JP2001065272A

JP2001065272A - 窓ガラス

Info

Publication number: JP2001065272A
Application number: JP23845799A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Kosugi; 津代志小杉; Akinori Muranaka; 晃憲村中; Koichi Sasakura; 幸一笹倉
Original assignee: Star Micronics Co Ltd
Current assignee: Star Micronics Co Ltd
Priority date: 1999-08-25
Filing date: 1999-08-25
Publication date: 2001-03-13

Abstract

(57)【要約】【課題】電気出力を取出可能な窓ガラスを提供する。【解決手段】窓ガラス１は、可視光に対して透明なガ
ラス２上に半導体材料からなる紫外線カットフィルタ膜
４，５を設けると共に、紫外線の入射に感応して紫外線
カットフィルタ膜４，５内部で発生するキャリアを取出
すための取出電極７，８を紫外線カットフィルタ膜４，
５に電気的に接続してなる。取出電極７，８を設けるこ
とにより電力としてのキャリアをフィルタ４，５から取
出すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線カットフィ
ルタ膜を有する窓ガラスに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から太陽光に含まれる紫外線を遮蔽
する窓ガラスが要求されている。車両等に用いられる窓
ガラスには、紫外線カットフィルタが設けられている。
このような用途に対応するために、窓ガラスにＺｎＯの
被膜を設け、保護膜で覆うものが考えられている。紫外
線カットフィルタを有する窓ガラスは、特開平１−２４
５２０１号公報及び特開平５―３４１１１９号公報に記
載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、紫外線
カットフィルタは紫外線遮蔽は行うが、これからは電気
出力を取出すことはできないものと考えられていた。本
発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、
電気出力を取出可能な窓ガラスを提供することを目的と
する。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の窓ガラスは、可
視光に対して透明なガラス板上に半導体材料からなる紫
外線カットフィルタ膜を設けると共に、紫外線の入射に
感応して紫外線カットフィルタ膜内部で発生するキャリ
アを取出すための取出電極を紫外線カットフィルタ膜に
電気的に接続してなる。すなわち、本願発明者らは、紫
外線カットフィルタ膜について鋭意検討した結果、紫外
線カットフィルタ膜が半導体材料からなる場合において
は、当該紫外線カットフィルタ膜が光電変換機能を有す
る旨の知見を得た。したがって、これに取出電極を設け
ることにより電力としてのキャリアを取出すことができ
る。

【０００５】紫外線カットフィルタ膜は、紫外線の入射
に感応してキャリアを発生するｐｎ接合を有し、ｐｎ接
合は互いに隣接したｐ型半導体層領域及びｎ型半導体層
領域から構成されることが好ましい。

【０００６】ｐ型半導体層領域及びｎ型半導体層領域
は、それぞれｐ型ＮｉＯ層及びｎ型ＴｉＯ₂層から構成
されることが好ましい。これらの材料は可視光に対して
透明であって紫外線に対して不透明であり、紫外線遮蔽
及び光電変換機能を十分に有する。

【０００７】窓ガラスとして、外側の光を取り込むため
には、ｎ型半導体層領域及びｐ型半導体層領域のｐｎ接
合とは反対側の面にそれぞれ設けられた第１及び第２電
極層を備え、第１及び第２電極層は、可視光に対して透
明な透明導電膜からなることが好ましい。

【０００８】第１及び第２電極層の少なくともいずれか
一方は、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃及びＺｎＯからなる群から
選ばれることが好ましい。

【０００９】紫外線カットフィルタ膜は、保護膜によっ
て被覆されており、前記保護膜はＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及
びＳｉＯ₂からなる群から選ばれることが好ましい。

【００１０】第１及び第２電極層の少なくともいずれか
一方は、環状、ストライプ形状、メッシュ形状又は直線
形状を有することが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る窓ガラスの好
適な実施形態について添付図面を参照して説明する。な
お、各図において、同一の要素には同一の符号を付し、
重複する説明は省略する。

【００１２】図１は、本発明の実施形態に係る窓ガラス
１の斜視図である。窓ガラス１は建造物用の長方形窓ガ
ラスである。窓ガラス１は、透明な平面状ガラスからな
る透明ガラス基板（ガラス板）２を備えている。なお、
以下の説明において、特に断りの無い限り透明とは可視
光に対して透明であることを示すものとする。

【００１３】透明ガラス基板２上には、透明な導電性膜
からなる第１電極層３が被覆され、この第１電極層３上
にｎ型ＴｉＯ₂層４が被覆され、このｎ型ＴｉＯ₂層４上
にｐ型ＮｉＯ層５が被覆され、さらに、このｐ型ＮｉＯ
層５の上に透明な導電性膜からなる第２電極層６が被覆
されている。ここで、ｎ型ＴｉＯ₂層４及びｐ型ＮｉＯ
層５は、紫外線の入射に感応するｐｎ接合ダイオードを
構成すると共に、紫外線を遮蔽する紫外線カットフィル
タ膜として機能する。

【００１４】ｎ型ＴｉＯ₂層４、ｐ型ＮｉＯ層５及び第
２電極層６からなる積層体の一部（長方形ガラスにおけ
る一角部）は、層厚方向に沿ってカットされており、第
１電極層３が露出している。

【００１５】第１電極層３の露出面上には、キャリア取
出用の取出電極（配線）７が貼り付けられている。一
方、第２電極層６上には取出電極（配線）８が貼り付け
られている。取出電極８は、長方形のガラス表面内にお
いて、取出電極７の対角位置に位置する。

【００１６】ｎ型ＴｉＯ₂層４及びｐ型ＮｉＯ層５は、
その境界にヘテロ接合のｐｎ接合を構成している。この
ｐｎ接合に透明基板２を介して紫外域（３００〜４００
ｎｍ）の光が入射すると、この入射光に感応して電子−
正孔対（キャリア）が発生する。発生したそれぞれのキ
ャリアは、第１電極層３から取出電極７を経て、及び第
２電極層６から取出電極８を経て、光電流として外部に
取り出せる。

【００１７】透明基板２を介して紫外域の光をｐｎ接合
まで到達させて光吸収を行わせ、且つ、可視光に対して
窓ガラスとしての所定の透明度を得るためには、透明基
板２、第１電極層３、ｎ型ＴｉＯ₂層４、ｐ型ＮｉＯ層
５及び第２電極層６の各エネルギーバンドギャップを入
射光の光エネルギー（これは、光の波長に反比例する）
を考慮して設定しなければならない。少なくとも、紫外
域の光を透明基板２を介してｐｎ接合まで到達させるに
は、透明基板２及び第１電極層３のバンドギャップエネ
ルギー（単位：ｅＶ）を、紫外域の光のエネルギー（単
位：ｅＶ）よりも大きくしておかなければならない。

【００１８】光のエネルギーＥ（単位：ｅＶ）と光の波
長λ（単位：ｎｍ）との間には、式（１）の関係が成り
立つことが知られている。

【００１９】Ｅ＝Ｃ／λ （Ｃは所定の係数）・・・（１）紫外域の光の波長は、概ね３００〜４００ｎｍである。
したがって、上記観点から、各層の材料／エネルギーバ
ンドギャップを表１の通り設定した。

【００２０】

【表１】

【００２１】また、可視光の透過の観点からは、各層の
厚みは薄いことが望ましいが、薄すぎる場合には、機械
的強度が低下し、また、ｐｎ接合を構成する部分では紫
外域の光の吸収効率が低下する。したがって、これらの
観点から、各層の厚み／好適な厚みの範囲は、表２のよ
うに設定した。

【００２２】

【表２】

【００２３】尚、第２電極層６の材料としては、下地の
層とオーミック接触をなすものであれば、そのバンドギ
ャップエネルギーは３ｅＶ以上であればよく、ＳｎＯ₂
以外のオーミック電極材料を用いることができる。例え
ば、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＩＴＯ、ＺｎＯである。これらも可視域
で透明である。

【００２４】また、第１電極層３の材料に、同様に、例
えば、ＩＴＯを用いることができる。

【００２５】図１に示す窓ガラス１では、光の入射は、
透明基板２側からを想定したが、第２電極層６側からの
入射も可能である。窓ガラス１全体が可視光に対して透
明であっても、上記のような各層の材料によって、その
透過効率も違うため、当然、光の入射方向によって、光
電変換効率が変わってくる。

【００２６】透明基板２の平面状ガラスとしては、フロ
ートプロセスで製造されたソーダガラス、石英ガラス等
を使用することができる。透明基板２としてソーダガラ
スを使用する場合には、透明基板２から第１電極層３へ
のナトリウムイオンの拡散による抵抗の増加を防止する
ために、透明基板２と第１電極層３との間にＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃等の被覆層を設けることが望ましい。

【００２７】ｎ型ＴｉＯ₂層４、ｐ型ＮｉＯ層５には、
各種の添加物が添加されることが考えられる。ｐｎ接合
による光電変換と、材料の透明性を考慮して、表３に示
される添加物群から選択される。

【００２８】

【表３】

【００２９】ＴｉＯ₂またはＮｉＯへ添加物を添加する
場合、１種類の添加物を添加する場合に限定されるわけ
ではなく、複数の添加物を混合して添加することも可能
である。

【００３０】添加物の全濃度がＴｉまたはＮｉの０．１
ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましく、特に、１ａｔ％
以上１０ａｔ％以下が好ましい。１ａｔ％より少ないと
添加物を添加した効果が小さくなりすぎる傾向にあり、
１０ａｔ％より少ないと添加物が異相を形成し易くなる
傾向にあるためである。

【００３１】一般に、建造物用窓ガラスは、その平面的
大きさが、数ｃｍ単位から数十ｃｍ、さらに、１メート
ルを越えるものまである。したがって、本発明の建造物
用窓ガラスを製造するには、特別な減圧設備を必要とす
る反応性スパッタリング法などに比べ、大気中で製造で
きる前述のスプレー熱分解法が有利である。保護膜とし
てのＳｉＯ₂を被覆するには、同様に、後述の液相成膜
法が有利である。

【００３２】図２は、本実施形態に係る窓ガラス１の製
造装置１０を示すブロック図であって、図示しないモー
タによって矢印Ａ方向に駆動されるフリーフローライン
１１と、フリーフローライン１１による進行方向に沿っ
て順次配置された第１及び第２製膜装置１０’を備えて
いる。製造装置１０は、透明基板（平面状ガラス）２を
載置してフリーフローライン１１上を矢印Ｂ方向に搬送
されるセラミック板１２を備え、個々の製膜装置１０’
は、位置決めされたセラミック板１２に対して矢印Ｃ−
Ｄ方向に往復走査移動し、スプレー熱分解法に係わる溶
液をセラミック板１２上の透明基板２上にスプレーする
スプレーノズル装置１３と、透明基板２を上方より加熱
するハロゲンランプ１４とを備えるものである。

【００３３】この本実施形態の製造装置１０にあって
は、フリーフローライン１１上に、スプレー熱分解法に
係わる各種溶液に対応して上記のような製膜装置１０’
を並べ備え、フリーフローライン１１上を搬送されてく
る透明基板２上に、スプレー熱分解法によって順次各層
を形成していく。スプレー熱分解法は、原料を加熱した
基板上に噴霧することにより薄膜を形成する方法であ
り、加熱においてはハロゲンランプ１４を、噴霧におい
てはスプレーノズル装置１３を使用する。最終ライン工
程には、液相成膜法に係わるＳｉＯ₂膜生成装置１７が
設けられ、珪フッ化水素酸（Ｈ₂ＳｉＦ₆）の水溶液１５
に第２電極層６を浸し、第２電極層６上に保護膜である
ＳｉＯ₂膜（図示せず）を析出・成長させる浸漬液槽１
６が設けられている。

【００３４】尚、製造装置１０には、さまざまな変形構
成が可能である。フリーフローライン１１に変えて搬送
ロボットを用い、複数の製膜装置１０’間で透明基板２
を移送させることもできる。ハロゲンランプ１４の変わ
りに、セラミック板１２内にヒートパイプを備えること
も考えられる。スプレー熱分解法に係わる各種溶液をス
プレーするノズルを走査する代わりに、このノズルを複
数個備え、透明基板２の面積に応じて各ノズルを予め配
置しておくことも考えられる。

【００３５】以上、説明したように、窓ガラス１は、可
視光に対して透明なガラス２上に半導体材料からなる紫
外線カットフィルタ膜４，５を設けると共に、紫外線の
入射に感応して紫外線カットフィルタ膜４，５内部で発
生するキャリアを取出すための取出電極７，８を紫外線
カットフィルタ膜４，５に電気的に接続してなる。取出
電極７，８を設けることにより電力としてのキャリアを
取出すことができる。

【００３６】紫外線カットフィルタ膜４，５は、紫外線
の入射に感応してキャリアを発生するｐｎ接合を有し、
このｐｎ接合は互いに隣接したｐ型半導体層領域４及び
ｎ型半導体層領域５から構成されている。ｐ型半導体層
領域５及びｎ型半導体層領域４は、それぞれｐ型ＮｉＯ
層５及びｎ型ＴｉＯ₂層４から構成されており、これら
の材料は可視光に対して透明であって紫外線に対して不
透明であり、紫外線遮蔽及び光電変換機能を十分に有す
る。

【００３７】窓ガラス１として外側の光を取り込むた
め、ｎ型半導体領域４及びｐ型半導体層領域５のｐｎ接
合とは反対側の面にそれぞれ設けられた第１及び第２電
極層３，６を備え、第１及び第２電極層３，６は、可視
光に対して透明な透明導電膜からなる。

【００３８】第１及び第２電極層３，６の少なくともい
ずれか一方は、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃及びＺｎＯからなる
群から選ばれることが好ましいが、これらの群から双方
の材料が選ばれても良い。

【００３９】紫外線カットフィルタ膜４，５、詳細には
第２電極層６は、図示しない保護膜によって被覆されて
おり、この保護膜はＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂から
なる群から選ばれることが好ましい。

【００４０】図９は、建造物に用いられれる長方形の平
板窓ガラス１に設けられる第１又は第２電極層の形状及
び取出電極７，８の取り付け位置について説明するため
の窓ガラス１の平面図である。第１電極層３及び取出電
極７と、第２電極層６及び取出電極８の配置関係は相互
に置換可能であるので、ここでは、第２電極層６及び取
出電極８側からみた窓ガラス１の平面図を示す。

【００４１】図１０は、車両に用いられる台形の湾曲窓
ガラス１の平面図であり、上記と同じ理由から、ここで
は、第２電極層６及び取出電極８側からみた窓ガラス１
の平面図を示す。

【００４２】第１及び第２電極層３，６の少なくともい
ずれか一方は、環状（図９（ａ）、図９（ｋ）、図１０
（ａ）、）、ストライプ形状（図９（ｂ）、図９
（ｃ）、図９（ｄ）、図９（ｆ）、図９（ｈ）、図９
（ｊ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）、
図１０（ｅ）、図１０（ｆ）、図１０（ｇ）、図１０
（ｊ）、図１０（ｌ））、メッシュ形状（図９（ｅ）、
図９（ｇ）、図９（ｉ）、図１０（ｈ）、図１０
（ｉ）、図１０（ｋ））又は直線形状（図９（ｌ））を
有することが好ましいが、これらの形状を双方が有する
場合には、電極層による影の面積を最小とすることがで
きる。

【００４３】窓ガラス１の機械的強度を向上させると共
に、電極としての導電率を向上させるためには、これら
の電極層３，６はＡｌ、Ｎｉ又はＣｕ等の金属であるこ
とが望ましく、この場合には、勿論、電極層３，６は透
明ではないが、上記形状であれば、窓ガラス１内の光透
過を達成させることができる。勿論、これらの形状の場
合において、電極層３，６が透明であってもよい。

【００４４】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより具体的
に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるも
のではない。各実施例において製造した窓ガラスは図１
に示したものであり、製造方法は上記スプレー熱分解法
を用いた。窓ガラスの構造（ガラス板２／第１電極層３
／ｎ型半導体層４／ｐ型半導体層５／第２電極６）は、
以下の通りである。

【００４５】

【表４】

【００４６】上記実施例に用いられる各層の製膜条件に
ついて詳細に説明する。

【００４７】上記電極付きガラス基板としては、透明基
板２（ソーダライムガラス）、第１被覆層（ＳｉＯ₂）
及び第１電極層３(ＦドープＳｎＯ₂)からなるものを用
いた。この電極付ガラス基板は、旭硝子社製Ｕ膜（Ａ１
１０Ｕ８０）である。

【００４８】上記実施例に用いられる各層は、上述のス
プレー熱分解法を用いて形成した。各層の製膜条件をそ
れぞれ表５，６，７，８，９，１０に示す。

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】

【表７】

【００５２】

【表８】

【００５３】

【表９】

【００５４】

【表１０】

【００５５】各実施例に係る窓ガラスは以下のように形
成した。各実施例において、ガラス基板に接するＳｎＯ
₂、ＴｉＯ₂、ＮｉＯ、第２電極ＳｎＯ_2、第２電極Ｉｎ₂
Ｏ₃、第２電極ＺｎＯは、表５、６、７、８、９、１０
に示される条件のスプレー熱分解法を用いて形成した。

【００５６】（実施例１）ＴｉＯ₂、ＮｉＯ、ＳｎＯ₂の
形成条件は表６、７及び８の通りである。ＮｉＯ：Ｌｉ
の形成条件は、Ｌｉ原料として酢酸リチウム（ＣＨ３Ｃ
ＯＯＬｉ）を使用し、リチウム濃度（[Ｌｉ]／[Ｎｉ]×
１００）が４ａｔ％となるようにした。さらに、基板温
度を３４０℃とした。

【００５７】（実施例２）緩衝層ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｎ
ｉＯ及び第２電極層ＳｎＯ₂の形成条件は表５、６、７
及び８の通りである。

【００５８】（実施例３）ＮｉＯ：Ｌｉの形成条件は実
施例１と同様であり、その他の各半導体層の形成条件は
表５、６、７及び８の通りである。

【００５９】（実施例４）Ｉｎ₂Ｏ₃の形成条件は表９の
通りであり、その他の各半導体層の形成条件は実施例３
と同様である。

【００６０】（実施例５）ＺｎＯの形成条件は表１０の
通りであり、その他の各半導体層の形成条件は実施例３
と同様である。

【００６１】（実施例６）ＴｉＯ₂：Ａｌの形成条件
は、Ａｌ原料としてトリス（２，４−ペンタンジオナー
ト）−アルミニウム（III）を使用し、アルミニウム濃
度が２ａｔ％となるようにした。基板温度を３９０℃と
し、スプレー回数を２４０回とした。その他の各半導体
層の形成条件は実施例３と同様である。（評価及び結果）実施例１〜６により製造した窓ガラス
に、ソーラシミュレータ（山下電装株式会社製、ＹＳＳ
−５０）により、ＡＭ−１．５，１４０ｍＷ／ｃｍ²の
疑似太陽光を透明基板２側から、及び、第２電極６側か
ら照射し、電極７と電極８との間に流れる電流（短絡光
電流）及び電圧（開放電圧）を測定した。その結果を表
１１（透明基板２側から）及び表１２（第２電極６側か
ら）に示す。

【００６２】

【表１１】

【００６３】

【表１２】

【００６４】実施例１により製造した窓ガラスに、光を
照射しないとき（暗時）または、ソーラシミュレータに
より、ＡＭ−１．５，１４０ｍＷ／ｃｍ²の疑似太陽光
を透明基板２側から照射したとき（明時）の電流電圧特
性を図３（暗時：細線、明時：太線）に、量子効率を図
４に示す。

【００６５】実施例３により製造した窓ガラスに、光を
照射しないとき（暗時）及び、ソーラシミュレータによ
り、ＡＭ−１．５，１４０ｍＷ／ｃｍ²の疑似太陽光を
透明基板２側から照射したとき（明時）の電流電圧特性
を図５に、量子効率を図６に示す。

【００６６】実施例２により作製した窓ガラスに、裏面
電極６側及び、透明基板２側から光を入射したときの分
光透過率及び反射率を図７、８に示す。何れの方向から
の入射においても、可視光域（約４００ｎｍ〜７５０ｎ
ｍ）で平均６５％以上の透過率を有し、窓ガラスとして
使用可能である。

【００６７】また、第２電極層６上に被覆する本発明に
係わる保護膜としては、周知のＳｉＯ₂、Ａｉ₂Ｏ₃，Ｓ
ｉＮｘ膜等が用いられ、窓ガラスの保護性能を果たすた
め、概ね５０ｎｍ以上の厚みを持てば良いと思われる。
保護膜生成には、反応性スパッタリング法などが使える
が、反応性スパッタリング法が特別な減圧下での生成方
法であることを考慮すると、不適切である。本発明の建
造物用窓ガラスの製造に当たり、その大面積化を考慮す
ると、液相成膜法（いわゆるＬＰＤ法）が適当かと考え
る。

【００６８】以上、説明したように、上記窓ガラス１
は、可視光に対して透明な窓ガラスであって、所定の厚
さの透明な平面状又は曲面ガラスからなる透明基板２上
に、透明な導電性膜からなる第１電極層３と、互いに隣
接し入射光のうち紫外線に感応してキャリアを発生する
ｐｎ接合を形成するｎ型ＴｉＯ₂層４及びｐ型ＮｉＯ層
５と、透明な導電性膜からなる第２電極層６とを順次積
層して成り、透明基板全面で入射される入射光に対し
て、可視光を透過させると共に紫外線を遮蔽し、この遮
蔽した紫外線に対する光電変換能を有する。

【００６９】この窓ガラスによれば、光電変換機能をな
すｐｎ接合は、可視光域でほぼ透明であって紫外域で不
透明性を有する半導体材料から構成されて、高い光電変
換効率を有する。したがって、紫外線を遮蔽する窓ガラ
スとしての有用性が増加する。

【００７０】第２電極層６の材料としては、Ｉｎ₂Ｏ₃や
ＺｎＯ、ＳｎＯ₂などが可能であるが、ＳｎＯ₂を採用す
れば、大気に対して化学的耐久性が強い為、窓ガラスと
しての表面層の化学的耐久性が確保される。また、第２
電極層側を直接外気にさらされる状態で使用することも
可能となり、建造物の窓ガラスとして使い勝手が良くな
る。

【００７１】さらに、第２電極層６の外表面に、透明な
保護膜（図示せず）を被覆することも考えられる。製造
に於ける被覆工程が増えるが、保護膜を設ければ、耐摩
耗性などの機械的耐久性が増す。透明な保護膜を被覆す
るには、例えば、公知の液相成膜法や反応性スパッタリ
ング法を用いて、ＳｉＯ₂を被覆したり、あるいは、薄
くすると機械的強度が低下するため有用性が低下し、一
方、厚くすると反射色調が生じるおそれがあるが、プラ
スチックフィルムを接着することも考えられる。

【００７２】また、ｎ型ＴｉＯ₂層４及びｐ型ＮｉＯ層
５は、ＣＶＤ（化学的気相成長）法や反応性スパッタリ
ング法を用いて形成することも可能であると考えられる
が、特に、これらの層が加熱した透明基板に大気中でそ
れぞれの原材料を噴霧することによって形成される場
合、いわゆるスプレー熱分解法（特開平１０−２６５９
６０号公報など）によって形成される場合には、大面積
の膜を形成しやすくなる。

【００７３】したがって、第１電極層３及び第２電極層
６をも、それぞれスプレー熱分解法によって形成可能な
材料、例えば、ＳｎＯ₂とすれば、全ての層（第１電極
層、ｎ型ＴｉＯ₂層、ｐ型ＮｉＯ層、及び第２電極層）
がスプレー熱分解法によって形成することができること
になり、本発明に係わる大面積の窓ガラスの製造が容易
になる。

【００７４】

【発明の効果】本発明による窓ガラスは、可視光に対し
ての透明性な窓ガラスとして機能、大面積化によりそれ
単体で太陽電池としての大出力が得られる光電変換機
能、紫外線遮蔽の機能について、以上3点が同時に付与
され、有用性が増した。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係る窓ガラス１の斜視図である。

【図２】実施形態に係る窓ガラス１の製造装置１０を示
す説明図である。

【図３】電流電圧特性示すグラフである（暗時：細線、
明時：太線）。

【図４】量子効率の波長依存性示すグラフである。

【図５】電流電圧特性示すグラフである（暗時：細線、
明時：太線）。

【図６】量子効率の波長依存性示すグラフである。

【図７】裏面電極６側から光を入射したときの分光透過
率（太線）及び反射率（細線）の波長依存性を示すグラ
フである。

【図８】透明基板２側から光を入射したときの分光透過
率（太線）及び反射率（細線）の波長依存性を示すグラ
フである。

【図９】窓ガラス１の平面図である。

【図１０】窓ガラス１の平面図である。

【符号の説明】

２…ガラス板、３…第１電極層、４，５…紫外線カット
フィルタ膜、６…第２電極層、７，８…取出電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者笹倉幸一静岡県静岡市中吉田20番10号スター精密株式会社内Ｆターム(参考） 2H048 CA05 CA11 CA13 CA17 CA18 CA24 4G059 AA01 AC07 AC12 EA01 EA02 EA03 EA05 GA01 GA04 GA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可視光に対して透明なガラス板上に半導
体材料からなる紫外線カットフィルタ膜を設けると共
に、紫外線の入射に感応して前記紫外線カットフィルタ
膜内部で発生するキャリアを取出すための取出電極を前
記紫外線カットフィルタ膜に電気的に接続してなる窓ガ
ラス。
【請求項２】前記紫外線カットフィルタ膜は、紫外線
の入射に感応してキャリアを発生するｐｎ接合を有し、
前記ｐｎ接合は互いに隣接したｐ型半導体層領域及びｎ
型半導体層領域から構成されることを特徴とする請求項
１に記載の窓ガラス。
【請求項３】前記ｐ型半導体層領域及び前記ｎ型半導
体層領域は、それぞれｐ型ＮｉＯ層及びｎ型ＴｉＯ₂層
から構成されることを特徴とする請求項２に記載の窓ガ
ラス。
【請求項４】前記ｎ型半導体層領域及び前記ｐ型半導
体層領域の前記ｐｎ接合とは反対側の面にそれぞれ設け
られた第１及び第２電極層を備え、前記第１及び第２電
極層は、可視光に対して透明な透明導電膜からなること
を特徴とする請求項３に記載の窓ガラス。
【請求項５】前記第１及び第２電極層の少なくともい
ずれか一方は、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃及びＺｎＯからなる
群から選ばれることを特徴とする請求項４に記載の窓ガ
ラス。
【請求項６】前記紫外線カットフィルタ膜は、保護膜
によって被覆されており、前記保護膜はＳｎＯ₂、Ａｌ₂
Ｏ₃及びＳｉＯ₂からなる群から選ばれることを特徴とす
る請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窓ガラス。
【請求項７】前記第１及び第２電極層の少なくともい
ずれか一方は、環状、ストライプ形状、メッシュ形状又
は直線形状を有することを特徴とする請求項１乃至６の
いずれか１項に記載の窓ガラス。