CN110291424B - 直接转换化合物半导体切片结构 - Google Patents
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Abstract
根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。
Description
背景技术
在辐射成像中，采用基于直接转换化合物半导体的检测器和检测器阵列，以便将高能辐射，例如x射线光子，直接转换为电荷。它们通常由在电荷收集体(chargecollector)顶部直接生长的x射线光电导体层和读出层(如室温半导体)组成。这些检测器通常以由多个切片(tile)构成的阵列的形式使用，以便可以生成具有更高分辨率的更大图像尺寸。使用由每个具有相对小尺寸的切片构成的阵列的另一个原因是，直接转换化合物半导体的成本较高。
检测器的性能可能对于许多成像应用都是很重要的。线性、均匀性、稳定性和一致性都可与外围切片有关。对于许多应用，成像要求可能非常严格。具有直接转换化合物半导体层、集成电路(IC)层和基板层的切片的垂直堆叠可能会产生一些问题情况。例如，由IC产生的热量可能耦合到检测器上，并引入不期望的噪声和热变化。此外，切片的阵列要求相对于切片的准确和精确的定位。切片应该被仔细地定位到阵列中的正确位置，特别是相对于相邻的切片而言。此外，还需要维护由阵列构成的检测器，例如以防发生故障。
公开文本US2005/139757A1和US 2007/111567A1公开了可以被认为对理解背景技术有用的信息。
发明内容
本发明内容用于以简化的形式介绍选择出的一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本发明内容不意图确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不意图用于限制所要求保护主题的范围。
本发明的目的是提供直接转换化合物半导体切片结构。该目的是通过独立权利要求的特征实现的。一些实施例在从属权利要求中进行了描述。根据实施例，一种设备包括：直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。
其他实施例涉及包括根据所述设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。
参考以下具体实施方式并结合附图，许多所附特征将变得更加容易理解。
附图说明
本说明将根据附图从以下具体实施方式中更好地理解，其中：
将参照附图并根据以下具体实施方式而更好地理解本说明，其中：
图1示出根据实施例的显示了直接转换化合物半导体层、集成电路层、和具有肩部和滑动接触的基板层的切片的侧视截面示意图；
图2示出根据实施例的切片的示意图；
图3示出根据实施例的装配型架上的切片的阵列的一部分的示意图；
图4示出根据实施例的装配型架上的切片的阵列的示意图；
图5示出根据实施例的示出装配型架的检测器装配过程的侧视截面示意图；
图6示出根据实施例的示出在装配型架上的切片的检测器装配过程的侧视截面示意图；
图7示出根据实施例的示出具有附着装配型架和切片的互连印刷电路板组件(PCBA)的检测器装配过程的侧视截面示意图；
图8示出根据实施例的示出盖和PCBA的检测器装配过程的侧视截面示意图；
图9示出根据实施例的示出完整的检测器组件的检测器装配过程的侧视截面示意图；
图10示出根据实施例的显示用于接收切片的凹陷部的装配型架的俯视示意图；
图11示出根据实施例的显示用于将切片粘附到装配型架上的粘附带的装配型架的俯视示意图；
图12示出根据实施例的显示装配在凹陷部上并由粘附带粘附的切片的装配型架的俯视示意图；
图13示出根据实施例的显示装配在凹陷部上并由粘附带粘附的切片的阵列的装配型架的俯视示意图；以及
图14示出根据实施例的具有切片的检测器的截面的示意图。
在附图中相同的标号用于标明相同的部件。
具体实施方式
以下结合附图提供的具体实施方式旨在对实施例进行描述，并非意图代表可以构造或使用实施例的唯一形式。然而，相同或等效的功能和结构可通过不同的实施例来实现。
根据实施例，直接转换化合物半导体、集成电路(IC)和基板的各层形成切片。x射线检测器具有切片的阵列。切片的基板在与切片所附着的装配型架最接近的角部处具有凹陷部。因此，切片的截面侧视图形成T形，该T形的肩部作为所述凹陷部。该肩部允许从切片到该切片所组装到其上的装配型架的热路径。此外，基板的底表面包括滑动电接触点。当组装阵列时，可将切片准确地滑到装配型架上的适当位置，并且在滑动期间可以保持切片与装配型架的凹陷部之间的电接触。装配型架的凹陷部容纳切片，使得切片的底部进入装配型架的凹陷部，并且切片的肩部安置于装配型架的上表面上。
切片的陶瓷基板已经被构造为与装配型架接触。这还允许从切片到装配型架的读出电子元件的电接触。从侧视图看，陶瓷基板形成T形。T形的肩部允许从切片到装配型架下方的热控制冷却板的热路径。
通过使用具有低粘附力的胶水，将单个切片附着到装配型架。可替换地，例如如果需要更换切片，所使用的胶水可以被热软化。替代胶水，也可使用双面低粘附胶带。粘附力较低，使得例如出于维护目的，以后可以从阵列拆除单个切片。
实施例使得能够实现检测器阵列的维护和返工(rework)，例如在单个或多个切片故障的情况下。在不损害整个阵列功能性的情况下，可以更换出故障的单个切片。通常的自动冲模粘附阵列不能容易地或者根本不能返工，这样导致对整个检测器阵列组件造成昂贵的废料。
在装配阶段的滑动电接触使得阵列中每个切片能够相对于彼此高精度定位。例如，针对在阵列中定位切片，可以达到+/-5微米(um)的公差。切片可以在相对于彼此边缘的标称距离为20um的情况下装配。此外，切片的肩部使切片能装配到装配型架中。它们还被配置作为将热量从切片传导到装配型架的热路径。因此，可以改进检测器平面的热管理。此外，切片的电子元件与其上附着装配型架的印刷电路板组件的读出电子元件之间的距离较短，因此电气噪声最小化。
可模块化地制造检测器阵列的工业规模组件，并且可模块化地设计和制造检测器阵列。阵列中的切片的装配公差以及切片的热管理可被改进。
尽管本实施例在本文中可以描述和图示为在直接转换化合物半导体中实现，但这仅是示例实施方式而不是限制。本领域技术人员将理解，本发明的实施例适合应用于各种不同类型的检测器半导体晶体，如碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CdZnTe)等。
图1示出根据实施例的在z轴(图1未示出)方向上的切片100的截面侧视示意图，示出了直接转换化合物半导体层101、集成电路(IC)层102、和具有凹陷部104和滑动电接触117的基板层103。
直接转换化合物半导体层101也可称为检测器半导体晶体或化合物半导体。其被构造为将诸如x射线光子之类的高能辐射转换成可被检测到的对应的电流。化合物半导体层101是切片100的最上层。化合物半导体层101接收x射线辐射118。应当注意的是，可以不是接收x射线，而是接收伽马射线辐射。在化合物半导体层101下方有IC层102。IC层102可以是专用集成电路(ASIC)。ASIC可包括微处理器、包含ROM、RAM、EEPROM、闪速存储器的存储器块、模拟-数字转换器(ADC)和其他大型构件块。这种ASIC通常被称为SoC(片上系统)。它可以使用诸如Verilog或VHDL之类的硬件描述语言(HDL)来配置，以描述ASIC的功能性。代替ASIC，也可使用现场可编程门阵列(FPGA)作为可编程逻辑块和可编程互连，以允许同一FPGA在很多不同的应用中使用。最下层是基板层103。基板(也称为晶片)可以是固体(通常是平面)的物质，在其上涂覆另一物质的层，并在该层上粘附第二物质。基板103可以是如陶瓷等材料的薄片。这些用作其上沉积诸如晶体管、二极管之类的IC电子器件、特别是集成电路(IC)的基础。
基板103包括在最接近装配型架的最下角部处的凹陷部104。基板层103也可称为陶瓷基板。切片100的截面的侧视图形成T形，其中凹陷部104表现为肩部。陶瓷基板103被加工，以形成肩部位于切片100的两相对侧部上的T形。例如如图3所示，凹陷部104使切片100能装配到装配型架中。凹陷部104能够改善热传导性，因为紧邻凹陷部104的基板层103的材料被配置为将热量从切片100传导到装配型架的热路径。根据实施例，基板层103可包括热导体，例如铜线，所述热导体可配置到所述肩部。从切片100开始的热传导性主要是经由紧邻凹陷部104的材料配置到装配型架。例如，热量可从IC层102传导出。凹陷部104的宽度可以是1.3mm-1.5mm，而切片100的总宽度和总长度为10mm x 10mm。应当注意的是，这些只是示例性措施，也可使用其他措施雕刻凹陷部104。
基板层103包括滑动电接触117。滑动电接触117配置在基板103的底部。滑动电接触117与具有弹性受力的电接触的装配型架接触。因此，当将切片100插入装配型架的凹陷部时，切片100可以滑动。切片100可以以+/-100um的公差滑动。这使得甚至在阵列中初始放置切片之后也能够非常精确地在阵列中进一步定位切片100。滑动电接触117可以是形状为矩形、方形、扁平、半椭圆形、半圆形、椭圆形或圆形的导电表面。例如，滑动电接触117可被焊接到切片100的底部上。滑动电接触117连接到基底板，该基底板可以弹性地受力进入滑动电接触117。IC层102的电子元件经由基板层103连接到滑动电接触117。
图2示出根据实施例的切片100的示意图。图2示出与图1的实施例类似的切片；然而，图2示出切片100的透视图。凹陷部104被示为在y轴方向(图2中未示出)上沿着切片100的长度延伸。凹陷部104被配置在切片100的两相对侧部和这些侧部的最下角部处。正侧部和后侧部没有凹陷部，而基本上是平坦的。虽然，图2示出凹陷部104被配置在两相对侧部处，并且前后侧部是平坦的，但是凹陷部104也可以被配置到切片100的所有侧部，也包括正侧部和后侧部。
化合物半导体101、IC102和基板103形成切片100。一个切片具有像素阵列，且每个像素在检测器中的数字成像中对应于化合物半导体上的信号焊盘。检测器具有切片100的阵列(可替换地称为矩阵)。
图3示出根据实施例的位于装配型架105上的切片100的阵列的一部分的示意图。切片100被组装到装配型架105的凹陷部106中。凹陷部106沿y轴方向伸长。切片100即使当它插入凹陷部106时也可以滑动。这对于x轴和/或y轴方向都是可行的。根据实施例，切片100可以在x轴和y轴两个方向上都滑动+/-100um。凹陷部106被配置为接收切片100的底部和凹陷部104，使得当切片100插入凹陷部106时，凹陷部104安置于装配型架105的表面上。切片100可在凹陷部内沿与凹陷部106的宽度相对应的x轴和/或y轴方向滑动约100um。凹陷部106被配置为容纳切片100的T形。
图4示出根据实施例的位于装配型架105上的切片100的阵列的示意图。在图4中示出切片100的阵列的实施例。应当注意的是，阵列的切片100的数量和阵列的形状可以不同。例如，可以有多于或少于九个切片100。尽管图4示出正方形，阵列形状也可以是矩形、椭圆形或圆形。图中还显示了切片100之间的间隙119。可以以合理的精度组装间隙119以及由此在相邻的切片100之间形成的距离。可以获得恒定和特定级别的距离。这可以改善数字成像，并且几乎不需要数字图像校正。
图5示出根据实施例的检测器组装过程的截面侧视示意图，示出了装配型架105。在装配型架105中制造凹陷部106。例如，凹陷部106可以通过雕刻工具雕刻在装配型架105中。检测器制造过程可以从在装配型架105中制造凹陷部106开始。
图6示出根据实施例的检测器组装过程的截面侧视示意图，示出了在装配型架105上的切片100。切片100被组装到装配型架105上。切片100的基板103被插入装配型架105的凹陷部106中。切片100的截面T形装配到凹陷部中，使得切片100的底部进入凹陷部106，并且肩部(切片100的凹陷部104)安置于装配型架105的上表面。当插入时，切片100可以相对于该切片阵列和任何相邻的切片100，在x轴和y轴方向上精确定位。因此，可以精确地管理和适当地控制该切片阵列中的切片100之间的间隙119。此外，切片的肩部被热耦合到装配型架105，使得它们有效地将热量从切片100传导到装配型架105。
图7示出根据实施例的检测器组装过程的截面侧视示意图，示出了具有装配型架105和切片100附着其上的互连印刷电路板组件(PCBA)108。PCBA 108用作更大的装配板，将装配型架105组装到更大的装配型架中。此外，图7示出连接器107。连接器107将滑动电接触117从切片100电连接到装配型架105。连接器107可受力以与电接触117接触，例如连接器107是弹簧加载的SMD连接器。因此，即使当切片100的底部与凹陷部106的底部之间的距离有很小的变化时，连接器107仍保持与滑动接触117的连接。此外，即使切片沿x轴和y轴滑动，连接器107仍然保持与滑动连接器117接触。当切片100在凹陷部106中被重新定位时，连接器107的端部在滑动连接器117的表面上滑动。
图8示出根据实施例的检测器组装过程的截面侧视示意图，示出了装配盖120和PCBA108。装配型架105的一端包括被热和电绝缘框架110包围的弹簧加载的弹性针(pogoneedle)109。另一端包括不具有针109的框架110。针109附着于PCBA 108。框架110被配置在装配型架105和PCBA 108之间。框架110被构造为对装配型架105和切片100的端部进行热和电绝缘。尽管图8中仅示出一个针109，应当理解的是，可以有几个针，例如三个。图8示出装配盖120。装配盖120包括在盖120的端部处的导热框架111。如图9所示，当组装盖120，导热框架111连接到PCBA 108上并附着于其上。盖120包括导热膜113。膜113被配置在框架111下方，并与框架111热连接。膜113和框架111有效地将从切片100发出的热量传导到PCBA 108。导电膜112被配置在导热膜112上。导电膜112可连接到直接转换化合物半导体101和弹性针109。盖120包括保护检测器并覆盖检测器表面的碳纤维板114。板114和膜113、112对x射线辐射的影响可相对小，因此，例如碳纤维板114可被最小化到0.5-1.0mm(最大2mm)的比例。因此，选择板114和膜113、112的尺寸和配置，以使辐射穿过它们并进入半导体层101。
图9示出根据实施例的检测器组装过程的截面侧视示意图，示出了完成的组件200。盖120已经被组装到PCBA 108。导电膜112接触切片100和针109。此外，热框架111接触PCBA 108以及框架110的侧部。
图10示出根据实施例的装配型架105的俯视示意图，示出了用于接收切片100的凹陷部106。装配型架105包括细长凹陷部106。图10的实施例示出3个凹陷部106，但是应当注意的是，凹陷部的数量可根据切片阵列而变化。凹陷部106是平行的。凹陷部106被放置为彼此之间有一定的距离。凹陷部106的底部包含连接107(图10中未示出)。凹陷部106的宽度略大于基板层101的底部的宽度。凹陷部106的长度被设为适合将几个切片100组装到同一个凹陷部106中。凹陷部106的深度被设为使得基板层103的底部进入凹陷部106，并且凹陷部104的肩部与装配型架105的表面接触。
图11示出根据实施例的装配型架105的俯视示意图，示出了用于将切片100附着到装配型架105上的粘附带115。粘附带115被应用于装配型架105的表面上。带115与凹陷部106的形状相符，使得它们在装配框架105的表面上伸长并紧邻凹陷部106放置。在凹陷部106之间，带115可填充表面的整个区域。当没有相邻的凹陷部106时，带115可填充具有与凹陷部106之间的带115的区域大致相同尺寸的区域。带115也可延伸超越凹陷部106的两端。根据实施例，带115可用胶带制成。根据另一实施例，可以用胶水代替胶带。粘附带115可以导热和/或导电。带115的对于单个切片100的粘附力设为使得可以从阵列和装配型架105拆除切片100，而不会破坏或损坏切片100。该粘附将切片100牢固地附着在装配型架105上，然而即使是整个阵列的单个切片100也可以被拆除而不会破坏或损坏任何切片100。因此，阵列的维护很简单而且成本很低，因为如果单个切片100或几个切片100出现故障，不需要替换整个切片100的阵列。
图12示出根据实施例的装配型架105的俯视示意图，示出了组装到凹陷部106上并通过粘附带115附着的切片100。切片100可以逐一地组装到装配型架105上。图12示出第一切片100的组装，仅作为演示的目的，该第一切片100被置于顶部和最右侧的角部。然而，它也可以放置在阵列的不同位置。
图13示出根据实施例的装配型架105的俯视示意图，示出了组装到凹陷部106上并通过粘附带115附着的切片100的阵列。凹陷部106在图13中未示出，除了在y轴方向上的两个切片100之间。虽然该阵列有3*3个切片100，但是也可以使用其他种类的设计。例如，可由切片100构成矩形、椭圆形或圆形阵列形状，而不是如图13所示的正方形。
图14示出根据实施例的具有切片100的阵列的检测器200的截面的示意图。x射线辐射118从源(图14未示出)发射出。要通过x射线辐射118检测和检查的物体300被示为位于辐射源和检测器200之间。检测器200包括在检测器200的(例如在x轴方向上的)截面中具有九个切片100-100_8的阵列。
图14示出包括具有T形截面的切片100的检测设备200。切片100滑动地组装到装配型架105的凹陷部106中。根据实施例，装配型架105具有粘附带115以将切片100附着到框架105。该设备200可以是用于检测物体300的成像系统的一部分，包括这些实施例中的任一实施例中描述的切片100。所述系统可以应用于例如医学成像、安保成像和/或工业成像。
在不失去所追求的效果的情况下，本文所给出的任何范围或设备值都可以扩展或更改。此外，除非明确禁止，任何实施例可以与另一实施例组合。
虽然已经用具体到结构特征和/或动作的语言描述了主题，但是应当理解的是，不应将所附权利要求中定义的主题限制到上述的具体特征或动作。相反，上述的具体特征和动作是作为实施权利要求的示例被公开的，并且意图将其他等效的特征和动作包含在权利要求的范围内。
实施例涉及一种设备，包括被构造为将x射线光子转换成电流的直接转换化合物半导体层；以及集成电路(IC)层，紧邻与直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。
可替换地或除以上之外额外地，所述凹形部被配置到基板的截面的最低角部。可替换地或除以上之外额外地，凹形部被构造为相对于具有直接转换化合物半导体层、IC层和基板层的设备的截面而形成T形。可替换地或除以上之外额外地，与凹形部紧邻的基板层的材料包括导热材料。可替换地或除以上之外额外地，还包括装配型架，其中装配型架包括凹陷部，每个凹陷部被构造为接收基板层的最下部分以使其处于与凹陷部相同的水平面，并且位于凹陷部上方的基板的上部安置于装配型架的表面上。可替换地或除以上之外额外地，该装配框架还包括凹陷部的底部处的弹性力加载的电连接，其中弹性力加载的电连接被构造为当基板的最下部分进入装配型架的凹陷部并且基板的上部安置于装配型架的表面上时，与滑动电接触进行接触。可替换地或除以上之外额外地，当所述设备沿x轴和y轴方向滑动时，可以保持基板层的滑动电接触与弹性力加载的电连接之间的接触。可替换地或除以上之外额外地，装配型架还包括在框架的顶部表面上紧邻凹陷部的细长粘附带。可替换地或除以上之外额外地，安置于粘附带上的基板层的凹陷部的表面粘附到粘附带。可替换地或除以上之外额外地，粘附带的粘附力低，使得可在不损坏任意层和装配型架的情况下拆除基板层。可替换地或除以上之外额外地，直接转换化合物半导体层包括碲化镉或碲化镉锌。
根据实施例，设备包括切片。可替换地或除以上之外额外地，切片可以滑动以相对于至少一个相邻切片定位该切片。
根据实施例，检测器包括根据以上的切片阵列。根据另一实施例，成像系统包括x射线源；根据以上的检测器。
应当理解的是，上述益处和优点可能与一个实施例有关，或者可能与多个实施例有关。实施例不限于解决任何或所有已述问题的实施例，也不限于具有任何或所有已述益处和优点的实施例。还应当理解的是，对“一”物品项的引用涉及一个或多个所述物品项。
本文所述方法的步骤可以按任何适当的顺序执行，也可以在适当的情况下同时执行。额外地，在不偏离本文所述主题的精神和范围的情况下，可以从任何方法中删除个别块。上述任何实施例的方面均可与所描述的任何其他实施例的方面相结合，以形成进一步实施例而不失去所追求的效果。
术语“包括”在本文中意指包括所标识的方法、块或元素，但是这些块或元素不包括排他性的列表，并且方法或装置可包含其他块或元素。
应当理解的是，以上描述仅以示例形式给出，并且本领域技术人员可以做各种修改。上述说明、实施例和数据提供了示例性实施例的结构和使用的完整描述。尽管上文已经以一定程度的特定性或者参考一个或多个个别的实施例而描述了各种实施例，本领域技术人员可以在不偏离本说明书的精神或范围的情况下对公开的实施例进行多种变型。
Claims (14)
1.一种基于直接转换化合物半导体的设备，包括：
直接转换化合物半导体层（101），被构造为将x射线或伽马射线光子转换成电流；
集成电路（IC）层（102），设置为相对于z轴紧邻所述直接转换化合物半导体层，并且被构造为接收所述电流并处理所述电流；以及
基板层（103），设置为相对于所述z轴紧邻所述集成电路层，并且被构造为传导从所述集成电路层发射出的热量；其中所述基板层包括位于所述基板层的截面的下方角部处的凹陷部（104）；以及其中所述基板层进一步包括位于所述下方角部之间的滑动电接触（117），所述滑动电接触经由所述基板层而连接至所述集成电路层，以接收处理后的电流；
所述设备还包括装配型架（105），其中所述装配型架包括附加的凹陷部（106），每个附加的凹陷部被构造为接收处于与所述附加的凹陷部相同的水平面的所述基板层的最下部分，并且位于所述附加的凹陷部上方的所述基板层的上部安置于所述装配型架的表面上。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述凹陷部被配置到所述基板层的所述截面的最下角部。
3.如权利要求1或2所述的设备，其中所述凹陷部被构造为对于具有所述直接转换化合物半导体层、所述集成电路层和所述基板层的所述设备的截面而言形成T形。
4.如权利要求1或2所述的设备，其中与所述凹陷部紧邻的所述基板层的材料包括导热材料。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述装配型架还包括位于所述附加的凹陷部的底部处的弹性力加载的电连接（107），
其中所述弹性力加载的电连接被构造为当所述基板层的所述最下部分进入所述装配型架的所述附加的凹陷部并且所述基板层的所述上部安置于所述装配型架的所述表面上时，与所述滑动电接触进行接触。
6.如权利要求5所述的设备，其中当所述设备沿x轴和y轴方向滑动时，能够保持所述基板层的所述滑动电接触与所述弹性力加载的电连接之间的所述接触。
7.如权利要求1或2所述的设备，其中所述装配型架还包括在所述装配型架的顶部表面上与所述附加的凹陷部紧邻的细长粘附带（115）。
8.如权利要求7所述的设备，其中安置于所述粘附带上的所述基板层的所述凹陷部（104）的表面粘附到所述粘附带。
9.如权利要求7所述的设备，其中所述粘附带的粘附力低，使得可在不损坏任意层和所述装配型架的情况下拆除所述基板层。
10.如权利要求1或2所述的设备，其中所述直接转换化合物半导体层包括碲化镉或碲化镉锌。
11.如权利要求1或2所述的设备，其中所述设备包括切片。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述切片能够滑动以相对于至少一个相邻的切片定位所述切片。
13.一种检测器，包括根据权利要求11或12所述的设备的所述切片的阵列。
14.一种成像系统，包括：
高能辐射源；
根据权利要求13所述的检测器。
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