JP5725747B2 - 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法に関する。特に、本発明は、γ線、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法に関する。

従来、熱膨張係数が８．０×１０^−６［１／℃］以上の基板と、基板上に配置された半導体検出素子とから構成される半導体検出部を備え、半導体検出素子が略平板状の半導体結晶体からなり、半導体結晶体の下面にＡｕからなる素子電極が設けられ、素子電極と配線基板に設けられたパッド電極とを半導体結晶のヤング率より小さいずれ弾性を有するバンプで固定する放射線検出器が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の放射線検出器は、半導体結晶体との間で熱膨張係数差が大きな配線基板でも半導体結晶体の検出特性の劣化を抑制することができる。

特開２００７−２１４１９１号公報

しかし、特許文献１に係る放射線検出器は、基板に半導体検出素子を配置し、半導体検出素子を基板に固定する工程において基板の反り等に起因する放射線検出器の製造歩留りについて考慮していない。

したがって、本発明の目的は、製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法を提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、配線パターンと、配線パターンの表面に設けられる接続部材とを有する基板と、基板の一部に貼り付けられる粘着部材と、粘着部材を介して基板上に配置され、放射線を検出可能な半導体素子とを備え、接続部材が、配線パターンと半導体素子とを電気的に接続する放射線検出器が提供される。

また、上記放射線検出器において、粘着部材が、基板の配線パターン上に貼り付けられ、粘着部材により配線パターンと半導体素子とが接着されることもできる。

また、上記放射線検出器において、粘着部材が、基材と、基材の両面に設けられる粘着剤層とを有する両面テープであってもよい。

また、上記放射線検出器において、接続部材の厚さと粘着部材の厚さとが一致することが好ましい。

また、上記放射線検出器において、半導体素子が、平面視にて略四角形状を有し、粘着部材が、接続部材を挟んだ配線パターンの両端側のそれぞれに貼り付けられてもよい。

また、上記放射線検出器において、接続部材が、配線パターンと半導体素子とを電気的に接続してよい。

また、本発明は、上記目的を達成するため、配線パターンと、配線パターンの表面に設けられる接続部材とを有する基板を準備する基板準備工程と、粘着剤層を有する粘着部材を、基板の一部に貼り付ける貼り付け工程と、粘着部材を介して基板上に放射線を検出可能な半導体素子を配置し、半導体素子を基板に一時的に固定する仮固定工程とを備える放射線検出器の製造方法が提供される。

また、上記放射線検出器の製造方法において、仮固定工程の後に接続部材を硬化させ、配線パターンと半導体素子とを電気的に接続させる硬化工程を更に備えることができる。

また、上記放射線検出器の製造方法において、貼り付け工程が、基板の配線パターン上に粘着部材を貼り付け、粘着部材により配線パターンと半導体素子とを接着させることもできる。

また、上記放射線検出器の製造方法において、粘着部材が、基材と、基材の両面に粘着剤層を有する両面テープであってもよい。

また、上記放射線検出器の製造方法において、仮固定工程が、半導体素子を基板側に向けて押し付けることにより接続部材の厚さを粘着部材の厚さに一致させることもできる。

また、上記放射線検出器の製造方法において、半導体素子が、平面視にて略四角形状を有し、貼り付け工程が、接続部材を挟んだ配線パターンの両端側のそれぞれに粘着部材を貼り付けることもできる。

また、本発明は、上記目的を達成するため、長手方向に略一定の幅を有する中央部と、中央部の両端のそれぞれに中央部の幅より広い幅を有する端部とを有する配線パターンと、配線パターンの表面に設けられる接続部材とを有する基板と、配線パターンの端部に貼り付けられる粘着部材と、粘着部材を介して基板上に配置され、放射線を検出可能な半導体素子とを備え、接続部材が、配線パターンと半導体素子とを電気的に接続する放射線検出器が提供される。

本発明に係る放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法によれば、製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法を提供することができる。

本発明の実施の形態に係る放射線検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る放射線検出器から一部の放射線検出素子を取り外した場合の斜視図の一部の概要図である。 図２のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の実施の形態に係る放射線検出器の一部を放射線が入射する側から見た場合における上面図である。 本発明の実施の形態に係る放射線検出器の製造工程の一部の模式図である。 本発明の実施の形態に係る放射線検出器の製造工程の一部の模式図である。 本発明の実施の形態に係る放射線検出器の製造工程の一部の模式図である。 本発明の実施の形態の変形例に係る放射線検出器の基板の一部を示す図である。

［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る放射線検出器の斜視図の概要を示す。

（放射線検出器１の構成の概要）
本実施の形態に係る放射線検出器１は、カード形状を呈し、γ線、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出器である。図１において放射線１００は、紙面の上方から下方に沿って入射してくる。すなわち、放射線１００は、放射線検出器１の半導体素子１０からカードホルダ３０及びカードホルダ３１に向かう方向に沿って伝搬して放射線検出器１に到達する。そして、放射線検出器１は、半導体素子１０の側面（つまり、図１の上方に面している面）に放射線１００が入射する。したがって、半導体素子１０の側面が放射線１００の入射面となっている。このように、半導体素子１０の側面を放射線１００の入射面とする放射線検出器１を、本実施の形態ではエッジオン型の放射線検出器１と称する。

なお、放射線検出器１は、特定の方向（例えば、放射線検出器１に向かう方向）に沿って入射してくる放射線１００が通過する複数の開口を有するコリメータ（例えば、マッチドコリメータ、ピンホールコリメータ等）を介して放射線１００を検出する複数の放射線検出器１が並べられて構成されるエッジオン型の放射線検出器用の放射線検出器１として構成することもできる。

具体的に、放射線検出器１は、放射線１００を検出可能な一対の半導体素子１０と、薄い基板２０と、一対の半導体素子１０の隣接部分にて基板２０を挟み込むことにより基板２０を支持するカードホルダ３０及びカードホルダ３１とを備える。そして、本実施の形態においては、一例として、一対の半導体素子１０が４組、基板２０を挟み込む位置において基板２０に固定される。すなわち、各組の一対の半導体素子１０は、基板２０の一方の面と他方の面とのそれぞれに基板２０を対称面として対称の位置に固定される。

また、基板２０はカードホルダ３０とカードホルダ３１とに挟み込まれて支持される。カードホルダ３０とカードホルダ３１とはそれぞれ同一形状を有して形成され、カードホルダ３０が有する溝付穴３４にカードホルダ３１が有する突起部３６が嵌め合うと共に、カードホルダ３１が有する溝付穴３４（図示しない）にカードホルダ３０が有する突起部３６（図示しない）が嵌め合うことにより基板２０を支持する。

また、板ばね等から構成される弾性部材３２は、複数の放射線検出器１を支持する放射線検出器立てに放射線検出器１が挿入された場合に、放射線検出器１を放射線検出器立てに押し付ける。なお、放射線検出器立てはカードエッジ部２９が挿入されるコネクタを有しており、放射線検出器１は、カードエッジ部２９がコネクタに挿入され、コネクタとパターン２９ａとが電気的に接続することにより外部の電気回路としての制御回路、外部からの電源線、グランド線等に電気的に接続される。

なお、放射線検出器１は、一対の半導体素子１０の基板２０の反対側に、各半導体素子１０の電極パターンと複数の基板端子２２とのそれぞれを電気的に接続する配線パターンを有するフレキシブル基板を更に備えることができる（なお、半導体素子１０の電極パターン、フレキシブル基板、フレキシブル基板の配線パターンは図示しない）。フレキシブル基板は、一対の半導体素子１０の一方の半導体素子１０側、及び他方の半導体素子１０側の双方に設けることができる。例えば、４組の一対の半導体素子１０の一方の半導体素子１０側のそれぞれと、他方の半導体素子１０側のそれぞれとの双方に、フレキシブル基板をそれぞれ設けることができる。なお、基板端子２２は、基板２０の表面に設けられており、基板２０の配線パターンに電気的に接続されている。

図２は、本発明の実施の形態に係る放射線検出器から一部の放射線検出素子を取り外した場合の斜視図の一部の概要を示す。また、図３は、図２のＡ−Ａ線における断面の概要を示す。

（基板２０の詳細）
基板２０は、金属導体等の導電性材料からなる導電性薄膜（例えば、銅箔）が表面に形成された薄肉基板（例えば、ＦＲ４等のガラスエポキシ基板）を、ソルダーレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層で挟んで可撓性を有して形成される。また、基板２０は、半導体素子１０の電極に電気的に接続する配線パターン２００を有する。配線パターン２００は、例えば、平面視にて幅が略一定の略長方形状を有して基板２０の一方の面、及び他方の面のそれぞれに設けられる。そして、配線パターン２００の表面の一部の領域に導電性を有する接続部材としての銀ペースト５０が設けられ、半導体素子１０の電極は銀ペースト５０を介して配線パターン２００に電気的に接続する。

基板２０は、一例として、幅広の方向、すなわち長手方向は４０ｍｍ程度の長さを有して形成される。そして、基板２０は、幅広の部分の端部から幅が狭くなっている部分の端部までの短手方向において、２０ｍｍ程度の長さを有して形成される。なお、銀ペースト５０の代わりに低温で溶融するはんだを用いることもできる。

ここで、基板２０は放射線を検出できない領域であるので、一対の半導体素子１０によって挟まれる基板２０の領域は不感領域になる。よって、基板２０の厚さは、薄いことが好ましい。具体的に、基板２０は、０．４ｍｍ以下の厚さを有することが好ましい。本実施の形態では、一例として、基板２０は、０．２ｍｍの厚さを有する。

また、基板２０に形成された配線により、配線パターン２００はカードエッジ部２９のパターン２９ａに電気的に接続される。また、基板２０は、基板端子２２とカードエッジ部２９のパターン２９ａとを電気的に接続する配線を有する。これにより、基板２０において、半導体素子１０の基板２０側の面の電極は、基板２０の配線によりカードエッジ部２９のパターン２９ａに電気的に接続される。また、半導体素子１０の基板２０側の反対側の面の電極は、フレキシブル基板の配線パターンと、基板端子２２と、基板２０の配線とを経由してカードエッジ部２９のパターン２９ａに電気的に接続される。ここで、例えば、半導体素子１０の基板２０側の電極をアノード電極、半導体素子１０の基板２０側の反対側の面の電極をカソード電極とする。この場合、アノード電極からの信号とカソード電極からの信号とはそれぞれ、カードエッジ部２９のパターン２９ａに導かれ、パターン２９ａを介し、外部の電気回路へ出力される。

（半導体素子１０の詳細）
半導体素子１０は、略直方体状に形成され（つまり、平面視にて略四角状に形成され）、素子表面１０ｂと、素子表面１０ｂの反対側の素子表面１０ｃとのそれぞれに電極が設けられる（電極は図示しない）。放射線は各半導体素子１０の端部から入射して、カードエッジ部２９側に向かって半導体素子１０中を走行する。また、本実施の形態に係る半導体素子１０は、放射線が入射する面に垂直な一の面である素子表面１０ｃに複数の溝１０ａが設けられる。溝１０ａの幅は、一例として、０．２ｍｍである。

そして、放射線が入射する半導体素子１０の面であって、各溝１０ａから、溝１０ａが設けられている面の反対側の面（つまり、素子表面１０ｂ）への仮想的な垂線により区切られる領域、及び当該仮想的な垂線と半導体素子１０の端部とで区切られる領域を、素子内ピクセル領域と称する。半導体素子１０が、（ｎ−１）個の溝１０ａを有すると共に、複数の溝１０ａ間、及び素子表面１０ｂにそれぞれ電極を有することにより、ｎ個の素子内ピクセル領域が構成される。複数の素子内ピクセル領域のそれぞれが、放射線を検出する１つの画素（ピクセル）に対応する。これにより、一の半導体素子１０は、複数の画素を有することになる。

一例として、１つの放射線検出器１が８つの半導体素子１０（４組の一対の半導体素子１０）を備え、１つの半導体素子１０がそれぞれ８つの素子内ピクセル領域を有する場合、１つの放射線検出器１は、６４ピクセルの解像度を有することになる。溝１０ａの数を増減させることにより、一の半導体素子１０のピクセル数を増減させることができる。なお、一例として、半導体素子１０の幅は１．２ｍｍ程度、長さは１１．２ｍｍ程度、高さは５ｍｍ程度である。

半導体素子１０を構成する材料としては、ＣｄＴｅを用いることができる。また、γ線等の放射線を検出できる限り、半導体素子１０はＣｄＴｅ素子に限られない。例えば、半導体素子１０として、ＣｄＺｎＴｅ（ＣＺＴ）素子、ＨｇＩ_２素子等の化合物半導体素子を用いることもできる。

（両面テープ４０の詳細）
ここで、本実施の形態においては、基板２０の半導体素子１０が搭載される領域の一部の領域に、粘着剤層を有する粘着部材としての両面テープ４０が設けられる。両面テープ４０は、基板２０の配線パターン２００上に貼り付けられ、両面テープ４０により配線パターン２００と半導体素子１０とが接着される。両面テープ４０は、基材と、基材の一方の面と他方の面との両面に粘着剤層を有して構成される。そして、両面テープ４０の厚さは、一例として、１０μｍ以上１５μｍ以下程度であり、幅は１ｍｍ程度である。

具体的に、両面テープ４０は、半導体素子１０と基板２０との間であって、半導体素子１０の短手方向に間隔をおき、基板２０の長手方向に沿って設けられる。ここで、配線パターン２００の一方の端部と他方の端部との間の表面の一部には、銀ペースト５０が設けられている。この場合、両面テープ４０は、銀ペースト５０を挟む位置であって、配線パターン２００の一方の端部側と他方の端部側とのそれぞれに設けられる。なお、両面テープ４０は、基板２０の一方の面、及び他方の面のそれぞれに設けられる。例えば、基板２０を対称面とした場合、基板２０の一方の面に設けられた両面テープ４０の対称の位置を含む他方の面にも両面テープ４０が設けられる。本実施の形態では、半導体素子１０は、銀ペースト５０により配線パターン２００に電気的に接続されると共に、基板２０に機械的に固定される。そして、両面テープ４０は、半導体素子１０を基板２０に仮に固定している。なお、本実施の形態において「仮に固定」とは、半導体素子１０が銀ペースト５０を介して基板２０に機械的に固定されており、両面テープ４０は、後述する放射線検出器１の製造工程において半導体素子１０を基板２０に一時的に固定することを目的として用いられていることを意味する。

図４は、本発明の実施の形態に係る放射線検出器の一部を放射線が入射する側から見た場合における上面の概要を示す。

半導体素子１０は、両面テープ４０により配線パターン２００を介して基板２０に仮に固定されると共に、銀ペースト５０により配線パターン２００に固定される。すなわち、両面テープ４０が接着している配線パターン２００の領域において、半導体素子１０は、両面テープ４０により基板２０に仮に固定される。また、この場合において、半導体素子１０と配線パターン２００との間の両面テープ４０の厚さと、半導体素子１０と配線パターン２００との間の銀ペースト５０の厚さとは一致する。

（放射線検出器１の製造方法）
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の実施の形態に係る放射線検出器の製造工程の一部を模式的に示す。

まず、表面及び裏面のそれぞれに複数の配線パターン２００と、複数の配線パターン２００それぞれの表面の一部の領域に設けられる銀ペースト５０とを有する基板２０を準備する（図５Ａの（ａ）、基板準備工程）。銀ペースト５０は、例えば、メタルマスク塗布、又はディスペンサ塗布により配線パターン２００の表面の一部の領域に塗布することができる。

次に、両面テープ４０を基板２０上の予め定められた領域に貼り付ける（図５Ａの（ｂ）、貼り付け工程）。すなわち、基板２０に搭載されるべき半導体素子１０の一の辺の近傍、及び一の辺の対辺の近傍それぞれに対応する位置に両面テープ４０を貼り付ける。例えば、配線パターン２００の両端それぞれに、両面テープ４０を貼り付ける。次に、両面テープ４０を介して基板２０上に半導体素子１０を配置すると共に、半導体素子１０を基板２０に一時的に固定する（図５Ｂ、仮固定工程）。

具体的に、本実施の形態では、基板２０の表面側及び裏面側のそれぞれに一対の半導体素子１０を基板２０を対称面として対称に配置する。例えば、半導体素子１０の基板２０への配置は、自動マウント装置を用いて実施する。まず、自動マウント装置が備えるコレット６０で半導体素子１０を吸着する。そして、コレット６０は、吸着した半導体素子１０を基板２０上の予め定められた位置に配置し、一定の力（例えば、５０〜１００ｇ）で一定時間、基板２０側へ半導体素子１０を押し付ける。本実施の形態では、基板２０を挟んだ対称の位置において、一方のコレット６０が吸着している半導体素子１０と、他方のコレット６０が吸着している半導体素子１０とが基板２０に略同時に押しつけられる。

これにより、一対の半導体素子１０が基板２０の表面及び裏面の予め定められた位置に両面テープ４０により一時的に固定される。また、仮固定工程の時点で銀ペースト５０はまだ硬化していないので、コレット６０により半導体素子１０を基板２０側に押し付けることにより銀ペースト５０が押しつぶされ、銀ペースト５０の厚さが両面テープ４０の厚さに一致する。

続いて、一時的に固定した一対の半導体素子１０の隣に、新たに一対の半導体素子１０を配置すると共に基板２０に一時的に固定する（図５Ｃ）。なお、基板２０の表面側及び裏面側のそれぞれに複数対の半導体素子１０を配置し、複数対の半導体素子１０を基板２０の対称の位置に実質的に同時に、かつ、一時的に固定することもできる。なお、仮固定工程は、基板２０を縦の状態に設置し（例えば、基板２０を吊り下げる）、この状態で基板２０の左右から一対若しくは複数対の半導体素子１０を基板２０の対称の位置に一時的に固定することもできる。

次に、銀ペースト５０を硬化させ、配線パターン２００と半導体素子１０とを電気的に接続させる（硬化工程）。硬化工程は、例えば、高温槽内において銀ペースト５０を加熱することにより実施する。一例として、７５℃、２〜３．５時間程度の加熱により硬化する銀ペースト５０を用いることができる。また、硬化工程においては、半導体素子１０の自重により基板２０に発生する反りを抑制することを目的として、高温槽内に基板２０を縦の状態にして設置することができる。

硬化工程後、フレキシブル基板、カードホルダ３０及びカードホルダ３１、弾性部材３２等を複数の半導体素子１０及び基板２０の定められた位置に取り付ける（組み立て工程）。これにより、本実施の形態に係る放射線検出器１が製造される。

（実施の形態の効果）
本発明の実施の形態に係る放射線検出器１の製造方法は、両面テープ４０により半導体素子１０を基板２０に一時的に固定した状態で銀ペースト５０を硬化させるので、銀ペースト５０の硬化中に基板２０の反りに起因する半導体素子１０の基板２０からの剥がれを抑制することができる。また、画像処理で半導体素子１０の基板２０に対する位置を決めることができる自動マウント装置を用いて半導体素子１０を基板２０に仮固定することができる。したがって、特別な冶具を要することなく、例えば、半導体素子１０の間隔を０．１ｍｍ程度に制御しつつ、半導体素子１０同士が接触することを防止できる。これにより、放射線検出器１の製造工程中に半導体素子１０同士が接触することを抑制できるので、放射線検出器１の製造歩留りを向上させることができる。

また、本発明の実施の形態に係る放射線検出器１の製造方法は、厚さが薄く、撓み易く、反りが発生しやすい基板２０を用いる場合に特に有効である。薄い基板、例えば、０．４ｍｍ以下の厚さを有する基板２０を用いることにより不感領域を低減することができる。

また、本実施の形態に係る放射線検出器１の製造方法は、銀ペースト５０が硬化する前に、両面テープ４０に接触している半導体素子１０を基板２０側に押し付けることで、両面テープ４０の厚さを利用し、銀ペースト５０の厚さを仮固定工程と同時に高精度に制御することができる。したがって、温度変化等に起因し、銀ペースト５０により半導体素子１０中に発生する応力を制御することができるので、放射線検出器１の特性の低下を抑制することができる。

また、自動マウント装置を用いる場合、±０．０２ｍｍの位置精度で半導体素子１０を基板２０に配置することができる。これにより、高精度で半導体素子１０を基板２０に配置することができると共に、配置スピードを向上させることができる

［実施の形態の変形例］
図６は、本発明の実施の形態の変形例に係る放射線検出器の基板の一部を示す。

実施の形態の変形例に係る放射線検出器は、実施の形態に係る放射線検出器１とは基板２０に設けられる配線パターン２００の形状が一部異なる点を除き、実施の形態に係る放射線検出器１と略同一の構成及び機能を備える。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。

実施の形態の変形例に係る放射線検出器１の基板２１は、長手方向に略一定の幅を有する中央部２０２と、中央部２０２の両端のそれぞれに中央部２０２の幅より広い幅を有する端部２０４とを有する配線パターン２１０を備える。端部２０４は、両面テープ４０が貼り付けられる部分に設けられる。実施の形態の変形例では、配線パターン２１０が実施の形態の配線パターン２００より幅が広い端部２０４を有するので、両面テープ４０と配線パターン２１０との接触面積を増やすことができる。これにより、両面テープ４０の配線パターン２１０への粘着力を増大させることができる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

１ 放射線検出器
１０ 半導体素子
１０ａ 溝
１０ｂ、１０ｃ 素子表面
２０、２１ 基板
２２ 基板端子
２９ カードエッジ部
２９ａ パターン
３０、３１ カードホルダ
３２ 弾性部材
３４ 溝付穴
３６ 突起部
４０ 両面テープ
５０ 銀ペースト
６０ コレット
１００ 放射線
２００ 配線パターン
２０２ 中央部
２０４ 端部
２１０ 配線パターン

Claims (8)

1. 配線パターンと、前記配線パターンの表面に設けられる接続部材とを有する基板と、
   前記基板の一部に貼り付けられる粘着部材と、
   前記粘着部材を介して前記基板上に配置され、放射線を検出可能な半導体素子とを備え、
   前記接続部材が、前記配線パターンと前記半導体素子とを電気的に接続し、
   前記粘着部材が、前記基板の前記配線パターン上に貼り付けられ、前記粘着部材により前記配線パターンと前記半導体素子とが接着され、
   前記配線パターンは、前記放射線が入射する方向に延びる略長方形状を有し、前記粘着部材が、前記接続部材を挟んだ前記配線パターンの長手方向の端部のそれぞれに貼り付けられている放射線検出器。
2. 前記粘着部材が、基材と、前記基材の両面に設けられる粘着剤層とを有する両面テープである請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記接続部材の厚さと前記粘着部材の厚さとが一致する請求項１に記載の放射線検出器。
4. 前記配線パターンの長手方向の前記端部は、前記配線パターンの長手方向の中央部の幅より広い幅を有する請求項１に記載の放射線検出器。
5. 放射線を検出可能な半導体素子と電気的に接続するための、前記放射線が入射する方向に延びる略長方形状を有する配線パターンと、前記配線パターンの表面に設けられる接続部材とを有する基板を準備する基板準備工程と、
   粘着剤層を有する粘着部材を、前記接続部材を挟んだ前記配線パターンの長手方向の端部に貼り付ける貼り付け工程と、
   前記粘着部材を介して前記基板上に前記半導体素子を配置し、前記半導体素子を前記基板に一時的に固定する仮固定工程と、
   前記仮固定工程の後に前記接続部材を硬化させ、前記配線パターンと前記半導体素子とを電気的に接続させる硬化工程と
   を備える放射線検出器の製造方法。
6. 前記貼り付け工程が、前記基板の前記配線パターン上に前記粘着部材を貼り付け、前記粘着部材により前記配線パターンと前記半導体素子とを接着させる請求項５に記載の放射線検出器の製造方法。
7. 前記粘着部材が、基材と、前記基材の両面に前記粘着剤層を有する両面テープである請求項５に記載の放射線検出器の製造方法。
8. 前記仮固定工程が、前記半導体素子を前記基板側に向けて押し付けることにより前記接続部材の厚さを前記粘着部材の厚さに一致させる請求項５に記載の放射線検出器の製造方法。

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