RU2010118421A - Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками - Google Patents
Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010118421A RU2010118421A RU2010118421/28A RU2010118421A RU2010118421A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A RU 2010118421/28 A RU2010118421/28 A RU 2010118421/28A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductor
- photovoltaic
- interferometric
- front side
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 18
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- DBKNIEBLJMAJHX-UHFFFAOYSA-N [As]#B Chemical compound [As]#B DBKNIEBLJMAJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
1. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее ! фотогальванический активный слой, ! проводник, расположенный на передней стороне фотогальванического активного слоя, и ! интерферометрическую маску, подвергнутую операции по формированию рисунка, так чтобы покрывать переднюю сторону проводника. ! 2. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что цвет или свет, отраженный от передней стороны интерферометрической маски, по существу, согласован с цветом фотогальванического активного слоя, видимым на соседних с проводником участках. ! 3. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что от передней ее стороны отражается мало видимого падающего света или он вообще не отражается, так что интерферометрическая маска выглядит черной под нормальным углом обзора. ! 4. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что ее отражательная способность составляет менее 10%. ! 5. Устройство по п.1, в котором проводник содержит шину, соединяющую электроды для соединения фотогальванических элементов с образованием матрицы. ! 6. Устройство по п.1, в котором проводник содержит электрод, находящийся в электрическом контакте с фотогальваническим активным слоем. ! 7. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит поглотитель, расположенный над оптическим резонатором над проводником. ! 8. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит воздушный зазор, сформированный опорами, отделяющими поглотитель от проводника. ! 9. Устройство по п.8, в к�
Claims (50)
1. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический активный слой,
проводник, расположенный на передней стороне фотогальванического активного слоя, и
интерферометрическую маску, подвергнутую операции по формированию рисунка, так чтобы покрывать переднюю сторону проводника.
2. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что цвет или свет, отраженный от передней стороны интерферометрической маски, по существу, согласован с цветом фотогальванического активного слоя, видимым на соседних с проводником участках.
3. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что от передней ее стороны отражается мало видимого падающего света или он вообще не отражается, так что интерферометрическая маска выглядит черной под нормальным углом обзора.
4. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что ее отражательная способность составляет менее 10%.
5. Устройство по п.1, в котором проводник содержит шину, соединяющую электроды для соединения фотогальванических элементов с образованием матрицы.
6. Устройство по п.1, в котором проводник содержит электрод, находящийся в электрическом контакте с фотогальваническим активным слоем.
7. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит поглотитель, расположенный над оптическим резонатором над проводником.
8. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит воздушный зазор, сформированный опорами, отделяющими поглотитель от проводника.
9. Устройство по п.8, в котором высота воздушного зазора находится в диапазоне между приблизительно 450 Ǻ и 1600 Ǻ.
10. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит слой диэлектрического материала.
11. Устройство по п.10, в котором толщина диэлектрического материала находится в диапазоне между приблизительно 300 Ǻ и 1000 Ǻ.
12. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления между 1 и 3.
13. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой является поверхностным слоем, проходящим по всему фотогальваническому устройству.
14. Устройство по п.7, дополнительно содержащее пассивирующий слой, расположенный над поглотителем.
15. Устройство по п.14, в котором пассивирующий слой содержит диоксид кремния.
16. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой выбран из группы, содержащей монокристаллический кремний, аморфный кремний, германий, III-V полупроводник, медный селенид индия галлия, теллурид кадмия, арсенид галлия, нитрид индия, нитрид галлия, арсенид бора, нитрид индия галлия и последовательность многопереходных фотогальванических материалов.
17. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит тонкопленочный фотогальванический материал.
18. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала содержит аморфный кремний.
19. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки, над интерферометрической маской и над проводником.
20. Устройство по п.19, в котором проводник находится в электрическом контакте с фотогальваническим материалом через прозрачный проводящий оксид.
21. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки и над проводником, а интерферометрическая маска сформирована и подвергнута операции по формированию рисунка над передней стороной прозрачной подложки.
22. Устройство по п.21, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее отражатель, расположенный на передней стороне прозрачной подложки.
23. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит интерферометрически улучшенное фотогальваническое устройство.
24. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем.
25. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический материал,
проводник, расположенный перед фотогальваническим материалом, и
оптическую интерферометрическую маску, расположенную перед фотогальваническим материалом и проводником и содержащую отражающую поверхность, расположенную перед фотогальваническим материалом, оптический резонатор, расположенный перед отражающей поверхностью, и поглотитель, расположенный перед оптическим резонатором,
при этом видимый цвет по всей передней стороне фотогальванического устройства, включая участки фотогальванического материала и металлического проводника, является, по существу, однородным.
26. Устройство по п.25, в котором оптический резонатор содержит совокупность по меньшей мере из двух следующих элементов: воздушный зазор, прозрачный проводящий слой и прозрачный диэлектрический слой.
27. Устройство по п.25, в котором оптическая интерферометрическая маска выполнена так, что немного падающего видимого света отражается или он вообще не отражается, так что фотогальваническое устройство выглядит черным.
28. Устройство по п.27, в котором оптическая интерферометрическая маска подвергнута операции по формированию рисунка для покрытия металлического проводника и экспонирования участков фотогальванического материала.
29. Устройство по п.25, в котором по меньшей мере один слой оптической интерферометрической маски и проводника сформирован методом трафаретной печати.
30. Устройство по п.25, в котором проводник является прозрачным.
31. Устройство по п.25, в котором отражающая поверхность образована проводником.
32. Фотогальваническое устройство, содержащее средства выработки электрического тока из падающего света на стороне указанного устройства, на которую падает свет, средства проводки выработанного электрического тока и средства интерферометрической маскировки указанного устройства для проводки от стороны фотогальванического устройства, на которую падает освещение.
33. Устройство по п.32, в котором средства выработки электрического тока содержат полупроводниковый фотогальванический активный материал.
34. Устройство по п.32, в котором средства проводки содержат отражающий передний электрод, подвергнутый операции по формированию рисунка и находящийся в электрическом контакте со средствами выработки электрического тока.
35. Устройство по п.32, в котором средства интерферометрической маскировки содержат стопу, включающую оптический резонатор и поглотитель, расположенный над средствами проводки и выполненный с возможностью интерферометрического снижения отражательной способности средств проводки.
36. Способ изготовления фотогальванического устройства, согласно которому оснащают фотогальванический генератор фотогальваническим активным слоем, передним проводником, подвергнутым операции по формированию рисунка, и задним проводником, формируют над передней стороной фотогальванического генератора слои и подвергают по меньшей мере один из этих слоев операции по формированию рисунка для образования интерферометрического модулятора, покрывающего указанный передний проводник.
37. Способ по п.36, в котором при формировании слоев формируют поглотитель и оптический резонатор, выполненный с возможностью отражения видимого света, по существу, согласуясь с видимым спектром, отраженным открытыми участками фотогальванического активного слоя.
38. Способ по п.37, в котором интерферометрический модулятор выполняют таким образом, чтобы с передней стороны выглядеть черным.
39. Способ по п.37, в котором при формировании интерферометрического резонатора формируют поглотитель и диэлектрический слой.
40. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя и диэлектрического слоя.
41. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя, чтобы следовать рисунку указанного переднего проводника и оставить диэлектрический слой в качестве поверхностного слоя.
42. Способ по п.36, в котором при формировании рисунка формируют интерферометрический модулятор одинаковой протяженности с передним проводником.
43. Способ по п.42, в котором при оснащении фотогальванического устройства формируют рисунок переднего проводника одновременно с формированием рисунка по меньшей мере одного из слоев.
44. Способ по п.36, в котором при формировании слоев и формировании на них рисунка производят трафаретную печать по рисунку, который повторяет передний проводник, подвергнутый операции по формированию рисунка.
45. Способ по п.37, в котором при формировании оптического резонатора формируют воздушный зазор и разделители.
46. Способ изготовления фотогальванического устройства, имеющего переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, включающий формирование над передней стороной фотогальванического устройства интерферометрического модулятора, выполненного таким образом, чтобы выглядеть черным.
47. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, которые подвергнуты операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.
48. Способ по п.47, в котором при формировании подвергнутого формированию рисунка поглотителя и оптического резонатора используют трафаретную печать.
49. Способ по п.47, в котором фотогальваническое устройство формируют на прозрачной подложке, имеющей противоположные стороны, так, что передний отражающий проводник и интерферометрический модулятор оказываются сформированы на противоположных сторонах прозрачной подложки.
50. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, причем поглотитель подвергают операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US219807P | 2007-11-07 | 2007-11-07 | |
US61/002,198 | 2007-11-07 | ||
US11/950,392 | 2007-12-04 | ||
US11/950,392 US20090293955A1 (en) | 2007-11-07 | 2007-12-04 | Photovoltaics with interferometric masks |
EP08153689.8 | 2008-03-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010118421A true RU2010118421A (ru) | 2011-12-20 |
Family
ID=40365326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010118421/28A RU2010118421A (ru) | 2007-11-07 | 2008-10-27 | Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090293955A1 (ru) |
EP (1) | EP2058863A3 (ru) |
JP (2) | JP2011503875A (ru) |
KR (2) | KR20100093070A (ru) |
CN (1) | CN101849290B (ru) |
BR (1) | BRPI0819248A2 (ru) |
CA (1) | CA2703702A1 (ru) |
RU (1) | RU2010118421A (ru) |
TW (2) | TW201403847A (ru) |
WO (1) | WO2009061632A2 (ru) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7907319B2 (en) * | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
US7855824B2 (en) * | 2004-03-06 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for color optimization in a display |
US8362987B2 (en) | 2004-09-27 | 2013-01-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7898521B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device and method for wavelength filtering |
US7928928B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing perceived color shift |
US7710632B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters |
US7807488B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display element having filter material diffused in a substrate of the display element |
US7561323B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Optical films for directing light towards active areas of displays |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7603001B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-10-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing back-lighting in an interferometric modulator display device |
US8004743B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-08-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US8872085B2 (en) | 2006-10-06 | 2014-10-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having front illuminator with turning features |
CN101600901A (zh) | 2006-10-06 | 2009-12-09 | 高通Mems科技公司 | 集成于显示器的照明设备中的光学损失结构 |
US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
CN101828146B (zh) | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US8068710B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
KR20100093590A (ko) * | 2007-12-17 | 2010-08-25 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 후방 측 간섭계 마스크를 구비한 광전변환장치 |
US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US8023167B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
WO2010044901A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell |
US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
EP2435867A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-04-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
US20110169724A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric pixel with patterned mechanical layer |
JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
US8848294B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and structure capable of changing color saturation |
JP2013544370A (ja) | 2010-08-17 | 2013-12-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイスの電荷中性電極の作動及び較正 |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
KR101426821B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2014-08-06 | 한국전자통신연구원 | 단일접합 CIGS(Cu(In,Ga)Se2)박막 태양전지 및 그 제조방법 |
US8088990B1 (en) | 2011-05-27 | 2012-01-03 | Auria Solar Co., Ltd. | Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
WO2014035528A2 (en) * | 2012-06-15 | 2014-03-06 | Tufts University | Paint-on approach for fabrication of electrically active structures |
JP2014067925A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Toshiba Corp | 太陽電池モジュール |
US9496448B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Sandia Corporation | Customized color patterning of photovoltaic cells |
JP2016004916A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
JP6496898B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-04-10 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
EP3361514B1 (en) | 2017-02-13 | 2021-09-01 | Norbert Kreft | Pane for a pv-module and pv-module |
FR3071358B1 (fr) * | 2017-09-15 | 2019-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a homojonction |
EP3599318B1 (de) * | 2018-07-27 | 2021-11-10 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Fassadenelemente mit strukturierter deckplatte und optischer interferenzschicht |
EP3795924A1 (de) | 2019-09-20 | 2021-03-24 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Verfahren zum bearbeiten einer transparenten deckplatte und deckplatte |
Family Cites Families (125)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3076861A (en) * | 1959-06-30 | 1963-02-05 | Space Technology Lab Inc | Electromagnetic radiation converter |
US3247392A (en) * | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
US3653970A (en) * | 1969-04-30 | 1972-04-04 | Nasa | Method of coating solar cell with borosilicate glass and resultant product |
US3780424A (en) * | 1970-10-26 | 1973-12-25 | Nasa | Method of making silicon solar cell array |
JPS5353491Y2 (ru) * | 1973-03-27 | 1978-12-21 | ||
DE3109653A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-28 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | "resonanzabsorber" |
US4400577A (en) * | 1981-07-16 | 1983-08-23 | Spear Reginald G | Thin solar cells |
US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
US4496788A (en) * | 1982-12-29 | 1985-01-29 | Osaka Transformer Co., Ltd. | Photovoltaic device |
US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
US5091983A (en) * | 1987-06-04 | 1992-02-25 | Walter Lukosz | Optical modulation apparatus and measurement method |
GB2227965B (en) * | 1988-10-12 | 1993-02-10 | Rolls Royce Plc | Apparatus for drilling a shaped hole in a workpiece |
US4982184A (en) * | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
US5181968A (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-26 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic device having an improved collector grid |
TW245772B (ru) * | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
US5818095A (en) * | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
US7830587B2 (en) * | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
WO1995012897A1 (fr) * | 1993-11-05 | 1995-05-11 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif a pile solaire et sa production |
US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US7826120B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US6710908B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
US5886688A (en) * | 1995-06-02 | 1999-03-23 | National Semiconductor Corporation | Integrated solar panel and liquid crystal display for portable computer or the like |
US6046840A (en) * | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
JPH09127551A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 半導体装置およびアクティブマトリクス基板 |
US5726805A (en) * | 1996-06-25 | 1998-03-10 | Sandia Corporation | Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making |
US5720827A (en) * | 1996-07-19 | 1998-02-24 | University Of Florida | Design for the fabrication of high efficiency solar cells |
US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
GB9619781D0 (en) * | 1996-09-23 | 1996-11-06 | Secr Defence | Multi layer interference coatings |
US6028689A (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multi-motion micromirror |
US5870221A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-09 | Lucent Technologies, Inc. | Micromechanical modulator having enhanced performance |
US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
US6031653A (en) * | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
US6021007A (en) * | 1997-10-18 | 2000-02-01 | Murtha; R. Michael | Side-collecting lightguide |
EP0986109A4 (en) * | 1998-03-25 | 2005-01-12 | Tdk Corp | Solar battery module |
US8928967B2 (en) * | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
JP3754841B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
EP1198845A4 (en) * | 1999-07-02 | 2008-07-02 | Digirad Corp | INDIRECT CONTACT BY POSTERIOR SURFACE WITH SEMICONDUCTOR DEVICES |
US6335235B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device |
WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6351329B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
US6518944B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-02-11 | Kent Displays, Inc. | Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device |
JP4548404B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
US6519073B1 (en) * | 2000-01-10 | 2003-02-11 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical modulator and methods for fabricating the same |
US6698295B1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-03-02 | Shipley Company, L.L.C. | Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer |
JP2001338770A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示装置及びその製造方法 |
JP2001345458A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
US6614576B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-09-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices |
JP4526223B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-08-18 | シャープ株式会社 | 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JP3740444B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
US6594059B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-07-15 | Axsun Technologies, Inc. | Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof |
US6661562B2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-12-09 | Lucent Technologies Inc. | Optical modulator and method of manufacture thereof |
US20030053078A1 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Mark Missey | Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators |
US6791735B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-09-14 | The Regents Of The University Of California | Differentially-driven MEMS spatial light modulator |
US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
JP3801099B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
US6822798B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-11-23 | Optron Systems, Inc. | Tunable optical filter |
CN100483176C (zh) * | 2002-09-19 | 2009-04-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 可切换光学元件 |
AU2003275239A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Miasole | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
US7370185B2 (en) * | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
US6844959B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-01-18 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
US7447891B2 (en) * | 2003-04-30 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator with concentric control-electrode structure |
TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW591716B (en) * | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
TWI223855B (en) * | 2003-06-09 | 2004-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices |
DE10329917B4 (de) * | 2003-07-02 | 2005-12-22 | Schott Ag | Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module |
US6862127B1 (en) * | 2003-11-01 | 2005-03-01 | Fusao Ishii | High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
JP3786106B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
JP3979982B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
US6982820B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
US7476327B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
TWI233916B (en) * | 2004-07-09 | 2005-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system |
TWI270722B (en) * | 2004-07-23 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Dual-side display panel |
KR101354520B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2014-01-21 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
US7372348B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing |
US7911428B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-03-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7130104B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7372613B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7289259B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7304784B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US8102407B2 (en) * | 2004-09-27 | 2012-01-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7750886B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-07-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for lighting displays |
US8008736B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7184202B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7893919B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
US7321456B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
US7944599B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
US20080068697A1 (en) * | 2004-10-29 | 2008-03-20 | Haluzak Charles C | Micro-Displays and Their Manufacture |
KR100647672B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 내열성 투명 전극, 이의 제조방법 및 이를 구비한염료감응 태양 전지 |
US7184195B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-02-27 | Miradia Inc. | Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator |
US20070193621A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-23 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
TWI274905B (en) * | 2006-03-16 | 2007-03-01 | Wintek Corp | Color filter |
JP5051123B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-10-17 | 富士通株式会社 | 可動素子 |
US7477440B1 (en) * | 2006-04-06 | 2009-01-13 | Miradia Inc. | Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same |
US7649671B2 (en) * | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7321457B2 (en) * | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
US7593189B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-09-22 | Seagate Technology Llc | Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress |
TWI331231B (en) * | 2006-08-04 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Color filter and frbricating method thereof |
US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080223436A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Back reflector for use in photovoltaic device |
US7643202B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US20080286542A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Richard Allen Hayes | Decorative safety glass |
US7643199B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
WO2009018287A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators |
KR101362890B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-02-17 | 주성엔지니어링(주) | 마이크로 웨이브를 이용하는 박막태양전지의 제조방법 및이를 위한 박막 증착 장치 |
US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
KR20100093590A (ko) * | 2007-12-17 | 2010-08-25 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 후방 측 간섭계 마스크를 구비한 광전변환장치 |
WO2011060261A2 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | The Trustees Of Dartmouth College | System and method for coupling a multi-mode optical fiber to a single mode optical fiber |
KR101262455B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
US10236460B2 (en) * | 2011-07-22 | 2019-03-19 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Photovoltaic cell enhancement through UVO treatment |
KR20130020184A (ko) * | 2011-08-19 | 2013-02-27 | 한국전자통신연구원 | 염료 감응 태양 전지 및 전해질의 제조 방법 |
US9246026B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-01-26 | Kaneka Corporation | Solar cell and method of manufacture thereof, and solar cell module |
-
2007
- 2007-12-04 US US11/950,392 patent/US20090293955A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-03-31 EP EP08153689A patent/EP2058863A3/en not_active Withdrawn
- 2008-10-27 CN CN2008801150456A patent/CN101849290B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-27 BR BRPI0819248A patent/BRPI0819248A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2008-10-27 JP JP2010533159A patent/JP2011503875A/ja active Pending
- 2008-10-27 CA CA2703702A patent/CA2703702A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-27 KR KR1020107011934A patent/KR20100093070A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-27 WO PCT/US2008/081373 patent/WO2009061632A2/en active Application Filing
- 2008-10-27 KR KR1020137025331A patent/KR20130112964A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-27 RU RU2010118421/28A patent/RU2010118421A/ru unknown
- 2008-11-07 TW TW102135611A patent/TW201403847A/zh unknown
- 2008-11-07 TW TW097143248A patent/TW200926429A/zh unknown
-
2011
- 2011-10-27 US US13/282,809 patent/US20120042931A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-10-17 JP JP2013216147A patent/JP2014013942A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009061632A3 (en) | 2009-09-03 |
CN101849290B (zh) | 2012-11-21 |
TW200926429A (en) | 2009-06-16 |
TW201403847A (zh) | 2014-01-16 |
BRPI0819248A2 (pt) | 2015-10-27 |
KR20100093070A (ko) | 2010-08-24 |
CN101849290A (zh) | 2010-09-29 |
KR20130112964A (ko) | 2013-10-14 |
JP2011503875A (ja) | 2011-01-27 |
WO2009061632A2 (en) | 2009-05-14 |
EP2058863A2 (en) | 2009-05-13 |
US20120042931A1 (en) | 2012-02-23 |
US20090293955A1 (en) | 2009-12-03 |
EP2058863A3 (en) | 2009-08-19 |
CA2703702A1 (en) | 2009-05-14 |
JP2014013942A (ja) | 2014-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010118421A (ru) | Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками | |
US8193441B2 (en) | Photovoltaics with interferometric ribbon masks | |
US20100170558A1 (en) | Thin Layer Solar Cell Module and Method for Producing It | |
US8460964B2 (en) | Method for producing an array of thin-film photovoltaic cells having a totally separated integrated bypass diode and method for producing a panel incorporating the same | |
KR20080111113A (ko) | 자기-정렬 프로세스를 이용한 박막 광전지 상호접속부들을 형성하기 위한 방법 | |
JP2016519442A (ja) | 半透明薄層光起電力モノセル | |
US20210408304A1 (en) | Thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and preparation process thereof | |
KR20100023759A (ko) | 태양 전지 기판 및 제조 방법 | |
JP5640948B2 (ja) | 太陽電池 | |
US10580918B2 (en) | Decorative dual-function photovoltaic devices generating angle insensitive transmissive or reflective colors | |
Al‐Ghzaiwat et al. | Toward Efficient Radial Junction Silicon Nanowire‐Based Solar Mini‐Modules | |
WO2015071708A1 (en) | Photovoltaic device and method of manufacturing same | |
JP2001267613A (ja) | 集積型薄膜太陽電池とその製造方法 | |
Deckman et al. | Fabrication of optically enhanced thin film a‐SiH x solar cells | |
Ling et al. | Development of a conductive distributed Bragg reflector for heterojunction solar cells using n-doped microcrystalline silicon and aluminum-doped zinc oxide films | |
FR3080221A1 (fr) | Optimisation du contact electrique metal/metal dans un dispositif photovoltaique semi-transparent en couches minces | |
TW201530801A (zh) | 一種背表面具有分散式接觸電極之矽晶太陽能電池之製造方法及其元件 | |
JP2001284621A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
TWI447926B (zh) | 一種於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法 | |
Flood et al. | Optical characterization of selectively transparent and conducting photonic crystals for use in thin crystalline silicon photovoltaics | |
JP2001065272A (ja) | 窓ガラス |