JP7100552B2 - 異形シリカ微粒子を含む研磨砥粒分散液およびその製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、異形度だけでは、所望の研磨速度を得られない場合があり、より優れた研磨用砥粒、特にシリカからなる研磨用砥粒が求められていた。
本発明は以下の(1)~(7)である。
(1)シリカ微粒子が連結した構造を有する異形シリカ微粒子が分散媒に分散してなる研磨用砥粒分散液であって、前記異形シリカ微粒子が下記1)~6)の要件を満たす研磨用砥粒分散液。
1)TEM画像解析による平均長径(D1)が80~1000nmの範囲。
2)TEM画像解析による平均短径(D2)が60~300nmの範囲。
3)[D1]/[D2]で表される異形度の値が1.5~5の範囲。
4)粒子連結個数平均値(N)が4~15の範囲。
5)次の式(1)から求められるHの値が60~1000の範囲。
H=1.5×V/S・・・・(1)
V:該異形シリカ微粒子の平均体積。
S:該異形シリカ微粒子の平均投影面積。
H:該異形シリカ微粒子の平均粒子高さ。
ここで平均体積(V)と平均投影面積(S)は以下の方法により求める。
・平均体積(V):窒素吸着法により測定される比表面積から、連結している一次粒子の平均粒子径(B)を求め、連結粒子一粒子あたりの体積を球状粒子として算出。この体積(V)と粒子連結個数平均値(N)とから平均体積(V)を算出(V=4/3πB3N(π:円周率))。
・平均投影面積(S):TEM画像解析から求める。
6)一次粒子の平均積層数が1.5~3.0の範囲。
(2)前記異形シリカ微粒子が、さらに下記7)の要件を満たす、上記(1)に記載の研磨用砥粒分散液。
7)粒子連結率が90%以上。
(3)前記異形シリカ微粒子が、さらに下記8)の要件を満たす、上記(1)または(2)に記載の研磨用砥粒分散液。
8)TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径をa、短径をbとしたときの長径と短径の比([a]/[b])の値が1.0~5.0の範囲。
(4)上記(1)~(3)のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液を含む、磁気ディスク基板研磨用研磨スラリー。
(5)上記(1)~(3)のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液を含む、磁気ディスク基板研磨用組成物。
(6)比表面積が50~300m2/gであるヒュームドシリカを含む溶液のpHを8.0~12.0、温度を50~100℃に調整した後、ここへ酸性珪酸液を添加することにより、前記ヒュームドシリカを粒子成長させる工程を含み、上記(1)~(3)のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液が得られる、研磨用砥粒分散液の製造方法。
(7)前記酸性珪酸液に含まれるシリカdry重量が、前記溶液に含まれるヒュームドシリカのdry重量に対し、2.0~30.0倍の範囲にある、上記(6)に記載の研磨用砥粒分散液の製造方法。
本発明は、シリカ微粒子が連結した構造を有する異形シリカ微粒子が分散媒に分散してなる研磨用砥粒分散液であって、前記異形シリカ微粒子が下記1)~6)の要件を満たす研磨用砥粒分散液である。
1)TEM画像解析による平均長径(D1)が80~1000nmの範囲。
2)TEM画像解析による平均短径(D2)が60~300nmの範囲。
3)[D1]/[D2]で表される異形度の値が1.5~5の範囲。
4)粒子連結個数平均値(N)が4~15の範囲。
5)次の式(1)から求められるHの値が60~1000の範囲。
H=1.5×V/S・・・・(1)
V:該異形シリカ微粒子の平均体積。
S:該異形シリカ微粒子の平均投影面積。
H:該異形シリカ微粒子の平均粒子高さ。
ここで平均体積(V)と平均投影面積(S)は以下の方法により求める。
・平均体積(V):窒素吸着法により測定される比表面積から、連結している一次粒子の平均粒子径(B)を求め、連結粒子一粒子あたりの体積を球状粒子として算出。この体積(V)と粒子連結個数平均値(N)とから平均体積(V)を算出(V=4/3πB3N(π:円周率))。
・平均投影面積(S):TEM画像解析から求める。
6)一次粒子の平均積層数が1.5~3.0の範囲。
このような研磨用砥粒分散液を、以下では「本発明の分散液」ともいう。
また、上記1)~6)の要件を満たす異形シリカ微粒子を、以下では「本発明の異形シリカ微粒子」ともいう。
このような製造方法を、以下では「本発明の製造方法」ともいう。
本発明の異形シリカ粒子について説明する。
本発明の異形シリカ微粒子は、TEM画像解析による平均長径(D1)が80~1000nmの範囲であり、かつ、平均短径(D2)が60~300nmの範囲であり、かつ、[D1]/[D2]で表される異形度の値が1.5~20の範囲である。
前記平均短径(D2)は70~250nmであることが好ましく、80~200nmであることがより好ましい。
前記異形度(D1/D2)は1.5~10であることが好ましく、1.6~5であることがより好ましい。
このような平均長径(D1)かつ平均短径(D2)かつ異形度(D1/D2)であると粒子は非球形で、細長い形状であることを示している。非球形の形状の砥粒は、研磨時に粒子は転がりにくく、滑りながら研磨が行われる傾向にある。一般に滑り摩擦は転がり摩擦よりも摩擦力が高いことから、高い研磨速度を示すと考えられる。異形度が1.5未満の場合は、球形に近いため研磨速度が遅く、異形度が10以上では、そのような粒子は調製が困難である上に、研磨速度はそれ以上向上しない傾向にある。
初めに、本発明の異形シリカ微粒子の固形分濃度を0.05重量%に調整し、これを透過型電子顕微鏡(TEM)を用い、50,000倍の写真(画像)を得る。そして、この画像中の各粒子について次のように処理する。
平均長径(D1):粒子の外縁に沿って2本の平行線を引き、その平行線間の最大距離を長径とし、透過型電子顕微鏡写真の画像における任意の50個の粒子の長径の平均値を平均長径(D1)とする。
平均短径(D2):粒子の外縁に沿って2本の平行線を引き、その平行線間の最小距離を短径とし、上記の平均長径(D1)と同様に求めた平均値を平均短径(D2)とする。
本発明において平均長径(D1)および平均短径(D2)は、特に断りがない限り、上記の方法で測定したものとする。
本発明の異形シリカ微粒子は、後記するように所定の積層構造をとることが必須であるので、該異形シリカ微粒子は、例えば、屈曲等の構造的な要因により同一の異形シリカ微粒子内の一次粒子(シリカの一次粒子)が積層できるだけの長さが必要となる。
本発明の異形シリカ微粒子は、4~15個の一次粒子(シリカの一次粒子)が連結している粒子連結型構造を有する。すなわち、粒子連結個数平均値(N)が4~15の範囲であり、4~12であることが好ましく、5~10であることがより好ましい。
この場合、所定の積層構造を形成することが可能となる。連結数が4未満では積層構造を取りにくくなり、連結数が10超の場合は粗大な凝集塊となりやすく、更に粒子個数が減少し、研磨速度が低下する傾向にある。
本発明の異形シリカ微粒子は、式(1):H=1.5×V/Sから求められるHの値が60~1000の範囲である。Hの値は60以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましい。
Hの値は、異形シリカ微粒子の体積を、異形シリカ微粒子の投影面積で除すことにより得られる値で、異形シリカ微粒子の高さを表しており(1.5は異形シリカ微粒子を構成する一次粒子が球状であることに対応する係数)、Hの値が大きい程、該異形シリカ微粒子は嵩高く、積層していることを意味する。
通常、研磨パッドはその表面にミクロンオーダーの微小な凹凸が形成されている。そのため、粒子が嵩高い構造を備えている場合は、研磨パッドが十分に砥粒を保持でき、研磨速度が高くなる傾向にある。一方、粒子が嵩高い構造でない場合は、即ち平面的に連結した構造であることを示しており、そのような粒子は研磨パッドの微小な凹凸に砥粒が埋もれてしまい、研磨に寄与しない砥粒が増加するため、研磨速度が低くなる傾向にある。
平均体積はV=4/3πB3N(π:円周率)から算出する。
ここでNは、前述の要件4)にて求めた粒子連結個数平均値(N)を意味する。
比表面積は、次に示す窒素吸着法(BET比表面積)によって測定する。
初めに、乾燥させた試料(0.2g)を測定セルに入れ、窒素ガス気流中、250℃で40分間脱ガス処理を行い、その上で試料を窒素30体積%とヘリウム70体積%の混合ガス気流中で液体窒素温度に保ち、窒素を試料に平衡吸着させる。次に、上記混合ガスを流しながら試料の温度を徐々に室温まで上昇させ、その間に脱離した窒素の量を検出し、予め作成した検量線により、試料の比表面積を測定する。このような窒素吸着法(BET比表面積測定法)は、例えば従来公知の表面積測定装置を用いて行うことができる。
初めに、本発明の異形シリカ微粒子の固形分濃度を0.05重量%に調整し、これを透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて撮影し、50,000倍の写真(画像)を得る。そして、画像解析装置を用いて、画像中の50個の粒子について面積を求め、それらを単純平均し、Sとする。
本発明の異形シリカ微粒子は、一次粒子の平均積層数が1.5~3.0の範囲であることが好ましく、1.7~2.8であることがより好ましく、2.0~2.6であることがさらに好ましい。
この場合、研磨速度がより高くなるからである。
なお、シリカ微粒子が連結した構造を有する異形シリカ微粒子が、該シリカ微粒子どうしの積層構造を有することにより、研磨砥粒として使用した場合、研磨パッドに砥粒が十分に保持され、研磨時に粒子に加えられる応力が増大し、研磨深さが増大するため、研磨速度が速くなると推察される。
初めに、本発明の異形シリカ微粒子の固形分濃度を0.05重量%に調整し、これを走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて撮影し、50,000倍の写真(画像)を得る。そして、写真(画像)中の任意の1個の一次粒子について、他の一次粒子と重なって投影されているかを確認する。ここで観察側から見て近い側の粒子を上層粒子、遠い側の粒子を下層粒子とすると、例えば図1に示したように上層粒子(1)と下層粒子(1)とが重なっている場合があり、それが十分に重なっている場合、具体的には図1に示す点Aと点Bとの直線距離(図1中の点線の長さ)が上層粒子(1)の粒子径の30%以上である場合、上層粒子(1)と下層粒子(1)とは積層しているものとし、下層粒子(1)の積層数を2とする。なお、一次粒子(図1の下層粒子(1))がさらに別の一次粒子と重なっている場合であっても、積層数は2とする。また、上層粒子(1)の粒子径は、上層粒子(1)の短径部分長さを計測し算出する。
次に、図1の上層粒子(1)のさらに上層側に別の一次粒子が重なっている場合、すなわち、図2に示すように、図1の上層粒子(1)に対する上層粒子(2)が存在し(図2において図1における上層粒子(1)は、上層粒子(2)に対しては下層粒子(2)となる)、それが十分に重なっている場合(図1の場合と同様に、図2に示す点A'と点B'との直線距離(図2中の点線の長さ)が上層粒子(2)の粒子径の30%以上である場合、上層粒子(2)と下層粒子(2)とは積層しているものとし、下層粒子(1)の積層数を3とする。なお、前述の通り、一次粒子(図2の下層粒子(2))がさらに別の一次粒子と重なっている場合であっても、積層数は3とする。
このようにして、SEM画像中の任意の50個の一次粒子(他の一次粒子の上層粒子としてカウントした粒子については除く)について積層数を求め、それらの平均値を算出し、これを一次粒子の平均積層数とする。
本発明の異形シリカ微粒子は、粒子連結率が90%以上であることが好ましく、93%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。
連結していない粒子は、すなわち球形粒子あるいは略球状粒子である傾向があるため、研磨速度が低い可能性がある。それに対して、連結粒子は基板との接触面積が増えるため、研磨速度が向上するからである。従って連結粒子率が高くなると研磨速度が高くなる傾向にある。
本発明の異形シリカ微粒子を含む分散液(本発明の分散液)の固形分濃度を0.05重量%に調整し、これを走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて撮影し、50,000倍の写真(画像)を得る。そして、任意の粒子50個について、目視で一次粒子の連結個数を計測し、一次粒子が4個以上連結している粒子の個数(A)を計測する。そして、Aを計測した全粒子数50個で除することで粒子連結率を算出する。
本発明の異形シリカ微粒子は、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径をa、短径をbとしたときの長径と短径の比([a]/[b])の値が1.0~5.0の範囲である。ここで、この長径と短径の比([a]/[b])の値は1.0~4.5であることが好ましく、1.0~4.0であることがより好ましい。
この場合、粒子の歪な形状により粒子の転動が抑えられ、滑り摩擦になり効率的に研磨が行われるため、研磨速度がより高くなる。
初めに、本発明の異形シリカ微粒子の固形分濃度を0.05重量%に調整し、これを透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて撮影し、50,000倍の写真(画像)を得る。そして、任意の一つの粒子について、これに外接し、長径と短径の比が最大となる長方形(4つの角がいずれも直角)を求め、それらをその一つの粒子の長径と短径とする。
このようにして、画像中の50個の粒子について長径と短径を求め、それらを単純平均して、平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)とする。
本発明の製造方法について説明する。
初めに、比表面積が50~300m2/gであるヒュームドシリカを含む溶液を用意する。
まず、乾燥させた試料(0.2g)を測定セルに入れ、窒素ガス気流中、250℃で40分間脱ガス処理を行い、その上で試料を窒素30体積%とヘリウム70体積%の混合ガス気流中で液体窒素温度に保ち、窒素を試料に平衡吸着させる。次に、上記混合ガスを流しながら試料の温度を徐々に室温まで上昇させ、その間に脱離した窒素の量を検出し、予め作成した検量線により、試料の比表面積を測定する。
このようなBET比表面積測定法(窒素吸着法)は、例えば従来公知の表面積測定装置を用いて行うことができる。
ここで珪酸アルカリは特に限定されず、例えばケイ酸ナトリウム、珪酸カリウムなどが挙げられる。
異形度を保って粒子成長させ易いからである。
本発明の異形シリカ微粒子を含む液体(すなわち、本発明の分散液)は、研磨用砥粒分散液として好ましく用いることができる。本発明の分散液は、磁気ディスク基板を研磨するために好ましく用いることができる。また、SiO2絶縁膜が形成された半導体基板の平坦化用の研磨用砥粒分散液として好適に使用することができる。また研磨性能を制御するためにケミカル成分を添加し、研磨スラリーとしても好適に用いることができる。
本発明の分散液に、被研磨材の種類によっても異なるが、必要に応じて従来公知の研磨促進剤を添加することで研磨スラリーとして、使用することができる。この様な例としては、過酸化水素、過酢酸、過酸化尿素など及びこれらの混合物を挙げることができる。このような過酸化水素等の研磨促進剤を含む研磨剤組成物(例えば、磁気ディスク基板研磨用組成物)を用いると、被研磨材が金属の場合には効果的に研磨速度を向上させることができる。
本発明の分散液の分散性や安定性を向上させるためにカチオン系、アニオン系、ノニオン系、両性系の界面活性剤又は親水性化合物を添加することができる。界面活性剤と親水性化合物は、いずれも被研磨面への接触角を低下させる作用を有し、均一な研磨を促す作用を有する。界面活性剤及び/又は親水性化合物としては、例えば、以下の群から選ばれるものを使用することができる。
本発明の分散液については、被研磨基材に金属が含まれる場合に、金属に不動態層又は溶解抑制層を形成させて、被研磨基材の侵食を抑制する目的で、複素環化合物を含有させても構わない。ここで、「複素環化合物」とはヘテロ原子を1個以上含んだ複素環を有する化合物である。ヘテロ原子とは、炭素原子、又は水素原子以外の原子を意味する。複素環とはヘテロ原子を少なくとも一つ持つ環状化合物を意味する。ヘテロ原子は複素環の環系の構成部分を形成する原子のみを意味し、環系に対して外部に位置していたり、少なくとも一つの非共役単結合により環系から分離していたり、環系のさらなる置換基の一部分であるような原子は意味しない。ヘテロ原子として好ましくは、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、及びホウ素原子などを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。複素環化合物の例として、イミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、テトラゾールなどを用いることができる。より具体的には、1,2,3,4-テトラゾール、5-アミノ-1,2,3,4-テトラゾール、5-メチル-1,2,3,4-テトラゾール、1,2,3-トリアゾール、4-アミノ-1,2,3-トリアゾール、4,5-ジアミノ-1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、3-アミノ1,2,4-トリアゾール、3,5-ジアミノ-1,2,4-トリアゾールなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
上記各添加剤の効果を高めるためなどに必要に応じて酸又は塩基およびそれらの塩類化合物を添加して研磨用組成物のpHを調節することができる。
本発明の分散液のpH値を一定に保持するために、pH緩衝剤を使用しても構わない。pH緩衝剤としては、例えば、リン酸2水素アンモニウム、リン酸水素2アンモニウム、4ホウ酸アンモ四水和水などのリン酸塩及びホウ酸塩又は有機酸塩などを使用することができる。
実施例および比較例において、TEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)を、前述の方法によって測定した。
ここでTEM画像は超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(株式会社日立製作所 社製、商品番号:S-5500)を使用して得た。
また、SEM画像は走査電子顕微鏡(電界放出形走査電子顕微鏡(株式会社日立製作所 社製、商品番号:S-5500))を使用して得た。
また、平均体積(V)を算出するための平均粒子径(B)は、表面積測定装置(BET1点法連続流動法 マウンテック社製 Macsorb HM-1220)を用い、BET比表面積測定法(窒素吸着法)から求めた。これについて、第1表には、「窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)」と示した。
SiO2濃度10質量%に調整した実施例1~4および比較例1~4の研磨用砥粒分散液に、濃度10質量%のリン酸水溶液、濃度10質量%の過酸化水素水溶液及び超純水を加え、SiO2濃度9質量%、pH1.5の研磨スラリーを調製した。
被研磨基板として95mmφのニッケルリンメッキ処理されたハードディスク用アルミ基板を使用した。
上記被研磨基板を、研磨装置(ナノファクター(株)製、NF300)にセットし、研磨パッドとしてベラトリックス社製「N0178」を使用し、基板荷重0.05MPa、工作物回転数50rpm、常磐回転数50rpmで実施例1~4および比較例1~4の各々の研磨スラリーを40g/分の速度で15分間供給して研磨を行った。
そして、研磨前後の被研磨基材の重量変化を求めて研磨速度を計算した。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL50(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、1500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し2.5重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を20.6g加え、pHを10.8に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液2258gを20時間かけて添加した後に、更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
続いて室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
実施例1において、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%に調製して得たシリカ粒子分散液を、イオン交換水にて2.4重量%に希釈した後、450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、1500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し1.9重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を17.0g加え、pHを10.9に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液2617gを20時間かけて添加した後に、更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
続いて室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL90G(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、1500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し2.7重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を23.4g加え、pHを10.9に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液2265gを20時間かけて添加した。添加終了後、冷却しシリカ溶液1000gを分取した。分取したシリカ分散液に珪酸ナトリウム(24wt%)を40.0g加え、4.6重量%の珪酸液5500gを20時間かけて添加した。更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL90G(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、2500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し2.5重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を50.5g加え、pHを11.5に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液7150gを20時間かけて添加した後に、更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
続いて室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL50(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、1500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し2.5重量%の上澄みを1660g得た。
続いて、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のSS-550(日揮触媒化成社製)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、1500rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し2.5重量%の上澄みを1660g得た。
続いて、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL90G(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、6000rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し1.4重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を25.4g加え、pHを11.1に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液3150gを20時間かけて添加した後に、更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
続いて室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
シリカ濃度6重量%のAEROSIL50(日本アエロジル株式会社)懸濁液 450gを遠心管に導入し、遠心処理(日立製 himac CR21G、R12Aローター、750rpm、5min)をしたのち、上澄み415gを分取した。同様の操作を繰り返し3.5重量%の上澄みを1660g得た。
分取した上澄みをイオン交換水でシリカ濃度1重量%に調整し撹拌しながら珪酸ナトリウム(24wt%)を50.0g加え、pHを11.4に調整した。続いて98℃に昇温して90分保持した。次に98℃に保持したまま、4.6重量%の珪酸液6000gを20時間かけて添加した。添加終了後、冷却しシリカ溶液1000gを分取した。分取したシリカ分散液に珪酸ナトリウム(24wt%)を20.0g加え、4.6重量%の珪酸液2000gを20時間かけて添加した。更に98℃に保持したまま1時間撹拌を継続した。
室温まで冷却し、限外モジュールを用いて固形分濃度10質量%のシリカ粒子分散液を調製した。
得られたシリカ粒子についてTEM画像解析による平均長径(D1)、平均短径(D2)、粒子連結個数平均値(N)、窒素吸着法により測定される平均粒子径(B)、TEM画像解析による平均投影面積(S)、平均体積(V)、一次粒子の平均積層数、粒子連結率、TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径(a)および短径(b)ならびに研磨速度を求めた。
結果を表1に示す。
Claims (7)
- シリカ微粒子が連結した構造を有する異形シリカ微粒子が分散媒に分散してなる研磨用砥粒分散液であって、前記異形シリカ微粒子が下記1)~6)の要件を満たす研磨用砥粒分散液。
1)TEM画像解析による平均長径(D1)が80~1000nmの範囲。
2)TEM画像解析による平均短径(D2)が60~300nmの範囲。
3)[D1]/[D2]で表される異形度の値が3.7~5の範囲。
4)粒子連結個数平均値(N)が4~15の範囲。
5)次の式(1)から求められるHの値が60~1000の範囲。
H=1.5×V/S・・・・(1)
V:該異形シリカ微粒子の平均体積。
S:該異形シリカ微粒子の平均投影面積。
H:該異形シリカ微粒子の平均粒子高さ。
ここで平均体積(V)と平均投影面積(S)は以下の方法により求める。
・平均体積(V):窒素吸着法により測定される比表面積から、連結している一次粒子の平均粒子径(B)を求め、連結粒子一粒子あたりの体積を球状粒子として算出。この体積(V)と粒子連結個数平均値(N)とから平均体積(V)を算出(V=4/3πB3N(π:円周率))。
・平均投影面積(S):TEM画像解析から求める。
6)一次粒子の平均積層数が1.5~3.0の範囲。 - 前記異形シリカ微粒子が、さらに下記7)の要件を満たす、請求項1に記載の研磨用砥粒分散液。
7)粒子連結率が90%以上。 - 前記異形シリカ微粒子が、さらに下記8)の要件を満たす、請求項1または2に記載の研磨用砥粒分散液。
8)TEM画像解析による平均最小外接長方形の長径をa、短径をbとしたときの長径と短径の比([a]/[b])の値が1.0~5.0の範囲。 - 請求項1~3のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液を含む、磁気ディスク基板研磨用研磨スラリー。
- 請求項1~3のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液を含む、磁気ディスク基板研磨用組成物。
- 比表面積が50~300m2/gであるヒュームドシリカを含む溶液のpHを8.0~12.0、温度を50~100℃に調整した後、ここへ酸性珪酸液を添加することにより、前記ヒュームドシリカを粒子成長させる工程を含み、請求項1~3のいずれかに記載の研磨用砥粒分散液が得られる、研磨用砥粒分散液の製造方法。
- 前記酸性珪酸液に含まれるシリカdry重量が、前記溶液に含まれるヒュームドシリカのdry重量に対し、2.0~30.0倍の範囲にある、請求項6に記載の研磨用砥粒分散液の製造方法。
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