JPH0428858A - 蒸着用材料の製造方法 - Google Patents
蒸着用材料の製造方法Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、蒸着用材料の製造方法に関し、特に−酸化ケ
イ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の蒸着に用いられる材料
の製造方法に係わる。
イ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の蒸着に用いられる材料
の製造方法に係わる。
[従来の技術]
従来、−酸化ケイ素薄膜を形成する方法とじては、以下
に説明する方法が知られている。
に説明する方法が知られている。
■、粉末又は粒状の一酸化ケイ素のみからなる蒸着用材
料を使用する方法。
料を使用する方法。
■、二酸化ケイ素、−酸化ケイ素及びケイ素の混合物を
アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で焼結した材料を使用
する方法(特開昭63−868130号、特開昭63−
166965号、特開昭63−310961号)。
アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で焼結した材料を使用
する方法(特開昭63−868130号、特開昭63−
166965号、特開昭63−310961号)。
[発明が解決しようとする課@]
しかしなから、前記■の蒸着用材料は一酸化ケイ素単体
からなるため、極めて高価となる。これは、−酸化ケイ
素単体の製造か真空中で反応蒸着を行なう方法によりな
されるため、捕集に多大な時間を要し、ランニングコス
トか高騰化することによるものである。
からなるため、極めて高価となる。これは、−酸化ケイ
素単体の製造か真空中で反応蒸着を行なう方法によりな
されるため、捕集に多大な時間を要し、ランニングコス
トか高騰化することによるものである。
また、前記■の蒸着材料でも一酸化ケイ素を含み、特に
その量は一酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度まで上げ
て生産性を高める観点から、最低30モル%必要である
ため、前記■と同様にコスト高となる。なお、蒸発速度
を上げるために蒸発温度を必要以上に高めると、蒸発源
からの輻射熱が大きくなって成膜される基材温度が上昇
して、熱劣化が促進される。
その量は一酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度まで上げ
て生産性を高める観点から、最低30モル%必要である
ため、前記■と同様にコスト高となる。なお、蒸発速度
を上げるために蒸発温度を必要以上に高めると、蒸発源
からの輻射熱が大きくなって成膜される基材温度が上昇
して、熱劣化が促進される。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、−酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有し、
品質が良好な一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の
蒸着が可能な低コストの蒸着用材料の製造方法を提供し
ようとするものである。
もので、−酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有し、
品質が良好な一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の
蒸着が可能な低コストの蒸着用材料の製造方法を提供し
ようとするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、二酸化ケイ素とケイ素を混合し、加圧成形し
た後、窒素雰囲気中で焼結せしめることを特徴とする蒸
着用材料の製造方法である。
た後、窒素雰囲気中で焼結せしめることを特徴とする蒸
着用材料の製造方法である。
上記二酸化ケイ素及びケイ素は粉末の状態で使用される
。かかる二酸化ケイ素とケイ素の混合割合は、モル比に
て二酸化ケイ素30〜70%、ケイ素70〜30%の範
囲にすることが望ましい。特に、二酸化ケイ素とケイ素
を50モル%前後で混合することが好ましい。また、二
酸化ケイ素は直径が0.1μm程度のものが30%程度
占めるようにケイ素と混合することが望ましい。
。かかる二酸化ケイ素とケイ素の混合割合は、モル比に
て二酸化ケイ素30〜70%、ケイ素70〜30%の範
囲にすることが望ましい。特に、二酸化ケイ素とケイ素
を50モル%前後で混合することが好ましい。また、二
酸化ケイ素は直径が0.1μm程度のものが30%程度
占めるようにケイ素と混合することが望ましい。
上記焼結時の温度は、1200〜1400℃とすること
が適切である。これは、次のような理由によるものであ
る。焼結温度を1200℃未満にすると焼結が十分に進
行せず、二酸化ケイ素とケイ素の粉末の接触面積が小さ
くなるため、蒸発速度を高めることが困難となる。一方
、焼結温度が1400℃を越えると、ケイ素が溶融し始
め、降温時での凝固、収縮により割れを生じて所望の形
状の蒸着用材料を得ることか困難となるばかりか、緻密
化して蒸発速度を高めることが困難となる。
が適切である。これは、次のような理由によるものであ
る。焼結温度を1200℃未満にすると焼結が十分に進
行せず、二酸化ケイ素とケイ素の粉末の接触面積が小さ
くなるため、蒸発速度を高めることが困難となる。一方
、焼結温度が1400℃を越えると、ケイ素が溶融し始
め、降温時での凝固、収縮により割れを生じて所望の形
状の蒸着用材料を得ることか困難となるばかりか、緻密
化して蒸発速度を高めることが困難となる。
上記窒素雰囲気での窒素分圧は1〜5気圧にすることが
適切である。これは、次のような理由によるものである
。窒素分圧を1気圧未満にすると、焼結温度を1400
℃近くにした場合、焼結中に相当量の一酸化ケイ素蒸気
を発生して蒸着用材料の生産性を低下する。一方、窒素
分圧が5気圧を越えると焼結が進行し難くなり、蒸着用
材料の強度が低下する上、窒化が進行し過ぎてかえって
蒸発速度を低下させる。
適切である。これは、次のような理由によるものである
。窒素分圧を1気圧未満にすると、焼結温度を1400
℃近くにした場合、焼結中に相当量の一酸化ケイ素蒸気
を発生して蒸着用材料の生産性を低下する。一方、窒素
分圧が5気圧を越えると焼結が進行し難くなり、蒸着用
材料の強度が低下する上、窒化が進行し過ぎてかえって
蒸発速度を低下させる。
[作用]
本発明によれば、二酸化ケイ素とケイ素を混合し、加圧
成形した後、窒素雰囲気中で焼結せしめることによって
、−酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有し、低コス
トで品質か良好な一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄
膜の蒸着が可能な蒸着用材料を製造できる。
成形した後、窒素雰囲気中で焼結せしめることによって
、−酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有し、低コス
トで品質か良好な一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄
膜の蒸着が可能な蒸着用材料を製造できる。
即ち、二酸化ケイ素とケイ素を混合し、加圧成形した後
、大気中で焼結するとケイ素が酸化され、二酸化ケイ素
が生成されてしまう。真空中での焼結では、−酸化ケイ
素の蒸気を発生する問題がある。
、大気中で焼結するとケイ素が酸化され、二酸化ケイ素
が生成されてしまう。真空中での焼結では、−酸化ケイ
素の蒸気を発生する問題がある。
また、アルゴンなどの不活性ガス中での焼結では一酸化
ケイ素単体に比べて成膜時の蒸発速度の低い蒸着用材料
しか得られない。これは、アルゴン中の焼結では焼結終
了時にケイ素表面が活性になっているものの、大気中へ
の取り出し後の取扱い及び蒸着開始時の昇温中に発生す
るアウトガス(主に吸着水に起因する酸化性ガス)によ
りケイ素表面が酸化されてしまうこと、焼結により緻密
化されて焼結体表面及び開気孔部からしか蒸発か起こら
ないためであると考えられる。
ケイ素単体に比べて成膜時の蒸発速度の低い蒸着用材料
しか得られない。これは、アルゴン中の焼結では焼結終
了時にケイ素表面が活性になっているものの、大気中へ
の取り出し後の取扱い及び蒸着開始時の昇温中に発生す
るアウトガス(主に吸着水に起因する酸化性ガス)によ
りケイ素表面が酸化されてしまうこと、焼結により緻密
化されて焼結体表面及び開気孔部からしか蒸発か起こら
ないためであると考えられる。
これに対し、本発明のように窒素雰囲気中で焼結するこ
とによってアルゴン雰囲気中での焼結に比べて成膜時の
蒸発速度を約2倍高めることかできる。これは、次のよ
うな作用によるものと考えられる。窒素雰囲気中で、二
酸化ケイ素とケイ素を混合部の加圧成形物を焼結すると
、前記ケイ素の表面か窒化される。つまり、ケイ素は活
性な元素であり、大気中で取り扱うと常温でも表面に酸
化層か形成されるが、窒素雰囲気中で焼結することによ
り酸素はケイ素内部に拡散して表面は活性なケイ素層と
なるため、ケイ素との親和力が酸素より小さい窒素を反
応しても窒化層を形成することができる。このような窒
化層がケイ素表面に形成されると、(a)真空蒸着開始
時の昇温中に発生する前記アウトガスによりケイ素表面
が酸化されるのを防止されること、(b)真空蒸着時に
は低窒素分圧中で加熱されるために前記窒化層が分解し
て活性なケイ素表面が露出すること、(C)前記窒化層
から窒素が抜けることにより適度な通気孔が生じること
、等の効果により高い蒸発速度得られるものと考えられ
る。
とによってアルゴン雰囲気中での焼結に比べて成膜時の
蒸発速度を約2倍高めることかできる。これは、次のよ
うな作用によるものと考えられる。窒素雰囲気中で、二
酸化ケイ素とケイ素を混合部の加圧成形物を焼結すると
、前記ケイ素の表面か窒化される。つまり、ケイ素は活
性な元素であり、大気中で取り扱うと常温でも表面に酸
化層か形成されるが、窒素雰囲気中で焼結することによ
り酸素はケイ素内部に拡散して表面は活性なケイ素層と
なるため、ケイ素との親和力が酸素より小さい窒素を反
応しても窒化層を形成することができる。このような窒
化層がケイ素表面に形成されると、(a)真空蒸着開始
時の昇温中に発生する前記アウトガスによりケイ素表面
が酸化されるのを防止されること、(b)真空蒸着時に
は低窒素分圧中で加熱されるために前記窒化層が分解し
て活性なケイ素表面が露出すること、(C)前記窒化層
から窒素が抜けることにより適度な通気孔が生じること
、等の効果により高い蒸発速度得られるものと考えられ
る。
従って、本発明方法により製造された蒸着用材料を用い
てガラス、プラスチック、金属、セラミックスなどの基
材上に真空加熱蒸着を行うことによって、高い蒸着速度
で、化学的安定性、透明性、電気絶縁性、機械的保護性
、ガスバリア性などに優れた一酸化ケイ素又は−酸化ケ
イ素類似薄膜を形成できるため、食品、医薬品、電子材
料、光学材料等に有効に利用できる。
てガラス、プラスチック、金属、セラミックスなどの基
材上に真空加熱蒸着を行うことによって、高い蒸着速度
で、化学的安定性、透明性、電気絶縁性、機械的保護性
、ガスバリア性などに優れた一酸化ケイ素又は−酸化ケ
イ素類似薄膜を形成できるため、食品、医薬品、電子材
料、光学材料等に有効に利用できる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
まず、ケイ素粉末と二酸化ケイ素粉末を等モル量混合し
た後、圧力300kg/ cm2で成形して直径21
ra m z厚さl Oimの成形体を作製した。なお
、前記ケイ素粉末は平均粒径100μmのものを、前記
二酸化ケイ素粉末は平均粒径0,1μmのものが30%
占め、残りが平均粒径約50μmのものを用いた。
た後、圧力300kg/ cm2で成形して直径21
ra m z厚さl Oimの成形体を作製した。なお
、前記ケイ素粉末は平均粒径100μmのものを、前記
二酸化ケイ素粉末は平均粒径0,1μmのものが30%
占め、残りが平均粒径約50μmのものを用いた。
つづいて、前記成形体を1100℃、1200℃、13
00℃、1400℃及び1450℃の1気圧の窒素雰囲
気中で焼結して5種の蒸着用材料を製造した。
00℃、1400℃及び1450℃の1気圧の窒素雰囲
気中で焼結して5種の蒸着用材料を製造した。
また、前記成形体を1100℃、1200℃、1300
℃、1400℃及び1450℃の1気圧のアルゴン雰囲
気中で焼結して5種の蒸着用材料を製造した。
℃、1400℃及び1450℃の1気圧のアルゴン雰囲
気中で焼結して5種の蒸着用材料を製造した。
更に、前記成形体を1100℃、1200℃、1300
℃、1400℃及び1450℃の大気中で焼結して5種
の蒸着用材料を製造した。
℃、1400℃及び1450℃の大気中で焼結して5種
の蒸着用材料を製造した。
次いで、前記各蒸着用材料を抵抗加熱ボートにより13
00℃、5X 1O−5torrの真空中でポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に2000人の厚さに蒸着
した。かかる蒸着時の蒸着速度を蒸着用材料の重量減少
から算出した。その結果を第1図に示す。
00℃、5X 1O−5torrの真空中でポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に2000人の厚さに蒸着
した。かかる蒸着時の蒸着速度を蒸着用材料の重量減少
から算出した。その結果を第1図に示す。
なお、同第1図には一酸化ケイ素単体の蒸着用材料の蒸
着速度を併記した。
着速度を併記した。
第1図から明らかなように窒素雰囲気中、1200〜1
400℃で焼結することにより得られた本発明の蒸着用
材料は、−酸化ケイ素単体の蒸着用材料と同等の高い蒸
着速度を有し、工業的に十分使用できるものであること
が分かる。なお、大気中での焼結により得られた蒸着用
材料は1300℃の真空蒸着時において膜厚の計測が不
可能なほど薄い膜しか形成できなかった。
400℃で焼結することにより得られた本発明の蒸着用
材料は、−酸化ケイ素単体の蒸着用材料と同等の高い蒸
着速度を有し、工業的に十分使用できるものであること
が分かる。なお、大気中での焼結により得られた蒸着用
材料は1300℃の真空蒸着時において膜厚の計測が不
可能なほど薄い膜しか形成できなかった。
また、本発明の蒸着用材料から成膜された薄膜は、分光
分析、X P S (X−ray Photoelec
tronSpcct roscopy)による測定の結
果、−酸化ケイ素単体から得られたものとほぼ同様な組
成を有するものであった。
分析、X P S (X−ray Photoelec
tronSpcct roscopy)による測定の結
果、−酸化ケイ素単体から得られたものとほぼ同様な組
成を有するものであった。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明によれば高価な一酸化ケイ素
を用いずに一酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有す
るに共に、真空加熱蒸着により化学的安定性、透明性、
電気絶縁性、機械的保護性、ガスバリア性などに優れた
一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の形成が可能で
食品、医薬品、電子材料、光学材料等に利用し得る低コ
ストの蒸着用材料の製造方法を提供できる。
を用いずに一酸化ケイ素単体と同程度の蒸発速度を有す
るに共に、真空加熱蒸着により化学的安定性、透明性、
電気絶縁性、機械的保護性、ガスバリア性などに優れた
一酸化ケイ素又は−酸化ケイ素類似薄膜の形成が可能で
食品、医薬品、電子材料、光学材料等に利用し得る低コ
ストの蒸着用材料の製造方法を提供できる。
第1図は本発明の実施例における蒸着速度に及はす蒸着
用材料の製造工程での焼結温度及び雰囲気ガスの依存性
を示す特性図である。
用材料の製造工程での焼結温度及び雰囲気ガスの依存性
を示す特性図である。
Claims (3)
- (1)二酸化ケイ素とケイ素を混合し、加圧成形した後
、窒素雰囲気中で焼結せしめることを特徴とする蒸着用
材料の製造方法。 - (2)窒素雰囲気は窒素分圧で1〜5気圧であることを
特徴とする請求項1記載の蒸着用材料の製造方法。 - (3)焼結温度は1200〜1400℃であることを特
徴とする請求項1又は2記載の蒸着用材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13256990A JPH0428858A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 蒸着用材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13256990A JPH0428858A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 蒸着用材料の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0428858A true JPH0428858A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15084378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13256990A Pending JPH0428858A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 蒸着用材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0428858A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0636589A1 (en) * | 1993-07-20 | 1995-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sources for deposition of silicon oxide |
FR2846369A1 (fr) * | 2002-10-29 | 2004-04-30 | Honda Motor Co Ltd | Moteur de type a taux de compression variable |
WO2007022275A3 (en) * | 2005-08-11 | 2007-11-22 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets |
WO2007022277A3 (en) * | 2005-08-11 | 2007-12-13 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si composite articles and methods of making same |
EP1892313A1 (en) * | 2005-06-16 | 2008-02-27 | OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd. | Silicon monoxide vapor deposition material and process for producing the same |
WO2007022276A3 (en) * | 2005-08-11 | 2008-10-16 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si composite material compositions and methods of making same |
JP2008266760A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリヤー性フィルムの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP13256990A patent/JPH0428858A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532063A (en) * | 1993-07-20 | 1996-07-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon oxide depositing source and coated film |
EP0636589A1 (en) * | 1993-07-20 | 1995-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sources for deposition of silicon oxide |
FR2846369A1 (fr) * | 2002-10-29 | 2004-04-30 | Honda Motor Co Ltd | Moteur de type a taux de compression variable |
EP1892313A4 (en) * | 2005-06-16 | 2010-01-27 | Osaka Titanium Technologies Co | SILICON OXIDE VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
US8142751B2 (en) * | 2005-06-16 | 2012-03-27 | Osaka Titanium Technologies Co., Ltd. | Silicon monoxide vapor deposition material and process for producing the same |
EP1892313A1 (en) * | 2005-06-16 | 2008-02-27 | OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd. | Silicon monoxide vapor deposition material and process for producing the same |
WO2007022275A3 (en) * | 2005-08-11 | 2007-11-22 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets |
JP2009504915A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | ウィンテック エレクトロ−オプティックス・コーポレイション | SiO2:Siスパッタリングターゲットならびにこのようなターゲットを製造および使用する方法 |
WO2007022276A3 (en) * | 2005-08-11 | 2008-10-16 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si composite material compositions and methods of making same |
US7658822B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-02-09 | Wintek Electro-Optics Corporation | SiOx:Si composite articles and methods of making same |
US7749406B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-07-06 | Stevenson David E | SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets |
US7790060B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-09-07 | Wintek Electro Optics Corporation | SiOx:Si composite material compositions and methods of making same |
WO2007022277A3 (en) * | 2005-08-11 | 2007-12-13 | Wintek Electro Optics Corp | Siox:si composite articles and methods of making same |
KR101421474B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2014-07-22 | 윈텍 일렉트로옵틱스 코포레이션 | 실리콘 옥사이드와 실리콘의 복합재료 스퍼터링 타겟,이러한 타겟의 제조 및 사용 방법 |
JP2008266760A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリヤー性フィルムの製造方法 |
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