KR101750955B1 - 모노실란 제조 방법 및 시스템 - Google Patents

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요헴 한
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슈미트 실리콘 테크놀로지 게엠베하
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Abstract

본 발명은 모노실란 제조를 위한 시스템에 관한 것으로서, 이는 트리클로로실란용 주입 파이프 (101) 및 형성된 실리콘 테트라클로라이드용 방출 파이프 (102)를 갖는 반응 컬럼 (100) 및 하나 이상의 냉각기 (103)를 포함하며, 상기 냉각기에 의하여 생성된 모노실란은 상기 반응 컬럼으로부터 제거될 수 있으며, 여기서 상기 반응 컬럼은 2 이상의 반응성/증류성 반응 영역 (104, 105)을 가지며, 이들은 다른 온도에서 작동하고 촉매적으로 활성인 다른 고체를 포함한다. 또한, 트리클로로실란의 촉매적 불균등화에 의한 모노실란 제조를 위한 공정이 개시되는데, 여기서 상기 불균등화는 다른 온도에서 작동하고 촉매적으로 활성인 다른 고체를 포함하는 두 개 이상의 반응성/증류성 반응 영역 (104, 105)에서 수행된다.

Description

모노실란 제조 방법 및 시스템{Method and system for producing monosilane}
본 발명은 모노실란 (SiH4)제조를 위한 플랜트에 관한 것으로, 이는 트리클로로실란용 주입 라인 및 형성된 실리콘 테트라클로라이드 (SiCl4)용 방출 라인을 갖는 반응 컬럼 및 또한 하나 이상의 냉각기를 포함하며, 상기 냉각기를 통해 생성된 모노실란은 반응 컬럼으로부터 방출될 수 있다. 또한, 본 발명은 트리클로로실란의 촉매적 불균등화 (catalytic disproportionation)에 의하여 모노실란을 제조하는 공정에 관한 것이다.
고순도 실리콘은 일반적으로, 상대적으로 높은 비율의 불순물을 가질 수 있는 야금 그레이드 금속 실리콘 (metallurgical silicon)으로부터 출발하는 다단계 공정을 통하여 생산된다. 야금 그레이드 금속 실리콘을 정제하기 위해, 야금 그레이드 금속 실리콘은, 예를 들어, 트리클로로실란 (SiHCl3)과 같은 트리할로실란으로 전환될 수 있으며, 트리할로실란은 이어서 열분해되어 고순도 실리콘을 형성한다. 그러한 반응 절차는, 예를 들어, DE 29 19 086에 공지되어 있다. 그에 대한 대안으로서, 고순도 실리콘은 또한, 예를 들어, DE 33 11 650에 개시된 바와 같이 모노실란의 열분해에 의하여 얻어질 수 있다. 모노실란은, 특히, 트리클로로실란의 불균등화에 의하여 얻어질 수 있다. 한편, 트리클로로실란은, 예를 들어, 야금 그레이드 금속 실리콘과 실리콘 테트라클로라이드 및 수소의 반응에 의하여 제조될 수 있다.
불균등화 반응을 가속화하기 위해, 촉매를 사용하는 것이 가능하다. DE 25 07 864에 공지된 아민 화합물 및 그 유도체와 같은 염기성 촉매가 특히 유용한 것으로 밝혀졌다. 이들은 바람직하게는, 예를 들어, DE 33 11 650에 개시된 바와 같이 구속된 형태 (bound form)로 사용된다. 고체 지지체에 구속된 촉매는 단순한 방식으로 액체 또는 기체 반응 혼합물로부터 분리될 수 있다. 아민 화합물의 경우, 실란/클로로실란 혼합물 내로의 오염된 아민의 도입은 이러한 방식으로 회피될 수 있다. 이와 연관된 이점으로 인하여, 오늘날 사실상 지지체 상에 고정된 아민 촉매 또는 가교된 폴리머 내에 합체된 아민 촉매만이 트리클로로실란의 산업적 불균등화에 사용되고 있다.
특히, DE 198 60 146로부터 트리클로로실란의 불균등화는 반응성 증류의 원리에 따라 진행될 수 있다는 것이 알려져 있다. 반응성 증류는 하나의 장치에서의, 특히 하나의 컬럼에서의 반응과 증류에 의한 분리의 조합으로 특징지어진다. 이러한 장치에 있어서, 상기 장치의 각각의 부피 요소 (volume element)에서 얻고자 하는 대상인 낮은 끓는점 성분 또는 최저 끓는점 성분의, 평형 상태와 실제 함량 (content) 간의 최적 차이가 항상 유지되도록 하면서, 최저 끓는점 성분은 연속적으로 증류에 의하여 제거된다.
반응성 증류의 이점은 트리클로로실란의 촉매화된 반응의 이점과 결합될 수 있다. 이는 컬럼에서 예를 들어 트리클로로실란의 실리콘 테트라클로라이드 및 모노실란으로의 불균등화를 수행함으로써 달성될 수 있는데, 이 때 상기 컬럼에 있어서는, 물질 전달 (mass transfer)을 가능하게 하는 패킹 (패킹 요소, 내부 구조물 (internal), 등)이 촉매적으로 활성인 고체와 결합되어 있다. 특히, 그러한 컬럼은 촉매적으로 활성인 고체를 패킹 요소 (packing element)로서 함유할 수 있다.
사용되는 촉매적으로 활성인 패킹 요소의 열적 안정성을 고려하는 것이 당연히 필요하다. 이들은 일반적으로 폴리스티렌-디비닐벤젠 수지계이다. 그러나, 상기 수지는 상업적으로 입수가능하고 상대적으로 값이 싸긴 하지만, 100℃ 바로 이상의 온도에서조차 불안정해진다. 원칙적으로, 반응 온도가 더 높게 세팅될수록 트리클로로실란의 불균등화는 더 높은 정도로 가속화될 수 있다. 그러나, 실제에 있어서는, 촉매의 제한된 열적 안정성 때문에 절충이 이루어져야 한다.
도 1은 모노실란 제조를 위한 본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼을 도식적으로 나타낸다.
본 출원에 개시된 본 발명의 목적은 트리클로로실란의 불균등화를 위한 공지의 공정을, 특히 트리클로로실란의 반응 속도 측면에서, 발전시키고 개선시키는 것이었다.
이러한 목적은 제 1 항의 특징을 갖는 모노실란 제조를 위한 플랜트 및 제 8 항의 특징을 갖는 모노실란 제조 공정에 의하여 달성된다. 본 발명의 플랜트의 바람직한 구현예는 종속항인 제 2 항 내지 제 7 항에서 정의된다. 본 발명 공정의 바람직한 구현예는 종속항인 제 9 항 내지 제 13 항에 나타나 있다. 모든 청구항의 기재 내용은 인용에 의하여 본 명세서에 통합된다.
모노실란 제조를 위한 본 발명에 따른 플랜트에 있어서, 이러한 유형의 거의 모든 플랜트에서와 같이 모노실란은 트리클로로실란의 촉매적 불균등화에 의하여 제조된다. 본 발명의 플랜트는 항상 하나 이상의 반응 컬럼을 포함하는데, 상기 반응 컬럼은 트리클로로실란용 주입 라인 및 불균등화에서 형성된 실리콘 테트라클로라이드용 방출 라인을 갖는다. 상기 플랜트는 하나 이상의 냉각기를 더 포함하며, 상기 냉각기를 통하여 생성된 모노실란 또는 모노실란 함유 생성 혼합물이 반응 컬럼으로부터 방출될 수 있다.
상기 하나 이상의 반응 컬럼은 특히 바람직하게는, 서로 다른 온도에서 작동되며 촉매적으로 활성인 서로 다른 고체를 포함하는 2 이상의 반응성/증류성 반응 영역을 가질 수 있다.
반응성 증류의 원리는 이미 처음에 언급하였다. 이 원리는 또한 모노실란 제조를 위한 본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼에서도 사용된다. 따라서, 반응은 각각의 반응성/증류성 반응 영역에서 진행되며, 이때 저비점 성분들 (low boilers)은 연속적으로 방출된다. 그 다음, 이들은 추가적인 반응을 위해 하류에 위치하는 반응성/증류성 반응 영역으로 전달되거나, 또는, 상술한 하나 이상의 냉각기에 직접 공급될 수 있다 (냉각기의 기능은 이하에서 더욱 상세히 설명될 것이다).
본 발명에 따른 플랜트는 상술한 반응 컬럼을 1 이상 포함할 수 있다. 따라서, 불균등화의 속도를 증가시키기 위해, 예를 들어, 2 이상의 반응 컬럼이 플랜트 내에서 병렬로 연결되는 것을 당연히 생각할 수 있다.
일반적으로, 본 발명에 따른 플랜트에 있어서 하나 이상의 반응 컬럼은 수직으로 배열되며, 그에 따라, 서로 다른 온도에서 작동되는 반응성/증류성 반응 영역들은 하나 위에 다른 하나가 배치되는 방식으로 배열된다. 상기 반응 컬럼 내에서, 온도는 바람직하게는 위쪽 방향으로 감소하여, 더 높은 쪽에 위치한 반응성/증류성 반응 영역은 일반적으로, 그 밑에 있는 영역 보다 더 낮은 온도에서 작동한다. 일반적으로, 반응 컬럼은 반응 컬럼의 하부 말단에서만 가열된다. 따라서, 반응 컬럼에서 가장 낮은 위치에 있는 반응성/증류성 반응 영역은 보통 가장 높은 작동 온도를 갖는다.
종래 기술로부터 공지된 반응 절차와 비교하여 본 발명의 플랜트의 결정적인 이점은, 상술한 바와 같이, 촉매적으로 활성인 1 종의 고체만이 아니라 촉매적으로 활성인 2 종 이상의 고체가 사용된다는 점이다. 각각의 고체는 해당되는 특정 작동 온도에 적합하도록 선택될 수 있다. 본 발명에 있어서, 열적으로 더 안정한 고체는 더 높게 위치한 반응 영역 보다 더 낮게 위치한 반응성/증류성 반응 영역에서 촉매로서 사용되는 것이 바람직하다. 그에 따라, 본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼은 모두 종래 기술에서 공지된 것 보다 더 높은 온도에서 작동될 수 있다. 그에 따라 불균등화 속도도 현저하게 증가할 수 있다.
촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 또는 비닐피리딘 유도체계 고체를 갖는 것이 본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼의 하나 이상의 반응성/증류성 반응 영역은 특히 바람직하다. 상기 고체는 특히 바람직하게는 디비닐벤젠을 갖는 코폴리머계이며, 예를 들면, 특히 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머계이다. 적합한 촉매적으로 활성인 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머는, 예를 들어, 미국 특허 4,613,489호에 개시되어 있다.
그러나, 비닐피리딘의 대안으로서, 다른 질소 함유 헤테로고리화합물 (heterocycles)을 사용하는 것이 또한 가능한데, 그 예에는, 폴리비닐-피롤리돈, 폴리비닐피롤리딘, 비닐피롤리돈 및 비닐피롤리딘의 디비닐벤젠과의 코폴리머, 및 이들의 유도체가 포함된다.
모든 이들 화합물은 다중 결합된 질소 원자를 가지며 일반적으로 심지어 200℃ 까지의 온도에서도 열적으로 안정하게 있다.
본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼의 하나 이상의 반응성/증류성 반응 영역은 바람직하게는 촉매적으로 활성인 스티렌계 또는 스티렌 유도체계, 더욱 구체적인 예를 들면, 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계 고체를 포함한다. 처음에 언급한 바와 같이, 그러한 수지는 상업적으로 입수가능하고 상대적으로 값싸지만 제한된 온도에서만 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 반응 컬럼에 있어서, 이들은 따라서 바람직하게는, 비교적 내열성이 더 강한 수지로 충진된 추가적인 반응 영역에 후행하는 반응 영역에서 사용된다.
스티렌계 또는 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계 수지의 촉매 활성도는 수지에서의 아민기, 특히 3 차 및 4 차 아민기의 존재에 기인한다. 3 차 아민기를 가지는 폴리스티렌-디비닐벤젠 수지는 여러 가지 방법으로 얻어질 수 있는데 각각의 경우 이들 방법은 동일한 화학식을 가지는 생성물에 이르게 된다 (Ullmanns Enzyklopadie der technischen Chemie, 4판, volume 13, Weinheim 1997, 301-303 쪽 참조). 순전히 예로서, 이 상황에서는 프탈이미드 공정이 언급될 수 있다. 이 경우, 디비닐벤젠-가교된 폴리스티렌 수지는 프탈이미드 또는 프탈이미드 유도체와 반응한다. 얻어진 생성물, 즉 1 차 폴리비닐벤질아민의 가수분해 후, 이는 포름알데히드 및 포름산과 반응한다. 따라서, 바라는 촉매는 3 차 아미노기를 갖는 폴리스티렌 수지의 형태로 얻어진다.
특히 바람직한 구현예에서, 본 발명에 따른 플랜트는, 상술한 바에 따라, 반응 컬럼을 가지는데 이는
Figure 112015058730979-pct00001
촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 또는 비닐피리딘 유도체계, 특히 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머계 고체로 적어도 부분적으로 충진된 하나 이상의 반응 영역, 및
Figure 112015058730979-pct00002
촉매적으로 활성인 스티렌계 또는 스티렌 유도체계, 특히 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계 고체로 충진된 하나 이상의 반응 영역을 가지며,
여기서 상기 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 또는 비닐피리딘 유도체계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역은 상기 촉매적으로 활성인 스티렌계 또는 스티렌 유도체계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역 아래에 배열된다.
따라서 컬럼의 더 낮은 반응 영역은 더 높은 반응 영역보다 더 높은 온도를 견딜 수 있다. 온도는 상부 쪽으로 감소하며, 상부 쪽에서는 상술한 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계의 값싼 이온 교환 수지를 사용하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 반응 및 증류에 의한 끓는점 낮은 것들 (즉 모노실란 함유 분획(fraction))의 제거 모두가 반응 영역 각각에서 일어난다. 그 다음 끓는점 낮은 것들은 하류의 반응성/증류성 반응 영역으로 이동될 수 있으며, 그에 따라, 컬럼에서 모노실란의 농도는 일반적으로 위쪽 방향으로 증가한다. 그 다음, 컬럼에서 마지막 또는 최상부의 반응 영역으로부터, 실란 함유 생성 혼합물이, 모노실란만이 또는 매우 낮은 비율의 추가적인 휘발성분을 갖는 모노실란 함유 분획 (fraction)만이 통과할 수 있도록 일반적으로 작동되는 냉각기로 공급된다. 가능하다면 염소 함유 실란은 냉각기에 의하여 반응 컬럼 내에 잡혀 있어야 한다. 이러한 이유로, 바람직한 구현예에서 상기 냉각기는 반응 컬럼의 상부에 합체된다. 그러나, 컬럼의 하류에 위치한 별도의 냉각기를 사용하는 것도 원칙적으로 가능하다. 그러한 냉각기에서 분리된 클로로실란은 회송 라인을 통해 반응 컬럼으로 되돌아올 수 있다.
물론, 본 발명에 따른 플랜트는 또한, 병렬 및/또는 직렬로 연결된 복수개의 냉각기를 가질 수도 있다.
상술한 것과 유사한 방식으로, 모노실란을 제조하는 본 발명의 공정에서 트리클로로실란은 또한 촉매적으로 불균등화되는데, 상기 불균등화는 서로 다른 온도에서 작동하며 촉매적으로 활성인 서로 다른 고체를 포함하는 2 이상의 반응성/증류성 반응 영역에서 수행된다. 본 발명의 공정은 특히 바람직하게는 상술한 바와 같은 플랜트에서 수행된다. 그에 따라, 사용될 수 있는 촉매적으로 활성인 고체에 대하여 상술된 것들은 전체적으로 참조될 수 있고 인용에 의하여 통합된다.
상술한 바와 같이, 일반적으로 비닐피리딘계 촉매는 스티렌계 촉매보다 더 높은 온도에서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 공정에서, 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 또는 비닐피리딘 유도체계, 특히 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머계 고체를 포함하는 반응 영역은, 바람직하게는 50℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 작동한다.
유사하게, 촉매적으로 활성인 스티렌계 또는 스티렌 유도체계 고체, 특히, 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계 고체를 포함하는 반응 영역 또는 반응 영역들은, 바람직하게는 50℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 작동한다.
반응 영역에서의 압력은 0.1 바 내지 20 바 범위의 압력으로 일반적으로 세팅된다.
상술한 냉각기의 작동 온도는 바람직하게는 -20℃ 내지 -100℃ 범위이다.
본 발명의 추가적인 특징은 종속항과 연계된 바람직한 구현예에 대한 다음 설명으로부터 유도될 수 있다. 여기서, 각각의 경우에 있어서 개별적인 특징들은 본 발명의 구현예에서 단독으로 실현될 수 있거나 또는 이들의 복수개의 결합으로서 실현될 수 있다. 개시된 바람직한 구현예는 단지 예시의 목적 및 본 발명의 더 좋은 이해를 위한 것이며 제한 효과를 갖는 것으로 해석되어서는 안된다.
도 1은 모노실란 제조를 위한 본 발명에 따른 플랜트의 반응 컬럼을 도식적으로 나타낸다.
상기 도면은 반응 컬럼(100)을 나타내는데 여기서 트리클로로실란은 불균등화 조건하에서 반응할 수 있다. 트리클로로실란은 주입 라인(101)을 통해 주입될 수 있다. 반응 컬럼은 가열 영역(106)을 가지고 있으며 여기서 트리클로로실란의 불균등화에 필요한 에너지가 공급된다. 실제적인 반응은 반응 영역(104) 및 반응 영역(105)에서 일어난다. 촉매적으로 활성인 고체는 두 개의 반응 영역 각각에 존재한다. 반응 영역(104)은 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머로 이루어진 촉매적으로 활성인 입자로 충진되어 있는 반면, 반응 영역(105)은 3 차 아미노기를 갖는 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계의 상업적으로 입수가능한 이온 교환 수지 (Rohm & Haas로부터의 Amberlyst 21)로 충진되어 있다. 따라서 주입 라인(101)을 통해 컬럼 내부로 도입된 트리클로로실란은 반응 영역(104)에서 제 1 단계로 반응하여 모노실란 함유 생성 혼합물을 형성하며 이 혼합물은 반응 영역(105)으로 들어갈 수 있다. 반대로, 더 큰 밀도 및 더 높은 끓는점을 갖는 불균등화 생성물 (테트라클로로실란)은 아래로 이동한다. 제 2의, 추가적인 불균등화는 반응 영역(105)에서 일어날 수 있으며, 반응한 반응 혼합물에서 모노실란의 비율이 더 증가하게 된다. 반응 컬럼(100)의 상부에 합체된 냉각기(103)는 모노클로로실란의 응결점 (condensation point) 아래의 온도에서 작동하여, 실질적으로 모노실란만이 냉각기를 통과할 수 있다. 따라서 냉각기는 이상적인 경우 모노실란만 통과하게 하는 부분 냉각기로서 작동한다. 염소 함유 실란은 냉각기에 의하여 일반적으로 반응 컬럼 내에 잡혀 있게 된다. 모노실란은 방출 라인(107)을 통해 방출될 수 있다. 컬럼의 하부 말단에서는, 축적된 테트라클로로실란은 방출 라인(102)을 통해 방출될 수 있다.

Claims (13)

  1. 트리클로로실란 (SiHCl3)의 촉매적 불균등화에 의하여 모노실란 (SiH4)을 제조하는 플랜트로서, 상기 플랜트가 트리클로로실란용 주입 라인 (101) 및 형성된 실리콘 테트라클로라이드 (SiCl4)용 방출 라인 (102)을 갖는 반응 컬럼 (100) 및 하나 이상의 냉각기 (103)를 포함하며, 생성된 모노실란이 상기 하나 이상의 냉각기를 통하여 상기 반응 컬럼으로부터 방출되며, 상기 반응 컬럼은 서로 다른 온도에서 작동하며 촉매적으로 활성인 서로 다른 고체를 포함하는 두 개 이상의 반응성/증류성 반응 영역 (reactive/distillative reaction regions)(104; 105)을 가지며, 상기 반응 영역의 하나 이상은 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 고체를 포함하며 상기 반응 영역의 하나 이상은 촉매적으로 활성인 스티렌계 고체를 포함하고,
    상기 반응 컬럼 (100)이 수직으로 정열되어 있으며, 그에 따라, 서로 다른 온도에서 작동하는 상기 반응 영역 (104; 105)들이 하나 위에 다른 하나가 배치되는 방식으로 배열되어 있고,
    상기 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역이, 상기 촉매적으로 활성인 스티렌계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역 아래에 배열되어 있는 플랜트.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반응 컬럼 (100) 내에서 온도가 위쪽으로 감소하며, 그에 따라, 더 높게 위치한 반응 영역 (105)이 그 밑에 위치한 반응 영역 (104)보다 더 낮은 온도에서 일반적으로 작동되는 플랜트.
  4. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 반응 영역이 촉매적으로 활성인 비닐피리딘-디비닐벤젠 코폴리머계 고체를 포함하는 플랜트.
  5. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 반응 영역이 촉매적으로 활성인 스티렌-디비닐벤젠 코폴리머계 고체를 포함하는 플랜트.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각기 (103)가 상기 반응 컬럼 (100)의 상부에 합체되어 있는 플랜트.
  8. 트리클로로실란 (SiHCl3)의 촉매적 불균등화에 의하여 모노실란 (SiH4)을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은 서로 다른 온도에서 작동하며 촉매적으로 활성인 서로 다른 고체를 포함하는 반응 컬럼 내의 두 개 이상의 반응성/증류성 반응 영역 (104; 105)에서 상기 불균등화 반응을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 반응 영역의 하나 이상은 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 고체를 포함하며 상기 반응 영역의 하나 이상은 촉매적으로 활성인 스티렌계 고체를 포함하고,
    상기 반응 컬럼이 수직으로 정열되어 있으며, 그에 따라, 서로 다른 온도에서 작동하는 상기 반응 영역 (104; 105)들이 하나 위에 다른 하나가 배치되는 방식으로 배열되어 있고,
    상기 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역이, 상기 촉매적으로 활성인 스티렌계 고체를 포함하는 상기 하나 이상의 반응 영역 아래에 배열되어 있는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 제 1 항에 따른 플랜트에서 수행되는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 촉매적으로 활성인 비닐피리딘계 고체를 포함하는 상기 반응 영역이 50℃ 내지 200℃ 범위의 온도에서 작동되는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 촉매적으로 활성인 스티렌계 고체를 포함하는 상기 반응 영역이 50℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 작동되는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 반응 영역 (104; 105)의 압력이 0.1 바 내지 20 바 범위의 압력으로 설정되어 있는 방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 냉각기 (103)가 -20℃ 내지 -100℃ 범위의 온도에서 작동되는 방법.
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