RU2012102501A - Способ и система для получения моносилана - Google Patents

Способ и система для получения моносилана Download PDF

Info

Publication number
RU2012102501A
RU2012102501A RU2012102501/05A RU2012102501A RU2012102501A RU 2012102501 A RU2012102501 A RU 2012102501A RU 2012102501/05 A RU2012102501/05 A RU 2012102501/05A RU 2012102501 A RU2012102501 A RU 2012102501A RU 2012102501 A RU2012102501 A RU 2012102501A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reaction
catalytically active
active solid
column
reaction zones
Prior art date
Application number
RU2012102501/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2551493C2 (ru
Inventor
Адольф ПЕТРИК
Кристиан ШМИД
Йохем ХАН
Original Assignee
Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх filed Critical Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх
Publication of RU2012102501A publication Critical patent/RU2012102501A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2551493C2 publication Critical patent/RU2551493C2/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/009Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping in combination with chemical reactions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/14Fractional distillation or use of a fractionation or rectification column
    • B01D3/32Other features of fractionating columns ; Constructional details of fractionating columns not provided for in groups B01D3/16 - B01D3/30
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • C01B33/043Monosilane
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10Process efficiency

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

1. Система для получения моносилана (SiH) посредством каталитического диспропорционирования трихлорсилана (SiHCl), содержащая реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и отводящей трубой (102) для образующегося тетрахлорида кремния (SiCl), а также с по меньшей мере одним конденсатором (103), через который полученный моносилан может быть отведен из реакционной колонны, причем реакционная колонна содержит по меньшей мере две реактивные/дистилляционные реакционные зоны (104, 105), которые работают при различных температурах и содержат различные каталитически активные твердые вещества, при этом по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе винилпиридина, и по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе стирола.2. Система по п.1, отличающаяся тем, что реакционная колонна (100) расположена вертикально, так что работающие при различных температурах реакционные зоны (104, 105) расположены друг над другом.3. Система по п.1, отличающаяся тем, что внутри колонны (100) температура снижается по направлению снизу вверх, так что расположенная выше реакционная зона (105) в основном работает при более низкой температуре, чем зона, расположенная ниже.4. Система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна реакционная зона содержит каталитически активное твердое вещество на основе сополимера винилпиридина и дивинилбензола.5. Система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна реакционная зона содержит каталитически активное твердое вещество на основе сополимера стирола и дивинилбензола.6. Система по п.1, отлич

Claims (13)

1. Система для получения моносилана (SiH4) посредством каталитического диспропорционирования трихлорсилана (SiHCl3), содержащая реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и отводящей трубой (102) для образующегося тетрахлорида кремния (SiCl4), а также с по меньшей мере одним конденсатором (103), через который полученный моносилан может быть отведен из реакционной колонны, причем реакционная колонна содержит по меньшей мере две реактивные/дистилляционные реакционные зоны (104, 105), которые работают при различных температурах и содержат различные каталитически активные твердые вещества, при этом по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе винилпиридина, и по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе стирола.
2. Система по п.1, отличающаяся тем, что реакционная колонна (100) расположена вертикально, так что работающие при различных температурах реакционные зоны (104, 105) расположены друг над другом.
3. Система по п.1, отличающаяся тем, что внутри колонны (100) температура снижается по направлению снизу вверх, так что расположенная выше реакционная зона (105) в основном работает при более низкой температуре, чем зона, расположенная ниже.
4. Система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна реакционная зона содержит каталитически активное твердое вещество на основе сополимера винилпиридина и дивинилбензола.
5. Система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна реакционная зона содержит каталитически активное твердое вещество на основе сополимера стирола и дивинилбензола.
6. Система по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна реакционная зона, содержащая каталитически активное твердое вещество на основе винилпиридина, расположена ниже по меньшей мере одной реакционной зоны, содержащей каталитически активное твердое вещество на основе стирола.
7. Система по п.1, отличающаяся тем, что конденсатор (103) встроен в верхнюю часть реакционной колонны (100).
8. Способ получения моносилана (SiH4) посредством каталитического диспропорционирования трихлорсилана (SiHCl3), в котором диспропорционирование осуществляют в по меньшей мере двух реактивных/дистилляционных реакционных зонах (104, 105), которые работают при различных температурах и содержат различные каталитически активные твердые вещества, при этом по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе винилпиридина, и по меньшей мере одна из реакционных зон содержит каталитически активное твердое вещество на основе стирола.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что его осуществляют в системе согласно любому из пп.1-7.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что реакционная зона, содержащая каталитически активное твердое вещество на основе винилпиридина, работает при температурах в диапазоне от 50°С до 200°С.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что реакционная зона, содержащая каталитически активное твердое вещество на основе стирола, работает при температурах в диапазоне от 50°С до 100°С.
12. Способ по п.8, отличающийся тем, что давление в реакционных зонах (104, 105) регулируют до давления в диапазоне от 0,1 бар до 20 бар.
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что конденсатор (103) работает при температуре в диапазоне от -20°С до -100°С.
RU2012102501/05A 2009-07-08 2010-07-07 Способ и система для получения моносилана RU2551493C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009032833.5 2009-07-08
DE102009032833A DE102009032833A1 (de) 2009-07-08 2009-07-08 Verfahren und Anlage zur Herstellung von Monosilan
PCT/EP2010/059748 WO2011003949A1 (de) 2009-07-08 2010-07-07 Verfahren und anlage zur herstellung von monosilan

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012102501A true RU2012102501A (ru) 2013-08-20
RU2551493C2 RU2551493C2 (ru) 2015-05-27

Family

ID=42981494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012102501/05A RU2551493C2 (ru) 2009-07-08 2010-07-07 Способ и система для получения моносилана

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9023297B2 (ru)
EP (1) EP2451549B1 (ru)
JP (1) JP2012532821A (ru)
KR (1) KR101750955B1 (ru)
CN (1) CN102481491B (ru)
CA (1) CA2767176C (ru)
DE (1) DE102009032833A1 (ru)
MY (1) MY160519A (ru)
RU (1) RU2551493C2 (ru)
TW (1) TWI487663B (ru)
WO (1) WO2011003949A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009037154B3 (de) * 2009-08-04 2010-12-09 Schmid Silicon Technology Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
CN102951646A (zh) * 2012-11-22 2013-03-06 覃攀 硅烷的生产方法
CN103112860B (zh) * 2013-02-26 2015-09-02 天津大学 改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法
CN103172071B (zh) * 2013-03-27 2015-06-03 天津大学 三氯氢硅歧化反应精馏制备高纯硅烷的装置及方法
CN103241743B (zh) * 2013-05-22 2015-07-22 黄国强 三氯氢硅直接歧化制备硅烷的反应精馏方法及设备
DE102015203618A1 (de) 2015-02-27 2016-09-01 Schmid Silicon Technology Gmbh Kolonne und Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen zu Monosilan und Tetrachlorsilan sowie Anlage zur Gewinnung von Monosilan
RU2608523C1 (ru) * 2015-07-30 2017-01-19 Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "ХОРСТ" Способ получения силана и хлорсиланов

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE784818A (fr) * 1971-06-14 1972-12-13 Westinghouse Electric Corp Etalonnage du profil de deplacement de la position d'un entrainement par moteur
US3968199A (en) 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
GB2028289B (en) 1978-08-18 1982-09-02 Schumacher Co J C Producing silicon
US4676967A (en) 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
JPS6042216A (ja) 1983-08-10 1985-03-06 Osaka Titanium Seizo Kk トリクロロシラン・ジクロロシラン・モノクロロシランの不均斉化方法
US4610858A (en) * 1984-04-06 1986-09-09 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Chlorosilane disproportionation catalyst and method for producing a silane compound by means of the catalyst
RU2152902C2 (ru) * 1998-05-13 2000-07-20 Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ХОРСТ" Способ получения силанов
DE19860146A1 (de) 1998-12-24 2000-06-29 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan
US6723886B2 (en) 1999-11-17 2004-04-20 Conocophillips Company Use of catalytic distillation reactor for methanol synthesis
DE10017168A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan

Also Published As

Publication number Publication date
EP2451549A1 (de) 2012-05-16
DE102009032833A1 (de) 2011-01-13
RU2551493C2 (ru) 2015-05-27
CA2767176C (en) 2018-06-12
TWI487663B (zh) 2015-06-11
KR101750955B1 (ko) 2017-06-26
EP2451549B1 (de) 2014-09-03
MY160519A (en) 2017-03-15
WO2011003949A1 (de) 2011-01-13
CA2767176A1 (en) 2011-01-13
CN102481491B (zh) 2014-07-23
CN102481491A (zh) 2012-05-30
US9023297B2 (en) 2015-05-05
US20120201728A1 (en) 2012-08-09
KR20120042831A (ko) 2012-05-03
TW201125820A (en) 2011-08-01
JP2012532821A (ja) 2012-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012102501A (ru) Способ и система для получения моносилана
NO20081913L (no) Fremgangsmate for fremstilling av monosilan
CN103253676B (zh) 一种三氯氢硅的制备方法
TWI404676B (zh) Single Silane Continuous Manufacturing Method
CN103708471A (zh) 硅烷反歧化制备氯硅烷的设备及方法
CN205653378U (zh) 一种二甲基二氯硅烷的提纯系统
KR20130052532A (ko) 트리할로실란의 정제 장치
KR20130105160A (ko) 사염화실란으로부터 삼염화실란을 제조하는 방법 및 이에 사용되는 트리클 베드 반응기
CN102274708A (zh) 一种醋酸氯化反应器及反应工艺方法
US10252916B2 (en) Methods for separating halosilanes
CN104045087B (zh) 制备三氯氢硅的装置
US9242868B2 (en) Process for separating monosilane from chlorosilanes-rich mixture
CN108946742A (zh) 提纯三氯氢硅的装置
CN209242692U (zh) 提纯三氯氢硅的装置
US10384182B2 (en) Column and process for disproportionation of chlorosilanes into monosilane and tetrachlorosilane and plant for production of monosilane
CN202346934U (zh) 一种三甲氧基氢硅醇解酯化预反应装置
CN105174267B (zh) 一种硅烷的生产方法
CN211635269U (zh) 一种氯硅烷歧化反应精馏塔
CN101837977B (zh) 硅单质的生产方法及生产设备
CN106145119B (zh) 一种乙硅烷反应釜
MX2017003086A (es) Proceso de destilación reactiva multitarea para la producción de diclorosilano, monoclorosilano y silano.
KR20160003696A (ko) 실란을 제조하기 위한 시스템 및 방법
JP2013536793A (ja) ジクロロシランからのモノシランの製造方法