RU2012113734A - Измерительная система формирования изображения с печатной матрицей фотодетекторов - Google Patents

Измерительная система формирования изображения с печатной матрицей фотодетекторов Download PDF

Info

Publication number
RU2012113734A
RU2012113734A RU2012113734/28A RU2012113734A RU2012113734A RU 2012113734 A RU2012113734 A RU 2012113734A RU 2012113734/28 A RU2012113734/28 A RU 2012113734/28A RU 2012113734 A RU2012113734 A RU 2012113734A RU 2012113734 A RU2012113734 A RU 2012113734A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
imaging system
inorganic photodetectors
substrate
inorganic
photodetectors
Prior art date
Application number
RU2012113734/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2542588C2 (ru
Inventor
Симха ЛЕВЕН
Ами АЛТМАН
Наор ВАЙНЕР
Корнелис Рейндер РОНДА
Элиав Ицхак ХАСКАЛ
ЛЕУ Дагоберт Михел ДЕ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2012113734A publication Critical patent/RU2012113734A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2542588C2 publication Critical patent/RU2542588C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20181—Stacked detectors, e.g. for measuring energy and positional information
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/242—Stacked detectors, e.g. for depth information
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/249—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors specially adapted for use in SPECT or PET

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

1. Система формирования изображения, содержащая:источник излучения, который поворачивается вокруг центральной z-оси системы формирования изображения для выполнения формирующих изображения сканирований; иматрицу неорганических фотодетекторов, включающую в себя несколько дискретных неорганических фотодетекторов, расположенных на изогнутой подложке таким образом, что каждый ряд неорганических фотодетекторов ориентирован вдоль кривой изгиба изогнутой подложки, и каждый столбец неорганических фотодетекторов ориентирован параллельно центральной z-оси системы формирования изображения.2. Система формирования изображения по п.1, в которой неорганические фотодетекторы содержат, по меньшей мере, одно из соединений CIGS (медь-индий-галлий-диселенид), AuInGaSeи AuInThSe.3. Система формирования изображения по п.1 или 2, в которой изогнутая подложка содержит гибкий лист.4. Система формирования изображения по п.1 или 2, дополнительно содержащая, по меньшей мере, один сцинтиллятор, расположенный между источником излучения и неорганическими фотодетекторами.5. Система формирования изображения по п.1 или 2, в которой неорганические фотодетекторы размещены на изогнутой подложке с помощью технологического процесса печати.6. Система формирования изображения по п.1 или 2, дополнительно содержащая токопроводящие пути, оперативно соединяющие каждый из неорганических фотодетекторов, по меньшей мере, с одним активным электронным компонентом, расположенным на изогнутой подложке.7. Система формирования изображения по п.6, в которой токопроводящие пути расположены на дистальной поверхности изогнутой подложки, которая, по существу, противоп

Claims (15)

1. Система формирования изображения, содержащая:
источник излучения, который поворачивается вокруг центральной z-оси системы формирования изображения для выполнения формирующих изображения сканирований; и
матрицу неорганических фотодетекторов, включающую в себя несколько дискретных неорганических фотодетекторов, расположенных на изогнутой подложке таким образом, что каждый ряд неорганических фотодетекторов ориентирован вдоль кривой изгиба изогнутой подложки, и каждый столбец неорганических фотодетекторов ориентирован параллельно центральной z-оси системы формирования изображения.
2. Система формирования изображения по п.1, в которой неорганические фотодетекторы содержат, по меньшей мере, одно из соединений CIGS (медь-индий-галлий-диселенид), AuInGaSe2 и AuInThSe2.
3. Система формирования изображения по п.1 или 2, в которой изогнутая подложка содержит гибкий лист.
4. Система формирования изображения по п.1 или 2, дополнительно содержащая, по меньшей мере, один сцинтиллятор, расположенный между источником излучения и неорганическими фотодетекторами.
5. Система формирования изображения по п.1 или 2, в которой неорганические фотодетекторы размещены на изогнутой подложке с помощью технологического процесса печати.
6. Система формирования изображения по п.1 или 2, дополнительно содержащая токопроводящие пути, оперативно соединяющие каждый из неорганических фотодетекторов, по меньшей мере, с одним активным электронным компонентом, расположенным на изогнутой подложке.
7. Система формирования изображения по п.6, в которой токопроводящие пути расположены на дистальной поверхности изогнутой подложки, которая, по существу, противоположна поверхности подложки, на которой расположены неорганические фотодетекторы, при этом система дополнительно содержит отверстия в подложке, заполненные проводящим материалом для электрического соединения токопроводящих путей с неорганическими фотодетекторами.
8. Система формирования изображения по п.6, в которой изогнутая подложка содержит, по меньшей мере, два слоя, включая верхний слой и, по меньшей мере, один нижерасположенный слой, при этом неорганические фотодетекторы расположены на верхнем слое и каждый нижерасположенный слой содержит верхнюю поверхность, которая является ближней к верхнему слою, и на которой расположен, по меньшей мере, один из токопроводящих путей.
9. Гибкая матричная сборка неорганических фотодетекторов для использования в системе формирования изображения, при этом, матрица содержит изогнутую подложку, несколько дискретных неорганических фотодетекторов, расположенных на подложке, по меньшей мере, один активный электронный компонент, расположенный на подложке, и токопроводящие пути, обеспечивающие рабочие соединения каждого из неорганических фотодетекторов с, по меньшей мере, одним их активных электронных компонентов.
10. Гибкая матричная сборка по п.9, в которой неорганические фотодетекторы расположены рядами и столбцами на гибкой подложке, при этом каждый ряд неорганических фотодетекторов соответствует одной формирующей изображение секции во время формирующих изображения сканирований, выполняемых системой формирования изображения, и столбцы ориентированы параллельно центральной z-оси системы формирования изображения.
11. Гибкая матричная сборка по п.9 или 10, в которой сборка смонтирована на опоре внутри системы формирования изображения для формирования системы измерения данных формирования изображения.
12. Гибкая матричная сборка по п.9 или 10, в которой неорганические фотодетекторы размещены на подложке с помощью технологического процесса печати.
13. Гибкая матричная сборка по п.9 или 10, в которой токопроводящие пути расположены на дистальной поверхности подложки, по существу, противоположной поверхности, на которой расположены неорганические фотодетекторы, и подложка содержит отверстия, заполненные проводящим материалом для электрического соединения токопроводящих путей с неорганическими фотодетекторами.
14. Гибкая матричная сборка по п.13, в которой подложка содержит, по меньшей мере, два слоя, включая верхний слой и, по меньшей мере, один нижерасположенный слой, при этом, неорганические фотодетекторы расположены на верхнем слое, и каждый нижерасположенный слой содержит верхнюю поверхность, которая является ближней к верхнему слою, и на которой расположен, по меньшей мере, один из токопроводящих путей.
15. Гибкая матричная сборка по п.9, дополнительно содержащая, по меньшей мере, одно опорное отверстие, расположенное в гибкой подложке.
RU2012113734/28A 2009-09-08 2010-08-05 Измерительная система формирования изображения с печатной матрицей фотодетекторов RU2542588C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24044309P 2009-09-08 2009-09-08
US61/240,443 2009-09-08
PCT/IB2010/053557 WO2011030240A2 (en) 2009-09-08 2010-08-05 Imaging measurement system with a printed photodetector array

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012113734A true RU2012113734A (ru) 2013-10-20
RU2542588C2 RU2542588C2 (ru) 2015-02-20

Family

ID=43628392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012113734/28A RU2542588C2 (ru) 2009-09-08 2010-08-05 Измерительная система формирования изображения с печатной матрицей фотодетекторов

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9322939B2 (ru)
EP (1) EP2476016B1 (ru)
JP (1) JP5973913B2 (ru)
CN (1) CN102483461B (ru)
RU (1) RU2542588C2 (ru)
WO (1) WO2011030240A2 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011148276A2 (en) * 2010-05-24 2011-12-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Ct detector including multi-layer fluorescent tape scintillator with switchable spectral sensitivity
US8629408B2 (en) * 2011-01-28 2014-01-14 Analogic Corporation Overlapping detector elements of a detector array for a radiation system
US10120083B2 (en) * 2011-06-28 2018-11-06 Carestream Dental Technology Topco Limited Radiation sensing thermoplastic composite panels
US8761333B2 (en) * 2011-08-12 2014-06-24 General Electric Company Low resolution scintillating array for CT imaging and method of implementing same
RU2532645C1 (ru) * 2013-04-29 2014-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ" (ООО "НТЦ-МТ") Способ формирования структурированного сцинтиллятора на поверхности пикселированного фотоприемника (варианты) и сцинтилляционный детектор, полученнный данным способом (варианты)
EP3069170B1 (en) * 2013-11-15 2020-04-15 Koninklijke Philips N.V. Double-sided organic photodetector on flexible substrate
DE102014217391A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Smiths Heimann Gmbh Detektorzeile mit Bereichen unterschiedlicher Auflösung
RU2702220C2 (ru) * 2014-09-25 2019-10-07 Конинклейке Филипс Н.В. Керамический материал для генерации света
US9960203B2 (en) 2014-12-21 2018-05-01 Ion Beam Applications S.A. Radiation sensor
US10295678B2 (en) 2015-03-10 2019-05-21 Shimadzu Corporation X-ray detector
DE102015006839A1 (de) * 2015-06-02 2016-12-08 Karlsruher Institut für Technologie Optoelektronische Struktur zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung
EP3320375B1 (en) * 2015-07-09 2019-02-06 Koninklijke Philips N.V. Direct conversion radiation detector
EP3163325B1 (en) * 2015-10-28 2020-02-12 Nokia Technologies Oy An apparatus and associated methods for computed tomography
CZ29250U1 (cs) * 2016-01-29 2016-03-08 Advacam S.R.O. Vrstvený pixelový detektor ionizujícího záření
WO2017202738A1 (en) * 2016-05-26 2017-11-30 Koninklijke Philips N.V. Multifunctional radiation detector
KR102377973B1 (ko) * 2016-08-11 2022-03-23 프리스매틱 센서즈 에이비 주변부의 선량 효율이 보다 낮은 x-선 검출기
KR102454412B1 (ko) * 2016-10-27 2022-10-14 실버레이 리미티드 다이렉트 변환 방사선 검출기
CN106847987B (zh) * 2017-03-30 2018-10-26 河北大学 Cigs超高、超快宽波带光位置灵敏探测器
JP7167060B2 (ja) * 2017-05-01 2022-11-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 多層検出器
JP7132076B2 (ja) * 2018-10-11 2022-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｃｔ装置
EP3657219A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-27 Koninklijke Philips N.V. Photodiode array on flexible substrate for tomography
JP2022099513A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01126584A (ja) * 1987-11-12 1989-05-18 Toshiba Corp Ｘ線ｃｔ用放射線検出器
JPH0830735B2 (ja) * 1990-11-29 1996-03-27 松下電器産業株式会社 センサアレイ
US5138167A (en) * 1991-01-23 1992-08-11 University Of Alabama - Birmingham Split energy radiation detection
JP3491187B2 (ja) 1996-02-05 2004-01-26 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録装置による記録方法
JPH1126584A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
US6289235B1 (en) * 1998-03-05 2001-09-11 Wake Forest University Method and system for creating three-dimensional images using tomosynthetic computed tomography
DE19841423C1 (de) * 1998-09-10 1999-12-30 Siemens Ag Strahlendetektor, insbesondere eines Computertomographen
WO2000038576A1 (en) * 1998-12-30 2000-07-06 General Electric Company Image thickness selection for multislice imaging system
KR100443902B1 (ko) * 1999-03-25 2004-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
JP2002162474A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Sharp Corp 電磁波検出器およびその製造方法
JP4817524B2 (ja) * 2001-04-18 2011-11-16 株式会社東芝 Ｘ線固体検出器の製造方法
DE10136756C2 (de) * 2001-07-27 2003-07-31 Siemens Ag Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem flexiblen Festkörper-Röntgendetektor
US7276749B2 (en) 2002-02-05 2007-10-02 E-Phocus, Inc. Image sensor with microcrystalline germanium photodiode layer
US7230247B2 (en) 2002-03-08 2007-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Detector
JP4237966B2 (ja) 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
US7117588B2 (en) * 2002-04-23 2006-10-10 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Method for assembling tiled detectors for ionizing radiation based image detection
US7078702B2 (en) * 2002-07-25 2006-07-18 General Electric Company Imager
US20050104000A1 (en) * 2003-02-10 2005-05-19 Joel Kindem Scintillator assembly with pre-formed reflector
US6982424B2 (en) 2003-06-02 2006-01-03 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc X-ray and CT image detector
US7010088B2 (en) * 2003-07-22 2006-03-07 General Electric Company Multi-slice CT multi-layer flexible signal transmission detector circuit
US6898265B1 (en) * 2003-11-20 2005-05-24 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Scintillator arrays for radiation detectors and methods of manufacture
US7115304B2 (en) 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
US20070163639A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US8309163B2 (en) 2004-02-19 2012-11-13 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
US20070166453A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer
JP2008510130A (ja) * 2004-08-13 2008-04-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ソリッドステート検出器パッケージングの技術
US7582506B2 (en) 2005-03-15 2009-09-01 Solopower, Inc. Precursor containing copper indium and gallium for selenide (sulfide) compound formation
CN101166997A (zh) * 2005-04-26 2008-04-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 光谱ct的检测器阵列
WO2006114716A2 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Double decker detector for spectral ct
JP2007101256A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp Ｘ線撮像装置及びｘ線ｃｔ装置
JP4669768B2 (ja) 2005-09-30 2011-04-13 富士フイルム株式会社 解像度可変型ｘ線撮像装置及びｘ線ｃｔ装置
JP2009528680A (ja) * 2006-02-23 2009-08-06 デューレン、イェルーン カー．イェー． ファン カルコゲン層の高スループット印刷および金属間化合物材料の使用
JP2007235039A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Shimadzu Corp 放射線検出器の製造方法
US20080070340A1 (en) 2006-09-14 2008-03-20 Nicholas Francis Borrelli Image sensor using thin-film SOI
RU2333514C1 (ru) * 2006-12-26 2008-09-10 Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" Спектрометрический гамма-детектор
US7608829B2 (en) 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
CN102838992A (zh) * 2007-03-26 2012-12-26 通用电气公司 闪烁体及其制造方法
WO2009062311A1 (en) 2007-11-15 2009-05-22 Yeow John T W Carbon material dosimeter
JP5587788B2 (ja) 2007-12-21 2014-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 複合樹脂におけるシンチレータを備えた放射線感受性検出器
CN101470086B (zh) * 2007-12-29 2012-11-28 清华大学 探测器装置及具有该探测器装置的ct检查系统
US7875949B2 (en) 2008-02-28 2011-01-25 Visera Technologies Company Limited Image sensor device with submicron structure
US8513612B2 (en) * 2009-04-22 2013-08-20 Koninklijke Philips N.V. Imaging measurement system with a printed organic photodiode array
US8719507B2 (en) 2012-01-04 2014-05-06 International Business Machines Corporation Near neighbor data cache sharing

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011030240A2 (en) 2011-03-17
CN102483461A (zh) 2012-05-30
JP5973913B2 (ja) 2016-08-23
CN102483461B (zh) 2015-04-29
JP2013504057A (ja) 2013-02-04
WO2011030240A3 (en) 2011-11-24
RU2542588C2 (ru) 2015-02-20
US9322939B2 (en) 2016-04-26
EP2476016A2 (en) 2012-07-18
EP2476016B1 (en) 2017-06-14
US20120153163A1 (en) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012113734A (ru) Измерительная система формирования изображения с печатной матрицей фотодетекторов
RU2011147191A (ru) Измерительная система визуализации с печатной матрицей органических фотодиодов
US10283557B2 (en) Radiation detector assembly
JP2012112726A5 (ru)
US10444381B2 (en) Radiation detector and imaging apparatus
JP2004064087A5 (ru)
CN104756178B (zh) 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置
RU2013147397A (ru) Спектральный детектор изображения
KR20190089011A (ko) 디스플레이 노이즈 보상이 적용된 압력을 검출할 수 있는 터치 입력 장치
JP2012112725A5 (ru)
JP2014513279A5 (ru)
EP2201603B1 (en) Process for producing a sensor matrix with semicoanductor componenets
EP3566248B1 (en) Detach and reattach of a flexible polyimide based x-ray detector
EP2493273A4 (en) MOUNTING SUPPORT AND ASSEMBLY PROCESS FOR ONE DEVICE
JP2000088964A (ja) 放射線検出器
US20240313028A1 (en) Module and methods of assembly for large area flat panel detectors
JP2005106692A (ja) 半導体放射線検出器及び放射線撮像装置
US10686003B2 (en) Radiation detector assembly
US9651686B2 (en) X-ray detectors having photoconductors including current resistance layers
Khan et al. Developing pressure sensors from impregnated textile sandwiched in inkjet-printed electrodes
CN108701707A (zh) 具有上部透明电极的光电阵列装置
TWI684265B (zh) Ｌｅｄ構裝模組及ｌｅｄ顯示裝置
JP6194126B2 (ja) モジュライメージング検出器ａｓｉｃ
JP2016524129A (ja) Ｘ線イメージングのためのアクティブシールド
US9986953B2 (en) Production method for radiation detection unit

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170806