RU2343590C1 - Способ изготовления матричного фотоприемника - Google Patents
Способ изготовления матричного фотоприемника Download PDFInfo
- Publication number
- RU2343590C1 RU2343590C1 RU2007126042/28A RU2007126042A RU2343590C1 RU 2343590 C1 RU2343590 C1 RU 2343590C1 RU 2007126042/28 A RU2007126042/28 A RU 2007126042/28A RU 2007126042 A RU2007126042 A RU 2007126042A RU 2343590 C1 RU2343590 C1 RU 2343590C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- substrate
- solid
- glued
- hot melt
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Способ согласно изобретению включает следующие операции. На полупроводниковой пластине, имеющей первую легированную и вторую стороны, на первой легированной стороне выделяют фоточувствительные элементы при помощи нанесения диэлектриков, металлизации и фотолитографии. Осуществляют промежуточное приклеивание первой стороны полупроводниковой пластины к промежуточной подложке промежуточным клеем-расплавом. Проводят химико-механическое утоньшение и анодное оксидирование второй стороны полупроводниковой пластины. Приклеивают вторую сторону стационарным полимерным клеем к несущей подложке. Удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем с поверхности пластины и разделяют пластину вместе с несущей подложкой на отдельные матрицы. Настоящее изобретение решает задачу упрощения и снижения веса аппаратуры ИК-комплекса в целом. 7 ил.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных матричных фотоприемников различного назначения.
Известен способ изготовления многоэлементного резисторного фотоприемника на основе CdxHg1-xTe (патент RU 2137259 C1, опубл. 10.09.1999, Бюл.№ 25), принятый в качестве прототипа изобретения и включающий приклейку полупроводниковой пластины на подложку, химико-механическое утоньшение полупроводниковой пластины до необходимой толщины, выделение блока и формирование на нем системы пленочных контактов и топологии фоточувствительного элемента. При этом полупроводниковую пластину вначале приклеивают на промежуточную подложку промежуточным клеем-расплавом и после химико-механического утоньшения выделяют блок из полупроводникового материала, склеенного с промежуточной подложкой, приклеивают полученный блок со стороны полупроводникового материала к несущей подложке стационарным полимерным клеем, после чего удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом с поверхности полупроводниковой пластины, полируют пластину полупроводника до рабочей толщины, а затем формируют на этой поверхности систему пленочных контактов и топологию фоточувствительного элемента.
Известный способ позволяет экономить дорогостоящий полупроводниковый материал CdxHg1-xTe, а также создавать многодиапазонные многоэлементные фотоприемники за счет использования промежуточной подложки и промежуточного склеивания. Однако он применим только для изготовления многоэлементных фоторезисторов, которые обладают объемной фотопроводимостью в тонких структурах, т.е. у них первая и вторая стороны полупроводниковой пластины химически и физически равноценны. Многоэлементные фоторезисторы - это приборы со сканированием, т.е. при эксплуатации требуют дополнительно электронную аппаратуру для считывания сигнала. Матричный фотоприемник - это смотрящий прибор, не требующий громоздкой дополнительной аппаратуры. Многоэлементные матричные фотоприемники представляют собой набор фотодиодов с р-n переходами, т.е. требуют легирования одной стороны монокристалла, поэтому роль промежуточной склейки в предлагаемом способе иная, чем в способе-прототипе - защитить поверхность будущих матриц при химико-механическом утоньшении полупроводниковой пластины при создании многоэлементных фоточувствительных структур.
Настоящее изобретение решает задачу упрощения и снижения веса аппаратуры ИК-комплекса в целом, что особенно важно для приборов спецприменения с использованием многоэлементных матричных фотоприемников на основе тонкопленочных монокристаллов при помощи разработки технологии их изготовления.
Технический результат достигается тем, что способ изготовления матричного фотоприемника заключается в том, что на полупроводниковой пластине, имеющей первую легированную и вторую стороны, на первой легированной стороне выделяют фоточувствительные элементы при помощи напыления диэлектриков, металлизации и фотолитографии, осуществляют промежуточное приклеивание первой стороны полупроводниковой пластины к промежуточной подложке промежуточным клеем-расплавом, проводят химико-механическое утоньшение и анодное оксидирование второй стороны полупроводниковой пластины и приклеивают вторую сторону стационарным полимерным клеем к несущей подложке, после чего удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем с поверхности полупроводниковой пластины и разделяют пластину вместе с несущей подложкой на отдельные матрицы.
Изобретение представлено чертежами, поясняющими процессы получения матричного фотоприемника по предлагаемому способу, где:
Фиг.1 Показана полупроводниковая пластина с первой и второй сторонами;
на фиг.2 - процесс выделения матриц;
на фиг.3 - процесс склеивания пластины с промежуточной подложкой;
на фиг.4 - процесс утоньшения и анодного оксидирования пластины;
на фиг.5 - процесс склеивания пластины с несущей подложкой;
на фиг.6 - Процесс разделения конструкции на отдельные матрицы;
на фиг.7 - Полученная матрица.
При осуществлении предлагаемого способа изготовления матричного фотоприемника на полупроводниковой пластине 1, имеющей первую легированную 2 и вторую 3 стороны, на первой стороне 2 выделяют набор матриц 4 при помощи напыления диэлектриков, металлизации и фотолитографии (фиг.2). Далее пластину 1 приклеивают первой стороной 2 промежуточным клеем-расплавом 5 на промежуточную подложку 6 (фиг.3). Затем вторую сторону 3 пластины утоньшают химико-механической обработкой до нужной толщины и проводят анодное оксидирование 7 пластины (фиг.4). Приклеивают к обработанной второй стороне 3 стационарным полимерным клеем 8 несущую подложку 9 (фиг.5). Затем удаляют промежуточную подложку 6 вместе с промежуточным клеем-расплавом с поверхности полупроводниковой пластины и режут всю конструкцию на отдельные матрицы (фиг.6). В результате получают набор отдельных многоэлементных матричных фотоприемников.
Пример реализации способа.
Предлагаемый способ был опробован на предприятии-заявителе при создании экспериментальных образцов матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Однако предлагаемый способ применим и к другим полупроводниковым материалам.
Одну сторона полупроводниковой пластины из монокристалла антимонида индия InSb n-типа проводимости диаметром 30 мм и толщиной 400 мкм легируют ионами бериллия для создания р-n-переходов в материале полупроводника на глубину 1-10 мкм. Далее проводят напыление золотых контактов и защитных пленок Al2О3 и с помощью фотолитографии получают металл-диэлектрик структуры для формирования на поверхности антимонида индия заготовок матриц, которые еще не являются фоточувствительными из-за большой толщины полупроводникового материала, только поглощающего ИК-излучение. Далее утоньшают монокристалл антимонида индия InSb. Полупроводниковую пластину со стороны матриц приклеивают к промежуточной подложке из лейкосапфира диаметром 32 мм и толщиной 1,4 мм промежуточным клеем-расплавом марки КР-195 с температурой расплава 80°С. Далее в 10%-ном подкисленном растворе перекиси водорода с помощью набора механических полировальников проводят утоньшение свободной от приклеивания поверхности полупроводниковой пластины до 20 мкм. Затем в растворе диметилформамида со щелочью 10%-ной концентрации проводят анодное оксидирование этой свободной поверхности, толщина окисла 0,1-0,01 мкм. Окисел представляет собой защитный диэлектрик. После этого приклейка полупроводниковой пластины через анодный окисел осуществлена стационарным клеем марки "Орион-4М" к подложке из высокоомного полированного кремния толщиной 300 мкм. Для отклейки промежуточной подложки всю сборку нагревают в термостате до 100°С в специальном приспособлении и путем сдвига осторожно убирают промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом. Остатки клея-расплава снимают батистовым тампоном, смоченным в толуоле. Резку полученной структуры проводят с помощью алмазного диска с внутренней режущей кромкой. Размер отдельных матриц составляет 2×2×0,31 мм, число элементов 1083×256. Полученные матрицы готовы к состыковке с кремниевым мультиплексором.
Claims (1)
- Способ изготовления матричного фотоприемника, включающий процессы промежуточного приклеивания полупроводниковой пластины, имеющей первую и вторую стороны, к промежуточной подложке промежуточным клеем-расплавом, выделения матриц, приклеивания полупроводниковой пластины к несущей подложке стационарным полимерным клеем, удаления промежуточной подложки и промежуточного клея-расплава, резки, отличающийся тем, что на первой легированной стороне полупроводниковой пластины вначале выделяют набор матриц при помощи нанесения диэлектриков, металлизации и фотолитографии и после процесса промежуточного приклеивания первой стороны полупроводниковой пластины к промежуточной подложке промежуточным клеем-расплавом проводят химико-механическое утоньшение и анодное оксидирование второй стороны полупроводниковой пластины, затем приклеивают вторую сторону полупроводниковой пластины стационарным полимерным клеем к несущей подложке, после чего удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом с поверхности полупроводниковой пластины и режут ее вместе с несущей подложкой на отдельные матрицы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007126042/28A RU2343590C1 (ru) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Способ изготовления матричного фотоприемника |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007126042/28A RU2343590C1 (ru) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Способ изготовления матричного фотоприемника |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2343590C1 true RU2343590C1 (ru) | 2009-01-10 |
Family
ID=40374353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007126042/28A RU2343590C1 (ru) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Способ изготовления матричного фотоприемника |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2343590C1 (ru) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2460174C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) |
RU2504043C1 (ru) * | 2012-06-15 | 2014-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН) | Гибридная фоточувствительная схема (гфс) |
RU2519024C1 (ru) * | 2012-07-31 | 2014-06-10 | Открытое акционерное общество "НПО Орион" | Многоэлементный ик фотоприемник |
RU2522681C2 (ru) * | 2012-09-06 | 2014-07-20 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU2573714C1 (ru) * | 2014-10-20 | 2016-01-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU2580184C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на растр |
RU2581439C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель |
RU2611552C2 (ru) * | 2015-07-17 | 2017-02-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Фотоприемное устройство (варианты) и способ его изготовления |
RU2624623C1 (ru) * | 2016-08-17 | 2017-07-04 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников |
RU2633656C1 (ru) * | 2016-06-06 | 2017-10-16 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs |
-
2007
- 2007-07-09 RU RU2007126042/28A patent/RU2343590C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2460174C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) |
RU2504043C1 (ru) * | 2012-06-15 | 2014-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН) | Гибридная фоточувствительная схема (гфс) |
RU2519024C1 (ru) * | 2012-07-31 | 2014-06-10 | Открытое акционерное общество "НПО Орион" | Многоэлементный ик фотоприемник |
RU2522681C2 (ru) * | 2012-09-06 | 2014-07-20 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU2573714C1 (ru) * | 2014-10-20 | 2016-01-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU2580184C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на растр |
RU2581439C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель |
RU2611552C2 (ru) * | 2015-07-17 | 2017-02-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Фотоприемное устройство (варианты) и способ его изготовления |
RU2633656C1 (ru) * | 2016-06-06 | 2017-10-16 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs |
RU2624623C1 (ru) * | 2016-08-17 | 2017-07-04 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2343590C1 (ru) | Способ изготовления матричного фотоприемника | |
KR101026644B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제작 방법 | |
US11456395B2 (en) | Interconnection of solar cells in a solar cell module | |
JP3257687B2 (ja) | 電気光学検出器アレーとその製造方法 | |
TWI446420B (zh) | 用於半導體製程之載體分離方法 | |
FR2704690A1 (fr) | Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procédé et application à l'interconnexion de pastilles en trois dimensions. | |
CN112272869B (zh) | 使用石墨烯的电子器件、该使用石墨烯的电子器件的制造方法以及具备该使用石墨烯的电子器件的电磁波检测器 | |
JPH05509204A (ja) | 固体電磁放射線検出器 | |
KR20110063626A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 | |
TW201009920A (en) | Method of thinning a semiconductor wafer | |
TW201236072A (en) | Wafer dicing using scribe line etch | |
CN110838503A (zh) | 微型led芯片制作方法、微型led显示器件制作方法和微型led显示器件 | |
TW200417048A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing such a device | |
EP1803152A2 (fr) | Procede de transfert d'au moins un objet de taille micrometrique ou millimetrique au moyen d'une poignee en polymere | |
JP2009540611A (ja) | 光検出用のpinダイオード及び高速、高分解能画像検出 | |
JP6465666B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPS60217671A (ja) | 半導体放射線検出器の製造方法 | |
JPS6324681A (ja) | 半導体素子の薄膜製造方法 | |
JP2023176192A (ja) | 撮像素子の製造方法 | |
JP2023183538A (ja) | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 | |
KR20230126665A (ko) | 2차원 물질의 선택적 분리 및 전사 방법과 이를 적용한 소자의 제조 방법 | |
JPH03270073A (ja) | InSbフォトダイオードアレイ素子 | |
KR101873640B1 (ko) | 플렉서블 소자 패키징 방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 | |
CN115799361A (zh) | 一种偏振光电探测器及制备方法 | |
JPH0453271A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200710 |