RU2014127520A - Способ реактивного распыления - Google Patents
Способ реактивного распыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014127520A RU2014127520A RU2014127520A RU2014127520A RU2014127520A RU 2014127520 A RU2014127520 A RU 2014127520A RU 2014127520 A RU2014127520 A RU 2014127520A RU 2014127520 A RU2014127520 A RU 2014127520A RU 2014127520 A RU2014127520 A RU 2014127520A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pulse
- target
- voltage
- essentially
- target surface
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0094—Reactive sputtering in transition mode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
- H01J37/3485—Means for avoiding target poisoning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
1. Способ реактивного распыления, в котором посредством ионной бомбардировки с поверхности первой мишени выбивается материал и переходит в газовую фазу, при этом к мишени прилагают импульсное отрицательное напряжение таким образом, что на поверхности мишени возникает электрический ток с плотностью тока, составляющей более 0,5 А/см, так что переходящий в газовую фазу материал, по меньшей мере, частично ионизирован и в нем создается поток реактивного газа и реактивный газ вступает в реакцию с материалом поверхности мишени, отличающийся тем, что длительность импульса напряжения выбирают таким образом, что во время импульса напряжения поверхность мишени на месте или местах, по которым протекает ток, большую часть времени, по меньшей мере, частично покрыта смесью реактивного газа с материалом подложки и, следовательно, поверхность подложки находится в первом промежуточном состоянии и это покрытие в конце импульса напряжения является меньшим, чем в начале импульса напряжения и, следовательно, поверхность подложки в конце импульса напряжения находится во втором промежуточном состоянии.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что импульс мощности, произведенный напряжением и током, удерживается, по меньшей мере, в течение большей части длительности импульса, преимущественно, по существу, в продолжение всей длительности импульса на постоянной, по существу, амплитуде мощности.3. Способ по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что длительность импульса находится между 500 мкс и 100 мс, предпочтительно между 1 мс и 10 мс и, особенно предпочтительно, между 1 мс и 5 мс.4. Способ по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что паузу или пау
Claims (17)
1. Способ реактивного распыления, в котором посредством ионной бомбардировки с поверхности первой мишени выбивается материал и переходит в газовую фазу, при этом к мишени прилагают импульсное отрицательное напряжение таким образом, что на поверхности мишени возникает электрический ток с плотностью тока, составляющей более 0,5 А/см2, так что переходящий в газовую фазу материал, по меньшей мере, частично ионизирован и в нем создается поток реактивного газа и реактивный газ вступает в реакцию с материалом поверхности мишени, отличающийся тем, что длительность импульса напряжения выбирают таким образом, что во время импульса напряжения поверхность мишени на месте или местах, по которым протекает ток, большую часть времени, по меньшей мере, частично покрыта смесью реактивного газа с материалом подложки и, следовательно, поверхность подложки находится в первом промежуточном состоянии и это покрытие в конце импульса напряжения является меньшим, чем в начале импульса напряжения и, следовательно, поверхность подложки в конце импульса напряжения находится во втором промежуточном состоянии.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что импульс мощности, произведенный напряжением и током, удерживается, по меньшей мере, в течение большей части длительности импульса, преимущественно, по существу, в продолжение всей длительности импульса на постоянной, по существу, амплитуде мощности.
3. Способ по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что длительность импульса находится между 500 мкс и 100 мс, предпочтительно между 1 мс и 10 мс и, особенно предпочтительно, между 1 мс и 5 мс.
4. Способ по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что паузу или паузы между первым импульсом и более поздним импульсом выбирают таким образом, чтобы в это время реактивный газ вступал в реакцию с поверхностью мишени настолько, что в начале следующего импульса поверхность мишени относительно покрытия находится по существу в одинаковом промежуточном состоянии, как и в начале первого импульса.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что паузу или паузы между первым импульсом и более поздним импульсом выбирают таким образом, чтобы в это время реактивный газ вступал в реакцию с поверхностью мишени настолько, что в начале следующего импульса поверхность мишени относительно покрытия находится по существу в одинаковом промежуточном состоянии, как и в начале первого импульса.
6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что более поздний импульс представляет собой импульс, непосредственно следующий за первым импульсом, так что в промежутке между ними нет другого импульса.
7. Способ по одному из пп. 1, 2, 5 или 6, отличающийся тем, что используют, по меньшей мере, одну вторую мишень, и для импульсной нагрузки напряжением ввод мощности переключают последовательно от первой мишени на вторую мишень и, при необходимости, последовательно на другие мишени, так что во время, по меньшей мере, одной такой последовательности отдачу мощности с подводящего мощность генератора, которым предпочтительно является генератор постоянного тока, не прерывают.
8. Способ по п. 3, отличающийся тем, что используют, по меньшей мере, одну вторую мишень, и для импульсной нагрузки напряжением ввод мощности переключают последовательно от первой мишени на вторую мишень и, при необходимости, последовательно на другие мишени, так что во время, по меньшей мере, одной такой последовательности отдачу мощности с подводящего мощность генератора, которым предпочтительно является генератор постоянного тока, не прерывают.
9. Способ по п. 4, отличающийся тем, что используют, по меньшей мере, одну вторую мишень, и для импульсной нагрузки напряжением ввод мощности переключают последовательно от первой мишени на вторую мишень и, при необходимости, последовательно на другие мишени, так что во время, по меньшей мере, одной такой последовательности отдачу мощности с подводящего мощность генератора, которым предпочтительно является генератор постоянного тока, не прерывают.
10. Способ по одному из пп. 1, 2, 5, 6, 8 или 9, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это, по существу, металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
11. Способ по п. 3, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это по существу металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
12. Способ по п. 4, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это, по существу, металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
13. Способ по п. 7, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это, по существу, металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
14. Способ регулирования способа реактивного распыления по одному из пп. 1-13, отличающийся тем, что импульс напряжения прекращают при достижении заранее определенного напряжения, соотнесенного со вторым промежуточным состоянием поверхности мишени.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это, по существу, металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
16. Способ регулирования способа реактивного распыления по одному из пп. 1-13, отличающийся тем, что в случае недостижения заранее определенного напряжения в начале импульса, время прерывания выбирают короче, чем предыдущее время прерывания, и в случае превышения заранее определенного напряжения в начале импульса, время прерывания выбирают длиннее, чем предыдущее время прерывания.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что второе промежуточное состояние - это, по существу, металлическое состояние или неметаллическое состояние поверхности мишени.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161566836P | 2011-12-05 | 2011-12-05 | |
US61/566,836 | 2011-12-05 | ||
PCT/EP2012/004848 WO2013083238A1 (de) | 2011-12-05 | 2012-11-23 | Reaktiver sputterprozess |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014127520A true RU2014127520A (ru) | 2016-01-27 |
RU2632210C2 RU2632210C2 (ru) | 2017-10-03 |
Family
ID=47504785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014127520A RU2632210C2 (ru) | 2011-12-05 | 2012-11-23 | Способ реактивного распыления |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10458015B2 (ru) |
EP (1) | EP2789006B1 (ru) |
JP (1) | JP6113743B2 (ru) |
KR (1) | KR101990658B1 (ru) |
CN (1) | CN104272429B (ru) |
AR (1) | AR089044A1 (ru) |
BR (1) | BR112014013533B1 (ru) |
CA (1) | CA2858251C (ru) |
ES (1) | ES2704121T3 (ru) |
MX (1) | MX368733B (ru) |
MY (1) | MY181526A (ru) |
PH (1) | PH12014501269B1 (ru) |
PL (1) | PL2789006T3 (ru) |
RU (1) | RU2632210C2 (ru) |
SG (1) | SG11201402945YA (ru) |
SI (1) | SI2789006T1 (ru) |
TW (1) | TWI565816B (ru) |
WO (1) | WO2013083238A1 (ru) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014196352A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | 薄膜形成方法 |
BR112015032169B1 (pt) * | 2013-07-03 | 2022-04-19 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfãffikon | Método para o revestimento de uma peça de trabalho |
DE102016012460A1 (de) | 2016-10-19 | 2018-04-19 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung definierter Eigenschaften von Gradientenschichten in einem System mehrlagiger Beschichtungen bei Sputter - Anlagen |
EP3406761A1 (en) | 2017-05-24 | 2018-11-28 | Walter Ag | A method for producing a coated cutting tool and a coated cutting tool |
CN110184571A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-30 | 天津君盛天成科技发展有限公司 | 高功率脉冲涂装方法 |
WO2021160337A1 (en) * | 2020-02-11 | 2021-08-19 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method of surface smoothening of additive manufactured metal components |
CN111621756B (zh) * | 2020-03-27 | 2021-12-24 | 中国科学院力学研究所 | 一种室温溅射制备晶态透明氧化铝薄膜的方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3700633C2 (de) * | 1987-01-12 | 1997-02-20 | Reinar Dr Gruen | Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma |
DE19610012B4 (de) * | 1996-03-14 | 2005-02-10 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunkts beim reaktiven Zerstäuben in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre |
SE521095C2 (sv) | 2001-06-08 | 2003-09-30 | Cardinal Cg Co | Förfarande för reaktiv sputtring |
JP2005521202A (ja) * | 2002-03-15 | 2005-07-14 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空プラズマ発生器 |
JP3866615B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2007-01-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 反応性スパッタリング方法及び装置 |
US20050103620A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
US8500965B2 (en) * | 2004-05-06 | 2013-08-06 | Ppg Industries Ohio, Inc. | MSVD coating process |
DE102006017382A1 (de) | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Itg Induktionsanlagen Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder zur Behandlung von Oberflächen |
GB0608582D0 (en) * | 2006-05-02 | 2006-06-07 | Univ Sheffield Hallam | High power impulse magnetron sputtering vapour deposition |
DE102006061324B4 (de) * | 2006-06-20 | 2008-07-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Regelung eines reaktiven Hochleistungs-Puls-Magnetronsputterprozesses und Vorrichtung hierzu |
SE533395C2 (sv) | 2007-06-08 | 2010-09-14 | Sandvik Intellectual Property | Sätt att göra PVD-beläggningar |
US7685852B2 (en) | 2007-06-28 | 2010-03-30 | Rahamim Komemi | Tool for pin tumbler locks |
US9039871B2 (en) * | 2007-11-16 | 2015-05-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current |
WO2009071667A1 (en) | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Reactive sputtering with hipims |
JP2010065240A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | スパッタ装置 |
DE202010001497U1 (de) | 2010-01-29 | 2010-04-22 | Hauzer Techno-Coating B.V. | Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle |
MX346377B (es) | 2011-04-20 | 2017-03-16 | Oerlikon Surface Solutions Ag Pfäffikon | Método para proporcionar impulsos de potencia secuenciales. |
-
2012
- 2012-11-23 WO PCT/EP2012/004848 patent/WO2013083238A1/de active Application Filing
- 2012-11-23 EP EP12810067.4A patent/EP2789006B1/de active Active
- 2012-11-23 PL PL12810067T patent/PL2789006T3/pl unknown
- 2012-11-23 SG SG11201402945YA patent/SG11201402945YA/en unknown
- 2012-11-23 SI SI201231461T patent/SI2789006T1/sl unknown
- 2012-11-23 JP JP2014545125A patent/JP6113743B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-23 US US14/362,758 patent/US10458015B2/en active Active
- 2012-11-23 RU RU2014127520A patent/RU2632210C2/ru active
- 2012-11-23 BR BR112014013533-9A patent/BR112014013533B1/pt active IP Right Grant
- 2012-11-23 CN CN201280069085.8A patent/CN104272429B/zh active Active
- 2012-11-23 KR KR1020147018427A patent/KR101990658B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-23 MY MYPI2014001644A patent/MY181526A/en unknown
- 2012-11-23 MX MX2014006729A patent/MX368733B/es active IP Right Grant
- 2012-11-23 CA CA2858251A patent/CA2858251C/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-23 ES ES12810067T patent/ES2704121T3/es active Active
- 2012-11-30 AR ARP120104504A patent/AR089044A1/es active IP Right Grant
- 2012-11-30 TW TW101144896A patent/TWI565816B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-06-05 PH PH12014501269A patent/PH12014501269B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101990658B1 (ko) | 2019-06-18 |
SI2789006T1 (sl) | 2019-02-28 |
CN104272429A (zh) | 2015-01-07 |
SG11201402945YA (en) | 2014-10-30 |
PL2789006T3 (pl) | 2019-04-30 |
MX368733B (es) | 2019-10-14 |
ES2704121T3 (es) | 2019-03-14 |
TWI565816B (zh) | 2017-01-11 |
RU2632210C2 (ru) | 2017-10-03 |
BR112014013533A8 (pt) | 2017-06-13 |
BR112014013533B1 (pt) | 2021-09-08 |
EP2789006B1 (de) | 2018-10-31 |
EP2789006A1 (de) | 2014-10-15 |
AR089044A1 (es) | 2014-07-23 |
BR112014013533A2 (pt) | 2017-06-13 |
US10458015B2 (en) | 2019-10-29 |
JP2015504970A (ja) | 2015-02-16 |
CA2858251C (en) | 2019-12-10 |
CN104272429B (zh) | 2016-08-24 |
MX2014006729A (es) | 2015-02-24 |
JP6113743B2 (ja) | 2017-04-12 |
US20140311892A1 (en) | 2014-10-23 |
TW201331401A (zh) | 2013-08-01 |
MY181526A (en) | 2020-12-25 |
PH12014501269A1 (en) | 2014-09-08 |
KR20140108672A (ko) | 2014-09-12 |
PH12014501269B1 (en) | 2014-09-08 |
CA2858251A1 (en) | 2013-06-13 |
WO2013083238A1 (de) | 2013-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014127520A (ru) | Способ реактивного распыления | |
JP2015504970A5 (ru) | ||
CA2912182C (en) | System and methods for anomalous cathode event control with control of welding current according to the state detected voltage | |
RU2631670C2 (ru) | Способ предоставления последовательных импульсов мощности | |
JP5259618B2 (ja) | 高出力インパルス・マグネトロン・スパッタリング(hipims)におけるパルシング及びアーク抑制 | |
RU2602571C2 (ru) | Высокопроизводительный источник для процесса распыления | |
MX2016012812A (es) | Metodo y sistema para utilizar forma de onda de soldadura de ca y consumible mejorado para mejorar la soldadura de una pieza galvanizada. | |
JP2017025407A5 (ru) | ||
RU2013151453A (ru) | Способ обеспечения последовательных импульсов мощности | |
JP2015533347A5 (ru) | ||
JP2010065240A (ja) | スパッタ装置 | |
US10818483B2 (en) | Pulsed sputtering apparatus and pulsed sputtering method | |
JP6807154B2 (ja) | プラズマ発生装置を作動させる方法及び制御装置 | |
UA112404C2 (uk) | Спосіб контролю за подачею струму для електронного променя електронно-променевої гармати, джерело живлення електронного променя електронно-променевої гармати та пристрій для осадження | |
US9881775B2 (en) | Waveform for improved energy control of sputtered species | |
RU144198U1 (ru) | Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий | |
CN106460157B (zh) | 在阴极电弧物理气相沉积(pvd)中真空过滤宏观粒子的方法 | |
RU2013150078A (ru) | Искровое испарение углерода | |
RU2018120892A (ru) | Компоновочная схема и способ ионно-плазменного распыления для оптимизированного распределения потока энергии | |
US6740843B2 (en) | Method and apparatus for automatically re-igniting vacuum arc plasma source | |
RU2018133278A (ru) | Сварочный аппарат с электроприводом и способ управления указанным сварочным аппаратом | |
JP5165165B1 (ja) | 放電表面処理装置 | |
SE0400164D0 (sv) | Metod och anordning för att elektriskt styra förbränningen i en drivladdning | |
JP2010000484A (ja) | 除電除塵装置 | |
KR20100050290A (ko) | 서브머지드아크 용접에서의 파형제어방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |