RU2011147338A - Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин - Google Patents
Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011147338A RU2011147338A RU2011147338/28A RU2011147338A RU2011147338A RU 2011147338 A RU2011147338 A RU 2011147338A RU 2011147338/28 A RU2011147338/28 A RU 2011147338/28A RU 2011147338 A RU2011147338 A RU 2011147338A RU 2011147338 A RU2011147338 A RU 2011147338A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- washing
- solutions
- ammonia
- activated
- cleaning
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин от механических и органических загрязнений, отличающийся тем, что очистку осуществляют в одну стадию в ванне с моющими аммиачными или бифторидными растворами, активированными окислителями и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие бифторидные растворы, активированные концентрированным озоном.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют аммиачные растворы, активированные концентрированным озоном и перекисью водорода.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие аммиачные или бифторидные растворы в ультразвуковой ванне с амплитудой колебания ультразвукового поля от 15 кГц до 8000 кГц.
Claims (4)
1. Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин от механических и органических загрязнений, отличающийся тем, что очистку осуществляют в одну стадию в ванне с моющими аммиачными или бифторидными растворами, активированными окислителями и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие бифторидные растворы, активированные концентрированным озоном.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют аммиачные растворы, активированные концентрированным озоном и перекисью водорода.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие аммиачные или бифторидные растворы в ультразвуковой ванне с амплитудой колебания ультразвукового поля от 15 кГц до 8000 кГц.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011147338/28A RU2495512C2 (ru) | 2011-11-23 | 2011-11-23 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011147338/28A RU2495512C2 (ru) | 2011-11-23 | 2011-11-23 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011147338A true RU2011147338A (ru) | 2013-05-27 |
| RU2495512C2 RU2495512C2 (ru) | 2013-10-10 |
Family
ID=48789102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011147338/28A RU2495512C2 (ru) | 2011-11-23 | 2011-11-23 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2495512C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2700875C2 (ru) * | 2017-12-15 | 2019-09-23 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии науки (ИБХ РАН) | Способ создания пористых люминесцентных структур на основе люминофоров, внедренных в фотонный кристалл |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346505B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-02-12 | Kurita Water Industries, Ltd. | Cleaning solution for electromaterials and method for using same |
| TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| US20060025320A1 (en) * | 2002-11-05 | 2006-02-02 | Marc Borner | Seminconductor surface treatment and mixture used therein |
| RU2319252C2 (ru) * | 2005-07-25 | 2008-03-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ очистки поверхности кремниевых подложек |
| US20070084481A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Franklin Cole S | System and method of cleaning substrates using a subambient process solution |
| RU2357810C2 (ru) * | 2007-05-17 | 2009-06-10 | ОАО "Особое конструкторско-технологическое бюро Кристалл" | Способ очистки с использованием ультразвуковой энергии различной частоты |
-
2011
- 2011-11-23 RU RU2011147338/28A patent/RU2495512C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2495512C2 (ru) | 2013-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011251872A5 (ru) | ||
| EA201291429A1 (ru) | Бытовой прибор с генератором озона | |
| SG152158A1 (en) | Method for cleaning silicon wafer | |
| EA201690723A1 (ru) | Устройство и способ очистки бытовой сточной воды | |
| WO2011018756A3 (en) | Use of activator complexes to enhance lower temperature cleaning in alkaline peroxide cleaning systems | |
| RU2012137201A (ru) | Плазменная обработка при изготовлении буровых снарядов наклонно-направленного бурения | |
| WO2010068753A3 (en) | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes | |
| TW200711754A (en) | Ultrasonic cleaning system and method | |
| EA201200327A1 (ru) | Способ очистки твердых поверхностей | |
| EA201291430A1 (ru) | Бытовой прибор с генератором озона | |
| SG181424A1 (en) | Methodology for cleaning of surface metal contamination from an upper electrode used in a plasma chamber | |
| MX348119B (es) | Dispositivo para lavar manos. | |
| RU2011147338A (ru) | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин | |
| TW200634922A (en) | Method of cleaning semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor substrate | |
| RU2011135722A (ru) | Способ очистки янтаря | |
| SG151169A1 (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer | |
| MD2982G2 (ru) | Cпособ получения полупроводниковых наноструктур | |
| CL2012000536A1 (es) | Proceso para lavado de tela que comprende puesta en contacto de la tela con una lejia de lavado o de enjuague que comprende composicion de a. complejo de polimero a y compuesto espaciador y b. polimero b. | |
| KR20110064321A (ko) | 살균기능을 갖는 문 손잡이 | |
| RU2013108922A (ru) | Способ ультразвуковой очистки материалов при производстве искусственных кристаллов | |
| UA125416U (uk) | Спосіб ультразвукової обробки поверхні | |
| JP2007092207A (ja) | マイクロバブルを用いた漂白方法 | |
| RU2006134552A (ru) | Способ очистки стеклянных баллонов | |
| CN105647705A (zh) | 一种除机油洗衣液 | |
| RU2009112779A (ru) | Метод обработки поверхности пластин для формирования активных областей |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20141111 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161124 |