KR101465767B1 - 플라즈마를 이용한 기판처리장치 - Google Patents

플라즈마를 이용한 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 챔버의 내부에 안테나를 위치시키는 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하고 안테나; 상기 안테나에 연결된 전원공급장치; 상기 안테나를 플라즈마로부터 차폐시키는 절연수단; 상기 안테나와 대향하며 기판을 안치하기 위한 기판안치수단;을 포함하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치를 제공한다.
기판처리장치, ICP, 안테나, 절연수단

Description

플라즈마를 이용한 기판처리장치{Appratus for treating substrate using plasma}
본 발명은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 절연수단에 의해 절연된 안테나를 챔버의 내부에 위치시키는 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
상기와 같은 박막증착공정 및 식각공정에서 사용되는 기판처리장치는 반응가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 변형하는 것에 의해, 공정을 진행하는 것으로, 플라즈마의 발생 및 제어가 핵심이다. 플라즈마의 발생방식은 RF를 이용하는 경우 에, 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma: ICP)와 축전결합 플라즈마 (capacitively coupled plasma: CCP)의 방식으로 구분되며, 일반적으로 유도결합 플라즈마는 RIE(reactive ion etching) 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 이용되고, 축전결합 플라즈마는 HDP(high density plasma etching)을 사용하는 식각 및 증착장치에 이용된다.
도 1은 종래기술에 따른 축전결합 플라즈마(CCP type)를 이용한 기판처리장치의 개략도이다.
도 1과 같이, 기판처리장치(10)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14), 후방 플레이트(14)와 연결되고 공정챔버(12)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(36), 후방 플레이트(14)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(16)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(18), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(20)이 안치되는 기판안치대(22), 공정챔버(12)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(24)로 포함하여 구성된다. 그리고 후방 플레이트(14)는 RF전원(30)과 연결되고, 후방 플레이트(14)와 RF전원(30) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(32)가 설치된다. 가스분배판(18)은 후방 플레이트(14)와 버퍼공간(26)을 가지고, 후방 플레이트(14)로부터 연장되어 연결되는 지지대(28)에 거치된다.
후방 플레이트(14)와 가스분배판(18)에 고주파 전원에 인가되고, 가스분배판(18)과 기판안치대(22)의 사이에 전기장(electric field)에 의해 플라즈마 발생 및 되고, 소스가스가 공급되어 기판(20) 상에 박막증착 또는 식각이 진행된다. 그러나, 상기와 같은, 축전결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치는 전극으로 사용되는 가스분배판과 기판안치대 사이의 전기장(electric field)에 의해 플라즈마를 방생시키는 방법으로 고밀도의 플라즈마가 요구되는 기판처리장치에서는 적당하지 못한 문제가 있다.
도 2는 종래기술에 따른 유도결합 플라즈마(ICP type)를 이용한 기판처리장치의 개략도이다.
도 2와 같이, 기판처리장치(50)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(52), 공정챔버(52)의 외상부에 위치하는 안테나(54), 공정챔버(52)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(86), 공정챔버(52)의 하부에 위치하며, 기판(70)이 안치되는 기판안치대(72), 공정챔버(52)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(74)로 포함하여 구성된다. 그리고 안테나(54)는 소스전원을 인가하는 소스 고주파 발진기(source RF generator)(90)와 소스 고주파 발진기(90)와 연결되며 연결 케이블의 특성 임피던스(characteristic impedence)에 로드 임피던스(impedence)를 맞추기 위한 소스 임피던스 정합회로(92)가 연결된다. 기판안치대(72)는 고주파 바이어스 전원을 인가하기 위한 바이어스 고주파 발진기(bias RF generator)(94)와 바이어스 고주파 발진기(94)와 연결되어 연결 케이블의 특성 임 피던스에 로드 임피던스를 맞추기 위한 바이어스 임피던스 정합회로(bias impedence matching box)가 연결된다.
도 2와 같은 기판처리장치에서, 안테나(54)와 기판안치대(72)의 각각 소스전원과 바이어스 전원이 인가되면, 기판안치대(72)의 상부에 플라즈마가 형성되고,고, 소스가스가 공급되어 기판(70) 상에 박막증착 또는 식각공정이 진행된다. 상기와 같은 유도결합 플라즈마를 이용하는 기판처리장치는 코일형태의 안테나를 챔버의 외부에 설치하고, 안테나에 RF 전원을 인가하면 안테나에 전류가 흐르고, 안테나 주변에 유도 전기장을 형성시킨다. 안테나의 표면에는 RF 주파수로 양전하와 음전하가 교번적으로 대전되는 것에 의해 안테나 주변에 자기장(magnetic field)을 형성시킨다. 일반적으로, 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치는 축전결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치와 비교하여, 플라즈마 밀도가 10 배 이상이다. 플라즈마 밀도는 이온의 밀도 및 에너지와 관련이 있기 때문에 식각율과 식각 형상 등과 관련이 있다.
또한, 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 안테나에서 발생된 에너지가 진공상태의 공정챔버의 내부로 투과할 수 있도록, 안테나가 설치되는 공정챔버의 상부는 유전체로 구성된다. 그러나, 안테나가 공정챔버의 외부에 설치되어, 안테나에서 발생되는 에너지의 전달효율이 저하되고, 국부적으로 전달되는 에너지의 균일하지 못한 문제가 발생한다. 부가적으로, 소형 챔버에서는 챔버의 상 부를 유전체로 형성할 수 있지만, 대면적의 기판에서, 챔버내부의 진공압력때문에, 챔버의 상부를 유전체로 형성할 수 없다. 따라서, 대면적의 기판을 사용하는 기판처리장치에서는 유도결합 플라즈마를 이용하기 어려운 문제가 있다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 절연수단에 의해 절연된 안테나를 챔버의 내부에 위치시키는 것에 의해, 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 대면적의 기판을 처리할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하고 안테나; 상기 안테나에 연결된 전원공급장치; 상기 안테나를 플라즈마로부터 차폐시키는 절연수단; 상기 안테나와 대향하며 기판을 안치하기 위한 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 절연수단은 세라믹(ceramic), 테프론(teflon) 및 내열성의 고분자 플라스틱 중 하나 또는 복합물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 절연수단은 체결수단에 의해 상기 챔버의 상측 내벽에 밀착되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 절연수단은, 상기 안테나가 개재되는 하부블록과 상부블록, 및 상기 하부블록의 하부에 위치하는 지지블록을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 하부블록 및 상기 상부블록의 각각은 스트라이프 형태의 다수의 플레이트로 구성되고, 상기 하부블록의 상부에는 상기 안테나가 삽입되는 삽입구가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 상부블록의 하부에는 상기 안테나가 삽입되는 상부 삽입구가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 지지블럭은, 스트라이프 형태의 다수의 플레이트로 구성되고, 상기 플레이트의 세로부에서 일측면의 상부에 상부돌출부가 설치되고, 타측면의 하부에 하부돌출부가 형성되고, 상기 세로부는 상부수직면, 수평면 및 하부수직면을 가지며, 인접한 상기 세로부와 상부수직면, 수평면 및 하부수직면 중 어느 하나와 접하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 절연수단은, 내열성 수지에 의해서 상기 안테나를 몰딩시키는 몰딩부와, 상기 몰딩부의 하부에 위치하는 다수의 지지블록을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 안테나와 인접한 상기 몰딩부에 냉매가 유동되는 유로가 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 몰딩부의 두께는 상기 안테나 직경의 3 배 이하인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 있어서, 상기 안테나는 상기 몰딩부의 수직두께의 중심을 지나는 수평선을 기준으로 상기 수평선의 하부에 위치 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
고밀도의 플라즈마를 발생시키는 유도결합 플라즈마를 발생시키는 기판처리장치에서, 절연수단에 의해 절연된 안테나를 챔버의 내부에 위치시키는 것에 의해, 안테나에서 발생된 자기장의 전달효율이 높기 때문에, 대면적의 기판을 처리하는 기판처리장치에서 고밀도 플라즈마의 구현이 가능하다. 또한 챔버의 내부에 안테나가 설치되어 플라즈마가 균일하게 생성되어, 기판 상의 박막증착 또는 박막식각의 균일성을 확보할 수 있다
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명에 따른 안테나를 포함한 절연수단의 분해 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 발생 모식도이고, 도 6은 본 발명에 따른 안테나의 평면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 유전체 블록의 단면도이고, 도 8은 본 발명의 다 른 실시예에 따른 안테나를 포함한 절연수단의 단면도이다.
도 3과 같이, 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 챔버(112), 기판(114) 상에 박막증착 또는 박막식각을 위한 반응가스 등을 공급하는 가스분사장치(136), 챔버(112)의 벽면에 설치되며 기판(114)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(도시하지 않음), 기판(114)이 안치되는 기판안치수단(118), 챔버(112) 내부의 기체를 배출하기 배출구(138), 챔버(112) 내부에 설치되고, 기판안치수단(118)과 대향하는 안테나(116) 및 안테나(116)를 절연시키는 절연수단(120)으로 구성된다. 그리고, 기판안치대(114)를 지지하고 승하강 및 회전시키기 위한 지지대(130)가 설치된다. 챔버(112)는 리드(112a)와 몸체(112b)로 구분되고, 오링(O-ring)(112c)을 개재하여 연결시킨다.
안테나(116)는 도 6과 같이, 코일(coil) 형태로 제작된다. 안테나(116)는 하나의 코일로 제작될 수 있지만, 2 내지 10 개의 독립적인 코일로 구성되고, 필요에 따라 각각의 코일을 직렬 또는 병렬로 연결하여 사용하는 구조도 가능하다. 안테나(116)가 챔버(112)의 외부에 설치되는 종래기술과 다르게, 챔버(112)의 내부에 설치되므로, 플라즈마에 노출되지 않고, 안테나(116)의 주변에서 플라즈마가 발생되지 않아야 한다. 따라서, 안테나(116)는 절연수단(120)에 의해 플라즈마로부터 차폐된다. 절연수단(120)은 세라믹(ceramic), 테프론(teflon) 및 내열성의 고분자 플라스틱 중 하나 또는 복합물을 사용한다. 플라스틱으로는 엔지니어링 플라스틱의 일종인 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone: PEEK)를 사용한다.
대면적의 기판(114)을 사용하는 기판처리장치(110)에서, 안테나(116)를 플라즈마로부터 차폐시키기 위한 절연수단(120)을 세라믹을 사용하는 경우에, 절연수단(120)를 일체형으로 제작하는 것은 매우 어렵다. 따라서, 도 3 내지 도 6과 같이, 절연수단(120)은 다수의 하부블록(140), 다수의 하부블록(140) 상에 위치하는 상부블록(142), 및 다수의 하부블록(140)을 지지하는 다수의 지지블록(144)으로 구성한다. 다수의 하부블록(140)의 각각은 스트라이프 형상이고, 다수의 하부블록(140)의 상부에는 안테나(116)가 삽입되기 위한 삽입구(150)가 설치된다. 다수의 하부블록(140)의 삽입구(150)에 안테나(116)가 삽입되고, 다수의 하부블록(140) 상에 상부블록(142)이 체결되어, 안테나(116)를 플라즈마로부터 노출되지 않게 한다. 또한, 절연수단(120)은 안테나(116)를 플라즈마로부터 차폐시키기 위하여 챔버(112)의 상측의 내벽에 밀착되어, 안테나(116)가 기판안치대(118) 상의 반응공간과 연통될 수 있는 공간이 생성되지 않도록 한다.
챔버(112) 내부가 고온상태가 되었을 때, 안테나(116)가 열팽창되므로, 안테나(116)의 열팽창을 고려하여 삽입구(150)의 크기를 결정한다. 챔버(112)에서 공정을 진행하기 전에, 안테나(116)와 삽입구(150)의 표면은 이격상태를 유지한다. 안테나(116)가 삽입구(150)의 표면으로부터 이격되는 거리는 플라즈마가 생성되지 않을 정도의 간격이다. 다수의 하부블록(140)에 형성된 삽입구(150)에 안테나(116)가 완전히 삽입된 상태인 경우, 상부블록(142)은 일체형의 플레이트로 형성할 수 있다. 상부블록(142)을 일체형의 플레이트로 형성하면, 다수의 하부블록(140)과 상부블록(142)의 정밀한 정렬이 필요없어 조립에 유리하다.
다른 방법으로, 원형의 단면을 가지는 안테나(116)와 절연수단(120) 사이의 이격간격을 동일하게 유지하기 위하여, 상부블록(142)을 다수로 형성하고, 다수의 하부블록(140) 및 다수의 상부블록(142)의 각각에 삽입구(150)를 형성할 수 있다. 상부블록(142)을 다수로 구성하는 경우는, 각각 스트라이프 형상으로 제작한다. 다수의 하부블록(140) 및 다수의 상부블록(142)의 삽입구(150)에 안테나(116)를 삽입하여 결합시킬 때, 다수의 하부블록(140)과 다수의 상부블록(142)은 서로 교차하여 배치한다. 경우에 따라서는 다수의 하부블록(140)과 다수의 상부블록(142)을 각각의 장변이 평행하도록 배치할 수 있다.
안테나(116)는 원형의 단면을 가지며, 원형의 중심을 지나는 수평선을 기준으로 상부는 다수의 상부블록(142)의 삽입구(150)에 삽입되고, 하부는 다수의 하부블록(140)의 삽입구(150)에 삽입되어, 다수의 하부블록(140)과 다수의 상부블록(142)이 결합된다. 필요하면, 다수의 하부블록(140) 및 다수의 상부블록(142)의 각각을 지지블록(144)과 같이, 가로부보다 세로부의 길이가 긴 플레이트 형상으로 제작하고, 세로부에서 일측면의 상부에 상부돌출부와 세로부에서 타측면의 하부에 하부돌출부를 형성하여 상부돌출부와 하부돌출부의 정합에 의해 조립할 수 있다.
다수의 하부블록(1400의 하부에는 다수의 지지블록(144)을 설치하여, 안테나(116)를 플라즈마로부터 완전히 차단한다. 다수의 지지블록(144)의 각각은 스트라이프 형태로 제작되고, 하부블록(140) 및 상부블록(142)을 관통하여 챔버(112)의 상부와 결합시키기 위한 체결구(146)가 형성된다. 도 7과 같이, 다수의 지지블록(144)의 각각은 가로부보다 세로부의 길이가 스트라이프 형태의 플레이트 형상이며, 세로부에서 일측면의 상부에 상부돌출부(148)가 설치되고, 세로부에서 타측면의 하부에 하부돌출부(152)가 형성된다. 상부돌출부(148)와 하부돌출부(152)가 결합되고, 볼트(154)를 체결구(146), 하부블록(140) 및 상부블록(142)의 관통구(도시하지 않음) 및 챔버(112)의 리드(112a)에 설치되는 결합구(도시하지 않음)에 삽입하여, 지지블록(144), 하부블록(140), 및 상부블록(142)을 챔버(112)의 상부에 결합시킨다.
각각의 지지블록(144)의 세로부는 상부수직면(144a), 수평면(144b) 및 하부수직면(144c)을 가지며, 인접한 세로부와 상부수직면(144a), 수평면(144b) 및 하부수직면(144c) 중 어나 하나와 접하면, 안테나(116)를 플라즈마로부터 차폐시킬 수 있다. 따라서, 다수의 지지블록(144)을 조립할 때, 인접한 세로부의 모든 면을 완전히 밀착시킬 필요는 없다.
안테나(116)를 챔버(112)의 내부공간에 위치시키고, 안테나(116)를 절연시키 는 방법으로, 도 8과 같이, 내열성 합성수지를 이용하여 몰딩(molding)시키는 방법을 선택할 수 있다. 안테나(116)의 위치를 고정시키고, 내열설 합성수지를 이용하여 몰딩한 몰딩부의 절연수단(120)은 다수의 지지블록(144)에 의해 챔버(112)의 상부에 고정된다. 그리고, 안테나(116)를 내열성 합성수지에 의해 몰딩하게 되면, 안테나(116)와 내열성 합성수지 사이의 이격간격이 존재하지 않아, 안테나(116)가 열팽창하는 경우, 몰딩에 크랙 등의 문제가 발생할 수 있으므로, 안테나(116)를 몰딩할 때, 안테나(116)의 주변에 냉매가 통과할 수 있는 유로(170)를 설치하여, 안테나(116)의 온도의 상승을 방지한다.
그리고, 절연수단(120)의 두께는 안테나(116)의 직경과 비교하여 3 배 이하로 형성하고, 안테나(116)는 절연수단(120)의 중심을 지나는 수평선을 기준으로, 기판안치대(22)와 인접한 수평선의 하부에 설치되게 한다. 다시 말하면, 절연수단(120)의 수직두께의 1/2이하의 지점에 위치한다. 절연수단(120)의 두께가 너무 두껍고, 안테나(116)가 1/2 이상의 상부 쪽에 치우쳐 위치하면, 안테나(116)에 발생하는 자기장의 전달효율이 저하될 수 있기 때문이다. 몰딩에 의해 형성된 절연수단(120)과 다수의 지지블록(144)은 도 7과 같이 볼트에 의해 챔버(112)와 체결되어 고정된다.
도 5와 같이, 라드(112a) 및 절연수단(120)을 관통하는 가스공급관(136)과, 가스공급관(136)과 연결되어 챔버(112)의 측면에 설치된 가스분사구(160)에 의해, 챔버(112)의 내부에 가스가 공급되고, 전원공급장치(162)에 의해 안테나(116)에 RF전원이 공급되면, 안테나(116)에서 자기장이 유도되어, 절연수단(120)을 투과하여 기판안치대(118) 상에 플라즈마(164)를 생성시킨다. 챔버(112)의 내부에 안테나(116)를 설치하는 것에 의해 안테나(116)에서 발생된 자기장의 전달효율이 높기 때문에, 대면적의 기판을 처리하는 기판처리장치에서 고밀도 플라즈마의 구현이 가능하다. 또한 챔버(112)의 내부에 안테나(116)가 설치되어 플라즈마가 균일하게 생성되어, 챔버(112)에서 처리되는 기판(114)의 균일성을 확보할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 축전결합 플라즈마(CCP type)를 이용한 기판처리장치의 개략도
도 2는 종래기술에 따른 유도결합 플라즈마(ICP type)를 이용한 기판처리장치의 개략도
도 3은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 개략도
도 4는 본 발명에 따른 안테나를 포함한 절연수단의 분해 단면도
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 발생 모식도
도 6은 본 발명에 따른 안테나의 평면도
도 7은 본 발명에 따른 유전체 블록의 단면도
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 안테나를 포함한 절연수단의 단면도

Claims (11)

  1. 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 위치하고 안테나;
    상기 안테나에 연결된 전원공급장치;
    상기 안테나를 플라즈마로부터 차폐시키며, 복수개의 블록으로 이루어지는 절연수단;
    상기 안테나와 대향하며 기판을 안치하기 위한 기판안치수단을 포함하고,
    상기 절연수단은, 상기 안테나가 개재되는 하부블록과 상부블록, 및 상기 하부블록의 하부에 위치하는 다수의 지지블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연수단은 세라믹(ceramic), 테프론(teflon) 및 내열성의 고분자 플라스틱 중 하나 또는 복합물로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연수단은 체결수단에 의해 상기 챔버의 상측 내벽에 밀착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부블록 및 상기 상부블록의 각각은 스트라이프 형태의 다수의 플레이트로 구성되고, 상기 하부블록의 상부에는 상기 안테나가 삽입되는 삽입구가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 지지블럭은, 스트라이프 형태의 다수의 플레이트로 구성되고, 상기 플레이트의 세로부에서 일측면의 상부에 상부돌출부가 설치되고, 타측면의 하부에 하부돌출부가 형성되고, 상기 세로부는 상부수직면, 수평면 및 하부수직면을 가지며, 인접한 상기 세로부와 상부수직면, 수평면 및 하부수직면 중 어느 하나와 접하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  8. 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 위치하고 안테나;
    상기 안테나에 연결된 전원공급장치;
    상기 안테나를 플라즈마로부터 차폐시키며, 복수개의 블록으로 이루어지는 절연수단;
    상기 안테나와 대향하며 기판을 안치하기 위한 기판안치수단을 포함하고,
    상기 절연수단은, 내열성 수지에 의해서 상기 안테나를 몰딩시키는 몰딩부와, 상기 몰딩부의 하부에 위치하는 다수의 지지블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 안테나와 인접한 상기 몰딩부에 냉매가 유동되는 유로가 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
  10. 삭제
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 몰딩부의 수직두께의 중심을 지나는 수평선을 기준으로 상기 수평선의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980032475A (ko) * 1996-10-02 1998-07-25 히가시데츠로 플라스마처리장치
KR20060084698A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유도결합형 플라즈마 처리장치

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