RU2013147397A - Спектральный детектор изображения - Google Patents
Спектральный детектор изображения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013147397A RU2013147397A RU2013147397/28A RU2013147397A RU2013147397A RU 2013147397 A RU2013147397 A RU 2013147397A RU 2013147397/28 A RU2013147397/28 A RU 2013147397/28A RU 2013147397 A RU2013147397 A RU 2013147397A RU 2013147397 A RU2013147397 A RU 2013147397A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- photosensor
- photosensors
- scintillator
- row
- Prior art date
Links
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
1. Способ, содержащий:получение подложки (236) фотодатчиков, имеющей две противоположных основные поверхности (302 и 308), при этом одна из двух противоположных основных поверхностей включает в себя, по меньшей мере, один ряд (230) фотодатчиков, по меньшей мере, из одного фоточувствительного элемента (232, 234), и полученная подложка фотодатчиков имеет толщину, равную или большую, чем сто микрон;оптическое соединение матрицы (310) сцинтилляторов с подложкой фотодатчиков, причем матрица сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один дополнительный ряд (224) сцинтилляторов, по меньшей мере, из одного дополнительного сцинтилляционного элемента (226, 228), и, по меньшей мере, один дополнительный ряд сцинтилляторов оптически соединен, по меньшей мере, с одним рядом (230) фотодатчиков, и, по меньшей мере, один дополнительный сцинтилляционный элемент оптически соединен, по меньшей мере, с одним фоточувствительным элементом; иуменьшение толщины подложки фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором, производя уменьшенную по толщине подложку фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором и которая имеет толщину порядка менее ста микрон.2. Способ по п. 1, в котором одна из двух противоположных основных поверхностей включает в себя первую область (304) и вторую область (306), при этом, по меньшей мере, один ряд фотодатчиков из, по меньшей мере, одного фоточувствительного элемента соединен только с первой областью, и сцинтиллятор соединен, по меньшей мере, с одним рядом фотодатчиков из, по меньшей мере, одного фоточувствительного элемента и второй областью.3. Способ по п. 2, в котором сцинтиллятор включает в себя перв�
Claims (15)
1. Способ, содержащий:
получение подложки (236) фотодатчиков, имеющей две противоположных основные поверхности (302 и 308), при этом одна из двух противоположных основных поверхностей включает в себя, по меньшей мере, один ряд (230) фотодатчиков, по меньшей мере, из одного фоточувствительного элемента (232, 234), и полученная подложка фотодатчиков имеет толщину, равную или большую, чем сто микрон;
оптическое соединение матрицы (310) сцинтилляторов с подложкой фотодатчиков, причем матрица сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один дополнительный ряд (224) сцинтилляторов, по меньшей мере, из одного дополнительного сцинтилляционного элемента (226, 228), и, по меньшей мере, один дополнительный ряд сцинтилляторов оптически соединен, по меньшей мере, с одним рядом (230) фотодатчиков, и, по меньшей мере, один дополнительный сцинтилляционный элемент оптически соединен, по меньшей мере, с одним фоточувствительным элементом; и
уменьшение толщины подложки фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором, производя уменьшенную по толщине подложку фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором и которая имеет толщину порядка менее ста микрон.
2. Способ по п. 1, в котором одна из двух противоположных основных поверхностей включает в себя первую область (304) и вторую область (306), при этом, по меньшей мере, один ряд фотодатчиков из, по меньшей мере, одного фоточувствительного элемента соединен только с первой областью, и сцинтиллятор соединен, по меньшей мере, с одним рядом фотодатчиков из, по меньшей мере, одного фоточувствительного элемента и второй областью.
3. Способ по п. 2, в котором сцинтиллятор включает в себя первый сцинтиллятор, оптически соединенный, по меньшей мере, с одним рядом фотодатчиков, по меньшей мере, из одного фоточувствительного элемента, и другой материал, соединенный со второй областью.
4. Способ по любому из пп. 1-3, дополнительно содержащий:
соединение, по меньшей мере, одного из электронной схемы (240) обработки данных или электропроводных контактов (238) с подложкой фотодатчиков до оптического соединения сцинтиллятора с подложкой фотодатчиков, при этом, по меньшей мере, одно из электронной схемы обработки данных или электропроводных контактов расположено между подложкой фотодатчиков и сцинтиллятором после соединения сцинтиллятора с подложкой фотодатчиков.
5. Способ по п. 4, в котором, по меньшей мере, один ряд фотодатчиков, по меньшей мере, из одного фоточувствительного элемента и, по меньшей мере, одно из электронной схемы обработки данных или электропроводных контактов расположены на одной и той же поверхности (508) подложки фотодатчиков.
6. Способ по п. 4, в котором, по меньшей мере, одно из электронной схемы обработки данных или электропроводных контактов расположено на поверхности (606) в углублении (604) матрицы сцинтилляторов.
7. Способ по п. 4, дополнительно содержащий:
уменьшение толщины подложки фотодатчиков до соединения электронной схемы обработки данных, электропроводных контактов и матрицы сцинтилляторов с подложкой фотодатчиков;
размещение уменьшенной по толщине подложки фотодатчиков на носителе;
установку электронной схемы обработки данных и электропроводных контактов на уменьшенную по толщине подложку фотодатчиков, в то время как подложка фотодатчиков размещается на носителе; и
оптическое соединение матрицы сцинтилляторов с уменьшенной по толщине подложкой фотодатчиков, в то время как подложка фотодатчиков размещается на носителе.
8. Способ по п. 4, в котором подложка фотодатчиков является частью листа материала, включающего в себя множество подложек фотодатчиков, при этом способ дополнительно содержит:
соединение множества электронных схем обработки данных соответственно с множеством подложек фотодатчиков; и
физическое удаление подложки фотодатчиков из листа материала, по меньшей мере, после соединения электронных схем обработки данных с подложкой фотодатчиков.
9. Способ по любому из пп. 1-3, дополнительно содержащий:
размещение подложки фотодатчиков на опорной структуре, по меньшей мере, до соединения сцинтиллятора с подложкой фотодатчиков и соединение, по меньшей мере, одного компонента (244, 240, 238, 704) на подложке фотодатчиков с подложкой фотодатчиков на опорной структуре.
10. Способ по п. 1, дополнительно содержащий:
электрическое соединение, по меньшей мере, одного фоточувствительного элемента с электронной схемой обработки данных, расположенной снаружи по отношению к подложке фотодатчиков.
11. Способ по любому из пп. 1-3, дополнительно содержащий:
механическое и электрическое соединение множества уменьшенных по толщине подложек фотодатчиков с подложкой (242) мозаичного детекторного элемента, образуя таким образом мозаичный детекторный элемент (220).
12. Способ по п. 11, дополнительно содержащий:
механическое и электрическое соединение множества мозаичных детекторных элементов для формирования детекторной матрицы.
13. Способ по любому из пп. 1-3, в котором толщина уменьшенной по толщине подложки фотодатчиков находится в диапазоне от двадцати пяти до семидесяти пяти микрон.
14. Способ по любому из пп. 1-3, в котором толщина уменьшенной по толщине подложки фотодатчиков порядка пятидесяти микрон.
15. Детектор (218) формирования изображения, содержащий, по меньшей мере, один мозаичный детекторный элемент (220), включающий в себя подложку (242) мозаичного элемента и множество детекторных модулей (222), расположенных вдоль направления оси x вдоль подложки мозаичного элемента, детекторный модуль включает в себя матрицу (310) сцинтилляторов, имеющую, по меньшей мере, один ряд (224) сцинтилляторов из сцинтилляционных элементов (226, 228), простирающихся вдоль направления оси z, соединенных,
по меньшей мере, с одним рядом (230) фотодатчиков из фоточувствительных элементов (232, 234) подложки фотодатчиков, при этом подложка фотодатчиков, соединенная с матрицей сцинтилляторов, имеет начальную толщину, равную или большую, чем сто микрон, и подложка фотодатчиков детектора формирования изображения имеет уменьшенную толщину менее ста микрон.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161467044P | 2011-03-24 | 2011-03-24 | |
US61/467,044 | 2011-03-24 | ||
PCT/IB2012/051300 WO2012127403A2 (en) | 2011-03-24 | 2012-03-19 | Spectral imaging detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013147397A true RU2013147397A (ru) | 2015-04-27 |
RU2595795C2 RU2595795C2 (ru) | 2016-08-27 |
Family
ID=45937487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013147397/28A RU2595795C2 (ru) | 2011-03-24 | 2012-03-19 | Спектральный детектор изображения |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9281422B2 (ru) |
EP (1) | EP2689269B1 (ru) |
JP (1) | JP6071077B2 (ru) |
CN (1) | CN103443652B (ru) |
RU (1) | RU2595795C2 (ru) |
WO (1) | WO2012127403A2 (ru) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR112015028336A2 (pt) | 2013-05-16 | 2017-07-25 | Koninklijke Philips Nv | placa detectora de imageamento em silício, método, e, detector do método |
WO2015071471A1 (en) | 2013-11-15 | 2015-05-21 | Koninklijke Philips N.V. | Double-sided organic photodetector on flexible substrate |
WO2016113647A1 (en) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Koninklijke Philips N.V. | Imaging detector module assembly |
US11041966B2 (en) * | 2016-10-26 | 2021-06-22 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detector scintillator with an integral through-hole interconnect |
US10352170B2 (en) | 2017-05-02 | 2019-07-16 | General Electric Company | Airfoil shape for a turbine rotor blade |
US10247007B2 (en) | 2017-05-02 | 2019-04-02 | General Electric Company | Airfoil shape for a turbine rotor blade |
US10422227B2 (en) | 2017-05-02 | 2019-09-24 | General Electric Company | Airfoil shape for a turbine rotor blade |
US10415406B2 (en) | 2017-05-03 | 2019-09-17 | General Electric Company | Turbine nozzle airfoil profile |
US10280774B2 (en) | 2017-05-03 | 2019-05-07 | General Electric Company | Turbine nozzle airfoil profile |
US10408072B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-09-10 | General Electric Company | Turbine nozzle airfoil profile |
US10533440B2 (en) | 2017-05-15 | 2020-01-14 | General Electric Company | Turbine nozzle airfoil profile |
US10436034B2 (en) | 2017-05-15 | 2019-10-08 | General Electric Company | Airfoil shape for a turbine rotor blade |
WO2019041172A1 (en) | 2017-08-30 | 2019-03-07 | Shenzhen United Imaging Healthcare Co., Ltd. | SYSTEM, METHOD AND DETECTOR MODULE FOR PET IMAGING |
US11181488B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-11-23 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-layer detector with a monolithic scintillator |
DE102018200845B4 (de) | 2018-01-19 | 2021-05-06 | Siemens Healthcare Gmbh | Montageverfahren für die Herstellung eines Röntgendetektors, Röntgendetektor und Röntgengerät |
US20200185450A1 (en) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | Analog Devices, Inc. | Shielded integrated device packages |
IT201900010638A1 (it) * | 2019-07-02 | 2021-01-02 | St Microelectronics Srl | Rilevatore di radiazione a scintillatore e dosimetro corrispondente |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57172272A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Multichannel type radiation detector |
US5043582A (en) * | 1985-12-11 | 1991-08-27 | General Imagining Corporation | X-ray imaging system and solid state detector therefor |
JPS62231222A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 液晶配向膜形成用溶液 |
US5179284A (en) * | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
RU2123710C1 (ru) * | 1996-01-31 | 1998-12-20 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Медтех" | Матричный рентгеновский приемник |
FR2758630B1 (fr) * | 1997-01-21 | 1999-04-09 | Thomson Tubes Electroniques | Procede de scellement etanche d'un detecteur de rayonnement a l'etat solide et detecteur obtenu par ce procede |
US6114703A (en) * | 1997-10-21 | 2000-09-05 | The Regents Of The University Of California | High resolution scintillation detector with semiconductor readout |
DE19841423C1 (de) * | 1998-09-10 | 1999-12-30 | Siemens Ag | Strahlendetektor, insbesondere eines Computertomographen |
US6522715B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-18 | Ge Medical Systems Global Technology Company Llc | High density flex interconnect for CT detectors |
JP5038209B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2012-10-03 | 日本結晶光学株式会社 | 放射線検出装置 |
JP2003084066A (ja) * | 2001-04-11 | 2003-03-19 | Nippon Kessho Kogaku Kk | 放射線検出器用部品、放射線検出器および放射線検出装置 |
US6510195B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
US6895077B2 (en) * | 2001-11-21 | 2005-05-17 | University Of Massachusetts Medical Center | System and method for x-ray fluoroscopic imaging |
CN1320373C (zh) * | 2002-09-18 | 2007-06-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 辐射检测器 |
US7019304B2 (en) * | 2003-10-06 | 2006-03-28 | General Electric Company | Solid-state radiation imager with back-side irradiation |
EP1695117A1 (en) * | 2003-12-09 | 2006-08-30 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Shielding for an x-ray detector |
US7075091B2 (en) | 2004-01-29 | 2006-07-11 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Apparatus for detecting ionizing radiation |
JP2006058168A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線撮像素子および放射線撮像方法 |
DE102004052452B4 (de) * | 2004-10-28 | 2008-05-29 | Siemens Ag | Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung |
JP2006145431A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 放射線検出器、放射線撮像装置、放射線ct装置及び放射線検出器の製造方法 |
RU2411542C2 (ru) * | 2005-04-22 | 2011-02-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Цифровой кремниевый фотоумножитель для врп-пэт |
WO2006114716A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Double decker detector for spectral ct |
RU2386981C2 (ru) | 2005-04-26 | 2010-04-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Улучшенная детекторная матрица для спектральной компьютерной томографии |
US7399972B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-07-15 | Nihon Kessho Kogaku Co., Ltd. | Component for radiation detector and radiation detector |
US20080253507A1 (en) * | 2005-10-05 | 2008-10-16 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Computed Tomography Detector Using Thin Circuits |
EP2005475A2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-12-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector array |
US7692156B1 (en) * | 2006-08-23 | 2010-04-06 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Beam-oriented pixellated scintillators for radiation imaging |
US7608837B2 (en) * | 2006-11-24 | 2009-10-27 | Tower Semiconductor Ltd. | High resolution integrated X-ray CMOS image sensor |
EP2142942A2 (en) * | 2007-04-25 | 2010-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
US8373130B2 (en) * | 2007-11-09 | 2013-02-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Protection of hygroscopic scintillators |
JP2009147212A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Nippon Kessho Kogaku Kk | 光検出器および光検出器を用いた光検出装置 |
CN101903801B (zh) * | 2007-12-21 | 2014-01-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有复合树脂中的闪烁体的辐射敏感探测器 |
JP4650586B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2011-03-16 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器、およびそれを備えた断層撮影装置 |
WO2009147739A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器の製造方法 |
US7737409B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-06-15 | Analog Devices, Inc. | Silicon detector and method for constructing silicon detectors |
US8869388B2 (en) * | 2008-07-22 | 2014-10-28 | Shimadzu Corporation | Method of manufacturing radiation tomography apparatus |
WO2010058309A2 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Spectral imaging detector |
US8718226B2 (en) * | 2008-11-21 | 2014-05-06 | Trixell | Assembly method for a tiled radiation detector |
KR101497498B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-03-03 | 삼성전자주식회사 | 방사선 신호의 투과 영상을 획득하는 방법 및 장치 |
JP5247486B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2013-07-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
US8373132B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-02-12 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Radiation detector with a stack of scintillator elements and photodiode arrays |
US9164700B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-10-20 | Sandisk Il Ltd | System for optimizing the transfer of stored content in response to a triggering event |
US8466421B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-06-18 | Varian Medical Systems Inc. | Radiation detector with multiple operating schemes |
JP5422581B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-02-19 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-03-19 JP JP2014500514A patent/JP6071077B2/ja active Active
- 2012-03-19 US US14/006,703 patent/US9281422B2/en active Active
- 2012-03-19 EP EP20120713356 patent/EP2689269B1/en active Active
- 2012-03-19 WO PCT/IB2012/051300 patent/WO2012127403A2/en active Application Filing
- 2012-03-19 RU RU2013147397/28A patent/RU2595795C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-03-19 CN CN201280014657.2A patent/CN103443652B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-03 US US15/014,297 patent/US9599725B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9599725B2 (en) | 2017-03-21 |
US20160154121A1 (en) | 2016-06-02 |
EP2689269B1 (en) | 2015-05-13 |
CN103443652B (zh) | 2017-02-15 |
CN103443652A (zh) | 2013-12-11 |
WO2012127403A3 (en) | 2012-12-27 |
EP2689269A2 (en) | 2014-01-29 |
JP6071077B2 (ja) | 2017-02-01 |
US9281422B2 (en) | 2016-03-08 |
JP2014513279A (ja) | 2014-05-29 |
WO2012127403A2 (en) | 2012-09-27 |
US20140015081A1 (en) | 2014-01-16 |
RU2595795C2 (ru) | 2016-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013147397A (ru) | Спектральный детектор изображения | |
US10326039B2 (en) | Proximity detector device with interconnect layers and related methods | |
JP2014513279A5 (ru) | ||
JP2014534611A5 (ru) | ||
US8117741B2 (en) | Method for manufacturing a radiation imaging panel comprising imaging tiles | |
US20100025793A1 (en) | Assembly for image sensing chip and assembling method thereof | |
US9313386B2 (en) | Image detector with lens assembly and related methods | |
JP2023026423A (ja) | 放射線撮像装置 | |
US20140078388A1 (en) | Camera module | |
US9059058B2 (en) | Image sensor device with IR filter and related methods | |
JP2007155563A (ja) | 放射線画像検出装置 | |
JP2012044091A5 (ru) | ||
JP2023041968A (ja) | 撮像素子実装基板、その製造方法、および、実装基板集合体 | |
US20100118168A1 (en) | High density composite focal plane array | |
US20200105656A1 (en) | Imaging element mounting board, producing method of imaging element mounting board, and mounting board assembly | |
JP2020064008A (ja) | 放射線撮像装置 | |
JP2002164525A (ja) | 光電変換装置 | |
JP5676155B2 (ja) | 放射線検出器の製造方法、及び放射線検出器 | |
JP7071983B2 (ja) | 直接変換化合物半導体のタイル構造 | |
JP2020064007A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、及び放射線撮像装置の修復方法 | |
CN214376505U (zh) | 具有指纹感测功能的电子装置 | |
JP2015015631A (ja) | 撮像チップ、撮像ユニット及び撮像装置 | |
JP2016118506A (ja) | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム | |
JP5725747B2 (ja) | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 | |
JP2012037348A (ja) | 放射線検出器モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200320 |