JP5600722B2 - 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 - Google Patents

放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体放射線検出素子を用いた放射線検出器、放射線検出装置、及びX線分析装置に関する。
X線等の放射線を検出する放射線検出器には、SDD(Silicon Drift Detector)等の半導体放射線検出素子を用いて放射線を検出するものがある。半導体放射線検出素子は、検出感度を高くするために、冷却して使用されることがある。冷却には例えばペルチェ素子が用いられる。ペルチェ素子を用いた放射線検出器は、基礎となる金属製のステムにペルチェ素子の放熱側が接合され、半導体放射線検出素子を実装した配線基板がペルチェ素子の吸熱側に接合され、全体を金属製のカバーで密封したパッケージ状に構成されている。パッケージの内部は、減圧されているか又は不活性ガスが充填されている。放射線検出器は、信号を入出力するための複数のリードピンを備えており、夫々のリードピンの先端と配線基板とがワイヤボンディングで接続されている。このような構成の放射線検出器は、特許文献1に記載されている。
特開2000−138393号公報
従来の放射線検出器では、複数のリードピンの先端と配線基板とをワイヤボンディングで接続する作業が困難であり、生産性が低く、また接続の信頼性が低いという問題があった。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、配線基板とリードピンとの接続方法を改善することにより、生産性及び信頼性が向上し、多くの部品の搭載が可能とした上で小型化が可能になった放射線検出器、放射線検出装置、及びX線分析装置を提供することにある。
本発明に係る放射線検出器は、半導体放射線検出素子と、該半導体放射線検出素子を冷却するための電子冷却部と、前記半導体放射線検出素子を外部と接続するための複数のリードピンとを備える放射線検出器において、前記半導体放射線検出素子を実装しており、前記電子冷却部の吸熱側に熱的接触している第1配線基板と、前記電子冷却部に熱的接触しておらず、前記第1配線基板から離隔した第2配線基板とを備え、前記第2配線基板に前記複数のリードピンが接合しており、前記第1配線基板及び前記第2配線基板は電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記第2配線基板は、前記第1配線基板の面を含む平面から離隔しており、前記平面を境にして前記半導体放射線検出素子とは反対側に配置されていることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記第2配線基板の一面に前記複数のリードピンの先端が接合していることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記第2配線基板はキャパシタを搭載してあることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出装置は、検出した放射線のエネルギーに応じた信号を出力する本発明に係る放射線検出器と、該放射線検出器が出力した信号に基づいて、前記放射線のスペクトルを生成する手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係るX線分析装置は、試料へ放射線を照射する手段と、試料から発生した特性X線を検出する本発明に係る放射線検出装置とを備えることを特徴とする。
本発明においては、放射線検出装置及び蛍光X線分析装置に用いられる放射線検出器は、半導体放射線検出素子を実装して電子冷却部で冷却される第1配線基板と、第1配線基板から離隔した第2配線基板とを備える。第2配線基板には複数のリードピンが接合され、第1配線基板及び第2配線基板はワイヤボンディングされている。リードピンの第2配線基板への接合と第1配線基板及び第2配線基板の間のワイヤボンディングとにより、半導体放射線検出素子が外部に接続される。
また、本発明においては、放射線検出器は、第1配線基板の面を含む平面よりも離隔して、当該平面に対して半導体放射線検出素子とは反対側に第2配線基板を配置してある。半導体放射線検出素子が他の部分よりも測定対象物へ近づいた構成となっている。
また、本発明においては、第2配線基板の一面に複数のリードピンの先端が電気的・物理的に接合されている。接合の作業が容易であり、複数のリードピンが第2配線基板に固定される。
また、本発明においては、第1配線基板から離隔した第2配線基板がキャパシタを搭載することにより、システムピークの原因になり得るキャパシタが半導体放射線検出素子から離隔される。
本発明にあっては、従来よりも接続の作業が容易であり、生産性及び信頼性の高い放射線検出器が実現される。また、放射線検出器の小型化が可能であり、放射線の測定対象へ放射線検出器を近づけて放射線の検出効率を向上させることができる等、本発明は優れた効果を奏する。
蛍光X線分析装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態1に係る放射線検出器の模式的斜視図である。 実施の形態1に係る放射線検出器の模式的分解斜視図である。 カバーを外した実施の形態1に係る放射線検出器の模式的正面図である。 カバーを外した実施の形態1に係る放射線検出器の模式的平面図である。 図5のVI−VI線の模式的断面図である。 カバーを外した実施の形態2に係る放射線検出器の模式的平面図である。 実施の形態2に係る放射線検出器の模式的分解正面図である。 カバーを外した実施の形態3に係る放射線検出器の模式的平面図である。 実施の形態3に係る放射線検出器の模式的分解正面図である。
以下本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
(実施の形態1)
図1は、蛍光X線分析装置の構成を示すブロック図である。蛍光X線分析装置は、試料SにX線を照射するX線源12と、試料Sが載置される試料台13と、本実施の形態に係る放射線検出器11とを備えている。図1中には、試料台13及び試料Sの断面を示している。X線源12、試料台13及び放射線検出器11は、X線を遮断するための図示しない筐体内に配置されている。X線源12は例えばX線管である。X線源12から試料SへX線が照射され、試料Sでは蛍光X線が発生し、放射線検出器11は試料Sから発生した蛍光X線を検出する。図1中には、X線源12から試料Sへ照射されるX線、及び試料Sで発生して放射線検出器11に検出される蛍光X線を矢印で示している。放射線検出器11は、検出した蛍光X線のエネルギーに比例した信号を出力する。放射線検出器11には、出力した信号を処理する信号処理部14が接続されている。信号処理部14は、放射線検出器11が出力した各値の信号をカウントし、蛍光X線のエネルギーとカウント数との関係、即ち蛍光X線のスペクトルを取得する処理を行う。放射線検出器11及び信号処理部14の組み合わせは、本発明における放射線検出装置に対応する。蛍光X線分析装置は、本発明におけるX線分析装置に対応し、放射線検出装置は特性X線として蛍光X線を検出する。信号処理部14は、分析部15に接続されている。分析部15は、パーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、信号処理部14が生成した蛍光X線のスペクトルに基づき、試料Sの組成の定性分析又は定量分析を実行する。
図2は、実施の形態1に係る放射線検出器11の模式的斜視図であり、図3は、実施の形態1に係る放射線検出器11の模式的分解斜視図である。放射線検出器11の大部分の部品は、円盤状のステムベース21の表面側に設けられている。ステムベース21は、放射線検出器11の基礎となる部材であり、金属で形成されている。ステムベース21の表面には、ペルチェ素子(電子冷却部)5が配置され、ペルチェ素子5には第1配線基板41が接触している。第1配線基板41の表面には半導体放射線検出素子44が実装されており、半導体放射線検出素子44の表面にはコリメータ45が配置されている。半導体放射線検出素子44は、例えばSDDである。また、ペルチェ素子5には接触しない位置に、第2配線基板42が配置されている。ステムベース21の裏側には、ボルト22が突出している。ボルト22には、図示しないねじ溝が形成されており、放射線検出器11を固定するために利用される。例えば、ボルト22は、放射線検出器11外の放熱板に連結される。また、ステムベース21を貫通して、電力の供給及び信号の入出力のための複数のリードピン23が設けられている。
ステムベース21の表面側には、カバー31が被さっている。ステムベース21の表面、リードピン23のステムベース21の表面側に突出した部分、ペルチェ素子5、第1配線基板41、第2配線基板42、半導体放射線検出素子44及びコリメータ45は、カバー31に覆われている。カバー31は、円筒の一端に切頭円錐が連結した形状になっており、円筒の他端はステムベース21に接触して密封されている。カバー31の先端の切頭部分には、ベリリウム等のX線を通過させる材料で形成された窓部32が設けられている。窓部32は、放射線検出器11及びコリメータ45に対向している。カバー31の内側は、密閉されており、減圧されているか、又は不活性ガスが充填されている。
図4は、カバー31を外した実施の形態1に係る放射線検出器11の模式的正面図、図5は、カバー31を外した実施の形態1に係る放射線検出器11の模式的平面図、図6は、図5のVI−VI線の模式的断面図である。ステムベース21の表面には、ペルチェ素子5の放熱部分52が熱的接触している。例えば、放熱部分52は、はんだ等の熱伝導性接着剤でステムベース21の表面に接合されている。ステムベース21の表面と放熱部分52との間には、その他の伝熱性部材が設けられてあってもよい。ペルチェ素子5の吸熱部分51には、第1配線基板41の裏面が熱的接触している。例えば、第1配線基板41の裏面は、吸熱部分51に熱伝導線接着剤で接着されている。第1配線基板41の裏面と吸熱部分51との間には、その他の伝熱性部材が設けられてあってもよい。第1配線基板41は、ステムベース21の表面にほぼ平行になっている。
第1配線基板41の表面には、半導体放射線検出素子44が実装されている。第1配線基板41には、半導体放射線検出素子44以外の部品の内、冷却が必要な部品が設けられている。例えば、プリアンプが第1配線基板41に設けられている。半導体放射線検出素子44は、第1配線基板41を通じて、ペルチェ素子5によって冷却される。熱はペルチェ素子5の放熱部分52からステムベース21へ伝わり、ステムベース21を通じてボルト22から外部へ放熱される。半導体放射線検出素子44の表面に配置されたコリメータ45には、貫通孔が形成されている。窓部32を通過した蛍光X線は、コリメータ45の貫通孔を通って半導体放射線検出素子44へ入射する。
ペルチェ素子5の周囲には、ペルチェ素子5から離隔して、ステムベース21を貫通した複数のリードピン23が立設されている。複数のリードピン23は、ほぼ平行になっており、ステムベース21からは電気的・熱的に絶縁されている。また、ペルチェ素子5を囲むように、平面視で環状の第2配線基板42が配置されている。第2配線基板42は、表面に平行な方向にペルチェ素子5及び第1配線基板41から離隔しており、第1配線基板41の表面に直行する方向に重ならない位置に配置されている。ペルチェ素子5から離隔しているので、第2配線基板42はペルチェ素子5によって冷却されない。第2配線基板42には、冷却の必要が無い部品が設けられている。例えば、静電気対策用のキャパシタが第2配線基板42に設けられている。また、図4及び図6に示すように、第2配線基板42は第1配線基板41よりもステムベース21の表面に近い位置に配置されており、第1配線基板41はステムベース21の表面から第2配線基板42よりも突出している。このため、第1配線基板41と第2配線基板42との位置関係は、第1配線基板41の表面を含む平面から第2配線基板42が離隔しており、第1配線基板41の表面を含む平面を境にして第2配線基板42と半導体放射線検出素子44とが互いに反対側に配置された位置関係となっている。
第2配線基板42には、複数のリードピン23が接合されている。より詳しくは、第2配線基板42に形成された配線とリードピン23とが導通できるように、はんだ付け等の方法により、複数のリードピン23の先端が第2配線基板42の裏面に接合している。このようにして、複数のリードピン23が第2配線基板42に物理的に連結されると共に、複数のリードピン23及び第2配線基板42が電気的に接続されている。なお、複数のリードピン23は、先端が第2配線基板42を突き抜けるようにして第2配線基板42に接合されていてもよい。
また、第1配線基板41と第2配線基板42との間は、複数のワイヤ43を介したワイヤボンディング等により接続されている。このため、半導体放射線検出素子44は、第1配線基板41、複数のワイヤ43、及び第2配線基板42を通じて、複数のリードピン23に接続されている。複数のリードピン23は、放射線検出器11外の図示しない電源及び信号処理部14等に接続されている。半導体放射線検出素子44には、複数のリードピン23を介して、動作に必要な電圧が放射線検出器11外から印加される。また、半導体放射線検出素子44は、入射した蛍光X線のエネルギーに応じた信号を出力する。半導体放射線検出素子44が出力した信号は、第1配線基板41に実装されたプリアンプによって増幅され、複数のリードピン23から信号処理部14へ出力される。
また、ステムベース21の表面には、ゲッター46が設けられている。ゲッター46は、二つのリードピン23に接続されている。ゲッター46は、リードピン23を通じて電流を供給された場合に、カバー31に密封された気体に含まれる水分などの不純物ガスを吸着させる。ゲッター46が気体中の不純物を吸着させるので、ペルチェ素子5によって効率的に半導体放射線検出素子44が冷却される。
以上詳述した如く、本実施の形態においては、放射線検出器11は、半導体放射線検出素子44を実装してペルチェ素子5で冷却される第1配線基板41と、第1配線基板41から離隔した第2配線基板42とを備える。第2配線基板42には複数のリードピン23が接合されており、第1配線基板41及び第2配線基板42はワイヤボンディングされている。複数のリードピン23と第2配線基板42との接合による接続、並びに第1配線基板41と第2配線基板42とのワイヤボンディングは、従来のリードピンの先端へのワイヤボンディングに比べて、接続の作業が容易であり、生産性が高い。また、複数のリードピン23が接合した第2配線基板42に対してワイヤボンディングを行うので、個々のリードピンに対してワイヤボンディングを行う従来の技術に比べて、ワイヤボンディングの作業の際に超音波の逃げが無く、信頼性の高い接続が可能となる。また、冷却の必要が無い部品を実装した第2配線基板42を第1配線基板41とは別に設けたので、半導体放射線検出素子44を含む冷却が必要な部品を設けた第1配線基板41を集中してペルチェ素子5で冷却することができ、ペルチェ素子5を小型化することも可能となる。第2配線基板42に冷却の必要が無い多くの部品を搭載することが可能である一方で、第1配線基板41は従来の配線基板よりも小さく、ペルチェ素子5を小型化することもできるので、従来よりも放射線検出器11を小型化することが可能となる。放射線検出器11が小型化したことで、放射線検出器11を試料Sへ従来よりも近づけることが可能となり、放射線検出装置での放射線の検出効率が向上し、蛍光X線分析装置での分析の精度が向上する。
また、本実施の形態においては、第1配線基板41は、ステムベース21の表面から第2配線基板42よりも突出して配置されている。第1配線基板41と第2配線基板42とを分離してあるので、第1配線基板41を突出させることが可能である。半導体放射線検出素子44を含む最小限の部品を設けた第1配線基板41を突出させることで、半導体放射線検出素子44をほとんどの他の部分よりも突出させて、半導体放射線検出素子44がより試料Sに近づくような構成とすることができる。半導体放射線検出素子44が試料Sに近づくことにより、放射線検出装置での放射線の検出効率が向上し、蛍光X線分析装置での分析の精度が向上する。また、本実施の形態においては、キャパシタ等の冷却の必要が無い部品を実装した第2配線基板42が第1配線基板41から離隔されているので、第2配線基板42自体又は第2配線基板42に実装された部品で発生した蛍光X線が半導体放射線検出素子44へ入射してシステムピークが発生する可能性が低下する。このため、高い精度での蛍光X線の検出が可能である。
(実施の形態2)
図7は、カバー31を外した実施の形態2に係る放射線検出器11の模式的平面図、図8は、実施の形態2に係る放射線検出器11の模式的分解正面図である。ステムベース21は、方形平板状になっている。ステムベース21の表面にペルチェ素子5の放熱部分52が熱的接触し、半導体放射線検出素子44を実装した第1配線基板41がペルチェ素子5の吸熱部分51に熱的接触している。第2配線基板42は、平面視でU字状に形成されており、平面視で第1配線基板41の三方を囲う位置に配置されている。ペルチェ素子5の周囲には、ステムベース21を貫通した複数のリードピン23が立設されており、複数のリードピン23が第2配線基板42に接合している。第1配線基板41と第2配線基板42との間は、複数のワイヤ43を介してワイヤボンディングされている。平面視で第1配線基板41の周囲の内、第2配線基板42に囲われていない部分には、ゲッター46が配置されている。ゲッター46は、二つのリードピン23に接続されている。ステムベース21の表面、リードピン23のステムベース21の表面側に突出した部分、ペルチェ素子5、第1配線基板41、第2配線基板42、半導体放射線検出素子44、コリメータ45及びゲッター46は、カバー31に覆われている。カバー31は、四角筒の一端に切頭四角錐が連結した形状になっており、四角筒の他端はステムベース21に接触して密封されている。カバー31の先端には、窓部32が設けられている。
本実施の形態においても、第2配線基板42には複数のリードピン23が接合されており、第1配線基板41及び第2配線基板42はワイヤボンディングされている。このため、実施の形態1と同様に、従来に比べて、ワイヤボンディングのための作業が容易であり、生産性が高く、また、接続の信頼性が高い。また、同様に、従来よりも放射線検出器11を小型化することが可能となる。
(実施の形態3)
図9は、カバー31を外した実施の形態3に係る放射線検出器11の模式的平面図、図10は、実施の形態3に係る放射線検出器11の模式的分解正面図である。ステムベース21は、平面視で長方形の平板状になっている。第2配線基板42は平面視で矩形に形成されており、第1配線基板41及び第2配線基板42は、平面視でステムベース21の長手方向に並んで配置されている。ステムベース21の表面の一部にペルチェ素子5の放熱部分52が熱的接触し、半導体放射線検出素子44を実装した第1配線基板41がペルチェ素子5の吸熱部分51に熱的接触している。ステムベース21を貫通した複数のリードピン23がステムベース21の長手方向に複数列で並んで立設されており、複数のリードピン23が第2配線基板42に接合されている。第1配線基板41と第2配線基板42との間は、複数のワイヤ43を介してワイヤボンディングされている。第1配線基板41は、ステムベース21の表面から第2配線基板42よりも突出している。ステムベース21の表面の内、平面視で第2配線基板42の隣に位置する部分には、ゲッター46が配置されている。ゲッター46は、二つのリードピン23に接続されている。ステムベース21の表面、リードピン23のステムベース21の表面側に突出した部分、ペルチェ素子5、第1配線基板41、第2配線基板42、半導体放射線検出素子44、コリメータ45及びゲッター46は、カバー31に覆われている。カバー31の端はステムベース21に接触して密封されている。カバー31の第1配線基板41に対向する部分は、切頭錐状になっており、先端に窓部32が設けられている。
本実施の形態においても、第2配線基板42には複数のリードピン23が接合されており、第1配線基板41及び第2配線基板42はワイヤボンディングされている。このため、実施の形態1と同様に、従来に比べて、ワイヤボンディングのための作業が容易であり、生産性が高く、また、接続の信頼性が高い。また、同様に、半導体放射線検出素子44がより試料Sに近づくような構成とすることができる。
なお、以上の実施の形態1〜3においては、電子冷却部が単一のペルチェ素子5で構成された例を示したが、放射線検出器11は、複数のペルチェ素子を含んだ電子冷却部を備えた形態であってもよい。また、実施の形態1〜3においては、放射線検出装置が蛍光X線分析装置に内蔵された形態を示したが、放射線検出装置は蛍光X線分析装置の他の部分から分離した形態であってもよい。また、実施の形態1〜3においては、X線分析装置が蛍光X線分析装置である形態を示したが、X線分析装置は、電子線等のX線以外の放射線を試料へ照射し、試料から発生する特性X線を放射線検出装置で検出する形態であってもよい。また、実施の形態1〜3においては、放射線検出装置がX線を検出する形態を示したが、放射線検出装置は、X線以外の放射線を検出する形態であってもよい。
11 放射線検出器
12 X線源
14 信号処理部
21 ステムベース
23 リードピン
31 カバー
41 第1配線基板
42 第2配線基板
43 ワイヤ
44 半導体放射線検出素子
46 ゲッター
5 ペルチェ素子(電子冷却部)
51 吸熱部分
52 放熱部分

Claims (6)

  1. 半導体放射線検出素子と、該半導体放射線検出素子を冷却するための電子冷却部と、前記半導体放射線検出素子を外部と接続するための複数のリードピンとを備える放射線検出器において、
    前記半導体放射線検出素子を実装しており、前記電子冷却部の吸熱側に熱的接触している第1配線基板と、
    前記電子冷却部に熱的接触しておらず、前記第1配線基板から離隔した第2配線基板とを備え、
    前記第2配線基板に前記複数のリードピンが接合しており、
    前記第1配線基板及び前記第2配線基板は電気的に接続されていること
    を特徴とする放射線検出器。
  2. 前記第2配線基板は、前記第1配線基板の面を含む平面から離隔しており、前記平面を境にして前記半導体放射線検出素子とは反対側に配置されていること
    を特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
  3. 前記第2配線基板の一面に前記複数のリードピンの先端が接合していること
    を特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出器。
  4. 前記第2配線基板はキャパシタを搭載してあること
    を特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の放射線検出器。
  5. 検出した放射線のエネルギーに応じた信号を出力する請求項1乃至4の何れか一つに記載の放射線検出器と、
    該放射線検出器が出力した信号に基づいて、前記放射線のスペクトルを生成する手段と
    を備えることを特徴とする放射線検出装置。
  6. 試料へ放射線を照射する手段と、
    試料から発生した特性X線を検出する請求項5に記載の放射線検出装置と
    を備えることを特徴とするX線分析装置。
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