JP5935768B2 - 駆動制御装置 - Google Patents
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しかも、第1時間と第2時間との時間幅は、半導体素子に対するオン指令信号が入力されている期間に当該半導体素子に流れていた電流が大きいほど長い時間となるように設定されている。電流が大きいほど、オフ指令信号が入力された時点から逆回復電流が流れ始めるまでの時間が長くなるからである。これにより、電流の大きさにかかわらず再注入時間の増大を抑えることができ、スイッチング損失を低減することができる。
次に、図5から図16を参照しながら、主としてローサイド側の駆動制御装置38Bの作用について説明する。ハイサイド側の駆動制御装置38Aの作用も同様となる。はじめにVf制御について簡単に説明する。RC−IGBTである半導体素子1A、1Bは、ダイオード素子6に電流が流れている状態でゲート駆動電圧が印加されると、第1領域12にチャネルが形成されてホールの注入が抑制される。このため、図7に示すように、順方向電流Ifが流れているダイオード素子6の順方向電圧Vfが高くなり、ダイオード素子6の導通損失(Vf×If)が増大する。
PWM信号FH、FLのデッドタイムTdは一定時間である。このため、PWM信号FLがLレベルなってからPWM信号FHがHレベルになるまでの時間、およびPWM信号FHがLレベルなってからPWM信号FLがHレベルになるまでの時間が正確に保証されている。このデッドタイムTdを利用することにより、アーム短絡を防止しつつゲート駆動パルスを印加することができる。
トランジスタ素子5に電流が流れる場合には、ゲート駆動電圧VGLの印加時および遮断時にコレクタ・エミッタ間電圧の変化が生じるので、ミラー期間が生じる。このミラー期間は長く、例えば条件によっては数μsecの時間となる場合がある。これに対し、ダイオード素子6に電流が流れる場合には、コレクタ・エミッタ間電圧は変化しないので、ミラー期間は生じない。
ゲート駆動パルスを出力する場合、ドライブ回路28は、ゲート駆動電圧VGLの立ち上げ時および立ち下げ時に、切替スイッチ30、34(図4参照)をB側に切り替えて、高いゲート駆動能力(ここでは最大のゲート駆動能力)でゲート駆動電圧VGLを出力する。ゲート駆動パルスの印加期間では、ダイオード素子6に電流が流れ続けているので、急峻な電流変化によるサージが発生しないからである。
Claims (6)
- ゲート駆動電圧が印加される絶縁ゲート型のトランジスタ構造(5)とダイオード構造(6)とが同一の半導体基板(8)に形成され、前記トランジスタ構造の通電電極と前記ダイオード構造の通電電極とが共通の電極(15,18)とされた半導体素子(1A,1B)の駆動制御装置(38A,38B)であって、
前記半導体素子に流れる電流に応じた電流検出信号を出力する電流検出手段(7A,7B,25)と、
前記電流検出信号に基づいて、前記半導体素子に対するオン指令信号が入力されている期間に前記半導体素子に前記ダイオード構造の順方向の向きに電流が流れていると判定した場合、その後のオフ指令信号の入力時点を起点として、予め設定された第1時間の経過時点から第2時間の経過時点まで前記ゲート駆動電圧の印加を指令するゲート駆動信号を出力する制御手段(27)と、
前記ゲート駆動信号を入力して前記ゲート駆動電圧を出力するドライブ回路(28)とを備え、
前記第1時間と前記第2時間との時間幅は、前記半導体素子に対するオン指令信号が入力されている期間に前記半導体素子に流れていた電流が大きいほど長い時間となるように設定されていることを特徴とする駆動制御装置。 - 前記半導体素子に前記ダイオード構造の順方向の向きに電流が流れている状態でオフ指令信号が入力された後、一定のデッドタイムを経て、当該一方の半導体素子とともにハーフブリッジ回路を構成する他方の半導体素子に対してオン指令信号が入力されたときに、前記第2時間が経過して前記ゲート駆動電圧が遮断された時点と、前記他方の半導体素子のトランジスタ構造に当該一方の半導体素子に流れていた電流を超える電流が流れ始める時点との時間幅が、ゼロより大きく且つ所定の注入許容時間以下となるように、前記第1時間と前記第2時間が設定されていることを特徴とする請求項1記載の駆動制御装置。
- 前記第1時間の経過時点から第2時間の経過時点まで出力されるゲート駆動信号に基づく前記ゲート駆動電圧が、前記ドライブ回路のゲート駆動能力に従って単調に増加または単調に減少するものとして、前記第1時間と前記第2時間が設定されていることを特徴とする請求項1または2記載の駆動制御装置。
- 前記第1時間の経過時点から第2時間の経過時点まで出力されるゲート駆動信号に基づく前記ゲート駆動電圧にミラー期間が生じないものとして、前記第1時間と前記第2時間が設定されていることを特徴とする請求項3記載の駆動制御装置。
- 前記ドライブ回路は、前記第1時間の経過時点で前記ゲート駆動信号が変化したときに、一定のゲート駆動能力を維持して前記ゲート駆動電圧を出力することを特徴とする請求項3または4記載の駆動制御装置。
- 前記ドライブ回路は、前記第1時間の経過時点および前記第2時間の経過時点で前記ゲート駆動信号が変化したとき、前記半導体素子を通断電するときに比べ高い駆動能力で前記ゲート駆動電圧を出力することを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の駆動制御装置。
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