KR20110077756A - 박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극 - Google Patents

박막 태양전지용 투명 전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명 전극 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불산과 글라스 비드를 이용하여 이상적인 태양전지용 텍스쳐 글라스를 형성하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명전극에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 기판의 텍스처링 효과를 활용할 수 있어 높은 광전변환효율을 달성할 수 있고, 고비용의 기존 투명전극을 대체할 수 있어 박막태양전지 제조시 비용을 절감할 수 있다.
박막태양전지, 텍스처링부, 기판, 투명전극층, 유리비드, 불산

Description

박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명전극{Preparation Method of Textured Glass for a Thin Film Solar Cell and a Transparent Substrate}
본 발명은 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법 및 텍스처 구조를 포함하는 투명전극에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불산과 유리 비드를 이용하여 이상적인 텍스처 구조를 형성하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법 및 투명전극에 관한 것이다.
최근 고유가 및 환경 문제의 영향으로 신재생 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 태양광을 전기에너지로 변환하는 광전변환소자인 태양전지는 다른 에너지원과 달리 무한하고 환경친화적이므로 시간이 갈수록 그 중요성이 더해가고 있다.
태양전지는 반도체에 사용되는 웨이퍼를 이용하는 결정질 태양전지와 글라스와 같은 기판에 증착기술을 이용한 박막태양전지로 나눌 수 있다. 현재는 결정질 태양전지가 높은 시장점유율을 가지고 있지만 향후 고효율화 및 저가격으로 박막태양전지의 시장점유율이 높아질 것으로 예상되고 있다.
태양전지에서의 텍스처링(texturing) 기술은 빛의 산란을 증대시켜 빛의 가둠 효과를 증대시킴으로써 태양전지 효율을 개선하기 위해 다양한 방식으로 이용되고 있다. 현재 텍스처 전극 형성을 위해서 일반적으로 글라스에 투명전극을 증착한 후 건식 에칭, 습식 에칭, 스크라이빙, 포토리소그라피, 기계적 절삭 등을 이용한 방법들이 이용되고 있다.
상기 건식, 습식 에칭 방법은 투명전극을 일정 두께 이상으로 증착한 후 전기전도도와 광투과도를 유지하면서 일정 모양을 갖는 두께로 식각하는 방법으로, 에칭을 위한 공정조건의 어려움과 일정 두께 형성 후 다시 깎아내는 데의 시간, 비용적인 문제가 있다. 한편, 기계적 스크라이빙 방법은 글라스 기판 표면에 절삭 홈을 형성한 후 화학적 식각을 이용하는 것으로 사용 기구와 공정은 간단하지만 원하는 패턴을 형성시키는 데의 어려움과 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있다. 또 최근 기술로 프레스를 이용한 요철형성은 프레스 자체에 반사효율을 높이는 텍스처의 식각이 어렵고 고온에서의 작업과 고온고압 공정시 글라스의 두께가 두꺼워야하는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 하 나의 목적은 공정이 단순화된 공정에 의해 이상적인 텍스처 패턴을 형성할 수 있는 박막 태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 유리비드에 의해 형성된 텍스처 전극을 포함하여 제조원가가 저렴하고 광전변환효율이 향상된 박막태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 양상은
불산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 유리 기판의 표면에 소정의 압력으로 분사하는 단계:
유리 비드가 분사된 투명기판을 불산으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양상은 상기 방법에 의해서 형성된 기판을 포함하는 박막태양전지용 전극에 관한 것이고, 본 발명의 또 다른 양상은 이러한 텍스처 구조를 포함하는 전극을 구비하는 박막 태양전지에 관한 것이다.
본 발명의 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법은 기존에 사용되는 건식, 습식에칭에 비해 시간 및 공정비용이 감소하며, 요철로 글라스 위의 프레스로 접촉하는 방식보다 넓은 파장영역을 투과시키는 텍스처로의 조절이 가능하다. 또한 에칭용매, 고온, 고압의 공정보다 간단한 방법으로 텍스쳐 글라스를 형 성할 수 있으며 투명전극의 증착 시에도 기존 보다 얇은 두께로 형성시켜 광투과도 및 헤이즈를 향상시킬 수 있다. 따라서 본 발명의 글라스에 투명전극을 증착하여 박막태양전지에 사용시 높은 광전변환효율의 박막태양전지를 제공할 수 있다. 또한 기존의 고가의 투명전극을 대체할 수 있어 박막태양전지 제조시 제조비용을 절감할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법 및 텍스처 전극을 포함하는 박막태양전지에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 또한, 이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어 들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다.
본 발명의 일실시예의 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법에서는 태양전기 기판의 표면에 일정 농도의 불산과 글라스 비드를 이용하여 텍스처 구조를 형성한다. 이러한 텍스처 구조는 빛을 산란시킬 수 있어 태양전지 내부로 더 많은 태양광이 투과되도록 하여 광전변환효율을 향상시킨다.
투명 기판 위에 투명도전막을 형성하는 단계;
도 1은 본 발명의 일실시예의 박막 태양전지 개략사시도이다. 도 1을 참고하여 본 발명의 일실시예의 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법에 대해서 설명한다. 먼저 불산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 준비한 후에, 준비된 유리 비드 용액을 유기 기판의 표면에 소정의 압력으로 분사한다. 이때 분사 압력은 약 1.0kg/f 내지 1.5kg/f의 범위 내인 것이 좋다. 이와 같이 소정의 유리 비드가 담지된 불산 용액을 전극 표면에 분사하면 유리 비드들이 기판의 표면을 에칭하면서 기판에 박히게 된다. 이어서 유리 비드가 분사된 투명기판을 불산으로 에칭하면 전극의 표면에 U자형의 텍스처 구조들이 형성된다. 끝으로 통상의 방법으로 세정 및 건조하여 박막 태양전지용 기판을 수득할 수 있다. 이러한 기판은 그 위에 전극 형성을 위해 투명 도전막을 증착한 후에도 이상적인 패턴을 유지할 수 있다.
본 발명에서 상기 유리 기판은 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리 등의 불산에 의해 에칭될 수 있는 기판인 것이 바람직하다.
한편, 상기 텍스처링에 사용되는 비드는 기판과 반드시 동일한 소재의 비드일 필요는 없지만, 불산에 의해 에칭 가능한 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리로 된 비드를 사용하는 것이 좋다. 상기 비드의 직경은 형성하고자 하는 텍스처 구조에 맞추어 적의 선택할 수 있는데, 태양전지의 전극의 광투과도 및 헤이즈를 고려할 때, 그 평균직경은 약 45 마이크로미터 내지 약 10마이크로미터의 범위 내인 비드를 사용할 수 있다.
상기 불산은 농도가 50% [w/w] 이하이고, 상기 비드가 담지된 용액의 분사 압력은 1.0kg/f 내지 1.5kg/f로 한다.
불산에 의한 에칭시 에칭시간은 선택되는 유리 기판의 종류에 따라서 달라질 수 있는데, 예를 들어 붕규산 유리 기판의 경우 상온에서 약 3분 내지 60분 정도 에칭할 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 이상의 방법에 의해서 형성되는 박막 태양전지용 전극에 관한 것이다. 본 발명의 전극은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 위에 형성된 투명도전막이
도 1은 본 발명의 일실시예의 박막 태양전지 개략사시도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예의 박막태양전지 기판용 글라스는 기판(100) 상에 유리비와 불산을 이용하여 형성된 텍스처 구조(120)를 포함한다. 이러한 텍스처 구조(120)는 U자형에 가까운 형상이고, 기존의 습식 에칭과 흡사한 형태의 텍스처 구조를 가지고 있다. 기존 습식 에칭공정의 경우 전면전극을 1 마이크로미터 이상 증착한 후 약 1/3정도를 따로 산에칭을 통해서 제거하므로 그에 따른 공정시간 및 습식공정으로 인한 연속 진공공정이 단절되어 생산비용이 높아지게 된다. 따라서 본 발명에 의하면 습식의 이러한 공정을 제거하여 글라스에 표면 에칭함으로써 별도의 산에칭 공정을 거치지 하지 않고, 연속진공공정을 가능하게 하여 생산비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상은 상기 전극을 포함하는 박막 태양전지에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 박막 태양전지의 구조는 특별히 제한되지 않으나, 일례로 도 1에 도시된 바와 같이, 텍스처 구조(120)를 포함하는 투명 기판(100) 위에 투명 도전성 박막(200)이 형성되고 그 위에 광전변환층(300) 및 투명도전층(400)를 갖는 후면전극(500)이 차례로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
본 발명에서 기판은 상술한 바와 같은 유리 기판이 사용된다. 상기 박막형 태양전지의 박막은 기본적으로 광을 흡수하여 전자 및 정공을 발생시키는 실리콘 박막, 그리고 그 위아래에는 여기서 생산된 전자 및 정공을 전달하는 전극으로 이루어진다. 상부 전극은 빛을 통과하여 실리콘 막으로 전달해야 하므로 투명전도성 산화막(TCO-Transparent Conductive Oxide)이 사용된다.
투명 도전막(200)은 외부로부터 입사되는 빛을 광전변환층(300)으로 통과시키기 위해 투명 전극으로 구성되고, 빛을 통과시키기 위해 상기 기판 상에 코팅되는 전도성 물질로는 인듐틴 옥사이드(ITO), 플로린 도핑된 틴 옥사이드(FTO), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, ZnO-Ga, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2:F, SnO2-Sb2O3 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 이러한 투명전극은 스퍼터링 공정 또는 진공증착법에 의해 형성될 수 있다.
상기 광전변환층(300)은 상기 투명전극(200) 위에 형성되고, N형, I형 및 P형 실리콘층이 접합된 PIN 접합층으로서 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정 등의 CVD 공정에 의하여 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 광전변환층(300)은 상기 투명 도전막(200) 상에 N형 실리콘층을 형성한 후에, 상기 N형 실리콘층 상에 I형 실리콘층을 형성한다음 상기 I형 실리콘층 상에 P형 실리콘층을 형성하여 구성될 수 있다. 상기 N형 실리콘층은 인, 질소 등과 같이 N형의 불순물이 도핑된 층이고, 상기 P형 실리콘층은 붕소 등의 제3족 원소인 P형 불순물이 도핑된 층이다. 또한, 상기 광전변환층(300)은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층으로 형성할 수 있다.
반도체층은 태양광에 의해 정공(hole) 및 전자(electron)를 생성하고 생성된 정공 및 전자가 각각 P층 및 N층에서 수집되는데, 이와 같은 정공 및 전자의 수집효율을 증진시키기 위해서는 P층과 N층만으로 이루어진 PN 구조에 비하여 PIN 구조가 보다 바람직하다. 상기 제1반도체층을 PIN 구조로 형성하게 되면, I층이 P층과 N층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P층 및 N층에서 수집된다.
상기 광전변환층(300) 위에는 투명 도전층(400)을 갖는 후면전극(500)이 형성된다. 상기 전면전극(200) 및 광전변환층(300)을 통과한 태양광은 상기 후면전극(500)에서 반사되어 상기 광전변환층(300)으로 재입사된다. 이러한 후면전극(500)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 후면전극(500) 상에는 전술한 전면전극의 투명 도전막(200)과 마찬가지로 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링법 또는 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의해 성막함으로써 도전막이 형성될 수 있다.
이상과 같이 구성된 태양전지는 다음과 같이 동작한다. 외부에서 빛이 태양전지에 입사되면 광전변환층에서 입사된 광에너지에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 전자는 N형 실리콘층으로 상기 정공은 P형 실리콘층으로 각기 확산하게 된다. 하전 캐리어의 분극이 일어나면, 반도체의 양측에는 전위차가 생긴다. 이때, 상기 N형 실리콘층과 P형 실리콘층을 결선하게 되면 상기 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성되게 된다.
이하, 본 발명의 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명할 것이나, 이러한 실시예들은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
실시예 1
두께 2mm의 판유리(Flat glass)를 스프레이가 장착된 장비에 수직으로 고정 시킨 후 불산에 글라스비드를 포화시킨 용액을 약 1.2kg/f의 압력으로 판유리에 10분간 분사한다. 여기에 사용된 글라스비스는 325 메쉬를 통과한 크기가 36~47마이크로미터 이하인 원형의 모양을 갖는 것을 사용하였다. 1차 분사 후 전자현미경(도 2) 및 3D-이미지 (도 3)와 같이 글라스 패턴이 생기게 된다. 분사가 완료된 후 물로 3회 세척하고 세척 후 다시 50% 불산으로 스프레이로 2차 에칭을 20분간 실시하였다. 2차 에칭 시에는 글라스비드 없이 불산만으로 사용하였다. 최종 불산 에칭이 완료되면 도4 및 도5와 같은 모양의 글라스를 얻을 수 있다. 제조된 에칭글라스의 분석결과는 표 2에 나타내었다.
수득된 텍스처 글라스를 200x200mm로 자른 후 투명전극으로 알루미늄 도핑된 산화아연(ZnO:Al)을 1μm가량 증착하여 박막 태양전지용 전극을 제조하였다. 전면전극 증착의 타겟(Target)은 산화아연에서 알루미늄 함량이 2wt%를 사용하였으며 장비는 RF 무빙마그네트론 스퍼터 증착장비를 사용하였다. 증착공정은 공정압력 0.7Pa, 기판온도 200℃로 증착하였다. 전면전극을 증착 후 결과는 표 3에 나타내었다.
수득된 투명 전극의 단면 SEM 사진을 도 6에 나타내었고, 텍스처 기판의 3D-이미지 사진을 도 7에 나타내었다. 에칭한 글라스 사진인 도 4, 도 5와 에칭한 글라스에 전면전극 1μm를 증착한 도6 및 도 7을 비교해 보면 에칭한 글라스 패턴이 그대로 전사된 것을 볼 수 있다.
실시예 2
실시예 1에서 2차 에칭인 불산처리시간을 30분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실시예 3
실시예 1에서 2차 에칭인 불산처리시간을 40분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실시예 4
실시예 1에서 2차 에칭인 불산처리시간을 50분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실시예 5
실시예 1에서 글라스비드를 400mesh를 사용하여 20~31마이크로미터를 사용하였고 불산에칭시간을 3분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실시예 6
실시예 5에서 불산에칭시간을 8분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실시예 7
실시예 5에서 불산처리시간 15분으로 달리한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
glass 두께 글라스비드크기 불산처리시간
실시예 1 2mm 325mesh(36~47μm) 20분
실시예 2 2mm 325mesh(36~47μm) 30분
실시예 3 2mm 325mesh(36~47μm) 40분
실시예 4 2mm 325mesh(36~47μm) 50분
실시예 5 2mm 400mesh(20~31μm) 3분
실시예 6 2mm 400mesh(20~31μm) 8분
실시예 7 2mm 400mesh(20~31μm) 15분
투과도(%) Roughness(nm) FE-SEM(μm)
550nm 1100nm Ra Rp Rv width Depth Angle
실시예 1 91 92 274 1035 1071 28 1.4 161
실시예 2 91 92 206 794 726 59 1.5 167
실시예 3 91 91 201 777 705 51 1.1 165
실시예 4 91 82 163 618 500 55 1.1 164
실시예 5 36 41 746 3277 2756 19 0.7 155
실시예 6 68 69 585 1532 2345 16 2.5 152
실시예 7 86 85 333 3791 1564 9 1.3 139
투과도(%) Roughness(nm) FE-SEM(μm)
550nm 1100nm Ra Rp Rv width Depth Angle
실시예 1 91 92 274 1035 1071 27 0.5 159
실시예 2 91 92 206 794 726 44 0.1 154
실시예 3 91 91 201 777 705 49 0.1 165
실시예 4 91 82 163 618 500 56 0.3 162
실시예 5 36 41 746 3277 2756 13 0.9 137
실시예 6 68 69 585 1532 2345 18 0.8 150
실시예 7 86 85 333 3791 1564 23 1.6 157
비교예 1
에칭을 하지 않은 글라스를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였으며, 에칭글라스 분석 결과는 표2에 나타내었다. 에칭글라스에 박막태양전지용 전극을 제조 후 분석 결과는 표3에 나타내었다.
실험예
상기 실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예1에서 제조된 전면전극을 사용하여 비정질 박막실리콘 태양전지를 동일한 방법으로 제조하였으며, 제조한 박막형 태양전지의 단락전류(Jsc), 개방전압(Voc) 및 곡선인자(fill factor)를 솔라시뮬레이터(야마시타엔소; YSS-50A)를 이용하여 AM(Air Mass) 1.5, 100mW/㎠의 기준으로 측정하였다. 효율측정 결과는 표 4에 나타내었다.
단락전류(Jsc:mA/cm2) 개방전압(Voc:V) 충진률(FF:%) 변환효율(%)
실시예 1 10.2 0.88 63.5 5.6
실시예 2 10.3 0.88 64.2 5.7
실시예 3 10.1 0.87 63.3 5.5
실시예 4 10.2 0.88 63.4 5.6
실시예 5 10.3 0.86 66.9 6.0
실시예 6 10.4 0.86 67.5 6.0
실시예 7 10.7 0.86 66.9 6.2
비교예 1 9.7 0.89 65.5 5.7
상기 표 4에서 통해서 확인되는 바와 같이, 실시예 1 내지 7의 경우 글라스에 에칭을 하지 않은 비교예1과 비교하였을 때 단락전류(Jsc)값이 증가하여 효율이 향상된 것을 확인할 수 있었다. 그러나 글라스비드의 크기를 조절하여 작게 유지한 실시예 5 내지 실시예 7이 글라스에 작은 패턴이 형성되어 단락전류 값이 증가하였다.
이상에서 본 발명의 바람직한 구현 예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나 본 발명은 상술한 구현 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 많은 변형이 가능함은 자명할 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 이하의 특허청구범위에서 청구하는 범위 및 그의 균등한 범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 박막태양전지의 개략단면도이다.
도 2는 실시예 1에서 수득된 1차 글라스 비드가 포화된 불산용액으로 텍스처링된 글라스의 단면 SEM 사진이다.
도 3은 실시예 1에서 수득된 1차 글라스 비드가 포화된 불산용액으로 텍스처링된 글라스의 3D-이미지 사진이다
도 4는 실시예 1에서 수득된 2차 에칭 조건인 불산용액으로 텍스처링된 글라스의 단면 SEM 사진이다
도 5는 실시예 1에서 수득된 2차 에칭 조건인 불산용액으로 텍스처링된 글라스의 3D-이미지 사진이다
도 6는 실시예 1에서 2차 에칭완료된 글라스에 투명전극을 증착한 후 측정된 단면 SEM 사진이다.
도 7는 실시예 1에서 2차 에칭완료된 글라스에 투명전극을 증착한 후 측정된 3D-이미지 사진이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 기판 200: 투명 도전막 ·120: 텍스처 구조
300: 광전변환층 400: 투명 도전층 500: 후면전극

Claims (7)

  1. 불산 용액에 유리 비드를 포화시킨 용액을 유리 기판의 표면에 소정의 압력으로 분사하는 단계:
    유리 비드가 분사된 투명기판을 불산으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유리 기판은 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 비드는 불산에 의해 에칭가능한 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영 유리, 소다 유리, 또는 인산 유리로 구성되는 비드인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 비드는 평균직경이 10 마이크로미터 내지 45 마이크로미터 의 범위 내인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 불산은 농도가 50% [w/w]이하이고, 상기 비드가 담지된 용액의 분사 압력은 0.5kg/f 내지 3.0kg/f 인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 투명전극의 텍스처 구조 형성방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항이 방법에 의해서 형성된 텍스처 전극을 포함하는 박막태양전지용 전극.
  7. 제 6항의 전극을 포함하는 박막 태양전지.
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