RU2008108937A - КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiOx И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ - Google Patents

КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiOx И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Download PDF

Info

Publication number
RU2008108937A
RU2008108937A RU2008108937/09A RU2008108937A RU2008108937A RU 2008108937 A RU2008108937 A RU 2008108937A RU 2008108937/09 A RU2008108937/09 A RU 2008108937/09A RU 2008108937 A RU2008108937 A RU 2008108937A RU 2008108937 A RU2008108937 A RU 2008108937A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composite material
sio
siox
conductive
sintered
Prior art date
Application number
RU2008108937/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Дэвид Е. СТИВЕНСОН (US)
Дэвид Е. СТИВЕНСОН
Ли К. ЖОУ (US)
Ли К. ЖОУ
Original Assignee
Винтек Электро-Оптикс Корпорэйшн (Us)
Винтек Электро-Оптикс Корпорэйшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винтек Электро-Оптикс Корпорэйшн (Us), Винтек Электро-Оптикс Корпорэйшн filed Critical Винтек Электро-Оптикс Корпорэйшн (Us)
Publication of RU2008108937A publication Critical patent/RU2008108937A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/62844—Coating fibres
    • C04B35/62878—Coating fibres with boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C04B35/6455—Hot isostatic pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

1. Композиционный материал на основе SiOx, содержащий участки SiOx, соединенные с дискретными участками проводящего Si, при этом SiOx содержится в количестве в пределах между примерно 50% и примерно 80% по весу в расчете на композиционный материал. ! 2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он находится в виде порошка. ! 3. Материал по п.2, отличающийся тем, что он смешан с другим материалом. ! 4. Материал по п.3, отличающийся тем, что другой материал представляет собой ! SiO2. ! 5. Материал по п.2, отличающийся тем, что, по меньшей мере, некоторые частицы SiOx композиционного материала покрыты электропроводящим Si. ! 6. Материал по п.1, отличающийся тем, что он является спеченным. ! 7. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 200 Ом·см или менее. ! 8. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 20 Ом·см или менее. ! 9. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 10 Ом·см или менее. ! 10. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал сжат до достижения плотности, равной, по меньшей мере, 90% от теоретической плотности. ! 11. Способ изготовления проводящего композиционного материала на основе SiOx, включающий: ! получение порошка SiOx и ! соединение проводящего Si с SiOx. ! 12. Способ по п.11, отличающийся тем, что проводящий Si наносят в одной из форм, включающих жидкую, газовую или полутвердую формы, на частицы SiOx. ! 13. Способ по п.11, отличающийся тем, что стадию соединения Si с SiOx проводят в неокисляющей среде для того, чтобы защитить Si от окисления во время п�

Claims (20)

1. Композиционный материал на основе SiOx, содержащий участки SiOx, соединенные с дискретными участками проводящего Si, при этом SiOx содержится в количестве в пределах между примерно 50% и примерно 80% по весу в расчете на композиционный материал.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он находится в виде порошка.
3. Материал по п.2, отличающийся тем, что он смешан с другим материалом.
4. Материал по п.3, отличающийся тем, что другой материал представляет собой
SiO2.
5. Материал по п.2, отличающийся тем, что, по меньшей мере, некоторые частицы SiOx композиционного материала покрыты электропроводящим Si.
6. Материал по п.1, отличающийся тем, что он является спеченным.
7. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 200 Ом·см или менее.
8. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 20 Ом·см или менее.
9. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 10 Ом·см или менее.
10. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал сжат до достижения плотности, равной, по меньшей мере, 90% от теоретической плотности.
11. Способ изготовления проводящего композиционного материала на основе SiOx, включающий:
получение порошка SiOx и
соединение проводящего Si с SiOx.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что проводящий Si наносят в одной из форм, включающих жидкую, газовую или полутвердую формы, на частицы SiOx.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что стадию соединения Si с SiOx проводят в неокисляющей среде для того, чтобы защитить Si от окисления во время процесса.
14. Способ по п.11, отличающийся тем, что порошок SiOx содержится в количестве от примерно 50% до примерно 80% по весу в расчете на композиционный материал.
15. Способ по п.11, отличающийся тем, что до соединения Si получают сначала в виде порошка и смешивают с порошком SiOx и затем сжимают и спекают в неокисляющей среде.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что получают сжатый и спеченный композиционный материал с плотностью, равной, по меньшей мере, 90% от теоретической плотности.
17. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 200 Ом·см или менее.
18. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 20 Ом·см или менее.
19. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 10 Ом·см или менее.
20. Способ изготовления проводящего композиционного материала на основе SiOx, включающий:
получение порошка SiOx и
соединение Si с SiOx и легирование для придания ему проводимости.
RU2008108937/09A 2005-08-11 2006-08-11 КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiOx И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ RU2008108937A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/201,791 2005-08-11
US11/201,791 US7790060B2 (en) 2005-08-11 2005-08-11 SiOx:Si composite material compositions and methods of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008108937A true RU2008108937A (ru) 2009-09-20

Family

ID=37741782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008108937/09A RU2008108937A (ru) 2005-08-11 2006-08-11 КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiOx И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7790060B2 (ru)
EP (1) EP1925003A4 (ru)
JP (1) JP2009504556A (ru)
KR (1) KR20080044267A (ru)
CN (1) CN101405426A (ru)
RU (1) RU2008108937A (ru)
TW (1) TW200729234A (ru)
WO (1) WO2007022276A2 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7749406B2 (en) * 2005-08-11 2010-07-06 Stevenson David E SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets
US7658822B2 (en) * 2005-08-11 2010-02-09 Wintek Electro-Optics Corporation SiOx:Si composite articles and methods of making same
US7790060B2 (en) 2005-08-11 2010-09-07 Wintek Electro Optics Corporation SiOx:Si composite material compositions and methods of making same
EP2294004A1 (en) * 2008-07-09 2011-03-16 Degussa Novara Technology S.p.A. Silicon-based green bodies
KR102347960B1 (ko) 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
CN113526516B (zh) * 2021-09-16 2021-12-03 北京壹金新能源科技有限公司 一种改性氧化亚硅及其制备方法和用途

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3849344A (en) 1972-03-31 1974-11-19 Carborundum Co Solid diffusion sources containing phosphorus and silicon
NL7907160A (nl) 1979-09-26 1981-03-30 Holec Nv Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde elektrisch geleidende voortbrengsels uit siliciumpoeder, alsmede met toepassing van deze werkwijze verkregen gevormde voortbrengsels.
US4451969A (en) 1983-01-10 1984-06-05 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
JPS63166965A (ja) * 1986-12-27 1988-07-11 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 蒸着用タ−ゲツト
US4859553A (en) 1987-05-04 1989-08-22 Xerox Corporation Imaging members with plasma deposited silicon oxides
JPH0428858A (ja) 1990-05-24 1992-01-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 蒸着用材料の製造方法
JP2915177B2 (ja) 1990-11-30 1999-07-05 株式会社日立製作所 スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法によって製造されたスパッタリングターゲット
JPH055117A (ja) 1991-04-15 1993-01-14 Nippon Steel Corp 冶金用精錬容器内の溶融物レベル検知方法
US5320729A (en) 1991-07-19 1994-06-14 Hitachi, Ltd. Sputtering target
KR100291456B1 (ko) 1996-06-19 2001-09-07 모리시타 요이찌 광전자재료및그를이용한장치와,광전자재료의제조방법
JP4072872B2 (ja) 1996-08-21 2008-04-09 東洋紡績株式会社 電極基板
KR100269310B1 (ko) 1997-09-29 2000-10-16 윤종용 도전성확산장벽층을사용하는반도체장치제조방법
US6616890B2 (en) 2001-06-15 2003-09-09 Harvest Precision Components, Inc. Fabrication of an electrically conductive silicon carbide article
JP4729253B2 (ja) * 2001-07-26 2011-07-20 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 一酸化けい素焼結体および一酸化けい素焼結ターゲット
JP2004063433A (ja) 2001-12-26 2004-02-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性酸化珪素粉末、その製造方法及び該粉末を用いた非水電解質二次電池用負極材
KR100505536B1 (ko) 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
TWI276696B (en) * 2002-04-02 2007-03-21 Sumitomo Titanium Corp Silicon monoxide sintered product and sputtering target comprising the same
TWI278429B (en) * 2002-05-17 2007-04-11 Shinetsu Chemical Co Conductive silicon composite, preparation thereof, and negative electrode material for non-aqueous electrolyte secondary cell
JP4514087B2 (ja) 2002-09-25 2010-07-28 シャープ株式会社 メモリ膜構造、メモリ素子及びその製造方法、並びに、半導体集積回路及びそれを用いた携帯電子機器
JP3930452B2 (ja) * 2003-04-28 2007-06-13 住友チタニウム株式会社 一酸化珪素焼結体およびスパッタリングターゲット
US7658822B2 (en) 2005-08-11 2010-02-09 Wintek Electro-Optics Corporation SiOx:Si composite articles and methods of making same
US7790060B2 (en) 2005-08-11 2010-09-07 Wintek Electro Optics Corporation SiOx:Si composite material compositions and methods of making same
US7749406B2 (en) 2005-08-11 2010-07-06 Stevenson David E SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080044267A (ko) 2008-05-20
US20070034837A1 (en) 2007-02-15
CN101405426A (zh) 2009-04-08
JP2009504556A (ja) 2009-02-05
WO2007022276A2 (en) 2007-02-22
WO2007022276A3 (en) 2008-10-16
TW200729234A (en) 2007-08-01
EP1925003A2 (en) 2008-05-28
US7790060B2 (en) 2010-09-07
EP1925003A4 (en) 2009-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008108937A (ru) КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiOx И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
An et al. Preparation of highly stable black phosphorus by gold decoration for high‐performance thermoelectric generators
Kumar et al. Thermoelectric performance of functionalized Sc 2 C MXenes
JP6100978B1 (ja) グラフェン補強銅系複合接点材料及びその製造方法
US20130141840A1 (en) On-board power supply
CN107221459A (zh) 一种氮磷共掺杂石墨烯及其制备方法与应用
WO2009148259A3 (ko) 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지
Luo et al. Negative temperature coefficient material with low thermal constant and high resistivity for low‐temperature thermistor applications
WO2004038834A3 (fr) Particule comportant un noyau à base de graphite recouvert d'au moins une couche continue ou discontinue, leurs procédés d'obtention et leurs utilisations
CN106784698A (zh) Si/SiC/C复合材料和制备方法以及锂离子电池负极和电池
Ganjali et al. A modified Ho3+ carbon paste electrode based on multi-walled carbon nanotubes (MWCNTS) and nanosilica
Wang et al. 2D Nitrogen‐Containing Carbon Material C5N as Potential Host Material for Lithium Polysulfides: A First‐Principles Study
Li et al. Mixed Cu2Se Hexagonal Nanosheets@ Co3Se4 Nanospheres for High‐Performance Asymmetric Supercapacitors
KR101284226B1 (ko) 탄소나노튜브 복합체 전계방출원 및 제조방법
Tao et al. Reduced Graphene Oxide Wrapped Si/C Assembled on 3D N‐Doped Carbon Foam as Binder‐Free Anode for Enhanced Lithium Storage
ATE281003T1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrode mit temperaturbeständiger leitfähigkeit
EP3115130A1 (en) Conductive filler, method for manufacturing conductive filler, and conductive paste
Samat et al. Carbon black nanoparticles inclusion in bismuth telluride film for micro thermoelectric generator application
CN103193396B (zh) 一种石墨烯与还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法
RU2008108938A (ru) Изделие из композиционного материала на основе siox:si и способы его изготовления
JP2008133172A (ja) ボロンドープダイヤモンド焼結体およびその製造方法
Potter et al. Transport properties of alkali metal-graphite intercalation compounds
Su et al. Hydrogen-passivated detonation nanodiamond: An impedance spectroscopy study
JP4168143B2 (ja) 複合酸化物
Zhao et al. Eco-friendly aerosol multicoated silicon anodes in lithium-ion batteries

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20110321