RU2007128348A - Реактор для осаждения из газовой фазы (cvd-реактор) с технологической камерой, нагреваемой с помощью высокочастотного излучения (rf-излучения) - Google Patents

Реактор для осаждения из газовой фазы (cvd-реактор) с технологической камерой, нагреваемой с помощью высокочастотного излучения (rf-излучения) Download PDF

Info

Publication number
RU2007128348A
RU2007128348A RU2007128348/15A RU2007128348A RU2007128348A RU 2007128348 A RU2007128348 A RU 2007128348A RU 2007128348/15 A RU2007128348/15 A RU 2007128348/15A RU 2007128348 A RU2007128348 A RU 2007128348A RU 2007128348 A RU2007128348 A RU 2007128348A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
wall parts
process chamber
chamber
technological
heating tube
Prior art date
Application number
RU2007128348/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2389834C2 (ru
Inventor
Йоханнес КЕППЕЛЕР (DE)
Йоханнес КЕППЕЛЕР
Франк ВИШМЕЙЕР (DE)
Франк ВИШМЕЙЕР
Original Assignee
Айкстрон Аг (De)
Айкстрон Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айкстрон Аг (De), Айкстрон Аг filed Critical Айкстрон Аг (De)
Publication of RU2007128348A publication Critical patent/RU2007128348A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2389834C2 publication Critical patent/RU2389834C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Claims (14)

1. Устройство для осаждения, в частности, кристаллических слоев на, по меньшей мере, одну, в частности, кристаллическую подложку, с образованной несколькими стеновыми частями (1, 2, 3, 4) технологической камерой (5), стеновые части (1, 2, 3, 4) которой электропроводны и стыкуются друг с другом с образованием контактов (2', 2'', 3', 3'') касания, с заключающим в себе стеновые части (1, 2, 3, 4) технологической камеры, состоящим из неэлектропроводного материала корпусом (6) реактора и с окружающей стеновые части (1, 2, 3, 4) технологической камеры нагревательной катушкой высокой частоты, отличающееся тем, что содержит расположенную между корпусом (6) реактора и стенками (1, 2, 3, 4) технологической камеры, выполненную в виде одной детали, массивную экранирующую нагревательную трубку (8), материал которой является электропроводным в такой степени, что она нагревается от вихревых токов, индуцированных созданным посредством катушки (7) высокой частоты высокочастотным полем, в значительном объеме подавляет высокочастотное поле и окружает технологическую камеру (5) таким образом, что стеновые части (1, 2, 3, 4) технологической камеры нагреваются с помощью теплового излучения.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нагревательная трубка (8) состоит из графита.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что стеновые части (1, 2, 3, 4,) технологической камеры состоят из, по меньшей мере, двух отделяемых друг от друга частей.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что стеновые части (1, 2, 3, 4) технологической камеры удерживаются в корпусе (6) реактора с помощью экранирующей нагревательной трубки (8).
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что снабжено входящими в угловую область стенок (1, 2, 3, 4) технологической камеры удерживающими средствами (9, 10) экранирующей нагревательной трубки (8).
6. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что удерживающие средства (9, 10) являются выемками или выступами во внутренней стенке экранирующей нагревательной трубки (8).
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что между стеновыми частями (1, 2, 3, 4) технологической камеры и экранирующей нагревательной трубкой (8) расположены полости (11, 12).
8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что в полости (11, 12) могут быть введены охлаждающие элементы.
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что у основания стенок технологической камеры расположена загрузочная плита (13) для размещения подложки.
10. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что загрузочная плита (13), вводимая с помощью манипуляционного устройства или подобного устройства в технологическую камеру и выводимая из нее, несет на себе держатель (15) подложки.
11. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что держатель (15) подложки может приводиться во вращательное движение на газовой подушке.
12. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что у основания (4) технологической камеры расположен трубопровод для газа, который входит в области основания в ступень, в которой расположена загрузочная плита (13), имеющая на своей нижней стороне уплотнительное средство для герметизации выходного отверстия для газа газопровода (16) таким образом, чтобы поступающий оттуда газовый поток мог проходить через сквозные отверстия в загрузочной плите для приведения во вращение вложенной в выемку загрузочной плиты (13), выполненной в форме круглого диска плиты (15), поддерживающей держатель подложки.
13. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в технологической камере проводится процесс осаждения из газовой фазы, причем, в частности, осаждаются с образованием кристаллов элементы III и V или II и VI основной группы.
14. Устройство по п. 13, отличающееся тем, что элементы III основной группы подаются в виде хлоридов, и элементы V основной группы в виде гидридов.
RU2007128348/15A 2004-12-24 2005-12-12 Реактор для осаждения из газовой фазы (cvd-реактор) с технологической камерой, нагреваемой с помощью высокочастотного излучения (rf-излучения) RU2389834C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004062553A DE102004062553A1 (de) 2004-12-24 2004-12-24 CVD-Reaktor mit RF-geheizter Prozesskammer
DE102004062553.0 2004-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007128348A true RU2007128348A (ru) 2009-01-27
RU2389834C2 RU2389834C2 (ru) 2010-05-20

Family

ID=35708662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007128348/15A RU2389834C2 (ru) 2004-12-24 2005-12-12 Реактор для осаждения из газовой фазы (cvd-реактор) с технологической камерой, нагреваемой с помощью высокочастотного излучения (rf-излучения)

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8062426B2 (ru)
EP (1) EP1831437B1 (ru)
JP (1) JP4759572B2 (ru)
KR (1) KR101234151B1 (ru)
CN (1) CN101072900B (ru)
AT (1) ATE465286T1 (ru)
DE (2) DE102004062553A1 (ru)
PL (1) PL1831437T3 (ru)
RU (1) RU2389834C2 (ru)
WO (1) WO2006069908A1 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20052498A1 (it) * 2005-12-28 2007-06-29 Lpe Spa Camera di reazione a temperatura differenziata
JP5051875B2 (ja) * 2006-12-25 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP5529634B2 (ja) * 2010-06-10 2014-06-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法
CN102560434B (zh) * 2010-12-13 2014-10-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 金属有机化合物化学气相沉积设备
DE102014100092A1 (de) 2013-01-25 2014-07-31 Aixtron Se CVD-Anlage mit Partikelabscheider
JP6158025B2 (ja) * 2013-10-02 2017-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置及び成膜方法
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
DE102016101003A1 (de) 2016-01-21 2017-07-27 Aixtron Se CVD-Vorrichtung mit einem als Baugruppe aus dem Reaktorgehäuse entnehmbaren Prozesskammergehäuse
SE541039C2 (en) 2016-05-12 2019-03-12 Epiluvac Ab CVD Reactor With A Multi-Zone Heated Process Chamber
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN112831771A (zh) * 2020-12-30 2021-05-25 上海埃原半导体设备有限公司 一种化学气相沉积用的非金属反应腔
IT202100014984A1 (it) * 2021-06-09 2022-12-09 Lpe Spa Camera di reazione con sistema di rivestimento e reattore epitassiale
CN116986916B (zh) * 2023-09-27 2023-12-08 中国航发北京航空材料研究院 连续化学气相沉积厚带界面涂层的制备装置及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4579080A (en) * 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
JPS6131394A (ja) * 1984-07-25 1986-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長方法
JPS6346837U (ru) * 1986-09-12 1988-03-30
US4753192A (en) * 1987-01-08 1988-06-28 Btu Engineering Corporation Movable core fast cool-down furnace
FR2650841A1 (fr) * 1989-08-11 1991-02-15 Thomson Tubes Electroniques Dispositif de depot d'un materiau sur un support thermiquement conducteur
FR2670507B1 (fr) * 1990-12-18 1993-12-31 Propulsion Ste Europeenne Procede d'infiltration chimique en phase vapeur.
GB2264617A (en) * 1991-10-08 1993-09-01 Atomic Energy Authority Uk Porous heating element
US5433167A (en) * 1992-02-04 1995-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing silicon-carbide single crystals by sublimation recrystallization process using a seed crystal
US5226383A (en) * 1992-03-12 1993-07-13 Bell Communications Research, Inc. Gas foil rotating substrate holder
SE9500326D0 (sv) * 1995-01-31 1995-01-31 Abb Research Ltd Method for protecting the susceptor during epitaxial growth by CVD and a device for epitaxial growth by CVD
SE9503426D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor
DE19603323A1 (de) 1996-01-30 1997-08-07 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von SiC durch CVD mit verbesserter Gasausnutzung
SE9600704D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
JP3693739B2 (ja) * 1996-03-07 2005-09-07 財団法人電力中央研究所 高周波誘導加熱炉
JPH1036194A (ja) * 1996-07-23 1998-02-10 Hitachi Ltd 炭化ケイ素の気相結晶成長装置
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
US6039812A (en) * 1996-10-21 2000-03-21 Abb Research Ltd. Device for epitaxially growing objects and method for such a growth
WO1999017345A1 (de) * 1997-09-30 1999-04-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum thermischen ausheilen von durch implantation dotierten siliziumcarbid-halbleitern
RU2162117C2 (ru) * 1999-01-21 2001-01-20 Макаров Юрий Николаевич Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления
DE10055033A1 (de) * 2000-11-07 2002-05-08 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit grafitschaum-isoliertem, rohrförmigen Suszeptor
DE10055182A1 (de) * 2000-11-08 2002-05-29 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit von einem Gasstrom drehgelagerten und -angetriebenen Substrathalter
ATE476536T1 (de) * 2002-12-10 2010-08-15 E T C Epitaxial Technology Ct Suszeptorsystem
AU2002368439A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Etc Srl Susceptor system

Also Published As

Publication number Publication date
US8062426B2 (en) 2011-11-22
RU2389834C2 (ru) 2010-05-20
EP1831437B1 (de) 2010-04-21
DE502005009470D1 (de) 2010-06-02
KR20070091290A (ko) 2007-09-10
US20080092817A1 (en) 2008-04-24
CN101072900B (zh) 2011-01-26
DE102004062553A1 (de) 2006-07-06
WO2006069908A1 (de) 2006-07-06
CN101072900A (zh) 2007-11-14
EP1831437A1 (de) 2007-09-12
JP2008526005A (ja) 2008-07-17
KR101234151B1 (ko) 2013-02-18
JP4759572B2 (ja) 2011-08-31
PL1831437T3 (pl) 2010-07-30
ATE465286T1 (de) 2010-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007128348A (ru) Реактор для осаждения из газовой фазы (cvd-реактор) с технологической камерой, нагреваемой с помощью высокочастотного излучения (rf-излучения)
CN108028184A (zh) 用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件
KR101468340B1 (ko) 폴리머 증착을 감소시키는 ｒｆ 흡수 재료를 포함하는 플라즈마 한정링
TWI465157B (zh) 用於處理多個基板之寬域射頻電漿裝置
KR102487342B1 (ko) 정전척 어셈블리 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치
US8354623B2 (en) Treatment apparatus, treatment method, and storage medium
TWI671784B (zh) 電漿處理腔室
RU2001111332A (ru) Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере
KR20130093110A (ko) 듀얼 축 가스 주입 및 배출을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버
KR20120073273A (ko) Ｃｖｄ 반응기
CN111883410B (zh) 批次型衬底处理设备
JP2021503686A (ja) 製造プロセスにおける超局所化及びプラズマ均一性制御
CN105762102A (zh) 支承装置和包含它的衬底处理设备
KR101190603B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI811331B (zh) 具有拆分窗的微波電漿源
KR20080079263A (ko) 차등화된 온도의 반응 챔버
JPH01216522A (ja) 半導体基板の熱処理方法及びそれに用いる熱処理装置
JP2004014892A (ja) 高温加熱装置
JP2004055896A (ja) 加熱装置
JP2010080706A (ja) 基板処理装置
TWI534890B (zh) Plasma processing device
JP2013206732A (ja) 縦型バッチ式処理装置
CN101012551B (zh) 等离子体增强沉积薄膜装置的基片台
JPH0736386B2 (ja) 気相成長装置
KR101465767B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131213