RU2020113430A - Дуговой источник с ограниченным магнитным полем - Google Patents
Дуговой источник с ограниченным магнитным полем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2020113430A RU2020113430A RU2020113430A RU2020113430A RU2020113430A RU 2020113430 A RU2020113430 A RU 2020113430A RU 2020113430 A RU2020113430 A RU 2020113430A RU 2020113430 A RU2020113430 A RU 2020113430A RU 2020113430 A RU2020113430 A RU 2020113430A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic field
- target
- arc
- magnetic
- cathode assembly
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
- H05H1/50—Generating plasma using an arc and using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/152—Magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Discharge Heating (AREA)
Claims (16)
1. Дуговой испаритель, включающий:
узел катода, содержащий охлаждающую пластину (11) и мишень (1) в качестве элемента катода, которая предпочтительно имеет дискообразную форму, но может также иметь, например, прямоугольную форму, при этом мишень (1) имеет толщину в поперечном направлении, переднюю поверхность (1А), расположенную с возможностью испарения, и заднюю поверхность (1В), параллельную передней поверхности (1А), причем эти обе поверхности отделены друг от друга на толщину мишени (1), и узел катода имеет суммарную высоту в поперечном направлении и края, ограничивающие суммарную амплитуду в любом продольном направлении;
электрод, выполненный и размещенный для обеспечения возможности установления дуги между электродом и передней поверхностью (1А) мишени (1) для испарения по меньшей мере части передней поверхности мишени (1); и
систему наведения с помощью магнитного поля, размещенную перед задней поверхностью (1 В) мишени (1) и содержащую средства для генерации одного или нескольких магнитных полей, обеспечивающих суммарное магнитное поле с магнитными силовыми линиями, проходящими через поперечное сечение мишени (1) и вдоль пространства перед передней поверхностью (1А) мишени (1) для направления катодного пятна, представляющего собой место контакта дуги с мишенью (1), когда эта дуга установлена между электродом и передней поверхностью (1А) мишени (1),
отличающийся тем, что
края узла катода содержат окружающий экран (15), выполненный из ферромагнитного материала и имеющий суммарную высоту (Н) в поперечном направлении, которая включает компоненту (С) для обеспечения экранирования магнитных силовых линий, проходящих в любом продольном направлении, так что устанавливаются границы узла катода, ограничивающие протяженность магнитных силовых линий в любом продольном направлении.
2. Дуговой испаритель по п. 1, отличающийся тем, что узел катода представляет собой симметричную конструкцию, содержащую дисковидную мишень, имеющую диаметр (D1), и узел катода имеет суммарный диаметр (D), причем величина компоненты (С) находится в следующем диапазоне: D/20 ≤ С ≤ D/5.
3. Дуговой испаритель по п. 1 или 2, отличающийся тем, что диаметр мишени находится в следующем диапазоне: 100 мм ≤ D1 ≤ 150 мм, а суммарный диаметр узла катода находится в следующем диапазоне: 150 мм ≤ D ≤ 200 мм.
4. Дуговой испаритель по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что ферромагнитный материал представляет собой чистое железо или чистое ARMCO-железо, или конструкционную сталь, или мартенситную хромистую сталь.
5. Дуговой испаритель по п. 4, отличающийся тем, что ферромагнитный материал представляет собой конструкционную сталь S355J2.
6. Дуговой испаритель по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что система наведения с помощью магнитного поля в дуговом источнике включает средство, размещенное в центральной зоне для генерации по меньшей мере одного магнитного поля, и средство в периферийной зоне для генерации по меньшей мере одного другого магнитного поля, причем магнитные поля, возбуждаемые таким образом, обеспечивают формирование суммарного магнитного поля для направления дуги и управления траекторией катодного пятна на передней поверхности (1А) мишени.
7. Дуговой испаритель по п. 6, отличающийся тем, что средство, размещенное в центральной зоне, содержит одну электромагнитную катушку (С3) для генерации магнитного поля, а средство, размещенное в периферийной зоне, содержит две электромагнитные катушки (C1, С2) для генерации двух других магнитных полей.
8. Дуговой испаритель по п. 6, отличающийся тем, что средства для генерации магнитных полей содержат постоянные магниты и только одну электромагнитную катушку для использования в качестве регулирующей катушки для обеспечения изменений характеристик магнитного поля.
9. Дуговой испаритель по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что система наведения с помощью магнитного поля содержит ферромагнитный материал (20), размещенный вокруг средств генерации магнитного поля, причем магнитный материал (20) распределен вокруг этих средств, так что он окружает их, но только не размещается между системой наведения с помощью магнитного поля и узлом катода.
10. Дуговой испаритель по п. 7, отличающийся тем, что система наведения с помощью магнитного поля содержит ферромагнитный материал (20) размещенный вокруг средств генерации магнитного поля, причем магнитный материал (20) распределен так, что он частично окружает эти средства, но не размещается между системой наведения с помощью магнитного поля и узлом катода, и верхняя часть, имеющая длину (S'), электромагнитной катушки (С3), размещенной в центральной зоне, а также верхняя часть, имеющая длину (S) электромагнитной катушки (С2), размещенной в периферийной зоне, но ближе всего к электромагнитной катушке, размещенной в центральной зоне, не окружена ферромагнитным материалом (20), в результате чего формируется пространство (Spc), содержащее воздух, обеспечивающее возможность того, что суммарное магнитное поле, формируемое сложением генерируемых магнитных полей, содержит больше магнитных силовых линий, которые параллельны передней поверхности (1А) мишени (1), по сравнению с аналогичным дуговым испарителем, не имеющим такое пространство (Spc), содержащее воздух.
11. Дуговой испаритель по п. 10, отличающийся тем, что величина длины (S') верхней части находится в следующем диапазоне: 3 мм ≤ S' ≤ 15 мм, причем величина диаметра (D1) мишени находится в следующем диапазоне: 100 мм ≤ D1 ≤ 150 мм, и суммарный диаметр (D) узла катода находится в следующем диапазоне: 150 мм ≤ D ≤ 200 мм.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762567423P | 2017-10-03 | 2017-10-03 | |
| US62/567,423 | 2017-10-03 | ||
| PCT/EP2018/000459 WO2019081052A1 (en) | 2017-10-03 | 2018-10-04 | CONFINED MAGNETIC FIELD ARC SOURCE |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2020113430A true RU2020113430A (ru) | 2021-11-08 |
| RU2020113430A3 RU2020113430A3 (ru) | 2021-11-29 |
Family
ID=64572281
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020113430A RU2020113430A (ru) | 2017-10-03 | 2018-10-04 | Дуговой источник с ограниченным магнитным полем |
| RU2020113435A RU2020113435A (ru) | 2017-10-03 | 2018-10-04 | Дуговой источник |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020113435A RU2020113435A (ru) | 2017-10-03 | 2018-10-04 | Дуговой источник |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11578401B2 (ru) |
| EP (2) | EP3692184B1 (ru) |
| JP (2) | JP7344483B2 (ru) |
| KR (2) | KR102667843B1 (ru) |
| CN (2) | CN111315915A (ru) |
| BR (2) | BR112020006715A2 (ru) |
| CA (2) | CA3077570A1 (ru) |
| MX (2) | MX2020004821A (ru) |
| RU (2) | RU2020113430A (ru) |
| SG (2) | SG11202002991YA (ru) |
| WO (2) | WO2019081053A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022538641A (ja) * | 2019-07-03 | 2022-09-05 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・プフェフィコン | 陰極アーク源 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4448659A (en) * | 1983-09-12 | 1984-05-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning |
| US4724058A (en) * | 1984-08-13 | 1988-02-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for arc evaporating large area targets |
| US5298136A (en) * | 1987-08-18 | 1994-03-29 | Regents Of The University Of Minnesota | Steered arc coating with thick targets |
| RU2074904C1 (ru) | 1992-11-23 | 1997-03-10 | Евгений Николаевич Ивашов | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме |
| RU2135634C1 (ru) | 1998-06-15 | 1999-08-27 | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Способ и устройство магнетронного распыления |
| US6645354B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-11-11 | Vladimir I. Gorokhovsky | Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot |
| US6929727B2 (en) * | 1999-04-12 | 2005-08-16 | G & H Technologies, Llc | Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot |
| US20040112736A1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-06-17 | Larrinaga Josu Goikoetxea | Arc evaporator with a poweful magnetic guide for targets having a large surface area |
| DE10127013A1 (de) * | 2001-06-05 | 2002-12-12 | Gabriel Herbert M | Lichtbogen-Verdampfungsvorrichtung |
| ATE459734T1 (de) * | 2005-12-16 | 2010-03-15 | Fundacion Tekniker | Kathodenverdampfungsmaschine |
| RU2448388C2 (ru) * | 2006-05-16 | 2012-04-20 | Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах | Электродуговой источник и магнитное приспособление |
| CN101358328A (zh) * | 2007-12-28 | 2009-02-04 | 中国科学院金属研究所 | 一种动态受控电弧离子镀弧源 |
| JP5496223B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-05-21 | フンダシオン テクニケル | アーク・エバポレーターおよびアーク・エバポレーターの操作方法 |
| JP5494663B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-05-21 | 日新電機株式会社 | アーク蒸発源及び真空蒸着装置 |
| US20130220800A1 (en) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Method for spark deposition using ceramic targets |
| UA101678C2 (ru) | 2011-04-08 | 2013-04-25 | Национальный Научный Центр "Харьковский Физико-Технический Институт" | ВАКУУМНОДУГОВОЙ испаритель для генерирования катодной ПЛАЗМЫ |
| US9153422B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-10-06 | Envaerospace, Inc. | Arc PVD plasma source and method of deposition of nanoimplanted coatings |
| CN102534513B (zh) * | 2011-12-19 | 2014-04-16 | 东莞市汇成真空科技有限公司 | 一种组合磁场的矩形平面阴极电弧蒸发源 |
| RU2482217C1 (ru) * | 2012-02-28 | 2013-05-20 | Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" | Вакуумно-дуговой источник плазмы |
| US9772808B1 (en) | 2012-11-29 | 2017-09-26 | Eric Nashbar | System and method for document delivery |
| AT13830U1 (de) * | 2013-04-22 | 2014-09-15 | Plansee Se | Lichtbogenverdampfungs-Beschichtungsquelle |
| CN106756819A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-05-31 | 广东省新材料研究所 | 一种MCrAlY高温防护涂层制备方法 |
-
2018
- 2018-10-04 CA CA3077570A patent/CA3077570A1/en active Pending
- 2018-10-04 SG SG11202002991YA patent/SG11202002991YA/en unknown
- 2018-10-04 CN CN201880069225.9A patent/CN111315915A/zh active Pending
- 2018-10-04 MX MX2020004821A patent/MX2020004821A/es unknown
- 2018-10-04 WO PCT/EP2018/000460 patent/WO2019081053A1/en unknown
- 2018-10-04 KR KR1020207012634A patent/KR102667843B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-04 US US16/753,565 patent/US11578401B2/en active Active
- 2018-10-04 SG SG11202002992TA patent/SG11202002992TA/en unknown
- 2018-10-04 CN CN201880069245.6A patent/CN111279014A/zh active Pending
- 2018-10-04 JP JP2020519070A patent/JP7344483B2/ja active Active
- 2018-10-04 RU RU2020113430A patent/RU2020113430A/ru unknown
- 2018-10-04 BR BR112020006715-6A patent/BR112020006715A2/pt unknown
- 2018-10-04 CA CA3078100A patent/CA3078100A1/en active Pending
- 2018-10-04 US US16/753,734 patent/US11306390B2/en active Active
- 2018-10-04 EP EP18812054.7A patent/EP3692184B1/en active Active
- 2018-10-04 JP JP2020519063A patent/JP7212234B2/ja active Active
- 2018-10-04 RU RU2020113435A patent/RU2020113435A/ru unknown
- 2018-10-04 BR BR112020006716-4A patent/BR112020006716A2/pt active Search and Examination
- 2018-10-04 KR KR1020207012635A patent/KR102667844B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-04 EP EP18812053.9A patent/EP3692183A1/en active Pending
- 2018-10-04 WO PCT/EP2018/000459 patent/WO2019081052A1/en unknown
- 2018-10-04 MX MX2020003372A patent/MX2020003372A/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2020113430A3 (ru) | 2021-11-29 |
| WO2019081052A1 (en) | 2019-05-02 |
| CA3078100A1 (en) | 2019-05-02 |
| MX2020003372A (es) | 2020-07-29 |
| US11306390B2 (en) | 2022-04-19 |
| EP3692184A1 (en) | 2020-08-12 |
| CN111315915A (zh) | 2020-06-19 |
| CA3077570A1 (en) | 2019-05-02 |
| JP7212234B2 (ja) | 2023-01-25 |
| SG11202002992TA (en) | 2020-04-29 |
| BR112020006715A2 (pt) | 2020-10-06 |
| SG11202002991YA (en) | 2020-04-29 |
| WO2019081053A1 (en) | 2019-05-02 |
| US20200299824A1 (en) | 2020-09-24 |
| JP2020536171A (ja) | 2020-12-10 |
| US20200255932A1 (en) | 2020-08-13 |
| KR102667844B1 (ko) | 2024-05-22 |
| KR20200063204A (ko) | 2020-06-04 |
| MX2020004821A (es) | 2020-08-13 |
| CN111279014A (zh) | 2020-06-12 |
| RU2020113435A (ru) | 2021-11-08 |
| KR20200063203A (ko) | 2020-06-04 |
| KR102667843B1 (ko) | 2024-05-22 |
| BR112020006716A2 (pt) | 2020-10-06 |
| RU2020113435A3 (ru) | 2022-02-22 |
| JP2020536170A (ja) | 2020-12-10 |
| EP3692184B1 (en) | 2024-04-17 |
| US11578401B2 (en) | 2023-02-14 |
| EP3692183A1 (en) | 2020-08-12 |
| JP7344483B2 (ja) | 2023-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2122024T3 (es) | Conjunto de imanes de chisporroteo con magnetron plano mejorado. | |
| US3420977A (en) | Electron beam apparatus | |
| JP6460038B2 (ja) | 磁気偏向システム、イオン注入システム、イオンビームを走査する方法 | |
| GB1464039A (en) | Electron bearm gun system | |
| RU2020113430A (ru) | Дуговой источник с ограниченным магнитным полем | |
| JP5971262B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置 | |
| ATE283382T1 (de) | Lichtbogen-verdampfungsvorrichtung | |
| US20220307125A1 (en) | Cathodic arc source | |
| TW201606838A (zh) | 桌上型電子顯微鏡以及其廣域可調式磁透鏡 | |
| JP3080401B2 (ja) | 電子ビーム加熱蒸着ソース用磁気構造体 | |
| KR920001634A (ko) | 전자 빔 증착원 | |
| KR850008362A (ko) | 스퍼터코팅 장치 및 방법 | |
| KR101943725B1 (ko) | 아크 증발원 | |
| CN108713238A (zh) | 用于控制磁场中带电粒子的设备和方法 | |
| SK500322019A3 (sk) | Zdroj plazmy využívajúci katódový vákuový oblúk s vylepšenou konfiguráciou magnetického poľa a spôsob jeho činnosti | |
| US4835789A (en) | Electron-beam heated evaporation source | |
| ES2906875T3 (es) | Evaporación de cátodo de arco voltaico con remoción de material de cátodo predeterminada | |
| Khotina et al. | Electron beam generator | |
| SU199275A1 (ru) | Электронная пушка | |
| SK9009Y1 (sk) | Zdroj plazmy využívajúci katódový vákuový oblúk s vylepšenou konfiguráciou magnetického poľa a spôsob jeho činnosti | |
| KR20150117640A (ko) | 마그네트론 스퍼터링용 자장 발생 장치 | |
| JP2013100605A (ja) | 大きい表面領域を有するターゲットのための強力な磁気ガイドを伴うアーク蒸着装置 | |
| GB1432090A (en) | Vapour source assembly | |
| JPS63259074A (ja) | 電子ビ−ム蒸発源装置 | |
| RU2008105690A (ru) | Электронно-лучевая пушка с плазменным источником электронов |