RU2013140446A - Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими igbt полумостовой схемы - Google Patents

Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими igbt полумостовой схемы Download PDF

Info

Publication number
RU2013140446A
RU2013140446A RU2013140446/07A RU2013140446A RU2013140446A RU 2013140446 A RU2013140446 A RU 2013140446A RU 2013140446/07 A RU2013140446/07 A RU 2013140446/07A RU 2013140446 A RU2013140446 A RU 2013140446A RU 2013140446 A RU2013140446 A RU 2013140446A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
state
reverse
time interval
predetermined time
bridge circuit
Prior art date
Application number
RU2013140446/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2549879C2 (ru
Inventor
Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU2013140446A publication Critical patent/RU2013140446A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2549879C2 publication Critical patent/RU2549879C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/084—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters using a control circuit common to several phases of a multi-phase system
    • H02M1/0845—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters using a control circuit common to several phases of a multi-phase system digitally controlled (or with digital control)
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036—Means reducing energy consumption

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

1. Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) (Т1, Т2) полумостовой схемы (2), на которой существует рабочее постоянное напряжение (U), причем эти обратнопроводящие IGBT (Т1, Т2) имеют три состояния переключения "+15 В", "0 В" и "-15 В", содержащий следующие этапы:а) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в течение стационарного состояния выключения соответствующего заданного управляющего сигнала () в состояние переключения "-15 В",b) удерживание обратнопроводящего IGBT (T1, T2) в состоянии переключения "+15 В" по истечении предопределенного временного интервала (ΔТ) после перехода соответствующего заданного управляющего сигнала () от состояния выключения в состояние включения, пока протекает ток от эмиттера к коллектору,с) установление обратнопроводящего IGBT (T1, T2) в состояние переключения "+15 В" по истечении этого предопределенного временного интервала (ΔТ) после перехода соответствующего заданного управляющего сигнала () от состояния выключения в состояние включения, если тем самым обеспечивается возможность протекания тока от коллектора к эмиттеру,d) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в состояние переключения "+15 В" на второй предопределенный временной интервал (ΔТ) после переходасоответствующего заданного управляющего сигнала () от состояния включения в состояние выключения, ие) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) по истечении второго предопределенного временного интервала (ΔТ) на третий предопределенный временной интервал (ΔТ)

Claims (9)

1. Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) (Т1, Т2) полумостовой схемы (2), на которой существует рабочее постоянное напряжение (UG), причем эти обратнопроводящие IGBT (Т1, Т2) имеют три состояния переключения "+15 В", "0 В" и "-15 В", содержащий следующие этапы:
а) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в течение стационарного состояния выключения соответствующего заданного управляющего сигнала ( S T *  
Figure 00000001
 ) в состояние переключения "-15 В",
b) удерживание обратнопроводящего IGBT (T1, T2) в состоянии переключения "+15 В" по истечении предопределенного временного интервала (ΔТ1) после перехода соответствующего заданного управляющего сигнала ( S T *  
Figure 00000001
 ) от состояния выключения в состояние включения, пока протекает ток от эмиттера к коллектору,
с) установление обратнопроводящего IGBT (T1, T2) в состояние переключения "+15 В" по истечении этого предопределенного временного интервала (ΔТ1) после перехода соответствующего заданного управляющего сигнала ( S T *  
Figure 00000001
 ) от состояния выключения в состояние включения, если тем самым обеспечивается возможность протекания тока от коллектора к эмиттеру,
d) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в состояние переключения "+15 В" на второй предопределенный временной интервал (ΔТ2) после перехода
соответствующего заданного управляющего сигнала ( S T *  
Figure 00000001
 ) от состояния включения в состояние выключения, и
е) установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) по истечении второго предопределенного временного интервала (ΔТ2) на третий предопределенный временной интервал (ΔТ3) в состояние переключения "0 В".
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что амплитуда напряжения затвора (uGE) каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в течение стационарного состояния выключения и на первый предопределенный временной интервал (ΔТ1) соответствующего заданного управляющего сигнала ( S T *  
Figure 00000001
 ) устанавливается в состояние переключения "0 В".
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что амплитуда напряжения затвора (uGE) каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) на второй предопределенный временной интервал (ΔТ2) устанавливается в состояние переключения "0 В".
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что амплитуда напряжения затвора (uGE) каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) на второй и третий предопределенный временной интервал (ΔТ2, ΔТ3) устанавливается в состояние переключения "-15 В".
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первый предопределенный временной интервал (ΔТ1) по времени больше, чем второй предопределенный временной интервал (ΔТ2).
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первый предопределенный временной интервал (ΔТ1) по времени меньше, чемсумма второго и третьего предопределенного временного интервала (ΔТ2, ΔТ3).
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что три предопределенных временных интервала (ΔТ1, ΔТ2, ΔТ3) сохранены в устройстве для выполнения способа.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что определяется полярность коллекторного тока каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2).
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что полярность коллекторного тока определяется посредством оценки определенного напряжения коллектор-эмиттер.
RU2013140446/07A 2011-02-10 2012-01-13 Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими igbt полумостовой схемы RU2549879C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011003938A DE102011003938A1 (de) 2011-02-10 2011-02-10 Verfahren zur Steuerung zweier elektrisch in Reihe geschalteter rückwärts leitfähiger IGBTs einer Halbbrücke
DE102011003938.4 2011-02-10
PCT/EP2012/050503 WO2012107258A2 (de) 2011-02-10 2012-01-13 Verfahren zur steuerung zweier elektrisch in reihe geschalteter rückwärts leitfähiger igbts einer halbbrücke

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013140446A true RU2013140446A (ru) 2015-03-20
RU2549879C2 RU2549879C2 (ru) 2015-05-10

Family

ID=45558031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013140446/07A RU2549879C2 (ru) 2011-02-10 2012-01-13 Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими igbt полумостовой схемы

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8854109B2 (ru)
EP (1) EP2638623B1 (ru)
CN (1) CN103299521B (ru)
BR (1) BR112013020420A2 (ru)
DE (1) DE102011003938A1 (ru)
DK (1) DK2638623T3 (ru)
ES (1) ES2713067T3 (ru)
RU (1) RU2549879C2 (ru)
WO (1) WO2012107258A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333358B2 (ja) * 2013-04-05 2018-05-30 エービービー テクノロジー エルティーディー． Ｒｃ−ｉｇｂｔスイッチングパルス制御
DE102013213986B4 (de) 2013-07-17 2016-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Dreipunkt-Stromrichter
EP3002866B1 (de) 2014-09-30 2021-09-08 Siemens Aktiengesellschaft Spannungszwischenkreis-Stromrichter in Fünfpunkttopologie
EP3041137B1 (en) * 2014-12-29 2020-02-12 ABB Schweiz AG Control of reverse-conducting igbt
CN104966714B (zh) * 2015-05-08 2019-06-18 邓华鲜 Igbt芯片的控制方法
US9641168B2 (en) * 2015-05-29 2017-05-02 Infineon Technologies Ag Controlling reverse conducting IGBT
EP3280039A1 (de) 2016-08-01 2018-02-07 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur ansteuerung parallel angeordneter, rückwärts leitfähiger halbleiterschalter
CN109905015B (zh) * 2019-03-08 2020-12-25 湖南大学 三电平二极管退饱和控制的逆导型igbt驱动方法
RU195809U1 (ru) * 2019-03-20 2020-02-05 Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук Схема подключения первичной стороны драйверного ядра управления igbt-ключом
DE102019208122A1 (de) * 2019-06-04 2020-12-10 Audi Ag Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Schaltung, elektrische Schaltung und Kraftfahrzeug
US20220399879A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Texas Instruments Incorporated Synchronous switch control method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1757045A1 (ru) * 1989-10-11 1992-08-23 Научно-Производственное Объединение "Силовая Электроника" Устройство дл управлени силовыми ключами плеча инвертора
DE10206392A1 (de) * 2002-02-15 2003-09-04 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Optimierung des Abschaltvorgangs eines nichteinrastenden, abschaltbaren Leistungs-Halbleiterschalters
DE10308313B4 (de) 2003-02-26 2010-08-19 Siemens Ag Halbleiterdiode, elektronisches Bauteil, Spannungszwischenkreisumrichter und Steuerverfahren
DE102004035789B4 (de) 2004-07-23 2016-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Traktionsstromrichter mit einem netzseitigen Vierquadrantensteller
DE102006042945B4 (de) 2006-09-13 2011-07-21 Siemens AG, 80333 Verfahren zur Effizienzsteigerung von dieselelektrisch getriebenen Fahrzeugen und Fahrzeug zur Durchführung des Verfahrens
JP4762929B2 (ja) * 2007-02-14 2011-08-31 トヨタ自動車株式会社 半導体電力変換装置
DE102009001029B4 (de) 2009-02-20 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Ansteuerung für rückwärtsleitfähigen IGBT
DE102009030740A1 (de) 2009-06-26 2010-12-30 Siemens Aktiengesellschaft Kommutierungsverfahren einer Stromrichterphase mit rückwärts leitfähigen IGBTs
DE102009030738A1 (de) * 2009-06-26 2010-12-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Ansteuerung eines rückwärts leitfähigen IGBT
DE102009030739A1 (de) * 2009-06-26 2010-12-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Ansteuerung eines rückwärts leitfähigen IGBT
US8729914B2 (en) * 2010-11-10 2014-05-20 Infineon Technologies Ag Detection of the conduction state of an RC-IGBT

Also Published As

Publication number Publication date
BR112013020420A2 (pt) 2016-10-18
CN103299521A (zh) 2013-09-11
ES2713067T3 (es) 2019-05-17
EP2638623A2 (de) 2013-09-18
DE102011003938A1 (de) 2012-08-16
WO2012107258A3 (de) 2012-11-15
RU2549879C2 (ru) 2015-05-10
CN103299521B (zh) 2016-08-31
US20130321062A1 (en) 2013-12-05
EP2638623B1 (de) 2018-11-28
WO2012107258A2 (de) 2012-08-16
DK2638623T3 (en) 2019-03-04
US8854109B2 (en) 2014-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013140446A (ru) Способ управления двумя электрически последовательно включенными обратнопроводящими igbt полумостовой схемы
JP4321330B2 (ja) ゲート駆動回路
KR101647919B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제어 방법
US20120092912A1 (en) Commutation method of an electronic power converter phase with reverse-conducting igbts
US10547300B1 (en) Driving device and switching device
JP2014171356A (ja) 駆動制御装置
US10541681B2 (en) Drive circuit for switch
JP2008220119A (ja) ゲート電圧制御回路及びゲート電圧制御方法
JP2015082841A (ja) 半導体モジュールおよびこのようなモジュール上で逆導電トランジスタを切り換える方法
JP2013108802A (ja) 半導体素子の試験装置及びその試験方法
CN105706366A (zh) 栅极驱动电路以及使用该栅极驱动电路的电力变换装置
JP5939281B2 (ja) 駆動制御装置
JP2014147237A (ja) 半導体装置のゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置
CN111106741B (zh) 用于开关的驱动电路
JP2016208089A (ja) 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路
JP6375945B2 (ja) スイッチング装置
CN101816128B (zh) 用于动力开关元件的驱动电路
JP2016158457A (ja) スイッチング方式の降圧型ｄｃ−ｄｃコンバータ、及び電力変換回路
JP6662494B2 (ja) ゲート駆動装置
JP2018029259A (ja) トランジスタ駆動回路
JP2018029433A (ja) トランジスタ駆動回路及びモータ駆動制御装置
JP5935768B2 (ja) 駆動制御装置
JP2006238547A (ja) 電圧駆動素子の駆動回路
JP2004229445A (ja) インバータ装置
JP2020162022A5 (ru)