RU2008143236A - Cистема ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы - Google Patents

Cистема ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы Download PDF

Info

Publication number
RU2008143236A
RU2008143236A RU2008143236/02A RU2008143236A RU2008143236A RU 2008143236 A RU2008143236 A RU 2008143236A RU 2008143236/02 A RU2008143236/02 A RU 2008143236/02A RU 2008143236 A RU2008143236 A RU 2008143236A RU 2008143236 A RU2008143236 A RU 2008143236A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ion gun
value
ion
refractive index
formation
Prior art date
Application number
RU2008143236/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2455387C2 (ru
Inventor
Юкихиро ТАКАХАСИ (JP)
Юкихиро ТАКАХАСИ
Теруфуми ХАМАМОТО (JP)
Теруфуми ХАМАМОТО
Кенити СИНДЕ (JP)
Кенити СИНДЕ
Original Assignee
Хойа Корпорейшн (Jp)
Хойа Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хойа Корпорейшн (Jp), Хойа Корпорейшн filed Critical Хойа Корпорейшн (Jp)
Publication of RU2008143236A publication Critical patent/RU2008143236A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2455387C2 publication Critical patent/RU2455387C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0026—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
    • C23C14/0031—Bombardment of substrates by reactive ion beams
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

1. Система ионной пушки, содержащая: ! ионную пушку для испускания пучка ионов; ! блок электропитания для подачи электроэнергии на ионную пушку; ! множество регуляторов массового расхода для введения каждого из множества типов газа в упомянутую ионную пушку; ! средство управления ионной пушкой, соединенное с упомянутым блоком электропитания, для управления электроэнергией, подаваемой на упомянутую ионную пушку из блока электропитания; и ! средство управления массовым расходом, соединенное с упомянутыми регуляторами массового расхода, для управления расходом газа, вводимого в упомянутую ионную пушку из регуляторов массового расхода, причем ! упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво. ! 2. Система ионной пушки по п.1, в которой упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения при синхронизации заданных значений в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво. ! 3. Система ионной пушки по п.1, в которой упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, при подд�

Claims (29)

1. Система ионной пушки, содержащая:
ионную пушку для испускания пучка ионов;
блок электропитания для подачи электроэнергии на ионную пушку;
множество регуляторов массового расхода для введения каждого из множества типов газа в упомянутую ионную пушку;
средство управления ионной пушкой, соединенное с упомянутым блоком электропитания, для управления электроэнергией, подаваемой на упомянутую ионную пушку из блока электропитания; и
средство управления массовым расходом, соединенное с упомянутыми регуляторами массового расхода, для управления расходом газа, вводимого в упомянутую ионную пушку из регуляторов массового расхода, причем
упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво.
2. Система ионной пушки по п.1, в которой упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения при синхронизации заданных значений в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво.
3. Система ионной пушки по п.1, в которой упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, при поддержании постоянного общего расхода.
4. Система ионной пушки по п.2, в которой упомянутое средство управления массовым расходом снабжено функцией изменения заданного значения для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, при поддержании постоянного общего расхода.
5. Система ионной пушки по любому из пп.1-4, в которой упомянутое средство управления ионной пушкой снабжено функцией изменения заданного значения для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво.
6. Система ионной пушки по любому из пп.1-4, в которой упомянутое средство управления ионной пушкой снабжено функцией временной установки заданного значения для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на значения, которые удовлетворяют условиям 30 мА ≤ значение ускоряющего тока ≤ 70 мА и 100 В ≤ значение ускоряющего напряжения ≤ 160 В, посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, и впоследствии его пошагового изменения на другое заданное значение.
7. Система ионной пушки по п.5, в которой упомянутое средство управления ионной пушкой снабжено функцией временной установки заданного значения для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на значения, которые удовлетворяют условиям 30 мА ≤ значение ускоряющего тока ≤ 70 мА и 100 В ≤ значение ускоряющего напряжения ≤ 160 В, посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, и впоследствии его пошагового изменения на другое заданное значение.
8. Система ионной пушки по любому из пп.1-4 и 7, в которой изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно.
9. Система ионной пушки по п.5, в которой изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно.
10. Система ионной пушки по п.6, в которой изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно.
11. Система ионной пушки по любому из пп.1-4, 7, 9 и 10, в которой по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы пошагово изменять упомянутое заданное значение в пределах упомянутого общего времени изменения, и упомянутый отдельный единичный интервал времени установлен составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
12. Система ионной пушки по п.5, в которой по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы пошагово изменять упомянутое заданное значение в пределах упомянутого общего времени изменения, и упомянутый отдельный единичный интервал времени установлен составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
13. Система ионной пушки по п.6, в которой по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы пошагово изменять упомянутое заданное значение в пределах упомянутого общего времени изменения, и упомянутый отдельный единичный интервал времени установлен составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
14. Система ионной пушки по п.8, в которой по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы пошагово изменять упомянутое заданное значение в пределах упомянутого общего времени изменения, и упомянутый отдельный единичный интервал времени установлен составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
15. Устройство парофазного осаждения, содержащее:
камеру парофазного осаждения, которая содержит внутри себя образуемое пленкой тело;
источник теплоты, установленный в камере парофазного осаждения, для нагревания подлежащего парофазному осаждению материала для его испарения и осаждения его на упомянутом образуемом пленкой теле; и
систему ионной пушки, установленную в камере парофазного осаждения, для содействия упомянутому парофазному осаждению на упомянутое образуемое пленкой тело пучком ионов, который она испускает, причем
упомянутая система ионной пушки является системой ионной пушки по любому из пп.1-14.
16. Способ изготовления линзы, включающий в себя: при формировании на подложке линзы многослойной просветляющей пленки, состоящей из слоя с высоким показателем преломления и слоя с низким показателем преломления, в соответствии с ионно-стимулированным способом с использованием ионной пушки, установление заданного значения для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, и заданного значения для расхода каждого из множества типов газа, вводимого в упомянутую ионную пушку, различными при формировании упомянутого слоя с высоким показателем преломления и при формировании упомянутого слоя с низким показателем преломления, причем
способ изменяет заданное значение для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
17. Способ изготовления линзы по п.16, причем способ изменяет заданное значение для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения при синхронизации заданных значений в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
18. Способ изготовления линзы по п.16, причем способ изменяет заданное значение для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, при поддержании постоянного общего расхода, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
19. Способ изготовления линзы по п.17, причем способ изменяет заданное значение для расхода каждого из множества типов газа на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, при поддержании постоянного общего расхода, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
20. Способ изготовления линзы по любому из пп.16-19, причем способ изменяет заданное значение для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на другое заданное значение посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где ионная пушка работает устойчиво, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
21. Способ изготовления линзы по любому из пп.16-19, причем способ временно устанавливает заданное значение для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на значения, которые удовлетворяют условиям 30 мА ≤ значение ускоряющего тока ≤ 70 мА и 100 В ≤ значение ускоряющего напряжения ≤ 160 В, посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, и впоследствии его пошагового изменения на другое заданное значение, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
22. Способ изготовления линзы по п.20, причем способ временно устанавливает заданное значение для каждого из значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на упомянутую ионную пушку, на значения, которые удовлетворяют условиям 30 мА ≤ значение ускоряющего тока ≤ 70 мА и 100 В ≤ значение ускоряющего напряжения ≤ 160 В, посредством его пошагового изменения в пределах того диапазона, где упомянутая ионная пушка работает устойчиво, и впоследствии его пошагового изменения на другое заданное значение, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
23. Способ изготовления линзы по любому из пп.16-19 и 22, в котором изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
24. Способ изготовления линзы по п.20, в котором изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
25. Способ изготовления линзы по п.21, в котором изменение упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменение упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, реализуют параллельно в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления.
26. Способ изготовления линзы по любому из пп.16-19, 22, 24 и 25, в котором по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы изменять упомянутое заданное значение пошагово в пределах упомянутого общего времени изменения, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления, и упомянутый отдельный единичный интервал времени устанавливают составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
27. Способ изготовления линзы по п.20, в котором по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы изменять упомянутое заданное значение пошагово в пределах упомянутого общего времени изменения, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления, и упомянутый отдельный единичный интервал времени устанавливают составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
28. Способ изготовления линзы по п.21, в котором по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы изменять упомянутое заданное значение пошагово в пределах упомянутого общего времени изменения, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления, и упомянутый отдельный единичный интервал времени устанавливают составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
29. Способ изготовления линзы по п.23, в котором по меньшей мере одно из изменения упомянутым средством управления ионной пушкой заданных значений для значения ускоряющего тока и значения ускоряющего напряжения, подаваемых на ионную пушку, и изменения упомянутым средством управления массовым расходом заданного значения для расхода газа, вводимого в ионную пушку, должно изменять упомянутое заданное значение отдельно в расчете на отдельный единичный интервал времени, определенный посредством разделения общего времени изменения для каждого из этих значений, так чтобы изменять упомянутое заданное значение пошагово в пределах упомянутого общего времени изменения, в течение периода между формированием слоя с высоким показателем преломления и формированием слоя с низким показателем преломления, и упомянутый отдельный единичный интервал времени устанавливают составляющим период времени, равный или меньший, чем 1 с.
RU2008143236/02A 2006-03-31 2007-03-28 Система ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы RU2455387C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006096767 2006-03-31
JP2006-096767 2006-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008143236A true RU2008143236A (ru) 2010-05-10
RU2455387C2 RU2455387C2 (ru) 2012-07-10

Family

ID=38563457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008143236/02A RU2455387C2 (ru) 2006-03-31 2007-03-28 Система ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9074283B2 (ru)
EP (1) EP2003225B1 (ru)
JP (1) JP5235659B2 (ru)
KR (1) KR101139615B1 (ru)
CN (1) CN101410545B (ru)
BR (1) BRPI0710214A2 (ru)
RU (1) RU2455387C2 (ru)
WO (1) WO2007114188A1 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5153410B2 (ja) * 2008-03-31 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 レンズ成膜方法、蒸着装置及びレンズの製造方法
JP2010168648A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Canon Anelva Corp 成膜装置及び基板の製造方法
US10288771B1 (en) * 2010-02-26 2019-05-14 Quantum Innovations, Inc. Substrate deposition systems
US10808319B1 (en) 2010-02-26 2020-10-20 Quantum Innovations, Inc. System and method for vapor deposition of substrates with circular substrate frame that rotates in a planetary motion and curved lens support arms
US10550474B1 (en) 2010-02-26 2020-02-04 Quantum Innovations, Inc. Vapor deposition system
FR2957455B1 (fr) * 2010-03-09 2012-04-20 Essilor Int Enveloppe de protection pour canon a ions, dispositif de depot de materiaux par evaporation sous vide comprenant une telle enveloppe de protection et procede de depot de materiaux
JP5649510B2 (ja) * 2010-08-19 2015-01-07 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置，成膜方法，ｄｌｃ皮膜を有する金属板の製造方法，セパレータの製造方法
CN102021576B (zh) * 2010-09-30 2012-06-27 深圳市信诺泰创业投资企业(普通合伙) 一种连续生产挠性覆铜板的方法
BR112016011904A2 (pt) * 2013-12-31 2017-08-08 Halliburton Energy Services Inc Sistema fabricação de um elemento computacional integrado
EP3366804B1 (en) * 2017-02-22 2022-05-11 Satisloh AG Box coating apparatus for vacuum coating of substrates, in particular spectacle lenses
CN107559164A (zh) * 2017-08-25 2018-01-09 上海航天控制技术研究所 一种变推力微波ecr推进系统及方法
EP3898254A1 (en) * 2018-12-17 2021-10-27 Linxens Holding A pre-laminate for a datapage of a security document and method of forming the same
EP4022251A4 (en) * 2019-08-30 2023-09-27 Applied Materials, Inc. ELECTRON BEAM PVD ENDPOINT DETECTION AND CLOSED-LOOP PROCESS CONTROL SYSTEMS

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02298254A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Hitachi Koki Co Ltd 窒化チタン膜形成方法
US5455081A (en) * 1990-09-25 1995-10-03 Nippon Steel Corporation Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip
JP2819431B2 (ja) 1990-09-25 1998-10-30 新日本製鐵株式会社 硬質炭素膜の被覆方法
RU2049152C1 (ru) * 1992-03-26 1995-11-27 Научно-производственное объединение "Оптика" Устройство для распыления материалов в вакууме
JPH06322526A (ja) 1993-05-14 1994-11-22 Nissin Electric Co Ltd 膜形成装置
US5581156A (en) * 1995-07-31 1996-12-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army HF sustained, DC discharge driven negative ion source with automatic control system
WO1997046729A1 (de) * 1996-05-30 1997-12-11 Siemens Aktiengesellschaft Beschichtungsvorrichtung und verfahren zur beschichtung eines bauteils mit einer wärmedämmschicht
US5982101A (en) * 1997-06-27 1999-11-09 Veeco Instruments, Inc. Charged-particle source, control system, and process using gating to extract the ion beam
RU2155242C2 (ru) * 1998-01-13 2000-08-27 Институт проблем машиноведения РАН Устройство для нанесения покрытий в вакууме
JPH11326634A (ja) 1998-05-13 1999-11-26 Asahi Optical Co Ltd 光学多層薄膜および光学多層薄膜の製造方法
US6464891B1 (en) 1999-03-17 2002-10-15 Veeco Instruments, Inc. Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam
US20060023311A1 (en) * 2002-08-08 2006-02-02 Essilor International Compangnie Generale D'optique Method for obtaining a thin, stabilized fluorine-doped silica layer, resulting thin layer, and use thereof in ophthalmic optics
JP4220232B2 (ja) * 2002-12-26 2009-02-04 Ｈｏｙａ株式会社 反射防止膜を有する光学部材
JP4220298B2 (ja) 2003-05-09 2009-02-04 新明和工業株式会社 イオンアシスト蒸着方法とその装置
JP4989846B2 (ja) * 2004-08-27 2012-08-01 Ｈｏｙａ株式会社 光学部材及びその製造方法
JP4704711B2 (ja) 2004-08-31 2011-06-22 Ｈｏｙａ株式会社 レンズ製造方法及びプログラム
US7853364B2 (en) * 2006-11-30 2010-12-14 Veeco Instruments, Inc. Adaptive controller for ion source

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080106429A (ko) 2008-12-05
JP5235659B2 (ja) 2013-07-10
RU2455387C2 (ru) 2012-07-10
EP2003225A4 (en) 2011-03-16
KR101139615B1 (ko) 2012-04-27
EP2003225A9 (en) 2009-05-06
EP2003225B1 (en) 2016-09-14
EP2003225A2 (en) 2008-12-17
CN101410545A (zh) 2009-04-15
US9074283B2 (en) 2015-07-07
JPWO2007114188A1 (ja) 2009-08-13
BRPI0710214A2 (pt) 2011-08-02
WO2007114188A1 (ja) 2007-10-11
US20090169766A1 (en) 2009-07-02
CN101410545B (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008143236A (ru) Cистема ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы
CN105177507B (zh) 蒸镀坩埚及蒸镀设备
CN101855699A (zh) 用于沉积电绝缘层的方法
US11365473B2 (en) Deposition apparatus and methods
US9150952B2 (en) Deposition source and deposition apparatus including the same
TWI573885B (zh) 蒸鍍裝置
CN102597316A (zh) 用于控制涂覆沉积的方法和设备
JP2011222703A (ja) 加熱制御システム、それを備えた成膜装置、および温度制御方法
CN102912306B (zh) 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺
JP2011047051A (ja) 化学量論的組成勾配層及び層構造の製造方法及び装置
CN102445901B (zh) 一种离子源自动稳弧流的方法
CN101949009B (zh) 等离子体化学气相沉积基座温度控制方法
CN103695848A (zh) 蒸镀设备及其蒸镀方法
PH12015500056B1 (en) High-power pulse coating method
CN203530417U (zh) 蒸镀设备
CN106191779A (zh) 一种聚合物真空电子束蒸发镀膜机
CN104451578A (zh) 一种直流耦合型高能脉冲磁控溅射方法
RU144198U1 (ru) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий
PH12020551951A1 (en) Ion beam device and method for generating heat and power
CN202786408U (zh) 一种镀膜设备
KR101276268B1 (ko) 유기발광소자 제조용 증착장비
JP2019019032A (ja) ガラス物品の製造方法
CN101994087B (zh) 蒸镀装置
KR20070069339A (ko) Ｐｖｄ를 이용한 반도체 기판 상 금속박막 증착 방법
RU2510428C1 (ru) Электродуговой испаритель металлов и сплавов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190329