KR101092695B1

KR101092695B1 - 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극

Info

Publication number: KR101092695B1
Application number: KR1020090134412A
Authority: KR
Inventors: 김선규; 이진아; 김범준; 이동혁
Original assignee: 주식회사 효성
Priority date: 2009-12-30
Filing date: 2009-12-30
Publication date: 2011-12-09
Also published as: KR20110077756A

Abstract

본 발명은 불화수소산과 글라스 비드를 이용하여 이상적인 태양전지용 텍스쳐 글라스를 형성하는 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 기판의 텍스처링 효과를 활용할 수 있어서 높은 광전 변환 효율을 달성할 수 있고, 고비용의 기존 투명 전극을 대체할 수 있어서 박막 태양전지 제조시 비용을 절감할 수 있다.

박막 태양전지, 텍스처링, 기판, 투명 전극층, 유리 비드, 불화수소산

Description

박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극{Preparation Method of Textured Glass for a Thin Film Solar Cell and a Transparent Substrate}

본 발명은 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 텍스처 구조를 포함하는 투명 전극에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불화수소산과 유리 비드를 이용하여 이상적인 텍스처 구조를 형성하는 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극에 관한 것이다.

최근 고유가 및 환경 문제의 영향으로 신재생 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 태양광을 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 소자인 태양전지는 다른 에너지 공급원과는 달리 무한하고 환경 친화적이므로, 시간이 갈수록 중요성이 더해가고 있다.

태양전지는 반도체에 사용되는 웨이퍼를 이용하는 결정질 태양전지와 글라스와 같은 기판에 증착기술을 이용하는 박막 태양전지로 나눌 수 있다. 현재는 결정질 태양전지가 시장점유율이 높지만 향후 고효율화 및 저가격으로 박막 태양전지의 시장점유율이 높아질 것으로 예상되고 있다.

태양전지에서의 텍스처링(texturing) 기술은 빛의 산란을 증대시켜 빛의 가둠 효과를 증대시킴으로써 태양전지 효율을 개선하기 위해 다양한 방식으로 이용되고 있다. 현재 텍스처 전극 형성을 위해서 일반적으로 글라스에 투명 전극을 증착한 후 건식 에칭, 습식 에칭, 스크라이빙, 포토리소그라피, 기계적 절삭 등을 이용하는 방법들이 이용되고 있다.

건식, 습식 에칭 방법은 투명 전극을 일정 두께 이상으로 증착한 후에 전기전도도와 광투과도를 유지하면서 일정 모양을 갖는 두께로 식각하는 방법으로, 에칭을 위한 공정조건의 어려움과 일정 두께 형성 후에 다시 깎아내는 데 소요되는 시간, 비용적인 문제가 있다. 한편, 기계적 스크라이빙 방법은 글라스 기판 표면에 절삭 홈을 형성한 후에 화학적 식각을 이용하는 것으로, 사용 기구와 공정은 간단하지만 원하는 패턴을 형성시키는 데 어려움이 뒤따르고 공정시간이 오래 걸린다는 문제점이 있다. 또한, 최근 기술로 프레스를 이용한 요철 형성은 프레스 자체에 반사효율을 높이는 텍스처의 식각이 어렵고 고온에서의 작업과 고온고압 공정시 글라스의 두께가 두꺼워야 하는 문제점이 있다.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 단순화된 공정에 의해 이상적인 텍스처 패턴을 형성할 수 있는 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 유리 비드에 의해 형성된 텍스처 전극을 포함하여 제조원가가 저렴하고 광전 변환 효율이 향상된 박막 태양전지를 제공하는 것이다.

본 발명의 하나의 양상은

불화수소산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 유리 기판의 표면에 소정의 압력으로 분사하는 단계 및

유리 비드가 분사된 투명 기판을 불화수소산으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법에 관한 것이다.

본 발명의 다른 양상은 상기 방법에 의해서 형성된 기판을 포함하는 박막 태양전지용 투명 전극에 관한 것이고, 본 발명의 또 다른 양상은 이러한 텍스처 구조를 포함하는 투명 전극을 구비하는 박막 태양전지에 관한 것이다.

본 발명의 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법은 기존에 사용되는 건식, 습식 에칭에 비해 시간 및 공정비용이 감소하며, 요철로 글라스 위의 프레스로 접촉하는 방식보다 넓은 파장영역을 투과시키는 텍스처로의 조절이 가능하다. 또한, 에칭 용매, 고온, 고압의 공정보다 간단한 방법으로 텍스처 글라스를 형성할 수 있으며 투명 전극의 증착시에도 기존보다 얇은 두께로 형성시켜 광투과도 및 헤이즈를 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 글라스에 투명 전극을 증착하여 박막 태양전지에 사용시 광전 변환 효율이 높은 박막 태양전지를 제공할 수 있다. 또한, 기존의 고가의 투명 전극을 대체할 수 있어서 박막 태양전지 제조시 제조비용을 절감할 수 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따르는 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 텍스처 전극을 포함하는 박막 태양전지에 대하여 보다 상세하게 설명한다.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 또한, 이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어 들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다.

본 발명의 일실시예의 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법에서는 유리 기판의 표면에 일정 농도의 불화수소산과 글라스 비드를 이용하여 텍스처 구조를 형성한다. 이러한 텍스처 구조는 빛을 산란시킬 수 있어서 태양전지 내부로 더 많은 태양광이 투과되도록 하여 광전 변환 효율을 향상시킨다.

삭제

도 1은 본 발명의 일실시예에 따르는 박막 태양전지의 개략적인 사시도이다. 도 1을 참고하여 본 발명의 일실시예의 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법에 대해서 설명한다. 먼저 불화수소산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 준비한 후에, 준비된 유리 비드 용액을 유리 기판의 표면에 소정의 압력으로 분사한다. 이때 분사 압력은 약 1.0kg/f 내지 1.5kg/f의 범위 내인 것이 좋다. 이와 같이 소정의 유리 비드가 담지된 불화수소산 용액을 전극 표면에 분사하면, 유리 비드들이 기판의 표면을 에칭하면서 기판에 박히게 된다. 이어서 유리 비드가 분사된 투명 기판을 불화수소산으로 에칭하면 전극의 표면에 U자형의 텍스처 구조들이 형성된다. 끝으로 통상적인 방법으로 세정하고 건조시켜 박막 태양전지용 기판을 수득할 수 있다. 이러한 기판은 그 위에 전극을 형성시키기 위해 투명 도전막을 증착한 후에도 이상적인 패턴을 유지할 수 있다.

본 발명에 있어서, 유리 기판은 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리 등의 불화수소산에 의해 에칭될 수 있는 기판인 것이 바람직하다.

한편, 텍스처링에 사용되는 비드는 기판과 반드시 동일한 소재의 비드일 필요는 없지만, 불화수소산에 의해 에칭 가능한 붕규산 유리, 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리로 된 비드를 사용하는 것이 좋다. 비드의 직경은 형성하고자 하는 텍스처 구조에 맞추어 적절하게 선택할 수 있는데, 태양전지의 전극의 광투과도 및 헤이즈를 고려할 때, 이의 평균 직경은 약 10㎛ 내지 약 45㎛의 범위 내인 비드를 사용할 수 있다.

불화수소산은 농도가 50%[w/w] 이하이고, 비드가 담지된 용액의 분사 압력은 1.0kg/f 내지 1.5kg/f로 한다.

불화수소산에 의한 에칭시 에칭 시간은 선택되는 유리 기판의 종류에 따라서 달라질 수 있는데, 예를 들어 붕규산 유리 기판의 경우, 상온에서 약 3분 내지 60분 정도 에칭할 수 있다.

본 발명의 다른 양상은 이상의 방법에 의해서 형성되는 박막 태양전지용 전극에 관한 것이다. 본 발명의 전극은, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 기판 위에 형성된 투명 도전막, 그 위의 광전 변환층 및 투명 도전층을 갖는 후면 전극을 차례로 포함한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따르는 박막 태양전지의 개략적인 사시도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예의 박막 태양전지 기판용 글라스는 기판(100) 위에 유리 비드와 불화수소산을 이용하여 형성된 텍스처 구조(120)를 포함한다. 이러한 텍스처 구조(120)는 U자형에 가까운 형상이고, 기존의 습식 에칭과 유사한 형태의 텍스처 구조를 가지고 있다. 기존의 습식 에칭 공정의 경우, 전면 전극을 1 이상 증착한 후 약 1/3 정도를 별도로 산 에칭을 통해서 제거하므로, 이에 따른 공정시간 및 습식 공정으로 인한 연속 진공공정이 단절되어 생산 비용이 높아지게 된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 이러한 습식 공정을 제거하여 글라스에 표면 에칭함으로써 별도의 산 에칭 공정을 거치지 않고, 연속 진공공정을 가능하게 하여 생산 비용을 절감할 수 있다.

본 발명의 또 다른 양상은 위에서 언급한 전극을 포함하는 박막 태양전지에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 박막 태양전지의 구조는 특별히 제한되지 않으나, 일례로 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 텍스처 구조(120)를 포함하는 투명 기판(100) 위에 투명 도전막(200)이 형성되고 그 위에 광전 변환층(300) 및 투명 도전층(400)을 갖는 후면 전극(500)이 차례로 적층되는 구조를 가질 수 있다.

본 발명에 있어서, 기판으로는 상술한 바와 같은 유리 기판이 사용된다. 박막형 태양전지의 박막은 기본적으로 광을 흡수하여 전자(electron)와 정공(hole)을 발생시키는 실리콘 박막, 그리고 이의 위와 아래에는 당해 박막에서 생산된 전자와 정공을 전달하는 전극으로 이루어진다. 상부 전극은 빛을 통과하여 실리콘 막으로 전달해야 하므로, 투명한 전도성 산화막(TCO-Transparent Conductive Oxide)이 사용된다.

투명 도전막(200)은 외부로부터 입사되는 빛을 광전 변환층(300)으로 통과시키기 위해 투명 전극으로 구성되고, 빛을 통과시키기 위해 기판 위에 코팅되는 전도성 물질로는 인듐 틴 옥사이드(ITO), 불소 도핑된 틴 옥사이드(FTO), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂, ZnO-Ga, ZnO-Ga₂O₃, ZnO-Al₂O₃, SnO₂:F, SnO₂-Sb₂O₃등을 사용할 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 이러한 투명 전극은 스퍼터링 공정 또는 진공증착법에 의해 형성될 수 있다.

광전 변환층(300)은 투명 전극(200) 위에 형성되고, N형, I형 및 P형 실리콘층이 접합된 PIN 접합층으로서 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정 등의 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로, 광전 변환층(300)은 투명 도전막(200) 위에 N형 실리콘층을 형성하고, N형 실리콘층 위에 I형 실리콘층을 형성한 다음, I형 실리콘층 위에 P형 실리콘층을 형성함으로써 구성될 수 있다. N형 실리콘층은 인, 질소 등과 같이 N형 불순물이 도핑된 층이고, P형 실리콘층은 붕소 등의 제3족 원소인 P형 불순물이 도핑된 층이다. 또한, 광전 변환층(300)은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층으로 형성할 수 있다.

반도체층은 태양광에 의해 정공과 전자를 생성하고 생성된 정공 및 전자가 각각 P층 및 N층에서 수집되는데, 이러한 정공 및 전자의 수집효율을 증진시키기 위해서는 P층과 N층만으로 이루어진 PN 구조에 비하여 PIN 구조가 보다 바람직하다. 제1 반도체층을 PIN 구조로 형성하게 되면, I층이 P층과 N층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P층 및 N층에서 수집된다.

광전 변환층(300) 위에는 투명 도전층(400)을 갖는 후면 전극(500)이 형성된다. 전면 전극(200) 및 광전 변환층(300)을 통과한 태양광은 후면 전극(500)에서 반사되어 광전 변환층(300)으로 재입사된다. 이러한 후면 전극(500)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 후면 전극(500)에는 전술한 전면 전극의 투명 도전막(200)과 마찬가지로 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂, SnO₂:F 또는 ITO 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의해 성막함으로써 도전막이 형성될 수 있다.

이상과 같이 구성된 태양전지는 다음과 같이 동작한다. 외부에서 빛이 태양전지에 입사되면 광전 변환층에서 입사된 광에너지에 의해 전자와 정공이 발생하고, 전자는 N형 실리콘층으로, 정공은 P형 실리콘층으로 각각 확산하게 된다. 하전 캐리어의 분극이 일어나면, 반도체의 양측에는 전위차가 생긴다. 이때, N형 실리콘층과 P형 실리콘층을 결선하게 되면, 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성된다.

이하에서 실시예를 들어 본 발명을 보다 더 상세하게 설명할 것이나, 이러한 실시예들은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다.

실시예 1

두께 2mm의 판유리(Flat glass)를 스프레이가 장착된 장비에 수직으로 고정 시킨 후, 불화수소산에 글라스 비드를 포화시킨 용액을 약 1.2kg/f의 압력으로 판유리에 10분 동안 분사한다. 글라스 비드로서는 325메쉬를 통과한 크기가 36 내지 47㎛ 이하인 원형의 모양을 갖는 것을 사용하였다. 1차 분사 후, 전자현미경(도 2) 및 3D-이미지(도 3)와 같이 글라스 패턴이 생기게 된다. 분사가 완료된 후, 물로 3회 세척하고, 이어서 50% 불화수소산으로 추가로 스프레이하여 2차 에칭을 20분 동안 실시하였다. 2차 에칭은 글라스 비드 없이 불화수소산만으로 실시하였다. 최종 불화수소산 에칭이 완료되면 도 4 및 도 5와 같은 모양의 글라스를 얻을 수 있다. 제조된 에칭 글라스의 분석 결과는 표 2에 나타내었다.

수득된 텍스처 글라스를 200×200mm로 절단하고, 투명 전극으로 알루미늄 도핑된 산화아연(ZnO:Al)을 1㎛가량 증착하여 박막 태양전지용 전극을 제조하였다. 전면 전극 증착의 타겟(Target)은 산화아연에서 알루미늄 함량이 2wt%를 사용하였으며 장비는 RF 무빙 마그네트론 스퍼터 증착장비를 사용하였다. 증착공정은 공정 압력 0.7Pa, 기판 온도 200℃로 증착하였다. 전면 전극을 증착 후, 결과는 표 3에 나타내었다.

수득된 투명 전극의 단면 SEM 사진을 도 6에 나타내었고, 텍스처 기판의 3D-이미지 사진을 도 7에 나타내었다. 에칭된 글라스 사진인 도 4 및 도 5와 에칭된 글라스에 전면 전극 1μm를 증착한 도 6 및 도 7을 비교해 보면, 에칭한 글라스 패턴이 그대로 전사된 것을 볼 수 있다.

실시예 2

실시예 1에서 2차 에칭인 불화수소산 처리시간을 30분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭 글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실시예 3

실시예 1에서 2차 에칭인 불화수소산 처리시간을 40분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실시예 4

실시예 1에서 2차 에칭인 불화수소산 처리시간을 50분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실시예 5

실시예 1에서 글라스 비드를 400mesh를 사용하여 20 내지 31㎛를 사용하였고 불화수소산 에칭시간을 3분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭 글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조한 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실시예 6

실시예 5에서 불화수소산 처리시간을 8분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭 글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조한 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실시예 7

실시예 5에서 불화수소산 처리시간 15분으로 변경한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭 글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

	글라스 두께	글라스 비드 크기	불화수소산 처리시간
실시예 1	2mm	325mesh(36~47μm)	20분
실시예 2	2mm	325mesh(36~47μm)	30분
실시예 3	2mm	325mesh(36~47μm)	40분
실시예 4	2mm	325mesh(36~47μm)	50분
실시예 5	2mm	400mesh(20~31μm)	3분
실시예 6	2mm	400mesh(20~31μm)	8분
실시예 7	2mm	400mesh(20~31μm)	15분

	투과도(%)		조도(nm)			FE-SEM(μm)
	550nm	1100nm	Ra	Rp	Rv	폭	깊이	각도
실시예 1	91	92	274	1035	1071	28	1.4	161
실시예 2	91	92	206	794	726	59	1.5	167
실시예 3	91	91	201	777	705	51	1.1	165
실시예 4	91	82	163	618	500	55	1.1	164
실시예 5	36	41	746	3277	2756	19	0.7	155
실시예 6	68	69	585	1532	2345	16	2.5	152
실시예 7	86	85	333	3791	1564	9	1.3	139

	투과도(%)		조도(nm)			FE-SEM(μm)
	550nm	1100nm	Ra	Rp	Rv	폭	깊이	각도
실시예 1	91	92	274	1035	1071	27	0.5	159
실시예 2	91	92	206	794	726	44	0.1	154
실시예 3	91	91	201	777	705	49	0.1	165
실시예 4	91	82	163	618	500	56	0.3	162
실시예 5	36	41	746	3277	2756	13	0.9	137
실시예 6	68	69	585	1532	2345	18	0.8	150
실시예 7	86	85	333	3791	1564	23	1.6	157

비교예 1

에칭을 하지 않은 글라스를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였으며, 에칭 글라스 분석 결과는 표 2에 나타내었다. 에칭 글라스에 박막 태양전지용 전극을 제조 후, 분석 결과는 표 3에 나타내었다.

실험예

위의 실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1에서 제조한 전면 전극을 사용하여 비정질 박막 실리콘 태양전지를 동일한 방법으로 제조하였으며, 제조한 박막형 태양전지의 단락 전류(Jsc), 개방 전압(Voc) 및 곡선 인자(fill factor)를 솔라 시뮬레이터(야마시타엔소; YSS-50A)를 이용하여 AM(Air Mass) 1.5, 100mW/㎠의 기준으로 측정하였다. 효율 측정 결과는 표 4에 나타내었다.

	단락 전류(Jsc:mA/cm2)	개방 전압(Voc:V)	충진률(FF:%)	변환 효율(%)
실시예 1	10.2	0.88	63.5	5.6
실시예 2	10.3	0.88	64.2	5.7
실시예 3	10.1	0.87	63.3	5.5
실시예 4	10.2	0.88	63.4	5.6
실시예 5	10.3	0.86	66.9	6.0
실시예 6	10.4	0.86	67.5	6.0
실시예 7	10.7	0.86	66.9	6.2
비교예 1	9.7	0.89	65.5	5.7

위의 표 4를 통해서 확인되는 바와 같이, 실시예 1 내지 7의 경우, 글라스에 에칭을 하지 않은 비교예 1과 비교하였을 때, 단락 전류(Jsc) 값이 증가하여 효율이 향상된 것을 확인할 수 있었다. 그러나 글라스 비드의 크기를 조절하여 작게 유지한 실시예 5 내지 실시예 7은 글라스에 작은 패턴이 형성되어 단락 전류 값이 증가하였다.

이상에서 본 발명의 바람직한 구현예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나 본 발명은 상술한 구현예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 많은 변형이 가능함은 자명할 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 이하의 특허청구범위에서 청구하는 범위 및 그의 균등한 범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따르는 박막 태양전지의 개략적인 단면도이다.

도 2는 실시예 1에서 수득한 1차 글라스 비드가 포화된 불화수소산 용액으로 텍스처링된 글라스의 단면 SEM 사진이다.

도 3은 실시예 1에서 수득한 1차 글라스 비드가 포화된 불화수소산 용액으로 텍스처링된 글라스의 3D-이미지 사진이다

도 4는 실시예 1에서 수득된 2차 에칭 조건인 불화수소산 용액으로 텍스처링된 글라스의 단면 SEM 사진이다

도 5는 실시예 1에서 수득된 2차 에칭 조건인 불화수소산 용액으로 텍스처링된 글라스의 3D-이미지 사진이다

도 6는 실시예 1에서 2차 에칭 완료된 글라스에 투명 전극을 증착한 후 측정된 단면 SEM 사진이다.

도 7는 실시예 1에서 2차 에칭 완료된 글라스에 투명 전극을 증착한 후 측정된 3D-이미지 사진이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

100: 기판 200: 투명 도전막 120: 텍스처 구조

300: 광전 변환층 400: 투명 도전층 500: 후면 전극

Claims

불화수소산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 유리 기판의 표면에 0.5kg/f 내지 3.0kg/f의 압력으로 분사하는 단계 및

유리 비드가 분사된 유리 기판을 불화수소산으로 3 내지 60분 동안 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법.
제1항에 있어서, 유리 기판이 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리 또는 인산 유리인 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법.
제1항에 있어서, 비드가 불화수소산에 의해 에칭 가능한 붕규산 유리, 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리로 구성되는 비드인 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법.
제1항에 있어서, 비드가, 평균 직경 범위가 10㎛ 내지 45㎛인 것임을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법.
삭제
제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따르는 방법에 의해 형성된, 텍스처 구조를 포함하는 박막 태양전지용 투명 전극.
제6항의 텍스쳐 구조를 갖는 박막 태양전지용 투명 전극을 포함하는 박막 태양전지.