примыкает сбоку к каждой из вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40В.
Вторые наноразмерные самособирающиеся самовыстроенные структуры (40В, 30В) являются самособранными и самовыстроенными в том же смысле, что и первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры (40А, 50А), поскольку в них применяется такой же механизм самосборки и самовыравнивания различных составляющих вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В, 50В). Таким образом, каждый экземпляр вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40В содержит такие же компоненты и конгруэнтен экземпляру первых столбчатых полимерных структур 40А, а каждый экземпляр вторых полимерных матриц 30В содержит такой же материал и конгруэнтен экземпляру первых столбчатых полимерных матриц 50А.
Как показано на фиг.9А и 9Б, избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40А, 50А), вторым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40В, 50В) и подложке 10 удаляют второй трафаретный слой 20В. Для этого может применяться влажное или сухое травление.
Как показано на фиг.10А-10В, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А), вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В, 50В) и подложки 10 формируют третий трафаретный слой 20С. Материал третьего трафаретного слоя 20С может быть выбран из материалов, которые применяются в качестве первого трафаретного слоя 20А. Третий трафаретный слой 20С может содержать такой же материал, что и первый трафаретный слой 20А, или отличающийся материал. Третий трафаретный слой 20С покрывает верхние поверхности первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В, 50В).
Как показано на фиг.11А-11В, затем методами литографии формируют рисунок третьего трафаретного слоя 20С путем нанесения фоторезиста (не показан), формирования рисунка фоторезиста и анизотропного травления с целью переноса рисунка фоторезиста на третий трафаретный слой 20С. Рисунок содержит вторые отверстия O3, которые выполнены во втором трафаретном слое 20С и под которыми находится вскрытая верхняя поверхность подложки 10. Каждое из третьих отверстий O3 имеет форму правильного шестиугольника одинакового размера, которая является формой первых отверстий O1 (смотри фиг.1А). Поскольку третьи отверстия O3 формируются методами литографии, их характеристические размеры, например длина стороны правильного шестиугольника, являются литографическими размерами.
Размер и ориентации каждого из третьих отверстий O3 идентичны размеру и ориентации каждого из первых отверстий O1. Местоположение третьих отверстий O3 определяют путем смещения набора первых отверстий O1 на один правильный шестиугольник размером с одно из первых отверстий O1 в направлении, перпендикулярном одной из сторон правильного шестиугольника, таким образом, чтобы направление смещения отстояло на 60° от направления смещения при создании вторых отверстий O2 со смещением относительно первых отверстий O1. Таким образом, каждый экземпляр третьих отверстий O3 не перекрывает первые отверстия O1, вторые отверстия O2 или другой экземпляр третьих отверстий O3. Третьи отверстия O3 входят в показанный на фиг.1А набор, содержащий одну треть правильных шестиугольников, при этом каждый из правильных шестиугольников набора отделен от других правильных шестиугольников этого же набора. Третьи отверстия O3 образуют еще одну шестиугольную решетку, элементарный шестиугольник которой показан на фиг.11А сдвоенными пунктирными линиями. Эта шестиугольная решетка именуется в описании "третьей шестиугольной решеткой". Третья шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника. Третья шестиугольная решетка также смещена относительно второй шестиугольной решетки еще на один экземпляр указанного правильного шестиугольника. Площадь третьих отверстий O3 составляет приблизительно одну треть всей площади верхней поверхности третьего трафаретного слоя 20С перед формированием рисунка.
Как показано на фиг.12А и 12Б, в каждом из третьих отверстий O3 наносят третий нефоточувствительный полимерный резист известными из техники способами, такими как нанесение покрытия центрифугированием, чтобы сформировать участки 30С третьего нефоточувствительного полимерного резиста. Верхняя поверхность участков 30С третьего нефоточувствительного полимерного резиста предпочтительно углублена относительно верхней поверхности третьего трафаретного слоя 20С. Верхняя поверхность участков 30С третьего нефоточувствительного полимерного резиста также предпочтительно лежит в одной плоскости с верхними поверхностями первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В, 50В). Третий нефоточувствительный полимерный резист может быть нанесен таким образом, чтобы он лежал в одной плоскости или выше верхних поверхностей третьего трафаретного слоя 20С, после чего он может быть углублен по высоте относительно верхних поверхностей первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) путем травления углублений или применения разбавленного раствора, из которого впоследствии испаряют растворитель, чтобы вызвать уменьшение объема внутри каждого из третьих отверстий O3.
Третий нефоточувствительный полимерный резист содержит самособирающиеся блок-сополимеры, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки. Таким образом, любой из перечисленных выше материалов первого нефоточувствительного полимерного резиста может применяться в качестве третьего нефоточувствительного полимерного резиста. Третий нефоточувствительный полимерный резист может содержать такой же материал, что и первый нефоточувствительный полимерный резист, или отличающийся материал. В целях иллюстрирования настоящего изобретения предполагается, что в качестве первого нефоточувствительного полимерного резиста и третьего нефоточувствительного полимерного резиста применяется одинаковый материал.
Как показано на фиг.13А и 13Б, в каждом из третьих отверстий O3 формируют третью наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. Для формирования третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур может применяться способ, применяемый для формирования первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Каждая из третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур содержит третьи столбчатые полимерные структуры 40С и третью полимерную блочную матрицу 50С. Третьи столбчатые полимерные структуры 40С включают по меньшей мере один круговой цилиндр и шесть частичных круговых цилиндров, каждый из которых соответствует одной трети по меньшей мере одного кругового цилиндра и имеет дугу с углом охвата, преимущественно равным 120° или 2π1/3. Таким образом, каждая из третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40С имеет такую же структуру, как и одна из описанных выше первых столбчатых полимерных структур 40А, и формируется такими же способами. Третья полимерная матрица 50С содержит третий полимерный блочный компонент и примыкает сбоку к каждой из третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40С.
Третьи наноразмерные самособирающиеся самовыстроенные структуры (40С, 50С) являются самособранными и самовыстроенными в том же смысле, что и первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры (40А, 50А), поскольку в них применяется такой же механизм самосборки и самовыравнивания различных составляющих третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С). Таким образом, каждый экземпляр третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур 40С содержит такие же компоненты и конгруэнтен экземпляру первых столбчатых полимерных структур 40АА, а каждый экземпляр третьих полимерных матриц 50С содержит такой же материал и конгруэнтен экземпляру первых столбчатых полимерных матриц 50А.
Как показано на фиг.14А-14В, избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40А, 50А), вторым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40В, 50В) и третьим наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40С, 50С) удаляют третий трафаретный слой 20С. Для этого может применяться влажное или сухое травление.
Различные частичные круговые цилиндры и полуцилиндры, если они присутствуют, в сочетании образуют полный цилиндр, имеющий круглую в плане площадь поперечного сечения такого же диаметра, что и площади поперечного сечения различных круговых цилиндров. Независимо от того, сформирован ли какой-либо цилиндр, содержащий первый полимерный блочный компонент, только из одного нефоточувствительного полимерного резиста или меньшей мере двух фоточувствительных полимеров, включающих первый, второй и третий фоточувствительные полимеры, все такие круговые цилиндры собирательно именуются в изобретении полимерными круговыми цилиндрами. Иными словами, первые, вторые и третьи столбчатые полимерные структуры (40А, 40В, 40С) в целом образуют полимерные круговые цилиндры.
Как показано на фиг.15А и 15Б, путем травления удаляют первые, вторые и третьи полимерные блочные матрицы (50А, 50В, 50С) избирательно по отношению к первым, вторым и третьим столбчатым полимерным структурам (40А, 40В, 40С), чтобы удалить второй полимерный блочный компонент избирательно по отношению к первому полимерному блочному компоненту. Это травление может быть изотропным или анизотропным. После удаления первых, вторых и третьих полимерных блочных матриц (50А, 50В, 50С) на подложке 10 формируется шестиугольная решетка полимерных круговых цилиндров 40, т.е. полимерные круговые 40 цилиндры упорядочиваются в шестиугольный массив, имеющий такую же периодичность, что и расстояния между сопряженной парой осей полимерных круговых цилиндров 40.
Как показано на фиг.16А и 16Б, рисунок шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40 переносят на подложку 10 путем анизотропного травления, в ходе которого удаляют вскрытые участки подложки 10 избирательно по отношению к полимерным круговым цилиндрам 40. Ниже границы между подложкой 10 и шестиугольной решеткой полимерных круговых цилиндров 40 вскрыта углубленная поверхность 11 подложки 10. Углубленная поверхность 11 имеет множество отверстий, которые совпадают с местоположением шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40. Поскольку полимерные круговые 40 цилиндры могут иметь сублитографический диаметр, углубленная поверхность 11 может иметь сублитографическую элементарную ячейку.
После удаления шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40 избирательно по отношению к подложке 10 получают содержащую подложку 10 структуру, в которой подложка 10 имеет рисунок, выступающий относительно по существу плоской поверхности, которой является углубленная поверхность 11. Рисунок включает в себя шестиугольную решетку из элементарных ячеек, которые представляют собой круговой цилиндр, имеющий по существу такой же диаметр, как и один из полимерных круговых цилиндров 40. Шестиугольная решетка может иметь минимальную периодичность сублитографического размера.
Как показано на фиг.17А и 17Б, путем удаления первых, вторых и третьих столбчатых полимерных структур (40А, 40В, 40С) избирательно по отношению к сочетанию первых, вторых и третьих полимерных блочных матриц (50А, 50В, 50С) в качестве одного из вариантов первого примера показанной на фиг.14А-14В наноразмерной структуры, формируют структуру, которая именуется в изобретении комбинированными полимерными блочными матрицами 50. Для удаления первого полимерного блочного компонента избирательно по отношению ко второму полимерному блочному компоненту применят травление. Это травление может являться изотропным или анизотропным.
После удаления первых, вторых и третьих столбчатых полимерных структур (40А, 40В, 40С) в комбинированных полимерных блочных матрицах 50 формируется шестиугольная решетка цилиндрических полостей. Иными словами цилиндрические полости в комбинированных полимерных блочных матрицах 50 упорядочиваются в шестиугольную решетку, имеющую такую же периодичность, что и расстояния между сопряженной парой осей цилиндрических полостей.
Как показано на фиг.18А и 18Б, рисунок шестиугольной решетки цилиндрических полостей переносят на подложку 10 путем анизотропного травления, в ходе которого удаляют вскрытые участки подложки 10 избирательно по отношению к комбинированным полимерным блочным матрицам 50. Путем удаления материала подложки 10 из цилиндрических полостей внутри комбинированных полимерных блочных матриц 50В подложке формируют углубленные канавки с нижними поверхностями 12. Цилиндрические канавки внутри подложки 10 упорядочены в шестиугольную решетку. Поскольку цилиндрические канавки могут иметь сублитографический диаметр, цилиндрические канавки могут иметь сублитографическую элементарную ячейку.
После удаления шестиугольной решетки комбинированных полимерных блочных матриц 50 избирательно по отношению к подложке 10 получают содержащую подложку 10 структуру, в которой подложка 10 имеет углубленный рисунок относительно по существу плоской поверхности, которой являются нижние поверхности 12 углубленных канавок. Рисунок включает в себя шестиугольную решетку из элементарных ячеек, которые представляет круглую канавку, имеющую по существу такой же диаметр, что и у одного из полимерных круговых цилиндров 40. Шестиугольная решетка может иметь минимальную периодичность сублитографического размера.
Во втором варианте осуществления настоящего изобретения получают наноразмерную структуру согласно второму примеру на основании показанной на фиг.1А-2Б наноразмерной структуры согласно первому примеру. Вместе с тем, для получения наноразмерной структуры согласно второму примеру модифицируют смачивающие свойства первого и второго полимерных блочных компонентов таким образом, чтобы первый полимерный блочный компонент не смачивала поверхность первого трафаретного слоя 20А, а второй полимерный блочный компонент смачивала поверхность первого трафаретного слоя 20А.
Как показано на фиг.19А и 19Б, в каждом из первых отверстий O1 (смотри фиг.1А и 1Б) формируют первую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. Может применяться такой же процесс отжига, как и в первом варианте осуществления. Первую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру формируют в каждом из первых отверстий O1 путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. В частности, первый нефоточувствительный полимерный резист отжигают путем обработки ультрафиолетовым излучением или термического отжига при повышенной температуре, чтобы получить первые столбчатые полимерные структуры 40А, содержащие первый полимерный блочный компонент, и первую полимерную матрицу 50А, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую сбоку к боковым стенкам первых столбчатых полимерных структур 40А. Первые столбчатые полимерные структуры 40А не соприкасаются со стенками первых отверстий O1, тогда как первая полимерная матрица 50А примыкает к боковым стенкам первого трафаретного слоя 20А в каждом из первых отверстий О1. Первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры (40А, 50А) являются "самособранными" и "самовыстроенными" за счет такого же механизма, что и в первом варианте осуществления.
Как показано на фиг.20А и 20Б, избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40А, 50А) и подложке 10 удаляют первый трафаретный слой 20А. Для этого может использоваться влажное или сухое травление. Набор первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) образует шестиугольную решетку, элементарная ячейка которой содержит один экземпляр первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и пространство, не содержащее первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и имеющее объем, равный двум экземплярам первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Как показано на фиг.21А и 21Б, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А) и подложки 10 формируют второй трафаретный слой 20В. Материал второго трафаретного слоя 20В может быть выбран из материалов, которые применяются в качестве первого трафаретного слоя 20А. Второй трафаретный слой 20В может содержать такой же материал, что и первый трафаретный слой 20А, или отличающийся материал. Второй трафаретный слой 20В формируют в качестве слоя покрытия, полностью покрывающего верхние поверхности первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А).
Чтобы сформировать вторые наноразмерные самособирающиеся самовыстроенные структуры (40В, 50В) и третьи наноразмерные самособирающиеся самовыстроенные структуры (40С, 50С), выполняют шаги способа согласно первому варианту осуществления, соответствующие фиг.6А-13Б. За счет изменения смачивающих свойств первого и второго полимерных блочных компонентов вторые столбчатые полимерные структуры 40В не соприкасаются с боковыми стенками вторых отверстий O2, тогда как каждая из вторых полимерных матриц 50В примыкает к боковым стенкам второго трафаретного слоя 20В в каждом из вторых отверстий O2. Аналогичным образом, третьи столбчатые полимерные структуры 40В не соприкасаются с боковыми стенками третьих отверстий O3, тогда как каждая из третьих полимерных матриц 50В примыкает к боковым стенкам третьего трафаретного слоя 20С в каждом из третьих отверстий О3.
Как показано на фиг.22А и 22Б, избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40А, 50А), вторым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40В, 50В) и третьим наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам (40С, 50С) удаляют третий трафаретный слой 20С. Для этого может использоваться влажное или сухое травление.
Как показано на фиг.23А и 23Б, первые, вторые и третьи полимерные блочные матрицы (50А, 50В, 50С) удаляют избирательно по отношению к первым, вторым и третьим столбчатым полимерным структурам (40А, 40В, 40С) путем травления, в ходе которого удаляют второй полимерный блочный компонент избирательно по отношению к первому полимерному блочному компоненту. Это травление может являться изотропным или анизотропным. Первые, вторые и третьи столбчатые полимерные структуры (40А, 40В, 40С) в целом образуют полимерные круговые 40 цилиндры. Полимерные круговые 40 цилиндры упорядочены в шестиугольную решетку. Вместе с тем, периодичность шестиугольной решетки не совпадает с расстоянием между сопряженной парой осей полимерных круговых цилиндров 40. Вместо этого шестиугольная решетка имеет элементарную ячейку размером с каждое из первых отверстий O1, вторых отверстий O2, третьих отверстий O3 (смотри фиг.1А, 6А и 11А, соответственно) и содержит множество полимерных круговых цилиндров 40. Два примера элементарных ячеек шестиугольной решетки обозначены позициями "G1" и "G2".
Рисунок шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40 переносят на подложку 10 путем анизотропного травления, в ходе которого удаляют вскрытые участки подложки 10 избирательно по отношению к полимерным круговым цилиндрам 40. Ниже границы между подложкой 10 и шестиугольной решеткой полимерных круговых цилиндров 40 вскрыта углубленная поверхность 11 подложки 10. Углубленная поверхность 11 имеет множество отверстий, которые совпадают с местоположением шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40. Поскольку полимерные круговые 40 цилиндры могут иметь сублитографический диаметр, углубленная поверхность 11 может иметь сублитографическую элементарную ячейку.
После удаления шестиугольной решетки полимерных круговых цилиндров 40 избирательно по отношению к подложке 10 получают содержащую подложку 10 структуру, в которой подложка 10 имеет выступающий рисунок относительно по существу плоской поверхности, которой является углубленная поверхность 11. Рисунок включает в себя шестиугольную решетку из элементарных ячеек, например, G1 или G2, которые содержат множество круговых цилиндров, структурно объединенных с подложкой 10, т.е. являющихся частью подложки 10, и имеющих по существу такой же диаметр, что и у одного из полимерных круговых цилиндров 40. Шестиугольная решетка имеет минимальную периодичность литографического размера. Элементарная ячейка, например, G1 или G2 имеет форму правильного шестиугольника и включает окружности одинакового диаметра, которым является диаметр каждого из полимерных круговых цилиндров 40. Вместе с тем, совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности. Например, набор окружностей в объединении множества G1 и G2 не имеет шестиугольной периодичности, поскольку когерентность любой шестиугольной периодичности полимерных круговых цилиндров 40 не выходит за пределы площади одних из первых, вторых и третьих отверстий (O1, O2, O3).
Как показано на фиг.24А и 24Б, путем удаления первых, вторых и третьих столбчатых полимерных структур (40А, 40В, 40С) избирательно по отношению к сочетанию первых, вторых и третьих полимерных блочных матриц (50А, 50В, 50С), в качестве одного из вариантов второго примера показанной на фиг.22А-22Б наноразмерной структуры формируют структуру, которая именуется в изобретении комбинированными полимерными блочными матрицами 50. Для удаления первого полимерного блочного компонента избирательно по отношению ко второму полимерному блочному компоненту применят травление. Это травление может являться изотропным или анизотропным.
После удаления первых, вторых и третьих столбчатых полимерных структур (40А, 40В, 40С) в комбинированных полимерных блочных матрицах 50 формируется шестиугольная решетка цилиндрических полостей. Рисунок решетки цилиндрических полостей переносят на подложку 10 путем анизотропного травления, в ходе которого удаляют вскрытые участки подложки 10 избирательно по отношению к комбинированным полимерным блочным матрицам 50. Путем удаления материала подложки из цилиндрических полостей внутри комбинированных полимерных блочных матриц 50В подложке 10 формируют углубленные канавки с нижней поверхностью 12. Цилиндрические канавки внутри подложка 10 упорядочены в шестиугольную решетку. Вместе с тем, периодичность шестиугольной решетки не совпадает с расстоянием между сопряженной парой осей цилиндрических канавок. Вместо этого шестиугольная решетка имеет элементарную ячейку размером с каждое из первых отверстий O1, вторых отверстий O2, третьих отверстий O3 (смотри фиг.1А, 6А и 11А, соответственно) и содержит множество цилиндрических канавок. Два примера элементарных ячеек шестиугольной решетки обозначены позициями "G3" и "G4".
После удаления комбинированных полимерных блочных матриц 50 избирательно по отношению к подложке 10 получают содержащую подложку 10 структуру, в которой подложка 10 имеет углубленный рисунок относительно по существу плоской поверхности, которой является верхняя поверхность 10, т.е. бывшая граница между подложкой 10 и комбинированными полимерными блочными матрицами 50. Рисунок включает в себя шестиугольную решетку из элементарных ячеек, например, G3 или G4, которые включают множество цилиндрических канавок в подложке 10 и имеют по существу такой же диаметр, что и у одного из полимерных круговых цилиндров 40. Шестиугольная решетка имеет минимальную периодичность литографического размера. Элементарная ячейка, например, G3 или G4 имеет форму правильного шестиугольника и включает окружность одинакового же диаметра, которым является диаметр каждой из круглых цилиндрических канавок. Вместе с тем, совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности. Например, набор окружностей в объединении множества G3 и G4 не имеет шестиугольной периодичности, поскольку когерентность любой шестиугольной периодичности цилиндрических канавок не выходит за пределы площади одних из первых, вторых и третьих отверстий (O1, O2, O3).
На фиг.25А и 25Б показана наноразмерная структура согласно третьему примеру осуществления настоящего изобретения, которая содержит подложку и 10 и первый трафаретный слой 20А. Протяженность площади первого трафаретного слоя 20А и подложки 10 может превышать протяженность области упорядочения применяемых впоследствии нефоточувствительных полимерных резистов. Подложка 10 и первый трафаретный слой 20А могут содержать такие материалы и могут быть сформированы такими же способами, как и в первом варианте осуществления.
В первом трафаретном слое 20А формируют рисунок из первых прямоугольных отверстий, чтобы вскрыть подложку 10. Каждое прямоугольное отверстие имеет литографическую протяженность в ширину. Кроме того, расстояние между смежными первыми прямоугольными отверстиями также является литографическим. Хотя ширина первых прямоугольных отверстий может изменяться от отверстия к отверстию, при описании настоящего изобретения предполагается, что протяженность в ширину первых прямоугольных отверстий является одинаковой и именуется в первой протяженностью LW1 в ширину. Аналогичным образом, при описании настоящего изобретения предполагается, что расстояние между смежными первыми прямоугольными отверстиями является одинаковым и именуется второй протяженностью LW2 в ширину. В изобретении в прямой форме предусмотрены варианты осуществления, в которых первые прямоугольные отверстия имеют различную протяженность в ширину и/или смежные прямоугольные отверстия отстоят друг от друга на различные расстояния.
Протяженность в продольном направлении каждого первого прямоугольного отверстия значительно превышает первую протяженность LW1 в ширину, чтобы обеспечивать последующее формирование самовыстроенных рисунков в продольном направлении первых прямоугольных отверстий, т.е. направлении, перпендикулярном протяженности в ширину первых прямоугольных отверстий.
Как показано на фиг.26А и 26Б, в каждом из первых прямоугольных отверстий наносят первый нефоточувствительный полимерный резист известными из техники способами, такими как нанесение покрытия центрифугированием, чтобы сформировать участки 30А первого нефоточувствительного полимерного резиста. Верхняя поверхность участков 30А первого нефоточувствительного полимерного резиста 30А предпочтительно лежит в одной плоскости с верхней поверхностью первого трафаретного слоя 20А или углублена относительно верхней поверхности первого трафаретного слоя 20А. Первый нефоточувствительный полимерный резист содержит самособирающиеся блок-сополимеры, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки.
Первый нефоточувствительный полимерный резист содержит первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, которые не способны смешиваться друг с другом. Нефоточувствительный полимерный резист может быть самовыстраивающимся. В качестве альтернативы, нефоточувствительный полимерный резист может выравниваться методами химико-механического совмещения, травления углублений или их сочетания. Для первого полимерного блочного компонента и второго полимерного блочного компонента может использоваться такой материал, как и в первом варианте осуществления. Может также применяться такой же способ, как и в первом варианте осуществления.
Как показано на фиг.27А и 27Б, в каждом из первых прямоугольных отверстий формируют первую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру NS1 путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. В частности, первый нефоточувствительный полимерный резист отжигают путем обработки ультрафиолетовым излучением или термического отжига при повышенной температуре, чтобы получить первые первичные пластинчатые (ламеллярные) структуры 43А, содержащие первый полимерный блочный компонент, и первые дополняющие пластинчатые структуры 53А, содержащие второй полимерный блочный компонент. Первые первичные пластинчатые структуры 43А и первые дополняющие пластинчатые структуры 53А периодически чередуются в направлении первой протяженности LW1 в ширину.
Состав и смачивающие свойства первого нефоточувствительного полимерного резиста корректируют таким образом, чтобы некоторые из первых первичных пластинчатых структур 43А примыкали к боковым стенкам первого трафаретного слоя 20А, а первые дополняющие пластинчатые структуры 53А были отделены от боковых стенок первого трафаретного слоя 20А. Смачивающие свойства первого полимерного блочного компонента регулируют таким образом, чтобы ширина первой первичной пластинчатой структуры 43А зависела от того, соприкасается ли первая первичная пластинчатая структура 43А с боковыми стенками первого трафаретного слоя 20А. Ширина первой первичной пластинчатой структуры 43А, которая не соприкасается с боковыми стенками первого трафаретного слоя 20А, именуется в изобретении первой шириной W1. Ширина первой первичной пластинчатой структуры 43А, которая соприкасается с боковыми стенками первого трафаретного слоя 20А, именуется в изобретении второй шириной W2. Как первая ширина W1, так и вторая ширина W2 могут являться сублитографическими, например, в интервале от около 1 нм до около 40 нм, обычно от около 5 нм до около 30 нм. Первая ширина W1 превышает вторую ширину W2. Первая ширина W1 может превышать, быть равной или меньшей, чем удвоенная вторая ширина W2. Ширина первых дополняющих пластинчатых структур 53А является одинаковой и именуется в изобретении шагом S пластинок, которая может являться сублитографической. Сумма первой ширины W1 и шага S пластинок также может являться сублитографической.
Первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры NS1 являются "самособранными". Химический состав первого нефоточувствительного полимерного резиста таков, что несмешиваемость первого и второго полимерных блочных компонентов способствует самосборке первого полимерного блочного компонента в первые первичные пластинчатые структуры 43А и второй полимерной блочной составляющей в первые дополняющие пластинчатые структуры 53А.
Первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры NS1 являются "самовыровненными" по стенкам первого трафаретного слоя 20А, которые образуют прямоугольные отверстия. Первые первичные пластинчатые структуры 43А и первые дополняющие пластинчатые структуры 53А проходят в продольном направлении прямоугольных отверстий в первом трафаретном слое 20А.
Затем удаляют первый трафаретный слой 20А избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам NS1 и подложке 10. Для этого может использоваться влажное или сухое травление.
Как показано на фиг.28А и 28Б, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1 и подложки 10 формируют второй трафаретный слой 20В. Материал второго трафаретного слоя 20В может быть выбран из материалов, используемых в качестве первого трафаретного слоя 20А. Второй трафаретный слой 20В может содержать такой же материал, что и первый трафаретный слой 20А, или отличающийся материал. Из второго трафаретного слоя 20В формируют слой покрытия, который покрывает верхние поверхности первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1.
Рисунок второго трафаретного слоя 20В формируют литографическим способом путем нанесения фоторезиста (не показан), формирования рисунка фоторезиста литографическим способом и анизотропного травления с целью переноса рисунка фоторезиста на второй трафаретный слой. Во втором трафаретном слое 20В формируют набор вторых прямоугольных отверстий, который покрывает площадь, смежную с первыми прямоугольными отверстиями. Таким образом, вторые прямоугольные отверстия формируют между первыми наноразмерными самособранными самовыстроенными структурами NS1, а границы вторых прямоугольных отверстий преимущественно совпадают с границами первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1. Каждое из вторых прямоугольных отверстий имеет вторую протяженность LW2 в ширину, которая является литографическим размером и может быть такой же, как и первая протяженность LW1 в ширину, или отличаться.
Как показано на фиг.29А и 29Б, в каждом из вторых прямоугольных отверстий наносят второй нефоточувствительный полимерный резист известными из техники способами, такими как нанесение покрытия центрифугированием, чтобы сформировать участки 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста. Верхняя поверхность участков 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста предпочтительно углублена относительно верхней поверхности второго трафаретного слоя 20В. Верхняя поверхность участков 30В второго нефоточувствительного полимерного резиста также предпочтительно лежит в одной плоскости с верхними поверхностями первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1. Второй нефоточувствительный полимерный резист может быть нанесен таким образом, чтобы он лежал в одной плоскости или выше верхних поверхностей второго трафаретного слоя 20В, после чего он может быть углублен по высоте относительно верхних поверхностей первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1 путем травления углублений или применения разбавленного раствора, из которого впоследствии испаряют растворитель, чтобы вызвать уменьшение объема внутри каждого из вторых прямоугольных отверстий.
Второй нефоточувствительный полимерный резист содержит самособирающиеся блок-сополимеры, способные самоорганизовываться в наноразмерные рисунки. Таким образом, любой из перечисленных выше материалов первого нефоточувствительного полимерного резиста может применяться в качестве второго нефоточувствительного полимерного резиста. Второй нефоточувствительный полимерный резист может содержать такой же материал, что и первый нефоточувствительный полимерный резист, или отличающийся материал. В целях иллюстрирования настоящего изобретения предполагается, что в качестве первого нефоточувствительного полимерного резиста и второго нефоточувствительного полимерного резиста применяется одинаковый материал.
Как показано на фиг.30А и 30Б, в каждом из вторых прямоугольных отверстий формируют вторую наноразмерную самособранную самовыстроенную структуру NS2 путем сшивания самособирающихся блок-сополимеров посредством отжига. Для формирования вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS2 может применяться тот же способ, который применяется для формирования первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS1.
В частности, второй нефоточувствительный полимерный резист отжигают путем обработки ультрафиолетовым излучением или термического отжига при повышенной температуре, чтобы получить вторые первичные пластинчатые структуры 43Б, содержащие первый полимерный блочный компонент, и вторые дополняющие пластинчатые структуры 53Б, содержащие второй полимерный блочный компонент. Вторые первичные пластинчатые структуры 43Б и вторые дополняющие пластинчатые структуры 53А периодически чередуются в направлении второй протяженности LW2 в ширину.
Состав и смачивающие свойства второго нефоточувствительного полимерного резиста корректируют таким образом, чтобы некоторые из вторых первичных пластинчатых структур 43Б примыкали к вскрытым боковым стенкам первых первичных пластинчатых структур 43А, а вторые дополняющие пластинчатые структуры 53Б были отделены от боковых стенок первых дополняющих пластинчатых структур 53А. Смачивающие свойства первого полимерного блочного компонента регулируют таким образом, чтобы ширина второй первичной пластинчатой структуры 43Б зависела от того, соприкасается ли вторая первичная пластинчатая структура 43Б с боковыми стенками первого трафаретного слоя 20А. Ширина первой первичной пластинчатой структуры 43А не соприкасается с боковыми стенками первых первичных пластинчатых структур 43А. Ширина второй первичной пластинчатой структуры 43Б, которая не соприкасается с боковыми стенками первой первичной пластинчатой структуры 43А, равна первой ширине W1. Ширина второй первичной пластинчатой структуры 43Б, которая соприкасается с боковыми стенками первой первичной пластинчатой структуры 43А, необязательно может быть равна второй ширине W2. Вторые дополняющие пластинчатые структуры 53Б имеют одинаковую ширину, которая может быть равна или отличаться от шага S пластинок, которым является ширина первой дополняющей пластинчатой структуры 53А.
Вторые наноразмерные самособирающиеся самовыстроенные структуры NS2 являются самособранными и самовыстроенными в таком же смысле, что и первые наноразмерные самособранные самовыстроенные структуры NS1, поскольку для самосборки и самовыравнивания различных составляющих вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур NS2 применяется такой же механизм.
Как показано на фиг.31А и 31Б, второй трафаретный слой 20В удаляют избирательно по отношению к первым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам NS1, вторым наноразмерным самособранным самовыстроенным структурам NS2 и подложке 10. Для этого может использоваться влажное или сухое травление.
Как показано на фиг.32А и 32Б, первые и вторые дополняющие пластинчатые структуры (53А, 53Б) удаляют избирательно по отношению к первым и вторым первичным пластинчатым структурам (43А, 43Б) путем анизотропного травления, в ходе которого второй полимерный блочный компонент удаляют избирательно по отношению к первому полимерному блочному компоненту. Набор первых первичных пластинчатых структур 43А одинакового первого прямоугольного отверстия образует первые одномерные решетки А1 с шагом, равным шагу S пластинок. Аналогичным образом, набор вторых первичных пластинчатых структур 43Б одинакового второго прямоугольного отверстия образует вторые одномерные решетки А2 с шагом, равным шагу S пластинок. Вместе с тем, сопряженная пара из первой одномерной решетки А1 и второй одномерной решетки А2 необязательно может являться когерентной, т.е. образовывать еще одну периодическую одномерную решетку. Если вторая ширина W2 составляет половину первой ширины, наборы первых одномерных решеток А1 и вторых одномерных решеток А2 образуют расширенную одномерную решетку с периодичностью, равной сумме первой ширины W1 и шага S пластинок. Вместе с тем, если вторая ширина W2 не равна половине первой ширины W1, расширенная одномерная решетка, содержащая множество первых одномерных решеток А1 и вторых одномерных решеток А2, имеет периодичность, равную сумме первой протяженности LW1 в ширину и второй протяженности LW2 в ширину. Таким образом, минимальная периодичность имеет литографический размер.
Как показано на фиг.33А и 33Б, рисунок расширенной решетки, содержащей первую одномерную решетку А1 и вторую одномерную решетку А2, переносят на подложку 10 путем анизотропного травления, в ходе которого удаляют вскрытые участки подложки 10 избирательно по отношению к первым и вторым первичным пластинчатым структурам (43А, 43Б). В подложке образуются линейные канавки со вскрытыми на их дне нижними поверхностями 13. Затем первые и вторые первичные пластинчатые структуры (43А, 43Б) могут быть удалены.
Наноразмерная структура согласно третьему примеру содержит подложку 10 с одноразмерным периодическим повтором элементарных ячеек. Элементарная ячейка имеет выступ из по меньшей мере одной первой линии и второй линии на указанной по существу плоской поверхности, которой является набор нижних поверхностей 13 канавок. Каждая по меньшей мере одна первая линия расположена непосредственно под первой первичной пластинчатой структурой 43А, не примыкая ко второй пластинчатой структуре 43Б, или непосредственно под второй первичной пластинчатой структурой 43Б, не примыкая к пластинчатой структуре 43А. Вторая линия расположена непосредственно под первой первичной пластинчатой структурой 43А, примыкая ко второй пластинчатой структуре 43Б. Каждая по меньшей мере одна первая линия может иметь первую сублитографическую ширину, которой является первая ширина W1, а вторая линия имеет вторую сублитографическую ширину, которой является удвоенная вторая ширина W2. Каждая сопряженная пара по меньшей мере одной первой линии и второй линии может быть разделена одинаковым сублитографическим интервалом, которым является шаг S пластинок.
Первая сублитографическая ширина и вторая сублитографическая ширина являются одинаковыми, если первая ширина W1 равна удвоенной второй ширине W2. Одномерная элементарная ячейка имеет минимальную периодичность, равную сумме первой ширины W1 и шага S пластинок. Вместе с тем, первая сублитографическая ширина и вторая сублитографическая ширина различаются, если первая ширина W1 не равна удвоенной второй ширине W2. Если первая протяженность LW1 в ширину и вторая протяженность LW2 в ширину являются одинаковыми, одномерная элементарная ячейка имеет минимальную периодичность, равную первой протяженности в ширину LW1, которая имеет литографический размер. Если первая протяженность LW1 в ширину и вторая протяженность LW2 в ширину различаются, одномерная элементарная ячейка имеет минимальную периодичность, равную сумме первой протяженности LW1 в ширину и второй протяженности LW2 в ширину, которая имеет литографический размер.
До удаления первых и вторых первичных пластинчатых структур (43А, 43Б) наноразмерная структура согласно третьему примеру дополнительно содержит множество полимерных линий, которые представляют собой первые и вторые первичные пластинчатые структуры (43А, 43Б), содержат полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и находятся непосредственно на каждой из по меньшей мере одной первой линии и второй линии. Каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
Вместо удаления первых и вторых дополняющих пластинчатых структур (53А, 53Б) из наноразмерной структуры согласно третьему примеру, показанному на фиг.31А и 31Б, избирательно по отношению к первым и вторым первичным пластинчатым структурам (43А, 43Б), первые и вторые первичные пластинчатые структуры (43А, 43Б) могут быть выбраны соотносительно с первыми и вторыми дополняющими пластинчатыми структурами (53А, 53Б). Затем рисунок первых и вторых первичных пластинчатых структур (43А, 43Б) может быть перенесен на подложку 10 с целью формирования еще одной наноразмерной структуры с противоположной полярностью, такой как структура, показанная на фиг.33А и 33Б. Получаемый рельеф является углубленным, а не выпуклым, при этом структура дополнительно имеет множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент фоточувствительного полимера, и расположенных непосредственно на указанной по существу плоской поверхности, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
Также предусмотрены варианты геометрии элементов или отверстий. Элементы или отверстия могут иметь одну форму, например, шестиугольника, прямоугольника, ромба, параллелограмма, треугольники или правильного многоугольника или могут иметь набор по меньшей мере из двух различных форм.
Хотя изобретение описано применительно к конкретным вариантам осуществления, из вышеизложенного описания ясно, что специалисты в данной области техники смогут предложить множество альтернатив, модификаций и изменений. Соответственно, подразумевается, что в изобретение входят все такие альтернативы, модификации и изменения, входящие в пределы объема и существа изобретения и следующей далее формулы изобретения.
Промышленная применимость
Настоящее изобретение применимо для конструирования и изготовления наноразмерного рисунка на полупроводниковой подложке, более точно в интегральных микросхемах, используемых в целом ряде электронных и электрических устройств, и особо применимо в вычислительной технике и связи.

Claims (21)

1. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
формирование первого трафаретного слоя (20А), охватывающего заданный участок на подложке,
выполнение в первом трафаретном слое (20А) системы первых отверстий (O1), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки,
формирование в первых отверстиях (O1) первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
формирование второго трафаретного слоя (20В), охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
выполнение во втором трафаретном слое (20В) системы вторых отверстий (O2), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки,
формирование во вторых отверстиях (O2) вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В),
формирование третьего трафаретного слоя (20С), охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А и 40В),
выполнение в третьем трафаретном слое (20С) системы третьих отверстий (O3), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и
формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий.
3. Способ по п.2, характеризующийся тем, что заданный участок соответствует объединению вместе взятых площадей первых отверстий, вместе взятых площадей вторых отверстий и вместе взятых площадей третьих отверстий.
4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что вторая шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника, а третья шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на другой экземпляр указанного правильного шестиугольника, а относительно второй шестиугольной решетки - еще на один экземпляр указанного правильного шестиугольника.
5. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур конгруэнтна другой из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
6. Способ по п.1, дополнительно характеризующийся тем, что:
перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент,
перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист, и
перед формированием третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из третьих отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
7. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере один круговой цилиндр, содержащий первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к указанному по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности.
8. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур дополнительно включает в себя шесть экземпляров трети кругового цилиндра, каждый из которых имеет объем, составляющий одну треть общего объема указанного по меньшей мере одного кругового цилиндра, и угол 120° при ребре.
9. Способ по п.8, характеризующийся тем, что шесть экземпляров трети кругового цилиндра и полимерная матрица примыкают боковыми поверхностями к границе одного из первых, вторых и третьих отверстий.
10. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя множество круговых цилиндров, содержащих первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности, причем каждый из множества круговых цилиндров отделен от границ первых, вторых и третьих отверстий.
11. Способ по п.7, дополнительно включающий травление группы круговых цилиндров, избирательное по отношению к набору полимерных матриц, или травление группы полимерных матриц, избирательное по отношению к набору круговых цилиндров.
12. Способ по п.11, характеризующийся тем, что в подложке дополнительно формируют рисунок сублитографических размеров, используя оставшуюся часть круговых цилиндров и полимерных матриц в качестве маски для травления.
13. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке,
выполнение в первом трафаретном слое системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину,
формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
формирование второго трафаретного слоя непосредственно на первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структурах,
выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину и которые дополняют первые отверстия в пределах заданного участка, и
формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
14. Способ по п.13, дополнительно характеризующийся тем, что:
перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, и
перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
15. Способ по п.14, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере одну линию номинальной ширины и две краевые линии, каждая из которых содержит первый полимерный компонент, при этом каждая из двух краевых линий примыкает к границе одного из первых отверстий, указанная по меньшей мере одна линия номинальной ширины отделена от двух краевых линий и имеет номинальную ширину, являющуюся сублитографической и превышающую ширину краевых линий.
16. Способ по п.15, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя также дополняющие линии, содержащие второй полимерный компонент, причем каждая из дополняющих линий примыкает сбоку к двум линиям из числа по меньшей мере одной линии номинальной ширины и двух краевых линий и имеет другую ширину, являющуюся сублитографической.
17. Способ по п.16, дополнительно включающий:
травление первого полимерного компонента, избирательное по отношению ко второму полимерному компоненту, или травление второго полимерного компонента, избирательное по отношению к первому полимерному компоненту, и
формирование в подложке рисунка сублитографических размеров с периодическим повтором по меньшей мере одной первой линии, имеющей первый сублитографический размер, и второй линии, имеющей второй сублитографический размер, причем в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
18. Структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур, содержащая подложку, имеющую рисунок, выступающий из, по существу, плоской поверхности или углубленный в нее и включающий в себя шестиугольную решетку с минимальной периодичностью, имеющей литографический размер, и элементарной ячейкой, имеющей форму правильного шестиугольника и содержащей окружности одинакового диаметра, причем совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности.
19. Структура по п.18, характеризующаяся тем, что указанный одинаковый диаметр является сублитографическим.
20. Структура по п.18, в которой рисунок выступает из поверхности, и которая включает в себя множество цилиндров одинакового диаметра, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждом из выступающих элементов рисунка, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями указанных цилиндров.
21. Структура по п.18, в которой рисунок углублен в поверхность, и которая включает в себя матрицу из полимерного компонента нефоточувствительного полимерного резиста, имеющую цилиндрические отверстия, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями цилиндрических отверстий.
RU2010136662/28A 2008-02-05 2009-02-03 Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур RU2462412C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/026,123 2008-02-05
US12/026,123 US8215074B2 (en) 2008-02-05 2008-02-05 Pattern formation employing self-assembled material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010136662A RU2010136662A (ru) 2012-03-20
RU2462412C2 true RU2462412C2 (ru) 2012-09-27

Family

ID=40952661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010136662/28A RU2462412C2 (ru) 2008-02-05 2009-02-03 Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур

Country Status (8)

Country Link
US (3) US8215074B2 (ru)
EP (1) EP2250123B1 (ru)
JP (1) JP5528355B2 (ru)
KR (1) KR20100110839A (ru)
CN (1) CN101939253B (ru)
RU (1) RU2462412C2 (ru)
TW (1) TWI480950B (ru)
WO (1) WO2009100053A2 (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723009B2 (en) 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
US7964107B2 (en) * 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US7923373B2 (en) * 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US8404600B2 (en) * 2008-06-17 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Method for forming fine pitch structures
US8168449B2 (en) * 2009-11-04 2012-05-01 International Business Machines Corporation Template-registered diblock copolymer mask for MRAM device formation
KR20130063072A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 삼성전자주식회사 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 형성 방법
JP5979660B2 (ja) * 2012-02-09 2016-08-24 東京応化工業株式会社 コンタクトホールパターンの形成方法
US9478429B2 (en) * 2012-03-13 2016-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Removable templates for directed self assembly
WO2014010592A1 (ja) * 2012-07-10 2014-01-16 株式会社ニコン マーク形成方法及びデバイス製造方法
JP6239813B2 (ja) 2012-07-18 2017-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5537628B2 (ja) * 2012-10-09 2014-07-02 株式会社東芝 自己組織化パターンの形成方法
USD688882S1 (en) 2012-10-15 2013-09-03 Polymer Group, Inc. Nonwoven fabric
US9581899B2 (en) * 2012-11-27 2017-02-28 International Business Machines Corporation 2-dimensional patterning employing tone inverted graphoepitaxy
KR102062676B1 (ko) 2012-12-06 2020-01-06 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5802233B2 (ja) * 2013-03-27 2015-10-28 株式会社東芝 パターン形成方法
KR102105196B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-29 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법
KR102394994B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US9349604B2 (en) * 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
KR20150101875A (ko) 2014-02-27 2015-09-04 삼성전자주식회사 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP6177723B2 (ja) 2014-04-25 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP6122906B2 (ja) 2014-06-27 2017-04-26 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品
JP6356096B2 (ja) 2014-06-27 2018-07-11 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品
KR102270752B1 (ko) 2014-08-11 2021-07-01 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
FR3025937B1 (fr) * 2014-09-16 2017-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de grapho-epitaxie pour realiser des motifs a la surface d'un substrat
US10269622B2 (en) * 2014-12-24 2019-04-23 Intel Corporation Materials and deposition schemes using photoactive materials for interface chemical control and patterning of predefined structures
US9738765B2 (en) * 2015-02-19 2017-08-22 International Business Machines Corporation Hybrid topographical and chemical pre-patterns for directed self-assembly of block copolymers
KR102293134B1 (ko) 2015-04-17 2021-08-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
WO2017111822A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Intel Corporation Pitch division using directed self-assembly
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
JP6835969B2 (ja) 2016-12-21 2021-02-24 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ブロックコポリマーの自己組織化のための新規組成物及び方法
USD912996S1 (en) * 2017-01-09 2021-03-16 Under Armour, Inc. Textile including a surface pattern
TWI680563B (zh) 2018-10-22 2019-12-21 國立中山大學 固態光子晶體之製備方法
USD927860S1 (en) * 2019-08-06 2021-08-17 Msa Technology, Llc Strap with stitching pattern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2179526C2 (ru) * 1999-11-29 2002-02-20 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН Способ получения твердофазных наноструктурированных материалов
US7105118B2 (en) * 2002-12-02 2006-09-12 North Carolina State University Methods of forming three-dimensional nanodot arrays in a matrix
US7223444B2 (en) * 2000-05-04 2007-05-29 Qunano Ab Particle deposition apparatus and methods for forming nanostructures

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045851B2 (en) * 2003-06-20 2006-05-16 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP2006055982A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Ind Technol Res Inst 組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート
JP4665720B2 (ja) * 2005-11-01 2011-04-06 株式会社日立製作所 パターン基板，パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体
WO2007097242A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光素子
US7579278B2 (en) * 2006-03-23 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Topography directed patterning
US20070289943A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-20 Jennifer Lu Block copolymer mask for defining nanometer-scale structures
US7605081B2 (en) * 2006-06-19 2009-10-20 International Business Machines Corporation Sub-lithographic feature patterning using self-aligned self-assembly polymers
JP4719717B2 (ja) * 2006-06-27 2011-07-06 株式会社リコー 画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラム
WO2008027571A2 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Liquidia Technologies, Inc. Nanoparticles having functional additives for self and directed assembly and methods of fabricating same
US7964107B2 (en) * 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US8083953B2 (en) * 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8557128B2 (en) * 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8372295B2 (en) * 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US8030108B1 (en) * 2008-06-30 2011-10-04 Stc.Unm Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices
US9138965B2 (en) * 2009-10-30 2015-09-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Conductive fibrous materials
WO2011140120A1 (en) * 2010-05-05 2011-11-10 Walker Jeffrey P Medical devices, methods of producing medical devices, and projection photolithography apparatus for producing medical devices
KR101108769B1 (ko) * 2010-05-28 2012-02-24 삼성전기주식회사 금속분말의 제조 방법 및 이를 이용한 적층콘덴서용 내부전극의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2179526C2 (ru) * 1999-11-29 2002-02-20 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН Способ получения твердофазных наноструктурированных материалов
US7223444B2 (en) * 2000-05-04 2007-05-29 Qunano Ab Particle deposition apparatus and methods for forming nanostructures
US7105118B2 (en) * 2002-12-02 2006-09-12 North Carolina State University Methods of forming three-dimensional nanodot arrays in a matrix

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.A.Ross et al. Nanostructured Surfaces with Long-range Order for Controlled Self-Assembly. NSF Nanoscale Science and Engineering Grantees Conference. 2003, p.1-4. *

Also Published As

Publication number Publication date
US8486511B2 (en) 2013-07-16
EP2250123A2 (en) 2010-11-17
US20120138571A1 (en) 2012-06-07
US20120183736A1 (en) 2012-07-19
WO2009100053A2 (en) 2009-08-13
US20120183742A1 (en) 2012-07-19
RU2010136662A (ru) 2012-03-20
CN101939253A (zh) 2011-01-05
KR20100110839A (ko) 2010-10-13
TWI480950B (zh) 2015-04-11
CN101939253B (zh) 2014-07-23
EP2250123A4 (en) 2014-10-15
TW200952072A (en) 2009-12-16
JP2011522707A (ja) 2011-08-04
EP2250123B1 (en) 2017-04-26
US8486512B2 (en) 2013-07-16
WO2009100053A3 (en) 2009-12-30
US8215074B2 (en) 2012-07-10
JP5528355B2 (ja) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2462412C2 (ru) Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур
JP5505904B2 (ja) 二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造およびこれを製造するための方法（自己組織化材料を用いた二次元パターニング）
KR102026270B1 (ko) 자가-조립가능한 중합체에 대한 패터닝된 방위 템플릿을 제공하는 방법
KR101097557B1 (ko) 블록 공중합체 자기 조립에 의하여 형성되는 서브 리소그라피 지름을 갖는 2차원 홀 어레이
US9368366B2 (en) Methods for providing spaced lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers
US9086621B2 (en) Methods for providing spaced lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers
US9564324B2 (en) Methods of forming a pattern and devices formed by the same
KR20100017210A (ko) 부트스트랩 자기 템플레이팅 방법을 통한 자기조립되는 구조의 증가된 차원으로의 연장
KR20150064264A (ko) 나노 스케일 형상 구조 및 형성 방법
KR102105196B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180204