RU2007106919A - Полировальное средство, его применение, способ полировки полупроводниковой пластины и применение глюконатов при изготовлении полупроводниковых пластин - Google Patents
Полировальное средство, его применение, способ полировки полупроводниковой пластины и применение глюконатов при изготовлении полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007106919A RU2007106919A RU2007106919/04A RU2007106919A RU2007106919A RU 2007106919 A RU2007106919 A RU 2007106919A RU 2007106919/04 A RU2007106919/04 A RU 2007106919/04A RU 2007106919 A RU2007106919 A RU 2007106919A RU 2007106919 A RU2007106919 A RU 2007106919A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polishing agent
- acid
- amount
- polishing
- agent according
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
- H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
- H10P52/403—Chemomechanical polishing [CMP] of conductive or resistive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/129—Preparing bulk and homogeneous wafers by polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Claims (19)
1. Полировальное средство, содержащее в качестве компонентов
a) воду,
b) абразивное вещество и/или коллоид,
c) при необходимости метилглициндиуксусную кислоту или дисукцинат формулы
где R представляет собой -(NH-СН2-СН2-)nNH-,
Х представляет собой водород и/или щелочной металл,
n является целым числом от 0 до 2,
и
d) соль щелочного или щелочноземельного металла глюконовой кислоты.
2. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что в качестве компонента (b) оно содержит кремневую кислоту в количестве от 0,05 до 50 мас.%, в расчете на оксид кремния SiO2.
3. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что значение рН составляет от 8 до 13.
4. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что в качестве соли щелочного металла глюконовой кислоты оно содержит натриевую или калиевую соль.
5. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что в качестве компонента (с) оно содержит иминодиянтарную кислоту (n=0) и/или этилендиаминдиянтарную кислоту (n=1) и/или диэтилентриаминдисукцинат и/или одну или более солей этих соединений или метилглициндиуксусную кислоту.
6. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что оно содержит компонент (с) в количестве от 0,005 до 5 мас.%.
7. Полировальное средство по п.1, отличающееся тем, что в качестве дополнительного компонента (е) оно содержит одну или более основных солей и/или гидроксиды ионов щелочных металлов и/или ионов аммония в количестве от 0,01 до 10 мас.%.
8. Полировальное средство по пп.1-7, содержащее в качестве компонентов:
(a) воду в количестве от 84 до 99,8 масс.%,
(b) кремневую кислоту в количестве от 0,1 до 10 мас.%, в расчете на оксид кремния SiO2,
(c) натриевую или калиевую соль иминодиянтарной кислоты и/или этилендиаминдиянтарную кислоту в количестве от 0,01 до 1 мас.%, и
(d) карбонат натрия и/или калия в количестве от 0,05 до 5 мас.%,
(e) глюконат калия или натрия в количестве 0,01-0,5 мас.%, причем значение рН составляет 9-12.
9. Способ полировки полупроводниковых пластин с передней стороны и обратной стороны и канта, отличающийся тем, что используется полировальное средство согласно одному из пп.1-8.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что полупроводниковая пластина состоит по существу из кремния.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что по меньшей мере часть передней стороны полупроводниковой пластины покрыта искусственно нанесенными слоями и/или структурами.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что в слоях и/или структурах в качестве электрического проводника содержится медь.
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что передняя сторона кремневой пластины не покрыта или покрыта природным оксидом и полируется при подведении полировального средства согласно одному из пп.1-9.
14. Способ по п.9, отличающийся тем, что передняя сторона и обратная сторона кремневой пластины не покрыта или покрыта природным оксидом и полируется при подведении полировального средства согласно одному из пп.1-8.
15. Способ по п.9, отличающийся тем, что кант кремневой пластины полируются при подведении полировального средства согласно одному из пп.1-8.
16. Способ по одному из пп.9-15, отличающийся тем, что по меньшей мере часть используемого полировального средства употребляется повторно.
17. Применение смеси из
a) воды,
b) абразивного вещества и/или коллоида,
c) при необходимости метилглициндиуксусной кислоты или дисукцината формулы
где X и R имеют значение, приведенное в п.1, и
(d) солей щелочных или щелочноземельных металлов глюконовой кислоты в качестве полировального средства, предпочтительно в качестве полировального средства для полупроводниковых пластин.
18. Применение глюконатов, предпочтительно солей щелочных или щелочноземельных металлов глюконовой кислоты, при изготовлении полупроводниковых пластин.
19. Применение по п.18, отличающееся тем, что глюконаты используются в комбинации с метилглициндиуксусной кислотой или дисукцинатами.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006008689 | 2006-02-24 | ||
| DE102006008689A DE102006008689B4 (de) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | Poliermittel und dessen Verwendung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007106919A true RU2007106919A (ru) | 2008-09-10 |
Family
ID=38134318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007106919/04A RU2007106919A (ru) | 2006-02-24 | 2007-02-26 | Полировальное средство, его применение, способ полировки полупроводниковой пластины и применение глюконатов при изготовлении полупроводниковых пластин |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7833435B2 (ru) |
| EP (1) | EP1826254B1 (ru) |
| JP (1) | JP5260880B2 (ru) |
| KR (1) | KR101395734B1 (ru) |
| CN (1) | CN101029208A (ru) |
| AT (1) | ATE553166T1 (ru) |
| DE (1) | DE102006008689B4 (ru) |
| RU (1) | RU2007106919A (ru) |
| SG (1) | SG135139A1 (ru) |
| TW (1) | TWI402333B (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4992246B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-08-08 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハ中のＣｕ評価方法 |
| US8247326B2 (en) * | 2008-07-10 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing nickel-phosphorous |
| CN102405276A (zh) * | 2009-04-08 | 2012-04-04 | 太阳索尼克斯公司 | 从基板去除污染物质的方法和装置 |
| KR101396232B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2014-05-19 | 한양대학교 산학협력단 | 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 |
| US9039914B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-05-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks |
| CN108485532A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-04 | 江苏金琥珀光学科技股份有限公司 | 高表面平整度的蓝宝石抛光液及其抛光工艺 |
| KR20250054948A (ko) | 2023-10-17 | 2025-04-24 | 위클램 주식회사 | 커스텀 페인팅 기반의 캐릭터 무기 디자인 커스터마이징 기능을 적용한 모바일 게임 시스템 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284485A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| JPH0781132B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
| US5569443A (en) * | 1994-11-18 | 1996-10-29 | The Dow Chemical Company | Method for removing hydrogen sulfide from a gas using polyamino disuccinic acid |
| DE19713911A1 (de) * | 1997-04-04 | 1998-10-08 | Bayer Ag | Herstellung und Verfahren von Iminodibernsteinsäuresalzen |
| EP0975705B1 (de) * | 1997-04-17 | 2002-03-13 | MERCK PATENT GmbH | Pufferlösungen für suspensionen, verwendbar zum chemisch-mechanischen polieren |
| US6083840A (en) * | 1998-11-25 | 2000-07-04 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys |
| CN1361923A (zh) | 1999-07-19 | 2002-07-31 | Memc电子材料有限公司 | 抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法 |
| JP3551238B2 (ja) | 1999-09-07 | 2004-08-04 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウェーハの研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| JP2001176826A (ja) | 1999-10-07 | 2001-06-29 | Lucent Technol Inc | スラリーの選択性制御及び関連した方法のためのキレート化剤 |
| US6319096B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Cabot Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US6409781B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Polishing slurries for copper and associated materials |
| JP4585100B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2010-11-24 | 日本化学工業株式会社 | 研磨使用済み液の再生方法 |
| FR2816527B3 (fr) * | 2000-11-14 | 2003-04-04 | Lionel Girardie | Procede de nettoyage par voie humide de tranches semiconducteurs comportant une structure damascene |
| DE10063488A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Bayer Ag | Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Siliciumdioxid-Filmen |
| JP3440419B2 (ja) | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6538142B1 (en) * | 2002-04-18 | 2003-03-25 | Farchemia S.R.L. | Process for the preparation of metaxalone |
| JP2004235326A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| DE10304894B4 (de) * | 2003-02-06 | 2004-07-22 | Siltronic Ag | Poliermittel und Polierverfahren mit diesem Poliermittel |
| JP3735648B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-01-18 | 富士通株式会社 | 半導体製造における研磨廃液再利用方法 |
| US7485241B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
| JP4442722B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-31 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | キレート剤添加装置、キレート剤添加方法、ウェーハ研磨システム及びウェーハ研磨方法 |
| JP4284215B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
| JP4116583B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-07-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
| JP2005347737A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-12-15 | Nissan Chem Ind Ltd | シリコンウェハー用研磨組成物 |
| JP2006049790A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| TW200619368A (en) * | 2004-10-28 | 2006-06-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | Polishing composition for silicon wafer |
| JP4718164B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-07-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
-
2006
- 2006-02-24 DE DE102006008689A patent/DE102006008689B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-13 EP EP07102240A patent/EP1826254B1/de not_active Not-in-force
- 2007-02-13 AT AT07102240T patent/ATE553166T1/de active
- 2007-02-16 TW TW096106137A patent/TWI402333B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-02-23 US US11/710,035 patent/US7833435B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 KR KR1020070018184A patent/KR101395734B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 JP JP2007043886A patent/JP5260880B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 SG SG200701279-2A patent/SG135139A1/en unknown
- 2007-02-25 CN CNA2007100923469A patent/CN101029208A/zh active Pending
- 2007-02-26 RU RU2007106919/04A patent/RU2007106919A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070207617A1 (en) | 2007-09-06 |
| CN101029208A (zh) | 2007-09-05 |
| TWI402333B (zh) | 2013-07-21 |
| EP1826254B1 (de) | 2012-04-11 |
| DE102006008689B4 (de) | 2012-01-26 |
| DE102006008689A1 (de) | 2007-08-30 |
| KR101395734B1 (ko) | 2014-05-15 |
| EP1826254A2 (de) | 2007-08-29 |
| ATE553166T1 (de) | 2012-04-15 |
| US7833435B2 (en) | 2010-11-16 |
| KR20070088371A (ko) | 2007-08-29 |
| SG135139A1 (en) | 2007-09-28 |
| JP2007235134A (ja) | 2007-09-13 |
| TW200804573A (en) | 2008-01-16 |
| JP5260880B2 (ja) | 2013-08-14 |
| EP1826254A3 (de) | 2010-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007106919A (ru) | Полировальное средство, его применение, способ полировки полупроводниковой пластины и применение глюконатов при изготовлении полупроводниковых пластин | |
| CN100437922C (zh) | 洗涤液及使用该洗涤液的洗涤方法 | |
| JP6568198B2 (ja) | Ｃｍｐ後の洗浄組成物及びそれに関連する方法 | |
| KR102527728B1 (ko) | 티타늄층 또는 티타늄 함유층의 에칭액 조성물 및 에칭 방법 | |
| CN101848987A (zh) | 电子材料用清洁剂 | |
| TW200701352A (en) | Compositions for processing of semiconductor substrates | |
| US11845912B2 (en) | Cleaning liquid composition and cleaning method using same | |
| CN101525563B (zh) | 用于后研磨清洁剂的腐蚀抑制剂 | |
| EP3163600A1 (en) | Composition for polishing silicon wafers | |
| JP5518392B2 (ja) | 電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法 | |
| US11279850B2 (en) | Bulk ruthenium chemical mechanical polishing composition | |
| CN111020610A (zh) | 一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法 | |
| TW201525123A (zh) | 一種用於鋁的化學機械拋光液及使用方法 | |
| CN102533118B (zh) | 一种化学机械抛光浆料 | |
| TW201908458A (zh) | 基板之研磨方法及研磨用組成物套組 | |
| KR20140117888A (ko) | 사파이어 웨이퍼 세정제 조성물 | |
| JP2020191365A (ja) | 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物 | |
| CN113939899B (zh) | 过氧化氢分解抑制剂 | |
| TW201321491A (zh) | 化合物半導體研磨用組成物 | |
| CN113186541B (zh) | 一种化学机械抛光后清洗液的应用 | |
| JP6892785B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
| US20230109597A1 (en) | Cleaning composition | |
| JP2015086355A (ja) | 研磨用組成物、研磨方法、及び基板の製造方法 | |
| KR102688485B1 (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
| JP2020107641A (ja) | 半導体表面処理用組成物及び半導体表面の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20100708 |