CN102113123B - 织构化硅表面的方法及由该方法制造的晶片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种织构化硅表面的方法和通过所述方法制造的硅晶片，其中所述方法包括将晶片浸泡在pH＞10的碱性溶液中，并且在电解液中在晶片和铂电极之间施加+10至+85V范围内的电势差。
Description
技术领域
本发明涉及织构化(texturing)硅表面的方法和通过所述方法制造的硅晶片。
背景技术
在未来的数十年内，预期世界石油供应将逐渐耗尽。这意味着在几十年之内将必须替换上个世纪所用的主要能源，既为了满足现在的能量消耗也为了满足将来全球能量需求的增加。
另外，提出了许多顾虑，即，使用化石能源正使地球温室效应增加到可能变得危险的程度。因此，应当优选对我们的气候和环境可再生且可持续的能源/载体来替代现在的化石燃料消耗。
这样的能源中的一种是太阳光，其使用比现在和任何可预见的人类能量消耗的增加都巨大得多的能量照射地球。然而，迄今太阳能电池电力太昂贵，从而不能与核能、热能等竞争。如果要实现太阳能电池电的巨大潜力，那么这需要改变。
大部分太阳能电池由单晶硅或多晶硅生产。由于硅基光伏材料的高表面反射率，通常对硅基光伏材料的表面进行表面处理以增加入射辐射的吸收并因此增加电池中产生的电流。粗糙表面提高了吸收，而平坦表面将入射光束反射至更高程度。为了将电池的效率最大化，对它们进行织构化(变粗糙)和/或通过沉积一个以上介电层来使用抗反射涂层将其覆盖。
现有技术
目前通过在强碱性溶液中或者在氢氟酸和硝酸混合物中的化学腐蚀来进行硅晶片的织构化。遗憾地是，这两种技术都有明显缺点。
在碱性溶液中的腐蚀产生Si的不均匀溶解，从而产生不均匀的织构化。所述情况的原因是，多晶Si的溶解是由于表面晶粒的取向而导致的。因此，光的反射度变得较高。通过利用在氢氟酸/硝酸中腐蚀来解决该问题，其产生各向同性的腐蚀，这是取向独立的。然而，酸的操作和废物的处理是昂贵的，并且是环境危险的。而且，该方法难以控制，晶片更易于损坏，并且所述方法更昂贵。
US 6,284,670公开了用于硅器件的腐蚀方法，所述方法通过在KOH溶液中经由掩模对硅晶片进行各向异性腐蚀，接着在相同的腐蚀溶液中对各向异性腐蚀的凹处进行各向同性腐蚀，从而在硅表面上形成凹处。通过施加0.3～6V的电压来获得各向同性腐蚀。在0.2V至零的电压下，所述腐蚀变成各向异性，并可被看作是通过施加的电势增强的化学腐蚀方法。据报导，各向异性腐蚀产生了具有尖锐边缘/角的凹处，而各向同性腐蚀使凹处的表面区域平滑，从而产生了由各向异性化学腐蚀形成的凹处的修圆的边缘部分。
在水中硅的电化学特性是电势、pH和温度的函数。在诸如图1所示的甫尔拜图(Pourbaix diagram)[1]中描述了在25℃下的反应和形成产物。该图给出了在它们的平衡条件中对于电化学反应的电势和pH的关系。
能够通过下式来描述在Si和水之间的阳极反应：
Si+2H2O＝SiO2+4H++4e- (1)
该反应的平衡电势是：
E(0)＝-0.857-0.0591pH. (2)
方程2的电势显示了pH相关性，并且在图1中，由图中的线3来对其进行表示。在那条线以上SiO2是稳定的。在所述线以下，从热力学观点来看，Si是稳定的。
图中的线5表示下述反应：
SiO2+H2O＝HSiO3 -+H+ (3)
HSiO3 -的浓度随pH变化：
log(HSiO3 -)＝-15.21+pH (4)
在HSiO3 -的浓度等于10-4M时，pH变为11.21。在图中指示a和b的线分别表示氢和氧的渐近反应。这些线之间的电势-pH范围表示水的稳定范围。
在低pH值下，反应方程3的平衡向左移动，从而产生SiO2。
在pH＜10时形成的氧化物在除HF溶液之外的水溶液中都是稳定的。然而，在更高pH值下，SiO2与水反应并且形成不同的硅酸盐，H2SiO3、HSiO3 -和SiO3 2-。所述硅酸盐的溶解度取决于溶液中存在的阳离子。在含有如Na、K等的碱金属的碱性溶液中，所述硅酸盐是水溶性的。
发明目的
本发明的目的是提供一种织构化硅晶片的方法，所述方法允许使用碱性腐蚀溶液，并且由所述方法提供的硅晶片具有比经受现有化学腐蚀方法的晶片显著更低的反射率。
通过在本发明的以下说明和/或权利要求书中陈述的特征，可以达到本发明的目的。
发明内容
本发明基于这样的实现，即通过在碱性溶液中在硅晶片的腐蚀期间施加在水的稳定电势以上的电势，在晶片表面局部形成氧和质子，从而降低了晶片表面的pH。进一步地，通过施加充分强的电势，在电流密度充分强的晶片表面上形成局部斑点/区域，并因此形成了质子，从而局部降低了pH，以便即使在强碱性溶液中也使得形成了稳定的SiO2。而且，通过电流诱导的质子形成不保护这些化学钝化(通过形成SiO2)区域的邻近区域，因此通过碱性溶液对所述邻近区域进行腐蚀。因此，与在碱性溶液中的常规化学腐蚀相比，在强碱性腐蚀溶液中使用高电势会将碱性溶液中硅的各向异性化学腐蚀转变为具有更均匀的特性的更加各向同性的腐蚀。因此，本发明的阳极极化导致了晶片的均匀腐蚀。
因此，在本发明的第一方面中涉及织构化硅晶片的方法，所述方法包括：
将晶片浸泡在pH＞10的碱性溶液中，以及
在电解液中在晶片和铂电极之间施加在+10至+85V范围内的电势差。
本文中所用的术语“各向异性腐蚀”是指这样一种腐蚀方法，所述方法涉及在硅材料的晶体中在不同方向上的不同腐蚀速率，因此提供了具有增强的表面粗糙度的表面区域。因此，本文中所用的术语“各向同性腐蚀”是指这样一种腐蚀方法，所述方法在有机硅材料的不同晶体方向上以相同腐蚀速率发生，并提供均匀的织构化表面。本文中所用的术语“织构化表面”是指已经对其进行了用于增加表面粗糙度的处理的任何表面。
本文中所用的术语“碱性溶液”是指在水中碱金属氢氧化物的任何溶液。用于构成所述碱性溶液的适合的碱性化合物包括但不限于LiOH、RbOH、NaOH和KOH。
本文中所用的术语“电势差”是指在两点之间的电势差，即将单位电荷抵抗电力从一点移动至另一点必须做的功，也称为电动势(EMF)。在工作电极和铂对电极之间的电势差的量以V给出。
本发明的方法提供了在硅晶片上的均匀表面织构化，所述织构化显著地降低了入射辐射的反射度，因此显著增强了电池的效率。认为通过下列机制获得了该效果：
认为在水的稳定区域以上的外加电势通过下列反应将水分解为质子和氧气：
2H2O＝O2+4H++4e- (5)
同时硅在碱性溶液中发生阳极溶解：
Si＝Si4++4e- (6)
这两个反应都发生在表面上。如果表面上的pH超过10，那么方程6的Si4+离子立即与水反应并形成硅酸盐离子。在另一方面，如果电流密度高，则方程5的氧反应产生质子，所述质子局部降低了表面上的pH。从而，在表面上形成了SiO2；通过上面给出的方程1描述了总反应。
最初假定表面上的Si溶解和SiO2形成发生在具有优先取向(100)的晶面上。而且，这些反应最初发生在氧反应最强烈的局部区域上。从而，通过形成SiO2使这些区域钝化并且使附近区域溶解(腐蚀)。在钝化区域上氧反应速率减慢；从而，pH增加并且氧化物溶解以及发生阳极溶解。该方法在表面上方波动并从而导致不均匀溶解，从而提供了与在常规化学腐蚀过程中获得的织构化表面相比，更均匀的织构化表面。从溶解的观点来看，高度极化以不太有利的取向激活晶粒；电流强度增加并从而将该区域局部地腐蚀和钝化。继续该方法直到达到固定状态。
在碱性溶液中在表面上形成的SiO2，仅在表面上的pH局部足够低，pH＜10时是稳定的。由于电流的局部波动，氧化物具有被溶解的趋势。在初始状态之后，如所述的那样，获得了固定状态；氧化物的溶解速率和形成速率相等。表面上形成的氧化物变得多孔；其厚度取决于施加的电势、碱浓度和温度。
Si和SiO2的溶解速率取决于OH-离子的浓度和温度；溶解速率随着OH-含量和温度的增加而增加。为了优化织构化，必须找到产生期望形貌(topography)的参数组合。所述参数是：电势对曝露时间、碱浓度和温度。然而，可能不仅仅是一组产生可接受的织构化的参数。因此，本发明包括很多广泛的参数范围，其中技术人员将能够通过使用常识和/或试验性实验找到。
在使用NaOH或KOH作为碱成分的情况下，采用本发明方法的可能参数是：碱性溶液的浓度范围为从约2重量％的碱直到饱和，但是通常会在约10重量％至约40重量％的碱的范围内。浴温可以为从约10℃直到约70℃，但是通常会在约30℃至约50℃的范围内。如所提及的那样，在晶片和铂对电极之间的外加电势可以在+10至+85V的范围内，但是通常会在约+20至+85V的范围内。
作为正在施加电势差时晶片在碱性浴中的浸泡时间，曝露时间或者极化时间取决于浴浓度、浴温和所施加的电势差。曝露时间随着浴浓度、浴温和施加的电势差的增加而降低。在上述参数范围内，曝露时间可以为约1分钟直到约两小时，但是通常会在约5分钟至约30分钟的范围内。对于上述参数，采用术语“约”表示这些界限不是绝对的。
在施加电势前，可以有利地将晶片浸泡在碱性腐蚀流体中以进行短时间的预腐蚀，以便获得无损伤的表面和/或除去所述晶片的可能的表面氧化层。所述预腐蚀时间可以从1-2秒钟至约30分钟变化，取决于晶片的损伤程度和表面氧化层的厚度、碱浓度和浴温。通常，预腐蚀时间为约5分钟至约10分钟。
施加的电势和这样的电流可以是脉冲的，以便增强电化学点蚀效果(electrochemical pit etching effect)。在NaOH或KOH作为碱成分的情况下，电势可以是脉冲的，且从85V至20V脉动，碱性溶液可以为2重量％至40重量％的KOH或NaOH，以及温度可以为30℃至70℃。适合的参数组合的例子包括但不限于：从85V至20V脉冲的电势、10重量％至40重量％的KOH或NaOH的碱性溶液、以及温度为30℃至50℃；在10-40重量％的KOH或NaOH和50-70℃的温度下，从10-20V脉冲的电势；在2-10重量％的KOH或NaOH、或从40重量％至饱和的KOH或NaOH中，在30-50℃的温度下，从85V至20V脉冲的电势；以及在2-10重量％的KOH或NaOH、或从40重量％至饱和的KOH或NaOH中，在10-30℃的温度或从50℃至KOH或NaOH的沸点的温度下，从85V至20V脉冲的电势。
由此本发明将获得与HF/HNO3方法相同的有利织构化，但是使用了更加环境友好和划算的碱性腐蚀溶液，并且没有过程控制的问题。而且，由于其折射指数小于用于晶片的Si的折射指数的事实，多孔表面、SiO2、在电化学极化过程中形成的层增加了光的吸收。因此，通过选择极化参数来考虑其抗反射性能。氧化物的结构和厚度取决于这些参数：OH-浓度、电势、温度和曝露时间。
附图说明
图1是Si的甫尔拜图[1]。
图2是在3000X放大倍数下原切割的(as cut)硅晶片的SEM显微照片。
图3是显示化学腐蚀的晶片的显微照片；20重量％的KOH，50℃和10分钟曝露时间。图片a)的放大倍数是1150X，图片b)的放大倍数是3200X。
图4是显示在50℃下在30重量％的KOH中预腐蚀5分钟，然后在25V下极化10分钟的晶片的显微照片。图片a)的放大倍数是650X，图片b)的放大倍数是17000X。
图5是显示在50℃下在30重量％的KOH中在25V下极化10分钟的晶片的显微照片。(无预腐蚀)。图片a)的放大倍数是1700X，图片b)的放大倍数是3200X。
图6是显示在40℃下在20重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后在50V下极化5分钟的晶片的显微照片。图片a)的放大倍数是320X，图片b)的放大倍数是3200X。
图7是显示在50℃下在10重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后在50V下极化10分钟的晶片的显微照片。图片a)的放大倍数是320X，图片b)的放大倍数是3200X。
图8是显示在50℃下在5重量％的KOH中预腐蚀15分钟，然后在50V下极化10分钟的晶片的显微照片。图片a)的放大倍数是320X，图片b)的放大倍数是3200X。
图9是显示在70℃下在5重量％的KOH中用50至25V的脉冲电势极化5分钟的晶片的显微照片。(无预腐蚀)。图片a)的放大倍数是320X，图片b)的放大倍数是3200X。
图10是显示在70℃下在2重量％的KOH中预腐蚀5分钟，然后在从50V至30V的脉冲下极化5分钟的晶片的显微照片。图片a)的放大倍数是1700X，图片b)的放大倍数是3200X(显示a)的相邻区域)。
图11是显示在40℃下在42重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后在85V下极化0.5分钟，然后在50V下极化5分钟的晶片的显微照片。所述图片的放大倍数是3200X。
图12是显示在50℃下在20重量％的KOH中预腐蚀5分钟，然后在6V下极化10分钟的晶片的显微照片。所述图片的放大倍数是1000X。
图13是显示在85℃下在20重量％的KOH中预腐蚀5分钟，然后在6V下极化10分钟的晶片的显微照片。所述图片的放大倍数是1000X。
图14是从在50℃下曝露于20重量％的KOH中10分钟的化学腐蚀的晶片记录的XPS光谱。这是与图3中相同的样品。
图15是从预腐蚀和极化的样品记录的XPS谱；30重量％的KOH、25V、10分钟。符号(0nm、10nm和20nm)表示离子腐蚀深度。
图16是从在40℃下在20重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后极化：5分钟20V；5分钟50V，0.5分钟70V；5分钟50V；0.5分钟70V；3分钟50V；4分钟20V，200X的样品记录的XPS光谱。所述离子腐蚀深度是0nm、20nm、40nm和60nm。这是与图17a-d中相同的样品。
图17a-d显示了硅晶片的SEM显微照片，所述硅晶片已经在40℃下在20重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后在20V下极化5分钟，在50V下极化5分钟，在70V下极化0.5分钟，在50V下极化5分钟，在70V下极化0.5分钟，在50V下极化3分钟，以及在20V下极化4分钟。图片a)的放大倍数是320X，图片b)的放大倍数是3200X，图片c)的放大倍数是17000X，以及图片d)的放大倍数是35000X。
图18显示了从硅晶片测定的入射光反射度的比较。上部曲线显示了在KOH中化学腐蚀的晶片，中间曲线显示了未处理的(原切割的)晶片，下部曲线显示了根据本发明腐蚀的晶片。
具体实施方式
将通过实验更详细地说明本发明，从而证实本发明的效果。这些实验不应当被认为是对本发明总体想法的限制，所述想法采用充分高的电势以在强碱性溶液中获得硅晶片的各向异性腐蚀。
为了证明电化学处理对于Si晶片形貌的影响，已经进行了实验系列。将样品从锯切工艺中取出，根据常规的步骤将其洗涤并干燥，以除去任何锯切流体的切口和残留物，从而形成未处理的晶片，例如在图2中所示，其是放大倍数为3000X的SEM显微照片。所述图片显示，通过切割硅铸件来制造晶片是由形成硅的脆性断裂的磨损机制引起的。原切割的晶片的表面是非常闪亮的；约30％的入射光被反射。
将晶片曝露于含有浓度在2至42重量％的范围内变化的KOH的水溶液。温度范围是30至70℃。极化时间在2至15分钟之间且电压在20V至85V的范围内变化。对样品和铂对电极之间的电势进行测量。在曝露之后，取出样品，将其在去离子水中浸透，用乙醇喷雾并且在暖空气流中干燥。在取出之后立即断开电势。然而，发现这不是关键的。这样做是为了防止氧化物的溶解。
在表1中总结了图2至13中所示的实施例的处理。也用表中所显示的参数之外的参数组进行了实验。下面这些是注解。预期电化学织构化的技术应用会在用于图中描述的实验中的参数组的主体之内。
在施加电势以前将一些样品在曝露溶液中预腐蚀。进行这些实验以便阐明在极化前，在开放电势下化学腐蚀的影响。在预腐蚀过程中，在晶片锯切期间形成的氧化物被溶解。由此得出结论，预腐蚀的需要取决于曝露参数。
表1：晶片处理
放大倍数为1150X和3200X的图3显示了化学腐蚀晶片的表面。所述曝露是在50℃下在20重量％的KOH中曝露10分钟。在2分钟之后观察到强烈的氢形成，显示除去了预形成的氧化物。对于多晶Si的腐蚀，腐蚀图案是特有的；棱锥形结构。图3a是在腐蚀(100)和(110)面的过程中获得的，而平坦区域来自(111)面。在这种情况下使用的温度和浓度可能比在实施中的更低；然而，在这种情况下的预腐蚀足以除去在锯切过程中形成的表面缺陷。
在50℃下在30重量％的KOH中对图4中所示的样品预腐蚀5分钟，然后在25V下极化10分钟。在低放大倍数(650X)下，呈现出表面被各向同性地织构化，从而导致了凹陷的形成。所述凹陷的“直径”在2至10μm的范围内。在更高的放大倍数(17000X)下，图4b显示，在所述凹陷中形成了微小的坑；所述坑口的直径为约200nm。下面将根据氧化物形成来讨论点蚀机制。
图5中显示了预腐蚀的影响。其显示了曝露于与图4中电化学参数相同的电化学参数的样品，但它不是预腐蚀的。在曝露于溶液后立即施加电势。发生了将表面不均匀腐蚀；相当大部分的区域根本未被腐蚀。显然预腐蚀除去了表面氧化物膜并且促进了点蚀过程。
图6至10显示了在含有较低浓度KOH的溶液中进行的电化学腐蚀；所述浓度分别为20重量％、10重量％、5重量％和2重量％。为了获得尽可能好的腐蚀结果，需要改变其它参数。图6中所示的样品是在40℃下在20重量％的KOH(比图4中的值更低的值)中极化的。为了获得如图4所示的相同的各向同性的织构化结果，必须从25V至50V增强施加的电压。在另一方面，可以将曝露时间降低至5分钟。
图7和8显示，在10和5重量％的KOH中的腐蚀产生了可接受的表面结构。在这些情况下，分别将预腐蚀增加至10和15分钟。温度、电压和极化时间为50℃、50V和10分钟。
在没有预腐蚀的情况下，在5重量％的KOH中也进行了实验。在5分钟后在70℃下获得了相对好的腐蚀效果，见图9。然而，仅将一部分表面腐蚀。在该温度下，电池电流变高，从而使得在约30秒之后电压从50V降低至25V。
图10中的显微照片是源自在70℃下曝露于2重量％的KOH中的样品。对其预腐蚀5分钟，在50V下极化几秒，然后在30℃下极化5分钟。即使在这种情况下，表面也仅部分腐蚀。然而，在腐蚀区域中的凹陷具有与在较低温度下在较高KOH浓度中获得的凹陷相同的形态。
从上文很明显，预腐蚀增强了溶解过程。在高温，70℃下，似乎必需的预腐蚀时间相对短暂。还没有对预腐蚀时间的优化进行尝试。
图11显示了在高电压，85V下的腐蚀之后的形貌。将样品在40℃下在42重量％的KOH中预腐蚀10分钟，然后将其在85V下极化约30秒钟，然后降低至50V极化5分钟。最初，电流非常高，并且即使在降低电压后电流依然变高。从放大倍数为3200X的该图可以看出，表面被严重腐蚀。然而，在较低的KOH浓度及较低的温度下也可能能够达到最佳形貌。进行该实验以便证明即使在高电势下也能够获得期望的表面结构。
在低电压下也进行了实验。图12和13分别显示了在50℃和85℃下，在20重量％的KOH中在6V下极化10分钟后的表面。分别将所述样品预腐蚀5分钟和2分钟。从图中可以看出，所述样品根本不受电化学处理影响。两个样品都仅被化学腐蚀。
基于本发明的主要想法是在极化过程中，表面pH变得足够低，从而使得SiO2形成。结果表明，电势必须较高，从而在表面上产生足够的氧。在6V下进行的实验显示没有效果，电势必须更高；在这种低电势下，尽管事实是KOH浓度高，为20重量％，但是晶片既不在50℃下也不在85℃下被电化学腐蚀。
如所述的，通过同时的氧化物形成和溶解过程获得了点蚀结构，原因在于通过氧反应控制的表面pH的局部变化。因此，研究在不同处理之后氧化物的形成是有趣的。在一些样品的曝露之后，已经通过利用XPS(XPS-X-射线光电子能谱)确定了氧化物的厚度。
图14显示了从图3表示的化学腐蚀样品记录的Si 2p信号。由表示氧化物、Si4+和硅Si0的零价态的峰强度来计算氧化物的厚度。估计的氧化物厚度是1.5nm。
图15显示了源自如图4中所示的样品的Si 2p光谱。氧化物比电子平均自由通道的三倍更厚；因此不能检测出纯Si状态。为了测定氧化物厚度，同步(in steps)对表面进行离子腐蚀并对其进行分析。从而能够测定氧化物的厚度。在图中标记腐蚀深度。看起来从收到的(as-received)状态和在10nm离子腐蚀之后，仅记录了氧化物状态。在腐蚀至低于起始表面20nm之后，检测到Si的零价态。在该腐蚀深度下，氧信号的强度已降至它的最大值的一半。将该条件用作氧化物厚度的测量。因此，在该样品的电化学腐蚀期间形成的氧化物的平均厚度在10至20nm的范围内。必须指出，氧化物的厚度不能是均匀的；其必须是多孔的，以便使得Si溶解。该实验给下述发现提供了支持，即通过氧化物形成和溶解机制来控制各向同性的织构化方法，所述氧化物形成和溶解机制仅当在晶片和铂对电极之间施加比+10V更高的电势时发生。
结果示于图16和17中的实验的目的是显示通过改变电池电压，控制表面形态和氧化物厚度的可能性。将样品在40℃下在20重量％的KOH中预腐蚀10分钟(与图6相同)。在曝露过程中，电压对时间如下变化：20V，5分钟；50V，5分钟；70V，0.5分钟；50V，5分钟；70V，0.5分钟；50V，3分钟；以及20V，4分钟。总曝露时间是23分钟。图16显示了记录的XPS光谱。在这种情况下，在记录Si(0)状态之前，必须将样品向下腐蚀至起始表面下40nm。在那个水平下，氧信号已降至其最大值的一半。因此，平均氧化物厚度约为40nm。
图17a-d的SEM显微照片显示了在各种电势下极化的样品的表面。在所述表面上处处发现了相同形态。图17a和17b显示，粗糙的凹陷在5至20μm的范围内。在粗糙的凹陷的边缘内和边缘上，显示了较小的坑。这些坑的开口为2μm以下。在高放大倍数下，图17c和17d的放大倍数分别为17000X和35000X，显示在这些坑中形成了微坑。这些微孔的“直径”在100nm至200nm的范围内。
当通过二次电子将它们记录时，微坑可能是表面上氧化物的不均匀分布的效果。建议通过氧化物脊纹来修饰坑的边缘，并且在它们的根部发生氧反应。溶解发生在凹陷的中心。随后必须解决机制的细节。
反射度测量
将反射度对光的波长的记录数据示于图18中。中间的曲线显示了原切割样品的反射度。由化学NaOH(碱)腐蚀的表面获得了上部的曲线。该表面条件为目前采用常规的化学腐蚀方法在REC ScanCell制造的晶片的表面条件。在如上述例子中给出的极化之后，获得了下部的曲线(A7)。该图显示，可以显著地降低反射度。事实上，在500nm波长处，将极化的样品的反射度减少至从碱性腐蚀表面记录的反射度的1/3。
参考文献
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Claims (6)
1.一种各向同性织构化多晶硅晶片的方法，其中所述方法包括：
将所述晶片浸泡在pH>10的碱性溶液中，以及
在电解液中在所述晶片和铂对电极之间施加电势，其中
所述碱性溶液是浓度为2重量%至40重量%KOH的KOH溶液，或所述碱性溶液是浓度为2重量%至40重量%NaOH的NaOH溶液，
浴温为30℃至50℃，
极化时间为5分钟至30分钟，以及
在所述晶片和铂对电极之间所施加的电势在85V和20V的范围内脉动。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为10重量%至40重量%。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为2重量%至10重量%。
4.根据前面权利要求中任一项的方法，其特征在于，在施加电势前，在不施加所述电势的情况下，通过将晶片浸泡到碱性溶液中，对所述晶片进行一段时间的预腐蚀。
5.根据权利要求4的方法，其特征在于，所述预腐蚀的时间为1秒至30分钟。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述预腐蚀的时间为5分钟至10分钟。
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