RU2010136662A - Формирование рельефных рисунков с применением самособирающегося материала - Google Patents

Формирование рельефных рисунков с применением самособирающегося материала Download PDF

Info

Publication number
RU2010136662A
RU2010136662A RU2010136662/28A RU2010136662A RU2010136662A RU 2010136662 A RU2010136662 A RU 2010136662A RU 2010136662/28 A RU2010136662/28 A RU 2010136662/28A RU 2010136662 A RU2010136662 A RU 2010136662A RU 2010136662 A RU2010136662 A RU 2010136662A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
holes
self
polymer
formation
nanoscale
Prior art date
Application number
RU2010136662/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2462412C2 (ru
Inventor
Чарлз Т. БЛЭК (US)
Чарлз Т. БЛЭК
Тимоти Дж. ДЭЛТОН (US)
Тимоти Дж. ДЭЛТОН
Брюс Б. ДОРИС (US)
Брюс Б. ДОРИС
Карл РЕЙДЕНС (US)
Карл РЕЙДЕНС
Original Assignee
Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн (US)
Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн (US), Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн filed Critical Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн (US)
Publication of RU2010136662A publication Critical patent/RU2010136662A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2462412C2 publication Critical patent/RU2462412C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0369—Static structures characterized by their profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0147—Film patterning
    • B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0198—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making a masking layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/882—Assembling of separate components, e.g. by attaching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/888—Shaping or removal of materials, e.g. etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/2457—Parallel ribs and/or grooves
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
    • Y10T428/24736—Ornamental design or indicia
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Finishing Walls (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

1. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий: ! - формирование первого трафаретного слоя (20А), охватывающего заданный участок на подложке, ! - выполнение в первом трафаретном слое (20А) системы первых отверстий (O1), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки, ! - формирование в первых отверстиях (O1) первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А), ! - формирование второго трафаретного слоя (20В), охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А), ! - выполнение во втором трафаретном слое (20В) системы вторых отверстий (O2), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки, ! - формирование во вторых отверстиях (O2) вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В), ! - формирование третьего трафаретного слоя (20С), охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А и 40В), ! - выполнение в третьем трафаретном слое (20С) системы третьих отверстий (O3), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и ! - формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С). ! 2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий. ! 3. Способ по п.2, характ�

Claims (25)

1. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя (20А), охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое (20А) системы первых отверстий (O1), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки,
- формирование в первых отверстиях (O1) первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
- формирование второго трафаретного слоя (20В), охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
- выполнение во втором трафаретном слое (20В) системы вторых отверстий (O2), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки,
- формирование во вторых отверстиях (O2) вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В),
- формирование третьего трафаретного слоя (20С), охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А и 40В),
- выполнение в третьем трафаретном слое (20С) системы третьих отверстий (O3), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и
- формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий.
3. Способ по п.2, характеризующийся тем, что заданный участок соответствует объединению вместе взятых площадей первых отверстий, вместе взятых площадей вторых отверстий и вместе взятых площадей третьих отверстий.
4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что вторая шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника, а третья шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на другой экземпляр указанного правильного шестиугольника, а относительно второй шестиугольной решетки - еще на один экземпляр указанного правильного шестиугольника.
5. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур конгруэнтна другой из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
6. Способ по п.1, дополнительно характеризующийся тем, что:
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент,
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист, и
- перед формированием третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из третьих отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
7. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере один круговой цилиндр, содержащий первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к указанному по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности.
8. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур дополнительно включает в себя шесть экземпляров трети кругового цилиндра, каждый из которых имеет объем, составляющий одну треть общего объема указанного по меньшей мере одного кругового цилиндра, и угол 120° при ребре.
9. Способ по п.8, характеризующийся тем, что шесть экземпляров трети кругового цилиндра и полимерная матрица примыкают боковыми поверхностями к границе одного из первых, вторых и третьих отверстий.
10. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя множество круговых цилиндров, содержащих первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности, причем каждый из множества круговых цилиндров отделен от границ первых, вторых и третьих отверстий.
11. Способ по п.7, дополнительно включающий травление группы круговых цилиндров, избирательное по отношению к набору полимерных матриц, или травление группы полимерных матриц, избирательное по отношению к набору круговых цилиндров.
12. Способ по п.11, характеризующийся тем, что в подложке дополнительно формируют рисунок сублитографических размеров, используя оставшуюся часть круговых цилиндров и полимерных матриц в качестве маски для травления.
13. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину,
- формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- формирование второго трафаретного слоя непосредственно на первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структурах,
- выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину и которые дополняют первые отверстия в пределах заданного участка, и
- формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
14. Способ по п.13, дополнительно характеризующийся тем, что:
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, и
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
15. Способ по п.14, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере одну линию номинальной ширины и две краевые линии, каждая из которых содержит первый полимерный компонент, при этом каждая из двух краевых линий примыкает к границе одного из первых отверстий, указанная по меньшей мере одна линия номинальной ширины отделена от двух краевых линий и имеет номинальную ширину, являющуюся сублитографической и превышающую ширину краевых линий.
16. Способ по п.15, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя также дополняющие линии, содержащие второй полимерный компонент, причем каждая из дополняющих линий примыкает сбоку к двум линиям из числа по меньшей мере одной линии номинальной ширины и двух краевых линий и имеет другую ширину, являющуюся сублитографической.
17. Способ по п.16, дополнительно включающий:
- травление первого полимерного компонента, избирательное по отношению ко второму полимерному компоненту, или травление второго полимерного компонента, избирательное по отношению к первому полимерному компоненту, и
- формирование в подложке рисунка сублитографических размеров с периодическим повтором по меньшей мере одной первой линии, имеющей первый сублитографический размер, и второй линии, имеющей второй сублитографический размер, причем в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
18. Структура, содержащая подложку, имеющую рисунок, выступающий из по существу плоской поверхности или углубленный в нее и включающий в себя шестиугольную решетку с минимальной периодичностью, имеющей литографический размер, и элементарной ячейкой, имеющей форму правильного шестиугольника и содержащей окружности одинакового диаметра, причем совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности.
19. Структура по п.18, характеризующаяся тем, что указанный одинаковый диаметр является сублитографическим,
20. Структура по п.18, в которой рисунок выступает из поверхности и которая включает в себя множество цилиндров одинакового диаметра, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждом из выступающих элементов рисунка, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями указанных цилиндров.
21. Структура по п.18, в которой рисунок углублен в поверхность и которая включает в себя матрицу из полимерного компонента нефоточувствительного полимерного резиста, имеющую цилиндрические отверстия, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями цилиндрических отверстий.
22. Структура, содержащая подложку с одномерным периодическим повтором элемента рисунка, включающего в себя по меньшей мере одну первую линию и вторую линию, выступающую из по существу плоской поверхности или углубленную в нее, причем первая линия или каждая из первых линий имеет первую сублитографическую ширину, вторая линия имеет вторую сублитографическую ширину, и в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
23. Структура по п.22, характеризующаяся тем, что первая сублитографическая ширина и вторая сублитографическая ширина являются различными.
24. Структура по п.22, в которой рисунок выступает из поверхности и которая включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждой из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
25. Структура по п.22, в которой рисунок углублен в поверхность и которая включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на указанной по существу плоской поверхности, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
RU2010136662/28A 2008-02-05 2009-02-03 Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур RU2462412C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/026,123 US8215074B2 (en) 2008-02-05 2008-02-05 Pattern formation employing self-assembled material
US12/026,123 2008-02-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010136662A true RU2010136662A (ru) 2012-03-20
RU2462412C2 RU2462412C2 (ru) 2012-09-27

Family

ID=40952661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010136662/28A RU2462412C2 (ru) 2008-02-05 2009-02-03 Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке (варианты) и структура с рисунком, состоящая из наноразмерных самособранных самовыстроенных структур

Country Status (8)

Country Link
US (3) US8215074B2 (ru)
EP (1) EP2250123B1 (ru)
JP (1) JP5528355B2 (ru)
KR (1) KR20100110839A (ru)
CN (1) CN101939253B (ru)
RU (1) RU2462412C2 (ru)
TW (1) TWI480950B (ru)
WO (1) WO2009100053A2 (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723009B2 (en) 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
US7964107B2 (en) * 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US7923373B2 (en) * 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US8404600B2 (en) * 2008-06-17 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Method for forming fine pitch structures
US8168449B2 (en) 2009-11-04 2012-05-01 International Business Machines Corporation Template-registered diblock copolymer mask for MRAM device formation
KR20130063072A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 삼성전자주식회사 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 형성 방법
JP5979660B2 (ja) * 2012-02-09 2016-08-24 東京応化工業株式会社 コンタクトホールパターンの形成方法
US9478429B2 (en) * 2012-03-13 2016-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Removable templates for directed self assembly
CN107219721B (zh) * 2012-07-10 2020-08-21 株式会社尼康 标记形成方法和器件制造方法
JP6239813B2 (ja) * 2012-07-18 2017-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5537628B2 (ja) * 2012-10-09 2014-07-02 株式会社東芝 自己組織化パターンの形成方法
USD688882S1 (en) 2012-10-15 2013-09-03 Polymer Group, Inc. Nonwoven fabric
US9581899B2 (en) * 2012-11-27 2017-02-28 International Business Machines Corporation 2-dimensional patterning employing tone inverted graphoepitaxy
KR102062676B1 (ko) 2012-12-06 2020-01-06 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5802233B2 (ja) * 2013-03-27 2015-10-28 株式会社東芝 パターン形成方法
KR102105196B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-29 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP6452136B2 (ja) 2013-09-04 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 誘導自己組織化用の化学テンプレートを形成するための硬化フォトレジストのｕｖ支援剥離
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
KR20150101875A (ko) 2014-02-27 2015-09-04 삼성전자주식회사 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP6177723B2 (ja) * 2014-04-25 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP6122906B2 (ja) 2014-06-27 2017-04-26 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品
JP6356096B2 (ja) 2014-06-27 2018-07-11 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品
KR102270752B1 (ko) 2014-08-11 2021-07-01 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
FR3025937B1 (fr) * 2014-09-16 2017-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de grapho-epitaxie pour realiser des motifs a la surface d'un substrat
WO2016105421A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Intel Corporation Materials and deposition schemes using photoactive materials for interface chemical control and patterning of predefined structures
US9738765B2 (en) * 2015-02-19 2017-08-22 International Business Machines Corporation Hybrid topographical and chemical pre-patterns for directed self-assembly of block copolymers
KR102293134B1 (ko) 2015-04-17 2021-08-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
WO2017111822A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Intel Corporation Pitch division using directed self-assembly
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
JP6835969B2 (ja) 2016-12-21 2021-02-24 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ブロックコポリマーの自己組織化のための新規組成物及び方法
USD912996S1 (en) * 2017-01-09 2021-03-16 Under Armour, Inc. Textile including a surface pattern
TWI680563B (zh) 2018-10-22 2019-12-21 國立中山大學 固態光子晶體之製備方法
USD927860S1 (en) * 2019-08-06 2021-08-17 Msa Technology, Llc Strap with stitching pattern

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2179526C2 (ru) * 1999-11-29 2002-02-20 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН Способ получения твердофазных наноструктурированных материалов
AU784574B2 (en) * 2000-05-04 2006-05-04 Qunano Ab Nanostructures
WO2005015579A2 (en) 2002-12-02 2005-02-17 North Carolina State University Methods of forming three-dimensional nanodot arrays in a matrix
US7045851B2 (en) * 2003-06-20 2006-05-16 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP2006055982A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Ind Technol Res Inst 組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート
JP4665720B2 (ja) * 2005-11-01 2011-04-06 株式会社日立製作所 パターン基板，パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体
US20100259184A1 (en) * 2006-02-24 2010-10-14 Ryou Kato Light-emitting device
US7579278B2 (en) * 2006-03-23 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Topography directed patterning
US20070289943A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-20 Jennifer Lu Block copolymer mask for defining nanometer-scale structures
US7605081B2 (en) * 2006-06-19 2009-10-20 International Business Machines Corporation Sub-lithographic feature patterning using self-aligned self-assembly polymers
JP4719717B2 (ja) * 2006-06-27 2011-07-06 株式会社リコー 画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラム
US20100055459A1 (en) * 2006-08-30 2010-03-04 Liquidia Technologies, Inc. Nanoparticles Having Functional Additives for Self and Directed Assembly and Methods of Fabricating Same
US7964107B2 (en) * 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8557128B2 (en) * 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US8030108B1 (en) * 2008-06-30 2011-10-04 Stc.Unm Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices
WO2011053811A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Conductive fibrous materials
WO2011140120A1 (en) * 2010-05-05 2011-11-10 Walker Jeffrey P Medical devices, methods of producing medical devices, and projection photolithography apparatus for producing medical devices
KR101108769B1 (ko) * 2010-05-28 2012-02-24 삼성전기주식회사 금속분말의 제조 방법 및 이를 이용한 적층콘덴서용 내부전극의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8486511B2 (en) 2013-07-16
US20120183742A1 (en) 2012-07-19
JP2011522707A (ja) 2011-08-04
EP2250123A2 (en) 2010-11-17
CN101939253B (zh) 2014-07-23
WO2009100053A2 (en) 2009-08-13
EP2250123B1 (en) 2017-04-26
RU2462412C2 (ru) 2012-09-27
KR20100110839A (ko) 2010-10-13
US8215074B2 (en) 2012-07-10
TWI480950B (zh) 2015-04-11
WO2009100053A3 (en) 2009-12-30
US20120183736A1 (en) 2012-07-19
JP5528355B2 (ja) 2014-06-25
CN101939253A (zh) 2011-01-05
US20120138571A1 (en) 2012-06-07
EP2250123A4 (en) 2014-10-15
TW200952072A (en) 2009-12-16
US8486512B2 (en) 2013-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010136662A (ru) Формирование рельефных рисунков с применением самособирающегося материала
DE102006037433B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper
DE102011115125B4 (de) Herstellung einer mikrooptischen Darstellungsanordnung
DE102014019374A1 (de) Zuletzt geschnittene selbstadjustierende Litho-Ätz Strukturierung
EP1777581A3 (en) Fabrication of a wiring pattern and of an active matrix substrate
DE2637703A1 (de) Elektrostatisch gesteuerte bildwiedergabevorrichtung
EP1382243A4 (en) ROCK CONTROL ELECTRIC SHOCK PLATE, AND METHOD FOR THE DISPOSAL OF BAD BIRDS AND ANIMALS
ES2664346T3 (es) Procedimiento de formación de un dispositivo electrónico sobre un sustrato flexible
TW200705645A (en) Method of forming film pattern, active matrix substrate, electro-optic device, and electronic apparatus
EP1843396A3 (en) Organic electroluminscence device and method for manufacturing the same
WO2013063202A1 (en) Optimization of uv curing
WO2013045054A1 (de) Sicherheitselement mit einer optisch variablen struktur aus mikrospiegeln
DE102006024750B4 (de) Druckvorrichtung und ein Druckverfahren unter Verwendung derselben
US10099471B2 (en) Screen printing mask and manufacturing method thereof
US20120137907A1 (en) Intaglio printing plate including supplementary pattern and method for fabricating the same
CN105242445A (zh) 液晶显示面板的制作方法和液晶显示面板
DE102011115851B4 (de) Kapazitives Sensorelement
DE2511286A1 (de) Element mit einer zylindrischen magnetischen domaene
EP2023711B1 (de) Insektenschutzfolie
AU2017233747A1 (en) Improvements in printing plate cell patterning
DE102011053390A1 (de) Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
DE2649859A1 (de) Anzeigevorrichtung
TWM514399U (zh) 太陽能電池正銀電極可設計型印刷鋼版結構
EP1615778B1 (de) Wertdokument
WO2007003533A1 (de) Elektrochrome passiv-anzeige und verfahren zu deren herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180204