RU2016105845A - Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния - Google Patents

Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2016105845A
RU2016105845A RU2016105845A RU2016105845A RU2016105845A RU 2016105845 A RU2016105845 A RU 2016105845A RU 2016105845 A RU2016105845 A RU 2016105845A RU 2016105845 A RU2016105845 A RU 2016105845A RU 2016105845 A RU2016105845 A RU 2016105845A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
silicon
microns
tco
radiation
Prior art date
Application number
RU2016105845A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2658560C2 (ru
Inventor
Виталий ЛИСОТЧЕНКО
Original Assignee
Лилас Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Лилас Гмбх filed Critical Лилас Гмбх
Publication of RU2016105845A publication Critical patent/RU2016105845A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2658560C2 publication Critical patent/RU2658560C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3482—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising silicon, hydrogenated silicon or a silicide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/004—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by electrons, protons or alpha-particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/31—Pre-treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Claims (28)

1. Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния, содержащий следующие стадии технологического процесса:
- нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1);
- нанесение, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния на ТСО-слой (3);
отличающийся тем, что перед нанесением ТСО-слоя (3) стеклянную подложку (1) облучают электронным излучением, при этом образуется рассеивающий свет слой (2) стеклянной подложки (1), на которую наносится ТСО-слой (3).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стеклянную подложку (1) нагревают до и/или во время воздействия электронного излучения, в частности, до температуры от 200°C до 700°C, предпочтительно от 300°C до 500°C, например, до температуры 400°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) подвергают облучению лазерным излучением.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что на ТСО-слой (3) наносят первый слой (4) кремния, при этом первый слой (4) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением, и на облученный первый слой (4) кремния наносят второй слой (5) кремния.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет большую толщину, чем первый слой (4) кремния.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что первый слой (4) кремния имеет толщину, менее, чем 3,0 мкм, в частности, менее, чем 2,0 мкм, предпочтительно, менее, чем 1,0 мкм, например, может иметь толщину слоя от 0,5 мкм до 1,0 мкм.
8. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет толщину от 2,0 мкм до 20 мкм, в частности, от 3,5 мкм до 15 мкм, предпочтительно от 5 мкм до 10 мкм.
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением.
10. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что лазерное излучение или электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
11. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) и/или, по меньшей мере, один слой (4; 5) кремния напыляют с помощью электронного луча.
12. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что нанесение ТСО-слоя (3) и/или, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния, выполняют при температуре ниже 300°C, в частности, ниже 200°C, в частности, ниже 100°C, например, при комнатной температуре.
13. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что, по меньшей мере, на один слой (4; 5) кремния, т.е. второй слой (5) кремния, наносят электрод (6) из электропроводящего материала.
14. Способ изготовления солнечного элемента, в частности, солнечного элемента с тонким слоем из кремния, содержащий следующие стадии технологического процесса:
- нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1);
- нанесение, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния на ТСО-слой (3);
отличающийся тем, что на ТСО-слой (3) наносят первый слой (4) кремния, при этом первый слой (4) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением, и на облученный первый слой (4) кремния наносят второй слой (5) кремния.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет большую толщину, чем первый слой (4) кремния.
16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что первый слой (4) кремния имеет толщину, менее, чем 3,0 мкм, в частности, менее, чем 2,0 мкм, предпочтительно, менее, чем 1,0 мкм, например, может иметь толщину слоя от 0,5 мкм до 1,0 мкм.
17. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет толщину от 2,0 мкм до 20 мкм, в частности, от 3,5 мкм до 15 мкм, предпочтительно от 5 мкм до 10 мкм,
18. Способ по любому из пп. 14-17, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что лазерное излучение или электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) и/или, по меньшей мере, один слой (4; 5) кремния напыляют с помощью электронного луча.
21. Способ по п. 14, отличающийся тем, что нанесение ТСО-слоя (3) и/или, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния, выполняют при температуре ниже 300°C, в частности, ниже 200°C, в частности, ниже 100°C, например, при комнатной температуре.
22. Способ по любому из пп. 14-17, 19-21, отличающийся тем, что, по меньшей мере, на один слой (4; 5) кремния, т.е. второй слой (5) кремния, наносят электрод (6) из электропроводящего материала.
RU2016105845A 2013-07-24 2014-07-23 Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния RU2658560C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013107910.5A DE102013107910A1 (de) 2013-07-24 2013-07-24 Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, insbesondere einer Silizium-Dünnschicht-Solarzelle
DE102013107910.5 2013-07-24
PCT/EP2014/065833 WO2015011197A1 (de) 2013-07-24 2014-07-23 Verfahren zur herstellung einer solarzelle, insbesondere einer silizium-dünnschicht-solarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016105845A true RU2016105845A (ru) 2017-08-25
RU2658560C2 RU2658560C2 (ru) 2018-06-21

Family

ID=51228426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016105845A RU2658560C2 (ru) 2013-07-24 2014-07-23 Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния

Country Status (10)

Country Link
US (3) US9520524B2 (ru)
EP (2) EP3121856A1 (ru)
JP (1) JP6397015B2 (ru)
KR (1) KR20160037962A (ru)
CN (1) CN105659392B (ru)
AU (1) AU2014295050A1 (ru)
DE (1) DE102013107910A1 (ru)
RU (1) RU2658560C2 (ru)
TW (1) TWI614908B (ru)
WO (1) WO2015011197A1 (ru)

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3454386A (en) * 1965-01-13 1969-07-08 Ppg Industries Inc Method for making radiation induced crystallized glass
JPS59123283A (ja) * 1982-12-28 1984-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS61272777A (ja) * 1985-05-28 1986-12-03 シャープ株式会社 電極板
JPH0329373A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Tonen Corp 非晶質太陽電池
JPH04360518A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPH06140650A (ja) * 1992-09-14 1994-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 透光性導電酸化膜の改質方法とこれを用いた光起電力装置の製造方法
DE4315959C2 (de) * 1993-05-12 1997-09-11 Max Planck Gesellschaft Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht eines Halbleitermaterials sowie einer Dotierungsstruktur in einem Halbleitermaterial unter Einwirkung von Laserstrahlung
US5492843A (en) * 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JPH10199346A (ja) * 1997-01-17 1998-07-31 Japan Steel Works Ltd:The 透明電極の形成方法および形成装置
US6180871B1 (en) * 1999-06-29 2001-01-30 Xoptix, Inc. Transparent solar cell and method of fabrication
JP3333476B2 (ja) * 1999-08-27 2002-10-15 理化学研究所 ｎ型ＺｎＯにおけるオーム性電極の形成方法
US6855439B1 (en) 2003-09-16 2005-02-15 Seagate Technology Llc Highly oriented longitudinal magnetic media on direct textured glass substrates
US20050272175A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Johannes Meier Laser structuring for manufacture of thin film silicon solar cells
WO2008127807A1 (en) * 2007-03-09 2008-10-23 University Of Virginia Patent Foundation Systems and methods of laser texturing of material surfaces and their applications
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
JP2009128541A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp 反射防止構造体の製造方法
US20090242019A1 (en) * 2007-12-19 2009-10-01 Silexos, Inc Method to create high efficiency, low cost polysilicon or microcrystalline solar cell on flexible substrates using multilayer high speed inkjet printing and, rapid annealing and light trapping
JP4684306B2 (ja) * 2008-03-14 2011-05-18 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US20100163102A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Taiwan Textile Research Institute Solar cell and the method of manufacturing thereof
US20100132759A1 (en) * 2009-06-12 2010-06-03 Renhe Jia Cell isolation on photovoltaic modules for hot spot reduction
JP4905595B2 (ja) * 2010-02-05 2012-03-28 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池モジュールおよび有機薄膜太陽電池の製造方法
DE102010007841A1 (de) * 2010-02-11 2011-08-11 Wieland-Werke AG, 89079 Photovoltaikmodul mit einer photoaktiven Schicht oder Solarkollektor mit einem Solarabsorber
CN101908471A (zh) * 2010-04-07 2010-12-08 江苏华创光电科技有限公司 一种制备大面积多晶薄膜的方法
EP2381482A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-26 Excico Group NV Improved method for manufacturing a photovoltaic cell comprising a TCO layer
TW201145546A (en) * 2010-06-15 2011-12-16 An Ching New Energy Machinery & Equipment Co Ltd Solar cell structure with high electro-optic conversion efficiency and manufacturing method thereof
CN102479849A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 吉富新能源科技(上海)有限公司 具有高光电转换效率的太阳能电池结构及其制作方法
EP2469603A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-27 Centre National de la Recherche Scientifique Improved method for manufacturing a photovoltaic device comprising a TCO layer
JP5742403B2 (ja) * 2011-04-07 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170054040A1 (en) 2017-02-23
CN105659392A (zh) 2016-06-08
CN105659392B (zh) 2017-09-15
TW201511304A (zh) 2015-03-16
JP6397015B2 (ja) 2018-09-26
DE102013107910A1 (de) 2015-01-29
EP3121856A1 (de) 2017-01-25
EP3025375A1 (de) 2016-06-01
US9520524B2 (en) 2016-12-13
JP2016531426A (ja) 2016-10-06
WO2015011197A1 (de) 2015-01-29
RU2658560C2 (ru) 2018-06-21
KR20160037962A (ko) 2016-04-06
EP3025375B1 (de) 2019-09-11
US20160172529A1 (en) 2016-06-16
TWI614908B (zh) 2018-02-11
US20180083147A1 (en) 2018-03-22
AU2014295050A1 (en) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8603902B2 (en) Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation
JP2018093169A5 (ru)
EA201171299A1 (ru) Способ осаждения тонкого слоя и полученный продукт
JP2009135464A5 (ru)
CO2020009055A2 (es) Revestimientos de control solar y método de formación de revestimientos de control solar
RU2015116526A (ru) Способ изготовления солнечного элемента
Li et al. Improving edge quality and optical transmittance of Ag films on glass substrates by selective nanosecond pulsed laser ablation using various scanning methods
RU2016105845A (ru) Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния
KR101630932B1 (ko) 전자소자용 기판, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 박막형 태양전지
AT519193A1 (de) Optoelektronischer Infrarotsensor
CN104157737A (zh) 一种制造高红外吸收硅材料的方法
EP3140840B1 (de) Verfahren zur herstellung eines mehrschichtigen elektret-bauteils
DE102013107799B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten, transparenten und leitfähigen Oxidschicht und eines Dünnschichtbauelements
JP2010087485A5 (ja) 半導体装置の作製方法
TW202123481A (zh) 鈣鈦礦層的形成方法以及包含鈣鈦礦層的結構的形成方法
DE102012017483A1 (de) Verfahren zur Laserstrukturierung von dünnen Schichtsystemen
KR101461800B1 (ko) 라인 레이저 소결을 이용한 유리질 절연층을 갖는 스틸 기판 제조방법, 스틸 기판 및 상기 스틸 기판을 포함하는 전자소자
KR101306459B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
DE102012111895A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls
US10100393B2 (en) Laser patterning of multi-layer structures
DE102011018386A1 (de) Verfahren zum Aufschmelzen von durchgehenden Bereichen an Halbleitersubstraten
CH705061A1 (de) Substrat für Dünnschichtsolarzellen, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Dünnschichtsolarzelle.
GB201206388D0 (en) Photovoltaic device and method of manufacture
KR20150014059A (ko) 전자빔 조사를 이용한 금속 나노입자 형성방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법
DE102014101584A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Kontaktierung und Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200724