RU2010143337A - Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом - Google Patents
Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010143337A RU2010143337A RU2010143337/28A RU2010143337A RU2010143337A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A RU 2010143337/28 A RU2010143337/28 A RU 2010143337/28A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- minutes
- range
- potential
- koh
- naoh
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
1. Способ текстурирования кремниевых пластин, включающий: ! - погружение пластин в щелочной раствор с рН>10, и ! - приложение разности потенциалов между пластиной и платиновым электродом, ! причем ! - щелочной раствор представляет собой раствор КОН или NaOH с концентрацией КОН или NaOH приблизительно от 2 мас.% до приблизительно 40 мас.%, ! - температура ванны составляет приблизительно от 30°С до приблизительно 70°С, !- продолжительность поляризации составляет от 5 мин до приблизительно 30 мин, и ! - потенциал, прикладываемый между пластиной и платиновым противоэлектродом, изменяется импульсно от +20 В до +85 В. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале приблизительно от 10 мас.% до приблизительно 40 мас.%, а температура ванны - приблизительно от 30°С до приблизительно 50°С. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале от 2 мас.% до 10 мас.%, а температура ванны - в интервале от 30°С до 50°С. ! 4. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура ванны находится в интервале от 50°С до точки кипения раствора КОН или NaOH. ! 5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пластины подвергают предварительному травлению в течение периода времени перед приложением потенциала путем погружения в щелочной раствор без приложения потенциала. !6. Способ по п.5, отличающийся тем, что период предварительного травления варьирует от 1-2 с до приблизительно 30 мин, предпочтительно приблизительно от 5 мин до 10 мин.
Claims (6)
1. Способ текстурирования кремниевых пластин, включающий:
- погружение пластин в щелочной раствор с рН>10, и
- приложение разности потенциалов между пластиной и платиновым электродом,
причем
- щелочной раствор представляет собой раствор КОН или NaOH с концентрацией КОН или NaOH приблизительно от 2 мас.% до приблизительно 40 мас.%,
- температура ванны составляет приблизительно от 30°С до приблизительно 70°С,
- продолжительность поляризации составляет от 5 мин до приблизительно 30 мин, и
- потенциал, прикладываемый между пластиной и платиновым противоэлектродом, изменяется импульсно от +20 В до +85 В.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале приблизительно от 10 мас.% до приблизительно 40 мас.%, а температура ванны - приблизительно от 30°С до приблизительно 50°С.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале от 2 мас.% до 10 мас.%, а температура ванны - в интервале от 30°С до 50°С.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура ванны находится в интервале от 50°С до точки кипения раствора КОН или NaOH.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пластины подвергают предварительному травлению в течение периода времени перед приложением потенциала путем погружения в щелочной раствор без приложения потенциала.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что период предварительного травления варьирует от 1-2 с до приблизительно 30 мин, предпочтительно приблизительно от 5 мин до 10 мин.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20081386A NO20081386L (no) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof |
| NO20081386 | 2008-03-14 | ||
| PCT/NO2009/000092 WO2009113874A2 (en) | 2008-03-14 | 2009-03-12 | Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010143337A true RU2010143337A (ru) | 2012-04-20 |
| RU2474008C2 RU2474008C2 (ru) | 2013-01-27 |
Family
ID=41065685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010143337/28A RU2474008C2 (ru) | 2008-03-14 | 2009-03-12 | Способ текстурирования кремниевых поверхностей |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8658544B2 (ru) |
| EP (1) | EP2266142A2 (ru) |
| JP (1) | JP5172975B2 (ru) |
| KR (1) | KR101300074B1 (ru) |
| CN (1) | CN102113123B (ru) |
| CA (1) | CA2718397C (ru) |
| NO (1) | NO20081386L (ru) |
| RU (1) | RU2474008C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009113874A2 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5477375B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-04-23 | 栗田工業株式会社 | エッチング液の処理装置及び処理方法 |
| EP2463410B1 (en) * | 2010-12-13 | 2018-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Electrochemical etching of semiconductors |
| JP5909671B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-04-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法及び半導体材料からなる基板の製造方法 |
| CN102730631B (zh) * | 2012-07-10 | 2015-05-20 | 西南交通大学 | 一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法 |
| RU2600076C1 (ru) * | 2015-07-08 | 2016-10-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры |
| CN111146313A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-05-12 | 欧浦登（顺昌）光学有限公司 | 晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用 |
| CN111524985A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-11 | 中国科学院电工研究所 | 一种多晶硅片表面制绒的方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3078219A (en) * | 1958-11-03 | 1963-02-19 | Westinghouse Electric Corp | Surface treatment of silicon carbide |
| US5129982A (en) | 1991-03-15 | 1992-07-14 | General Motors Corporation | Selective electrochemical etching |
| KR950003953B1 (ko) * | 1992-08-14 | 1995-04-21 | 주식회사금성사 | 태양전지의 제조방법 |
| JPH0766437A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Tonen Corp | 光電変換装置用基板の製造方法 |
| US5445718A (en) * | 1994-01-24 | 1995-08-29 | General Motors Corporation | Electrochemical etch-stop on n-type silicon by injecting holes from a shallow p-type layer |
| US5949118A (en) | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| KR100217006B1 (ko) | 1995-10-17 | 1999-09-01 | 미따라이 하지메 | 에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치 |
| US6284670B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
| JP3602323B2 (ja) | 1998-01-30 | 2004-12-15 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| RU2139601C1 (ru) * | 1998-12-04 | 1999-10-10 | ООО Научно-производственная фирма "Кварк" | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
| RU2210142C1 (ru) * | 2002-04-17 | 2003-08-10 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр завода "Красное знамя" | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
| US20050148198A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-07 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Texturing a semiconductor material using negative potential dissolution (NPD) |
| US7494936B2 (en) | 2005-05-16 | 2009-02-24 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Method for electrochemical etching of semiconductor material using positive potential dissolution (PPD) in solutions free from hydrogen fluoride (HF) |
| ATE514193T1 (de) * | 2006-08-19 | 2011-07-15 | Univ Konstanz | Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen |
| CN101271775B (zh) * | 2008-04-30 | 2010-09-08 | 天津大学 | 一种铂合金电极及其制备方法 |
-
2008
- 2008-03-14 NO NO20081386A patent/NO20081386L/no not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-03-12 KR KR1020107022983A patent/KR101300074B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-03-12 US US12/922,349 patent/US8658544B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 CN CN200980117261.9A patent/CN102113123B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 EP EP09720505A patent/EP2266142A2/en not_active Withdrawn
- 2009-03-12 CA CA2718397A patent/CA2718397C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 WO PCT/NO2009/000092 patent/WO2009113874A2/en active Application Filing
- 2009-03-12 RU RU2010143337/28A patent/RU2474008C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-03-12 JP JP2010550624A patent/JP5172975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011515576A (ja) | 2011-05-19 |
| US8658544B2 (en) | 2014-02-25 |
| NO20081386L (no) | 2009-09-15 |
| US20110059618A1 (en) | 2011-03-10 |
| CA2718397C (en) | 2015-11-24 |
| CA2718397A1 (en) | 2009-09-17 |
| EP2266142A2 (en) | 2010-12-29 |
| CN102113123B (zh) | 2014-06-18 |
| JP5172975B2 (ja) | 2013-03-27 |
| KR101300074B1 (ko) | 2013-08-30 |
| RU2474008C2 (ru) | 2013-01-27 |
| KR20100133434A (ko) | 2010-12-21 |
| CN102113123A (zh) | 2011-06-29 |
| WO2009113874A2 (en) | 2009-09-17 |
| WO2009113874A3 (en) | 2010-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010143337A (ru) | Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом | |
| BR112018072175A2 (pt) | método para preparar a estrutura texturizada da célula solar de silício cristalino | |
| ATE555235T1 (de) | Pd- und pd-ni-elektrolytbäder | |
| ATE505438T1 (de) | Verfahren zur aktivierung einer auf diamant basierenden elektrode | |
| WO2008108341A1 (ja) | 表面粗化銅板の製造方法及び装置、並びに表面粗化銅板 | |
| RU2012112945A (ru) | Способ формирования анодированного слоя, способ изготовления формы, способ изготовления просветляющей пленки, а также форма и просветляющая пленка | |
| ES2540875T3 (es) | Método para remover una capa afectada por trabajo formada sobre la superficie de una aleación a base de TiAl mediante trabajo mecanizado | |
| FR2959599B1 (fr) | Dispositif et procede de texturation mecanique d'une plaquette de silicium destinee a constituer une cellule photovoltaique, plaquette de silicium obtenue | |
| RU2010134511A (ru) | Многофункциональное покрытие для алюминиевых изделий | |
| RU2013138965A (ru) | Способ полирования деталей из титановых сплавов | |
| RU2014117532A (ru) | Кислотные очистители для металлических подложек и связанные с ними способы очистки и нанесения покрытий на металлические подложки | |
| MY159980A (en) | Manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk | |
| EA201190328A1 (ru) | Электролитическая ячейка и блок электропитания, содержащий электролитическую ячейку | |
| RU2015146338A (ru) | Способ электролитно-плазменной обработки изделий, изготовленных с применением аддитивных технологий и устройство для его осуществления | |
| ES2542619T3 (es) | Pretratamiento de hojalata antes de un lacado | |
| MD192Y (en) | Process for thermochemical treatment of steel articles | |
| RU2010101527A (ru) | Способ электроконтактноэрозионнохимической обработки | |
| CN107447245B (zh) | 一种提升高硅不锈钢耐腐蚀性能的方法 | |
| RU2013156640A (ru) | Способ электролитно-плазменного удаления полимерных покрытий с поверхности детали из легированных сталей | |
| RU2009124736A (ru) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе | |
| RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
| JP2009130067A (ja) | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 | |
| RU2016102533A (ru) | Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения | |
| Wu et al. | Corrosion Damage Monitoring of Stainless Steel by Acoustic Emission | |
| RU2011147338A (ru) | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180313 |