RU2015108905A - Преобразователь мощности лазерного излучения - Google Patents

Преобразователь мощности лазерного излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2015108905A
RU2015108905A RU2015108905A RU2015108905A RU2015108905A RU 2015108905 A RU2015108905 A RU 2015108905A RU 2015108905 A RU2015108905 A RU 2015108905A RU 2015108905 A RU2015108905 A RU 2015108905A RU 2015108905 A RU2015108905 A RU 2015108905A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electromagnetic radiation
active region
doped
substrate
pmli
Prior art date
Application number
RU2015108905A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2672642C2 (ru
Inventor
Стефен Джон СУИНИ
Джаянта МУКЕРДЖИ
Original Assignee
Эйрбас Дефенс Энд Спейс Гмбх
Эйрбас Дс Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эйрбас Дефенс Энд Спейс Гмбх, Эйрбас Дс Гмбх filed Critical Эйрбас Дефенс Энд Спейс Гмбх
Publication of RU2015108905A publication Critical patent/RU2015108905A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2672642C2 publication Critical patent/RU2672642C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/30—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using light, e.g. lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/70—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving the reduction of electric, magnetic or electromagnetic leakage fields
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Устройство преобразователя мощности лазерного излучения "ПМЛИ" для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее:подложку; иактивную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InGaAsP, упомянутая активная область выполнена с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм;при этом InGaAsP по параметрам решетки согласован с подложкой.2. Устройство по п. 1, причем InGaAsP представляет собой InGaAsP, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, и y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.3. Устройство по п. 1, причем подложка представляет собой InP.4. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее отражающий элемент, настроенный отражать электромагнитное излучение на длине волны примерно 1550 нм.5. Устройство по п. 4, причем отражающий элемент является распределенным брэгговским отражателем, содержащим чередующиеся слои первого материала и второго материала.6. Устройство по п. 5, причем первый материал является активным полупроводниковым материалом.7. Устройство по п. 5, причем подложка образована из второго материала.8. Устройство по.п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель по параметрам решетки согласован с подложкой.9. Устройство по п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель размещен между подложкой и активной областью.10. Устройство по п. 5, дополнительно содержащее:анод в непосредственном контакте с p-легированным слоем; икатод в непосредственном контакте с n-легированным слоем,причем анод и катод расположены так, что существует оптический путь между активной областью и отражающим элементом, который не проходит ни через анод, ни через

Claims (25)

1. Устройство преобразователя мощности лазерного излучения "ПМЛИ" для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее:
подложку; и
активную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InGaAsP, упомянутая активная область выполнена с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм;
при этом InGaAsP по параметрам решетки согласован с подложкой.
2. Устройство по п. 1, причем InGaAsP представляет собой InyGa1-yAsxP1-x, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, и y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.
3. Устройство по п. 1, причем подложка представляет собой InP.
4. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее отражающий элемент, настроенный отражать электромагнитное излучение на длине волны примерно 1550 нм.
5. Устройство по п. 4, причем отражающий элемент является распределенным брэгговским отражателем, содержащим чередующиеся слои первого материала и второго материала.
6. Устройство по п. 5, причем первый материал является активным полупроводниковым материалом.
7. Устройство по п. 5, причем подложка образована из второго материала.
8. Устройство по.п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель по параметрам решетки согласован с подложкой.
9. Устройство по п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель размещен между подложкой и активной областью.
10. Устройство по п. 5, дополнительно содержащее:
анод в непосредственном контакте с p-легированным слоем; и
катод в непосредственном контакте с n-легированным слоем,
причем анод и катод расположены так, что существует оптический путь между активной областью и отражающим элементом, который не проходит ни через анод, ни через катод.
11. Устройство по п. 6, причем n-легированный слой и p-легированный слой отделены в первом направлении, а анод и катод отделены во втором направлении, перпендикулярном первому направлению.
12. Устройство по п. 10, причем анод и катод размещены в канавках, простирающихся от поверхности устройства до активной области.
13. Устройство по п. 10, дополнительно содержащее один или более изолирующих слоев, размещенных между p-легированной секцией активной области и катодом и/или между n-легированным участком активной области и анодом.
14. Устройство по п. 10, причем n-легированный слой содержит n-легированный поглощающий слой и n-легированный контактный слой, и причем катод находится в непосредственном контакте с n-легированным контактным слоем.
15. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее запирающий слой для электронов, размещенный между активной областью и подложкой, причем состав запирающего слоя для электронов является таким, что на границе между активной областью и запирающим слоем для электронов существует разрыв зоны проводимости.
16. Матрица устройств ПМЛИ, содержащая:
множество устройств ПМЛИ по п. 1;
множество средств соединения, выполненных с возможностью соединения устройств внутри матрицы.
17. Система для приема электромагнитного излучения, содержащая:
устройство ПМЛИ или матрицу устройств по п. 1.
18. Система по п. 17, дополнительно содержащая оптическое волокно, из которого ПМЛИ выполнен с возможностью принимать электромагнитное излучение.
19. Система по п. 17, дополнительно содержащая источник с узкой шириной спектральной линии, выполненный с возможностью передавать электромагнитное излучение.
20. Система по п. 19, причем источником с узкой шириной спектральной линии является лазер.
21. Система по п. 19, причем система является системой передачи мощности с помощью лазера.
22. Способ преобразования электромагнитного излучения в электрическую мощность, содержащий этапы:
приема устройством ПМЛИ электромагнитного излучения, имеющего длину волны примерно 1550 нм;
поглощения активной областью из InGaAsP устройства ПМЛИ фотонов электромагнитного излучения, имеющих соответствующую длину волны примерно 1550 нм;
извлечения электрической энергии из устройства ПМЛИ.
23. Способ передачи электрической мощности, содержащий этапы:
подачи электрической мощности на источник с узкой шириной спектральной линии;
вывода из лазера электромагнитного излучения, имеющего длину волны примерно 1550 нм;
приема электромагнитного излучения в устройстве ПМЛИ;
поглощения активной областью из InGaAsP устройства ПМЛИ фотонов электромагнитного излучения, имеющих соответствующую длину волны примерно 1550 нм;
извлечения электрической энергии из устройства ПМЛИ.
24. Способ по п. 23, причем источником с узкой шириной спектральной линии является лазер.
25. Способ изготовления преобразователя мощности лазерного излучения "ПМЛИ" для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащий этапы:
образования подложки; и
образования активной области, содержащей n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-
легированный слои образованы из InGaAsP, упомянутая активная область выполнена с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм;
при этом InGaAsP по параметрам решетки согласован с подложкой.
RU2015108905A 2012-08-16 2013-08-16 Преобразователь мощности лазерного излучения RU2672642C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1214619.7A GB2504977B (en) 2012-08-16 2012-08-16 Laser power converter
GB1214619.7 2012-08-16
PCT/EP2013/067161 WO2014027092A2 (en) 2012-08-16 2013-08-16 Laser power converter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015108905A true RU2015108905A (ru) 2016-10-10
RU2672642C2 RU2672642C2 (ru) 2018-11-16

Family

ID=47016878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015108905A RU2672642C2 (ru) 2012-08-16 2013-08-16 Преобразователь мощности лазерного излучения

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10181537B2 (ru)
EP (1) EP2885820B1 (ru)
CN (1) CN104854709B (ru)
ES (1) ES2728866T3 (ru)
GB (1) GB2504977B (ru)
RU (1) RU2672642C2 (ru)
WO (1) WO2014027092A2 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9541330B2 (en) 2013-07-17 2017-01-10 Whirlpool Corporation Method for drying articles
US20150047218A1 (en) * 2013-08-14 2015-02-19 Whirlpool Corporation Appliance for drying articles
US9784499B2 (en) * 2013-08-23 2017-10-10 Whirlpool Corporation Appliance for drying articles
US9410282B2 (en) 2013-10-02 2016-08-09 Whirlpool Corporation Method and apparatus for drying articles
US9645182B2 (en) 2013-10-16 2017-05-09 Whirlpool Corporation Method and apparatus for detecting an energized E-field
TWI656651B (zh) 2014-02-05 2019-04-11 美商太陽光電公司 單片多接面換能器
US10734943B2 (en) * 2014-09-12 2020-08-04 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Photovoltaics optimized for laser remote power applications at eye-safer wavelengths
US9605899B2 (en) 2015-03-23 2017-03-28 Whirlpool Corporation Apparatus for drying articles
CN105119327B (zh) * 2015-07-17 2017-12-22 潘跃兵 一种小功率无线充电装置
JP6507912B2 (ja) * 2015-07-30 2019-05-08 三菱電機株式会社 半導体受光素子
RU2639738C2 (ru) * 2016-04-06 2017-12-22 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Приёмник-преобразователь лазерного излучения
US10930808B2 (en) 2017-07-06 2021-02-23 Array Photonics, Inc. Hybrid MOCVD/MBE epitaxial growth of high-efficiency lattice-matched multijunction solar cells
WO2019067553A1 (en) 2017-09-27 2019-04-04 Solar Junction Corporation SHORT-LENGTH WAVELENGTH INFRARED OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING DILUTED NITRIDE LAYER
RU178900U1 (ru) * 2017-12-15 2018-04-23 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) Полупроводниковая гетероструктура для фотопреобразователей
JP2019114650A (ja) 2017-12-22 2019-07-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
WO2020185528A1 (en) 2019-03-11 2020-09-17 Array Photonics, Inc. Short wavelength infrared optoelectronic devices having graded or stepped dilute nitride active regions
JP2022525631A (ja) * 2019-03-20 2022-05-18 ワイ－チャージ リミテッド レーザビームパワー検出のための光起電セル
CN115548156B (zh) * 2022-09-21 2023-06-20 江苏宜兴德融科技有限公司 薄膜型激光换能器及其制备方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0162541A1 (en) 1984-03-28 1985-11-27 International Standard Electric Corporation Integrated heterojunction FET and photodiode
US4833512A (en) 1986-04-11 1989-05-23 Itt Gallium Arsenide Technology Center, A Division Of Itt Corporation Heterojunction photo-detector with transparent gate
US5322572A (en) 1989-11-03 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Monolithic tandem solar cell
US4976789A (en) 1989-12-26 1990-12-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Power transmission device
US5260639A (en) * 1992-01-06 1993-11-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for remotely powering a device such as a lunar rover
US5391896A (en) 1992-09-02 1995-02-21 Midwest Research Institute Monolithic multi-color light emission/detection device
US5639673A (en) 1995-06-08 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Transparent ohmic contacts for Schottky diode optical detectors on thin and inverted epitaxial layers
US5902417A (en) 1996-12-12 1999-05-11 Hughes Electornics Corporation High efficiency tandem solar cells, and operating method
US5853497A (en) 1996-12-12 1998-12-29 Hughes Electronics Corporation High efficiency multi-junction solar cells
US6034321A (en) 1998-03-24 2000-03-07 Essential Research, Inc. Dot-junction photovoltaic cells using high-absorption semiconductors
JP2000077702A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体受光素子、半導体受光素子の製造方法および受光素子モジュール
US6072116A (en) 1998-10-06 2000-06-06 Auburn University Thermophotovoltaic conversion using selective infrared line emitters and large band gap photovoltaic devices
US6265653B1 (en) 1998-12-10 2001-07-24 The Regents Of The University Of California High voltage photovoltaic power converter
US6252251B1 (en) 1999-06-09 2001-06-26 Lucent Technologies Inc. Raised photodetector with recessed light responsive region
US6534705B2 (en) 2000-10-23 2003-03-18 Power Beaming Corporation Methods and apparatus for beaming power
JP2002289904A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子とその製造方法
FR2832512B1 (fr) 2001-11-16 2004-01-02 Atmel Grenoble Sa Composant de filtrage optique accordable
US7619159B1 (en) 2002-05-17 2009-11-17 Ugur Ortabasi Integrating sphere photovoltaic receiver (powersphere) for laser light to electric power conversion
US8067687B2 (en) 2002-05-21 2011-11-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters
FR2855655B1 (fr) 2003-05-26 2005-08-19 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayonnement infrarouge photovoltaique a grille conductrice independante et tridimensionnelle
CA2447828C (en) 2003-10-15 2012-07-03 National Research Council Of Canada Wavelength conversion device with avalanche multiplier
US7209503B1 (en) 2004-05-03 2007-04-24 National Semiconductor Corporation Laser powered integrated circuit
US7119377B2 (en) * 2004-06-18 2006-10-10 3M Innovative Properties Company II-VI/III-V layered construction on InP substrate
US20060048811A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Krut Dimitri D Multijunction laser power converter
JP2006253548A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光素子
JP2007013015A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子
JP4956944B2 (ja) 2005-09-12 2012-06-20 三菱電機株式会社 アバランシェフォトダイオード
JP5422384B2 (ja) 2006-09-01 2014-02-19 ジョージア ステート ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション インコーポレイテッド 高動作温度スプリットオフバンド赤外線検出器
CN101431084A (zh) * 2006-12-20 2009-05-13 Jds尤尼弗思公司 含有中心部分的多分块式光电能量转换器
US8742251B2 (en) * 2006-12-20 2014-06-03 Jds Uniphase Corporation Multi-segment photovoltaic power converter with a center portion
WO2008090733A1 (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Nec Corporation 半導体受光素子
US20100116318A1 (en) 2007-03-08 2010-05-13 Hrl Laboratories, Llc Pixelated photovoltaic array method and apparatus
US8153888B2 (en) 2008-05-01 2012-04-10 Northrop Grumman Systems Corporation Lateral ultra-high efficiency solar cell
JP4459286B2 (ja) 2008-08-08 2010-04-28 防衛省技術研究本部長 赤外線検知器
GB2463905B (en) 2008-09-29 2012-06-06 Jds Uniphase Corp Photovoltaic cell
US7785989B2 (en) * 2008-12-17 2010-08-31 Emcore Solar Power, Inc. Growth substrates for inverted metamorphic multijunction solar cells
JP4840451B2 (ja) 2009-01-22 2011-12-21 住友電気工業株式会社 近赤外イメージセンサ
US20100276547A1 (en) 2009-05-04 2010-11-04 Rubenchik Alexander M Systems for solar power beaming from space
CN103038897A (zh) 2010-06-25 2013-04-10 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 具有微晶吸收体层和钝化层的薄膜太阳能电池以及制造这种电池的方法
US11417788B2 (en) * 2010-11-19 2022-08-16 The Boeing Company Type-II high bandgap tunnel junctions of InP lattice constant for multijunction solar cells
TWI412149B (zh) * 2010-12-16 2013-10-11 Univ Nat Central Laser energy conversion device
RU2487438C1 (ru) * 2011-11-10 2013-07-10 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Фотоэлемент приемника-преобразователя лазерного излучения в космосе

Also Published As

Publication number Publication date
EP2885820B1 (en) 2019-05-01
GB2504977B (en) 2017-10-04
RU2672642C2 (ru) 2018-11-16
CN104854709A (zh) 2015-08-19
ES2728866T3 (es) 2019-10-29
WO2014027092A3 (en) 2014-04-24
GB201214619D0 (en) 2012-10-03
WO2014027092A2 (en) 2014-02-20
GB2504977A (en) 2014-02-19
CN104854709B (zh) 2018-05-11
US10181537B2 (en) 2019-01-15
EP2885820A2 (en) 2015-06-24
US20150187971A1 (en) 2015-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015108905A (ru) Преобразователь мощности лазерного излучения
Tchernycheva et al. Integrated photonic platform based on InGaN/GaN nanowire emitters and detectors
CN104201559B (zh) 激光光源
US8039800B2 (en) Light detector, light detecting apparatus, infrared detector and infrared detecting apparatus
TWI712153B (zh) 光發射器
US11011888B2 (en) Light-emitting device and light-emitting apparatus
JP4875033B2 (ja) 光デバイス
WO2006046276A1 (ja) アバランシェフォトダイオード
JP2008091572A (ja) 光デバイス
JP2009290161A (ja) 光半導体装置
WO2011155230A1 (ja) 受光素子アレイ
JP2011071252A (ja) 半導体受光素子
US20180138663A1 (en) Semiconductor laser device
US9841617B2 (en) Optical device including three-coupled quantum well structure
CA2659946A1 (en) Intersubband quantum box stack lasers
JP2009283854A (ja) 光半導体装置
WO2013110004A1 (en) Short cavity surface emitting laser with double high contrast gratings with and without airgap
JP2013236012A (ja) アバランシェフォトダイオード及びその製造方法
JP2017038057A5 (ru)
US20120235191A1 (en) Semiconductor light emitting device and photocoupler
JP5264935B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
JP5515278B2 (ja) 光給電装置
JP2011258809A (ja) 半導体受光素子
US9118167B2 (en) Vertical cavity surface emitting laser
WO2013152231A1 (en) Light emitting devices with embedded void-gap structures through techniques of closure of voids

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant