RU2006134685A - Полирующая суспензия, способ обработки поверхности кристаллов gaxin1-xasyp1-y и кристаллические подложки из gaxin1-xasyp1-y - Google Patents

Полирующая суспензия, способ обработки поверхности кристаллов gaxin1-xasyp1-y и кристаллические подложки из gaxin1-xasyp1-y Download PDF

Info

Publication number
RU2006134685A
RU2006134685A RU2006134685/15A RU2006134685A RU2006134685A RU 2006134685 A RU2006134685 A RU 2006134685A RU 2006134685/15 A RU2006134685/15 A RU 2006134685/15A RU 2006134685 A RU2006134685 A RU 2006134685A RU 2006134685 A RU2006134685 A RU 2006134685A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polishing
abrasive grains
polishing slurry
specified
crystal
Prior art date
Application number
RU2006134685/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Кеидзи ИСИБАСИ (JP)
Кеидзи ИСИБАСИ
Такаюки НИСИУРА (JP)
Такаюки НИСИУРА
Original Assignee
Сумитомо Электрик Индастриз
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
Лтд. (Jp)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Электрик Индастриз, Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд., Лтд. (Jp) filed Critical Сумитомо Электрик Индастриз
Publication of RU2006134685A publication Critical patent/RU2006134685A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Abstract

1. Полирующая суспензия (17) для химико-механической полировки поверхности кристаллов GaInAsP(0≤x≤1, 0≤y≤1) (1), отличающаяся тем, чтоуказанная полирующая суспензия (17) содержит абразивные зерна (16), образованные из SiO,указанные абразивные зерна (16) являются вторичными частицами, в которые объединены первичные частицы, иотношение d/dсреднего диаметра dуказанных вторичных частиц к среднему диаметру dуказанных первичных частиц составляет не менее 1,6 и не более 10.2. Полирующая суспензия по п.1, в которой средний диаметр dуказанных вторичных частиц указанных абразивных зерен (16) составляет не менее 30 нм и не более 300 нм.3. Полирующая суспензия по п.1, в которой указанные абразивные зерна (16) имеют по меньшей мере любую форму из формы кокона, формы скопления и формы цепочки.4. Полирующая суспензия по п.1, в которой содержание абразивных зерен составляет не менее 2% и не более 40%.5. Полирующая суспензия по п.1, в которой указанные абразивные зерна (16) образованы коллоидным кремнеземом.6. Полирующая суспензия по п.1, в которой величина x pH и величина y (мВ) окислительно-восстановительного потенциала указанной полирующей суспензии (17) удовлетворяют следующим двум соотношениям, выраженным уравнением (1) и уравнением (2)y≥-50x+1000 (1)y≤-50x+1900 (2).7. Полирующая суспензия по п.1, в которой pH указанной полирующей суспензии (17) составляет 5 или менее или 8 или более.8. Полирующая суспензия по п.1, которая содержит указанные абразивные зерна (16), органическую кислоту и/или ее соль и окислитель.9. Способ обработки поверхности кристаллов GaInAsP(0≤x≤1, 0≤y≤1) (1) при использовании полирующей суспензии (17), включающий в себя следующие этапы: приготовление указанной полирую

Claims (14)

1. Полирующая суспензия (17) для химико-механической полировки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y (0≤x≤1, 0≤y≤1) (1), отличающаяся тем, что
указанная полирующая суспензия (17) содержит абразивные зерна (16), образованные из SiO2,
указанные абразивные зерна (16) являются вторичными частицами, в которые объединены первичные частицы, и
отношение d2/d1 среднего диаметра d2 указанных вторичных частиц к среднему диаметру d1 указанных первичных частиц составляет не менее 1,6 и не более 10.
2. Полирующая суспензия по п.1, в которой средний диаметр d2 указанных вторичных частиц указанных абразивных зерен (16) составляет не менее 30 нм и не более 300 нм.
3. Полирующая суспензия по п.1, в которой указанные абразивные зерна (16) имеют по меньшей мере любую форму из формы кокона, формы скопления и формы цепочки.
4. Полирующая суспензия по п.1, в которой содержание абразивных зерен составляет не менее 2% и не более 40%.
5. Полирующая суспензия по п.1, в которой указанные абразивные зерна (16) образованы коллоидным кремнеземом.
6. Полирующая суспензия по п.1, в которой величина x pH и величина y (мВ) окислительно-восстановительного потенциала указанной полирующей суспензии (17) удовлетворяют следующим двум соотношениям, выраженным уравнением (1) и уравнением (2)
y≥-50x+1000 (1)
y≤-50x+1900 (2).
7. Полирующая суспензия по п.1, в которой pH указанной полирующей суспензии (17) составляет 5 или менее или 8 или более.
8. Полирующая суспензия по п.1, которая содержит указанные абразивные зерна (16), органическую кислоту и/или ее соль и окислитель.
9. Способ обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y (0≤x≤1, 0≤y≤1) (1) при использовании полирующей суспензии (17), включающий в себя следующие этапы: приготовление указанной полирующей суспензии (17), содержащей абразивные зерна (16), образованные из SiO2, в которой указанные абразивные зерна (16) являются вторичными частицами, в которые объединены первичные частицы, и отношение d2/d1 среднего диаметра d2 указанных вторичных частиц к среднему диаметру d1 указанных первичных частиц составляет не менее 1,6 и не более 10; и химико-механическую полировку поверхности указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1) с использованием указанной полирующей суспензии (17).
10. Способ обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y по п.9, в котором указанный этап химико-механической полировки поверхности указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1) с использованием указанной полирующей суспензии (17) выполняется при вращении полировальника (18) и указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1) вокруг разных осей вращения при скорости вращения не менее 10 мин-1 и не более 200 мин-1 и при давлении при полировке не менее 4,9 кПа и не более 98 кПа посредством размещения полирующей суспензии (17) между указанным полировальником (18) и указанным кристаллом GaxIn1-xAsyP1-y (1).
11. Способ обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y по п.9, который включает в себя стадию промывки поверхности указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1), отполированного указанной химико-механической полировкой, чистой водой после указанной стадии химико-механической полировки.
12. Способ обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y по п.9, который включает в себя стадию полировки поверхности указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1), отполированного указанной химико-механической полировкой, с использованием полирующего раствора (37), образованного кислым водным раствором или щелочным водным раствором, после указанной стадии химико-механической полировки.
13. Способ обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y по п.12, который включает в себя стадию промывки поверхности указанного кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1), которая была отполирована с использованием указанного полирующего раствора (37), чистой водой после указанной стадии полировки с использованием указанного полирующего раствора (37).
14. Кристаллические подложки из GaxIn1-xAsyP1-y, изготовленные способом обработки поверхности кристаллов GaxIn1-xAsyP1-y, отличающиеся тем, что указанный способ обработки поверхности содержит следующие стадии: приготовление указанной полирующей суспензии (17), содержащей абразивные зерна (16), образованные из SiO2, в которой указанные абразивные зерна (16) являются вторичными частицами, в которые объединены первичные частицы, и отношение d2/d1 среднего диаметра d2 указанных вторичных частиц к среднему диаметру d1 указанных первичных частиц составляет не менее 1,6 и не более 10; и химико-механическую полировку поверхности кристалла GaxIn1-xAsyP1-y (1) с использованием указанной полирующей суспензии (17).
RU2006134685/15A 2005-09-30 2006-09-29 Полирующая суспензия, способ обработки поверхности кристаллов gaxin1-xasyp1-y и кристаллические подложки из gaxin1-xasyp1-y RU2006134685A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-288278 2005-09-30
JP2005288278A JP2007103463A (ja) 2005-09-30 2005-09-30 ポリシングスラリー、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶の表面処理方法およびＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2006134685A true RU2006134685A (ru) 2008-04-10

Family

ID=37671390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006134685/15A RU2006134685A (ru) 2005-09-30 2006-09-29 Полирующая суспензия, способ обработки поверхности кристаллов gaxin1-xasyp1-y и кристаллические подложки из gaxin1-xasyp1-y

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7507668B2 (ru)
EP (1) EP1772503A3 (ru)
JP (1) JP2007103463A (ru)
KR (1) KR20070037338A (ru)
CN (1) CN1939992A (ru)
RU (1) RU2006134685A (ru)
TW (1) TW200715394A (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2636511C2 (ru) * 2012-07-06 2017-11-23 Басф Се Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу
RU2643541C2 (ru) * 2012-07-06 2018-02-02 Басф Се Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и карбонатную соль

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4792802B2 (ja) * 2005-04-26 2011-10-12 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法
WO2008105342A1 (ja) * 2007-02-27 2008-09-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. 金属用研磨液及び研磨方法
JP5819076B2 (ja) * 2010-03-10 2015-11-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5035387B2 (ja) * 2010-05-10 2012-09-26 住友電気工業株式会社 研磨剤、化合物半導体の製造方法および半導体デバイスの製造方法
US8821751B2 (en) * 2010-06-24 2014-09-02 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical planarization composition and method with low corrosiveness
US8883701B2 (en) 2010-07-09 2014-11-11 Air Products And Chemicals, Inc. Method for wafer dicing and composition useful thereof
WO2013021946A1 (ja) * 2011-08-09 2013-02-14 株式会社 フジミインコーポレーテッド 化合物半導体研磨用組成物
US9688884B2 (en) 2011-11-25 2017-06-27 Fujimi Incorporated Polishing composition
US9238755B2 (en) * 2011-11-25 2016-01-19 Fujima Incorporated Polishing composition
JP6068790B2 (ja) * 2011-11-25 2017-01-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
WO2013168047A1 (en) * 2012-05-07 2013-11-14 Basf Se Process for manufacture of semiconductor devices
JP5355768B2 (ja) * 2012-11-27 2013-11-27 スタンレー電気株式会社 半導体積層構造の製造方法
JP6156207B2 (ja) * 2013-04-02 2017-07-05 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
JP2016524325A (ja) * 2013-05-15 2016-08-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 少なくとも１種のｉｉｉ−ｖ族材料を含有する基板または層を研磨するための化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物を使用する方法
DE102014112817A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats
WO2016052408A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016067923A1 (ja) * 2014-10-27 2016-05-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
WO2016084682A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
EP3258481A4 (en) * 2015-02-09 2018-09-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Indium phosphorus substrate, indium phosphorus substrate inspection method, and indium phosphorus substrate manufacturing method
US9646842B1 (en) 2015-10-14 2017-05-09 International Business Machines Corporation Germanium smoothing and chemical mechanical planarization processes
US9916985B2 (en) * 2015-10-14 2018-03-13 International Business Machines Corporation Indium phosphide smoothing and chemical mechanical planarization processes
JP7100552B2 (ja) * 2018-09-28 2022-07-13 日揮触媒化成株式会社 異形シリカ微粒子を含む研磨砥粒分散液およびその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6487147A (en) * 1987-09-30 1989-03-31 Nippon Mining Co Polishing agent for chemical semiconductor
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
JPH07276225A (ja) 1994-04-07 1995-10-24 Rohm Co Ltd 被研磨材の表面平坦化方法
JPH07285069A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置
US5695384A (en) * 1994-12-07 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Chemical-mechanical polishing salt slurry
KR970042941A (ko) * 1995-12-29 1997-07-26 베일리 웨인 피 기계적 화학적 폴리싱 공정을 위한 폴리싱 합성물
US5575706A (en) * 1996-01-11 1996-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method
US6162112A (en) * 1996-06-28 2000-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Chemical-mechanical polishing apparatus and method
US5705435A (en) * 1996-08-09 1998-01-06 Industrial Technology Research Institute Chemical-mechanical polishing (CMP) apparatus
JP3173405B2 (ja) 1997-01-31 2001-06-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 2001-08-06 守 磯 繭型コロイダルシリカの製造方法
JP3077665B2 (ja) * 1998-03-30 2000-08-14 住友電気工業株式会社 第ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の研磨剤とその供給方法
US6334880B1 (en) * 1999-12-07 2002-01-01 Silbond Corporation Abrasive media and aqueous slurries for chemical mechanical polishing and planarization
JP2002025954A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Cable Ltd 半導体結晶ウエハの研磨方法
JP2002338232A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Nippon Chem Ind Co Ltd 二次凝集コロイダルシリカとその製造方法及びそれを用いた研磨剤組成物
TW200300168A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing fluid and polishing method
JP2004331852A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Tama Kagaku Kogyo Kk 分散安定性に優れた研磨剤スラリー及び基板の製造方法
WO2005019364A1 (en) * 2003-08-14 2005-03-03 Ekc Technology, Inc. Periodic acid compositions for polishing ruthenium/high k substrates
US7247566B2 (en) * 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
JP4311247B2 (ja) * 2004-03-19 2009-08-12 日立電線株式会社 研磨用砥粒、研磨剤、研磨液の製造方法
TW200613485A (en) * 2004-03-22 2006-05-01 Kao Corp Polishing composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2636511C2 (ru) * 2012-07-06 2017-11-23 Басф Се Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и ароматическое соединение, содержащее по меньшей мере одну кислотную группу
RU2643541C2 (ru) * 2012-07-06 2018-02-02 Басф Се Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и карбонатную соль
RU2643541C9 (ru) * 2012-07-06 2018-03-16 Басф Се Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и карбонатную соль

Also Published As

Publication number Publication date
US20090159845A1 (en) 2009-06-25
CN1939992A (zh) 2007-04-04
JP2007103463A (ja) 2007-04-19
EP1772503A2 (en) 2007-04-11
US7507668B2 (en) 2009-03-24
TW200715394A (en) 2007-04-16
US20070075041A1 (en) 2007-04-05
EP1772503A3 (en) 2009-05-27
KR20070037338A (ko) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006134685A (ru) Полирующая суспензия, способ обработки поверхности кристаллов gaxin1-xasyp1-y и кристаллические подложки из gaxin1-xasyp1-y
TWI718998B (zh) 研磨用組成物
JP3804009B2 (ja) 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材
EP2438133B1 (en) Polishing slurry containing raspberry-type metal oxide nanostructures coated with CeO2
US7601273B2 (en) Polishing slurry composition and method of using the same
TW200716729A (en) CMP slurry, preparation method thereof and method of polishing substrate using the same
MY129818A (en) Method for manufacturing substrate
WO2008030420A1 (en) Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers
WO2005033234A3 (en) Novel slurry for chemical mechanical polishing of metals
JP2014017524A (ja) シリコンウェーハの研磨方法
WO2009111001A2 (en) Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers
JP5493956B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
ATE453698T1 (de) Methode zum selektiven polieren einer siliziumnitridschicht
WO2003046968A1 (fr) Procede de production d'une tranche de silicone, tranche de silicone et tranche soi
CN105153943A (zh) 氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法
US20200306922A1 (en) Method of polishing silicon wafer
KR20170099842A (ko) 연마용 조성물, 연마 방법, 및 세라믹제 부품의 제조 방법
KR20190082758A (ko) 연마용 조성물 및 실리콘 웨이퍼의 연마 방법
JP5017709B2 (ja) シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法
TW201321491A (zh) 化合物半導體研磨用組成物
JPH10172937A (ja) 研磨用組成物
KR100497413B1 (ko) 텅스텐-화학적 기계적 연마에 유용한 슬러리 및 그 제조방법
CN102464945A (zh) 一种化学机械抛光液
CN101665663B (zh) 一种化学机械抛光液
JPH10172934A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20091211