RU2624623C1 - Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников - Google Patents
Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников Download PDFInfo
- Publication number
- RU2624623C1 RU2624623C1 RU2016133809A RU2016133809A RU2624623C1 RU 2624623 C1 RU2624623 C1 RU 2624623C1 RU 2016133809 A RU2016133809 A RU 2016133809A RU 2016133809 A RU2016133809 A RU 2016133809A RU 2624623 C1 RU2624623 C1 RU 2624623C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- testing
- liquid nitrogen
- probe
- pedestal
- Prior art date
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 claims description 9
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 102000005890 Spectrin Human genes 0.000 description 1
- 108010019965 Spectrin Proteins 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных фоновых условиях с подсчетом и исключением дефектных элементов исходя из качества полученного изображения с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции и оценкой объемной диффузионной длины по чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов, прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу, расположенному в теплоизолирующей чашке, залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала. Технический результат - ускорение процесса межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться при создании матричных фотоприемников (МФП) различного назначения.
Известен способ изготовления матричного фотоприемника, описанный в [RU 2460174 C1], в котором фоточувствительный элемент из InSb утоньшался, как правило, до толщины 8-12 мкм. Такой способ изготовления предполагает проведение технологического контроля МФП до и после утоньшения при температуре жидкого азота. Однако при обычном способе контроля изготовленный фоточувствительный модуль, как показано на фиг. 2, после гибридизации БИС считывания (2) и матрицы фоточувствительных элементов (1) при помощи индиевых микроконтактов приклеивался криостойким клеем на растр (3, типично из сапфира) и разваривался проволочками. Далее БИС считывания (2) разваривалась на растр (3). После приклейки сборки с помощью временного клеевого соединения со стеклянным держателем проводилась разварка проволочками с растра на контакты держателя. После чего проводилось откачивание внутренней полости и герметизация через стеклянный спай (4). Далее проводился контроль фотоэлектрических параметров. При таком способе практически невозможен межоперационный контроль (например, до и после утоньшения), а финишный контроль перед сборкой на штатный держатель трудоемок и длителен. Аналогичными недостатками обладает тестирование с помощью металлического криостата, описанного в патенте [RU 2492435 C1].
С другой стороны, существует множество контактных устройств с фиксированным расположением зондов [см. ссылки в патенте US 8410806 В2], однако, они не позволяют охлаждать МФП до температуры жидкого азота [Автомат зондового контроля ЭМ-6290 компании ПЛАНАР-СО, ОАО, Минск (Беларусь), http://planar-so.all.biz/ru/avtomat-zondovogo-kontrolya-em-6290-g176176. Устройство контактное с фиксированным расположением зондов - УКФ, КБТЭМ-СО, УП, Минск (Беларусь), http://belarus.oborudunion.ru/company.php?comp=2461065. Устройства для зондового контроля полупроводниковых приборов, НП ООО СПЕКТРИН, Минская область, г. Держинск (Беларусь), http://www.spektrin.com/ru/about/. Устройства контактные с фиксированной топологией зондов УКФ, УП «Аранэй», Минская область, Минский район, район деревни Боровая 1 (Беларусь)].
Наиболее близким аналогом заявляемого устройства является полуавтоматическая криогенная зондовая установка фирмы Cascade Microtech, Inc [РАС200: 200 mm Semi-automated Cryogenic Probe System, Cascade Microtech, Inc., www.cascademicrotech.com], которая позволяет проводить межоперационный контроль МФП на пластинах и отдельных чипах при криогенных температурах. Однако такая многофункциональная и дорогостоящая система не позволяет проводить тестирование достаточно оперативно из-за необходимости откачки внутреннего значительного объема до охлаждения, во время охлаждения и во время отогревания. Характерное время термоцикла такой системы составляет величину существенно больше 1 часа.
Заявляемое изобретение решает задачу оперативного межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала (5 на фиг. 3) и может достигать пяти-десяти минут. Для этого использовалась зондовая установка открытого типа, как показано на фиг. 1, которая позволяла проводить охлаждения без временных затрат на откачку внутреннего объема. Основу ее составляло сменное контактное устройство с фиксированным расположением зондов, которое совмещалось с МФП, размещенном на съемном пьедестале (5) с помощью подвижек с микрометрическими винтами по осям X, Y, Z, поворотного механизма теплоизолированной чашки и микроскопа, размещенного на штанге с возможностью перемещения по окружности и радиусу (см. фиг. 1).
Сущность изобретения поясняется чертежами:
На фиг. 1 показан рисунок открытой зондовой установки ускоренного тестирования матричных фотоприемников при температуре жидкого азота.
На фиг. 2 показан рисунок стеклянного криостата, предназначенного для обычного способа тестирования МФП перед сборкой на держатель в штатный корпус.
На фиг. 3 показан рисунок, поясняющий конструкцию охлаждаемого держателя.
На фиг. 4 показан рисунок, поясняющий взаимодействие контактного устройства с фиксированным расположением зондов (УКФ) и МФП, размещенного на пьедестале.
На фиг. 5 показан рисунок, поясняющий способ измерения с фоном, регулируемым экраном, охлаждаемым парами азота.
На фиг. 6 показан рисунок, поясняющий способ измерения с минимальным фоном, создаваемым зеркальной металлической поверхностью, размещенной на минимальном расстоянии от МФП и охлаждаемой парами азота.
На фиг. 7 показан рисунок, полученный на зондовой установке открытого типа при температуре жидкого азота, поясняющий способ измерения дефектности и чувствительности после операции гибридизации матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм.
На фиг. 8 показан рисунок, полученный на зондовой установке открытого типа при температуре жидкого азота, поясняющий способ измерения дефектности и чувствительности фотоприемных элементов после операции утоньшения и просветления матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм.
Технический результат достигается тем, что в зондовой установке осуществляют ускоренный способ тестирования матричных фотоприемников для межоперационного контроля при температуре жидкого азота, тестирование осуществляют на зондовой установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт. Сменный пьедестал (5) расположен в свободной посадке теплоизолирующей чашки (6, типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня (9) не превышающего верхнего уровня пьедестала (фиг. 3). Кроме этого с целью исключения выпадения конденсата на МФП, помимо обеспечения надежного теплового контакта к пьедесталу (5) за счет прижима УКФ, необходимо использовать экран из теплоизоляционного материала (например, пластик) в виде плоского кольца (7), прикрывающего чашку сверху и создающего избыточное давление паров испаряющегося жидкого азота над поверхностью матричного фотоприемника. Также для решения проблемы значительного смещения зондовых иголок (10) в направлении к центру и выходом их за пределы контактных площадок БИС считывания при охлаждении жидким азотом зонды необходимо приклеить к зондовой головке клеем (11) на основе эпоксидной смолы с наполнителем (типично нитридом бора) (фиг. 4).
Для ускорения процесса тестирования тепловую массу пьедестала (5) минимизируют таким образом, чтобы время охлаждения было больше или равно времени выхода МФПУ на основе тестируемого матричного фотоприемника, а пьедестал (5) необходимо установить в свободную посадку термоизолированной чашки (6) для обеспечения быстрой его смены на аналогичный при отогревании зондовой установки после охлаждения. В результате время тестирования при таком термоциклировании уменьшается до 5-10 минут.
На вышеописанной открытой зондовой установке возможно осуществление межоперационного контроля при температуре жидкого азота на следующих этапах формирования матричных фотоприемников: после формирования индиевых микроконтактов на БИС считывания, после гибридизации, после утоньшения матричного фоточувствительного элемента, после просветления тыльной стороны матричного фотоприемника и приклейки его на растр. Также возможно тестированияе при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при различных фоновых условиях за счет использования набора зеркальных снаружи и черненных изнутри холодных экранов (12) с различным относительным отверстием (типично 1:1, 1:2, 1:3, 1:4) (фиг. 5), а при использовании зеркальной металлической поверхности (13, типично из золота), приближенной на минимальное расстояние к МФП (фиг. 6), возможна оценка уровня и распределения по площади темновых токов. Кроме этого, на зондовой установке при температуре жидкого азота возможно получение изображения тест-объектов с помощью ИК объектива (8) после проведения двухточечной коррекции неоднородности фотоэлементов для качественной оценки МФП, подсчета и исключения дефектных элементов исходя из качества полученного изображения (фиг. 3). Еще одной возможностью является измерение на зондовой установке при температуре жидкого азота чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника на основе объемного материала антимонида индия (типично толщиной 500 мкм), по которой возможна оценка объемной диффузионной длины [Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Полунеев В.В., Рябова А.А. Характеристики серийных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия формата 320×256, Успехи прикладной физики №6, 2013, том 1, С. 733-738].
Открытая зондовая установка ускоренного тестирования матричных фотоприемников и способ ускоренного тестирования при температуре жидкого азота были опробованы и используются на предприятии-изготовителе при создании экспериментальных, опытных и серийных образцов матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия [см. последний источник]. Предлагаемая открытая зондовая установка и способ применимы и к матричным фотоприемным устройствам на основе других полупроводниковых материалов (например, на основе QWIP структур).
Пример 1.
Открытая зондовая установка ускоренного тестирования матричных фотоприемников на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм при температуре жидкого азота на этапах после гибридизации и после утоньшения, пассивирования и просветления тыльной стороны МФП за счет формирования однослойного покрытия ZnS. В зондовой установке применен пьедестал из меди диаметром 24 мм и высотой 28 мм, свободно расположенный в пенопластовой чашке диаметром 80 мм, глубиной 24 мм и толщиной стенок 10 мм. Сверху чашку прикрывает экран, изготовленный из пластика толщиной 1 мм и внутренним диаметром отверстия 35 мм, разбитый на два полукольца, позволяющие оперативно устанавливать экран после прижима УКФ к контактным площадкам БИС считывания. УКФ состоит из 30 шт. иголок из вольфрама, приклеенных к держателю с помощью эпоксидного клея «ЭПК-1» с наполнителем из нитрида бора. Среднее время охлаждения МФП в вышеописанном варианте составило 8 мин, что с учетом времени проведения измерений и отогрева до комнатной температуры (с учетом быстрой смены пьедестала) привело к среднему времени термоцикла 12 мин.
Пример 2.
Способ ускоренного тестирования матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм в установке, описанной в примере 1, при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при использовании холодного экрана с относительным отверстием 1:4 (высота 24 мм и диаметр отверстия 6 мм) и фильтром на спектральный диапазон 3-5 мкм. Примеры полученных изображений без коррекции приведены на рисунках до (фиг. 7) и после (фиг. 8) утоньшения и просветления. Полученная дефектность после гибридизации составила 0.12% (404 шт.), чувствительность на dA4T 12°С - 0.9 мВ при времени накопления 100 мкс. После утоньшения до толщины 15 мкм и просветления тыльной стороны ZnS дефектность составила 0.11%) (365 шт.), чувствительность на dАЧТ 12°С - 78.6 мВ при времени накопления 100 мкс.
Claims (8)
1. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников для оперативного межоперационного контроля при температуре жидкого азота, отличающаяся тем, что тестирование осуществляют в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт, расположенному в теплоизолирующей чашке (типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала.
2. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что с целью исключения выпадения конденсата используют экран из теплоизоляционного материала в виде плоского кольца, прикрывающего чашку сверху и создающего избыточное давление паров испаряющегося жидкого азота над поверхностью матричных фотоприемников.
3. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что с целью уменьшения смещения зондовых иголок в направлении к центру при охлаждении жидким азотом зонды приклеивают к зондовой головке клеем на основе эпоксидной смолы с наполнителем (типично нитридом бора).
4. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что для ускорения процесса тестирования тепловую массу пьедестала минимизируют таким образом, чтобы время охлаждения было больше или равно времени выхода МФПУ на основе тестируемого матричного фотоприемника, а пьедестал устанавливают в свободную посадку термоизолированной чашки для обеспечения быстрой его смены на аналогичный при отогревании зондовой установки после охлаждения.
5. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников для межоперационного контроля при температуре жидкого азота, отличающийся тем, что тестирование матричных фотоприемников осуществляют в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт, расположенному в теплоизолирующей чашке (типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала, межоперационный контроль осуществляют на этапах формирования матричных фотоприемников: после формирования индиевых микроконтактов на БИС считывания, после гибридизации, после утоньшения матричного фоточувствительного элемента, после просветления тыльной стороны матричного фотоприемника и приклейки его на растр.
6. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что осуществляют тестирование при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при различных фоновых условиях за счет использования набора зеркальных снаружи и черненных изнутри холодных экранов с различным относительным отверстием (типично 1:1, 1:2, 1:3, 1:4), а также зеркала для оценки уровня и распределения по площади темновых токов.
7. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что на зондовой установке при температуре жидкого азота получают изображение тест-объектов с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции неоднородности элементов МФПУ по чувствительности и смещению, подсчитывают и исключают дефектные элементы исходя из качества полученного изображения.
8. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что на зондовой установке при температуре жидкого азота измеряют чувствительность до утоньшения матричного фотоприемника на основе объемного материала антимонида индия (типично толщиной 500 мкм), по которой оценивают объемную диффузионную длину.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016133809A RU2624623C1 (ru) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016133809A RU2624623C1 (ru) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2624623C1 true RU2624623C1 (ru) | 2017-07-04 |
Family
ID=59312643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016133809A RU2624623C1 (ru) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2624623C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2753495C1 (ru) * | 2020-08-03 | 2021-08-17 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ сборки жестких зондовых головок |
| RU2783220C1 (ru) * | 2022-01-18 | 2022-11-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприёмника |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995371B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-02-07 | Sirica Corporation | Steady-state non-equilibrium distribution of free carriers and photon energy up-conversion using same |
| RU2343590C1 (ru) * | 2007-07-09 | 2009-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника |
| RU2460174C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) |
| RU2580184C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на растр |
-
2016
- 2016-08-17 RU RU2016133809A patent/RU2624623C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995371B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-02-07 | Sirica Corporation | Steady-state non-equilibrium distribution of free carriers and photon energy up-conversion using same |
| RU2343590C1 (ru) * | 2007-07-09 | 2009-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника |
| RU2460174C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) |
| RU2580184C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на растр |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2753495C1 (ru) * | 2020-08-03 | 2021-08-17 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ сборки жестких зондовых головок |
| RU2783220C1 (ru) * | 2022-01-18 | 2022-11-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприёмника |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9797942B2 (en) | Radiometric test and configuration of an infrared focal plane array at wafer probe | |
| Iervolino et al. | Temperature calibration and electrical characterization of the differential scanning calorimeter chip UFS1 for the Mettler-Toledo Flash DSC 1 | |
| TWI621837B (zh) | 用以量測熱通量之方法及系統 | |
| US4456919A (en) | Thermopile type detector with temperature sensor for cold junction | |
| Vellvehi et al. | Irradiance-based emissivity correction in infrared thermography for electronic applications | |
| US8748808B2 (en) | Detection and correction of a loss of calibration of microbolometer thermal imaging radiometers | |
| CN101819074A (zh) | 一种薄膜式热流密度传感器及其制造方法 | |
| US9482581B2 (en) | Bolometric detector with a compensation bolometer having an enhanced thermalization | |
| RU2624623C1 (ru) | Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников | |
| US20220399216A1 (en) | Process Temperature Measurement Device Fabrication Techniques and Methods of Calibration and Data Interpolation of the Same | |
| US10816401B2 (en) | Hyperspectral thermoreflectance imaging | |
| CN103278311A (zh) | 一种红外辐射面均匀性测量装置及方法 | |
| Schiffmacher et al. | Thermomechanical deformations of power modules with sintered metal buffer layers under consideration of the operating time and conditions | |
| RU2580184C1 (ru) | Способ сборки фоточувствительного модуля на растр | |
| US20210223193A1 (en) | CMOS Compatible Dew Point Sensor Device and Method of Determining a Dew Point | |
| IL147788A (en) | Emissivity-independent silicon surface temperature measurement | |
| Dannerbauer et al. | Inline Rth control: Fast thermal transient evaluation for high power LEDs | |
| CN106679818A (zh) | 光滑表面温度分布的测量装置及方法 | |
| Liu et al. | A Self-Calibration Method of Microbolometer With Vacuum Package | |
| CN101373153B (zh) | 一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装置和方法 | |
| US11688614B2 (en) | Mitigating thermal expansion mismatch in temperature probe construction apparatus and method | |
| Islam et al. | A novel setup for wafer curvature measurement at very high heating rates | |
| Masuda et al. | Improved DICM with an IR camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of TO packages | |
| Roberts et al. | Measurement of die stress distributions in flip chip CBGA packaging | |
| US11761821B2 (en) | System and method for thermal imaging |