RU2006110567A - Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования - Google Patents

Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования Download PDF

Info

Publication number
RU2006110567A
RU2006110567A RU2006110567/04A RU2006110567A RU2006110567A RU 2006110567 A RU2006110567 A RU 2006110567A RU 2006110567/04 A RU2006110567/04 A RU 2006110567/04A RU 2006110567 A RU2006110567 A RU 2006110567A RU 2006110567 A RU2006110567 A RU 2006110567A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resins
silicon dioxide
colloidal silicon
group
combinations
Prior art date
Application number
RU2006110567/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2363071C2 (ru
Inventor
Славомир РУБИНШТАЙН (US)
Славомир РУБИНШТАЙН
Сандип ТОНАПИ (US)
Сандип ТОНАПИ
Дэвид Александр ГИБСОН III (US)
Дэвид Александр ГИБСОН III
Джон Роберт КЭМПБЕЛЛ (US)
Джон Роберт КЭМПБЕЛЛ
Анантх ПРАБХАКУМАР (US)
Анантх ПРАБХАКУМАР
Райан Кристофер МИЛЛЗ (US)
Райан Кристофер МИЛЛЗ
Original Assignee
Дженерал Электрик Компани (US)
Дженерал Электрик Компани
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/654,378 external-priority patent/US20050049334A1/en
Application filed by Дженерал Электрик Компани (US), Дженерал Электрик Компани filed Critical Дженерал Электрик Компани (US)
Publication of RU2006110567A publication Critical patent/RU2006110567A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2363071C2 publication Critical patent/RU2363071C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Claims (10)

1. Состав, содержащий, по меньшей мере, одну отверждаемую ароматическую эпоксидную смолу, по меньшей мере, один растворитель, наполнитель, представляющий собой коллоидную двуокись кремния, и, по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы, состоящей из циклоалифатического эпоксидного мономера, алифатического эпоксидного мономера, гидроксиароматических соединений и их комбинаций и смесей, и где в указанном составе смола дополнительно содержит, по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы, состоящей из эпоксидных смол, акрилатных смол, полиимидных смол, фторполимеров, фторированных смол, бензоциклобутеновых смол, бисмалеимидных триазиновых смол, фторированных простых полиаллиловых эфиров, полиамидных смол, полиимидоамидных смол, фенолкрезольных смол, ароматических полиэфирных смол, смол полифениленового эфира и полидиметилсилоксановых смол.
2. Состав по п.1, в котором наполнитель имеет размер частиц приблизительно от 20 нм до 100 нм.
3. Состав по п.1, в котором состав дополнительно содержит добавки, выбранные из группы, состоящей из антипиренов, активаторов адгезии, реакционноспособных органических растворителей, отвердителей и их комбинации.
4. Прозрачный состав заполнителя под кристаллом, содержащий крезольно-новолачную эпоксидную смолу; по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы, состоящей из циклоалифатической эпоксидной смолы, алифатической эпоксидной смолы, гидроксиароматических соединений и их смесей и комбинаций; по меньшей мере, один растворитель; дисперсию функционализированной коллоидной двуокиси кремния, имеющей размер твердых частиц от приблизительно 50 нм до приблизительно 100 нм; и, по меньшей мере, один катализатор.
5. Твердотельное устройство, содержащее
кристалл;
подложку; и
прозрачный отверждаемый состав заполнителя под кристаллом, расположенный между кристаллом и подложкой, содержащий, по меньшей мере, одну ароматическую эпоксидную смолу, дисперсию функционализированной коллоидной двуокиси кремния и, по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы, состоящей из циклоалифатического эпоксидного мономера, алифатического эпоксидного мономера, гидроксиароматических соединений и их комбинаций и смесей; причем указанная функционализированная коллоидная двуокись кремния имеет размер твердых частиц от приблизительно 50 нанометров до 100 нанометров.
6. Твердотельное устройство по п.5, в котором прозрачный состав заполнителя под кристаллом дополнительно содержит добавки, выбранные из группы, состоящей из отвердителей смолы, катализаторов смолы, антипиренов, усилителей адгезии, химически активных органических растворителей, отвердителей и их комбинации.
7. Способ производства прозрачного состава заполнителя под кристаллом, включающий:
функционализирование коллоидной двуокиси кремния, в результате которого формируют стабильную концентрированную дисперсию коллоидной двуокиси кремния, имеющей размер твердых частиц от приблизительно 50 нм до приблизительно 100 нм;
формирование концентрированной дисперсии функционализированной коллоидной двуокиси кремния, содержащей от приблизительно 15 процентов масс. до приблизительно 75 процентов масс. двуокиси кремния;
смешивание растворов ароматической эпоксидной смолы, по меньшей мере, одного компонента, выбранного из группы, состоящей из циклоалифатического эпоксидного мономера, алифатического эпоксидного мономера, гидроксильных ароматических соединений и их смесей и комбинаций; и растворителя с дисперсией функционализированной коллоидной двуокиси кремния;
удаление растворителя для формирования твердой, прозрачной пленки смолы на стадии В; и
отверждение прозрачной пленки смолы на стадии В.
8. Способ по п.7, в котором этап формирования концентрированной дисперсии функционализированной коллоидной двуокиси кремния включает помещение функционализированной коллоидной двуокиси кремния при температуре в диапазоне от приблизительно 20°С до приблизительно 140°С в вакуум в диапазоне в пределах от приблизительно 0,5 торр до приблизительно 250 торр.
9. Способ по п.7, в котором этап смешивания растворов эпоксидных мономеров и растворителя с функционализированной коллоидной дисперсией дополнительно включает добавление в раствор эпоксидного мономера добавки, выбранной из группы, состоящей из отвердителей, химически активных органических растворителей, вулканизирующих агентов и их комбинаций.
10. Способ по п.7, в котором этап отверждения прозрачной пленки смолы на стадии В включает помещение пленки смолы на стадии В при температуре в диапазоне от приблизительно 50°С до приблизительно 250°С в вакуум под давлением в диапазоне от приблизительно 75 мм рт.ст. до приблизительно 250 мм рт.ст.
RU2006110567/04A 2003-09-03 2004-08-03 Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования RU2363071C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/654,378 2003-09-03
US10/654,378 US20050049334A1 (en) 2003-09-03 2003-09-03 Solvent-modified resin system containing filler that has high Tg, transparency and good reliability in wafer level underfill applications
US10/737,943 2003-12-16
US10/737,943 US20050049352A1 (en) 2003-09-03 2003-12-16 Solvent-modified resin compositions and methods of use thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006110567A true RU2006110567A (ru) 2007-10-10
RU2363071C2 RU2363071C2 (ru) 2009-07-27

Family

ID=34279077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006110567/04A RU2363071C2 (ru) 2003-09-03 2004-08-03 Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP1665375B1 (ru)
JP (1) JP2007504334A (ru)
KR (1) KR20060097011A (ru)
AU (1) AU2004271533A1 (ru)
BR (1) BRPI0413780A (ru)
CA (1) CA2537827A1 (ru)
MX (1) MXPA06002594A (ru)
RU (1) RU2363071C2 (ru)
WO (1) WO2005024938A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050266263A1 (en) * 2002-11-22 2005-12-01 General Electric Company Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method
US7022410B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-04 General Electric Company Combinations of resin compositions and methods of use thereof
US20050170188A1 (en) * 2003-09-03 2005-08-04 General Electric Company Resin compositions and methods of use thereof
US7446136B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device
US7405246B2 (en) * 2005-04-05 2008-07-29 Momentive Performance Materials Inc. Cure system, adhesive system, electronic device
US7952212B2 (en) * 2006-06-30 2011-05-31 Intel Corporation Applications of smart polymer composites to integrated circuit packaging
TW200923006A (en) 2007-07-11 2009-06-01 Nissan Chemical Ind Ltd Liquid epoxy resin forming formulation containing inorganic particles
JP5186848B2 (ja) * 2007-09-10 2013-04-24 住友ベークライト株式会社 複合体組成物、及びこれを架橋させてなる成形硬化物
AT507642A1 (de) * 2008-11-17 2010-06-15 Wagner Friedrich Rutschhemmende höhenaufbauende strukturbeschichtung unter verwendung von synthetischer kieselsäure im nanobereich für diverse oberflächen
DE102010028586A1 (de) * 2010-05-05 2011-11-10 Henkel Ag & Co. Kgaa 1K-Epoxidharzzusammensetzung mit verringerter Toxizität
JP2016183225A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 京セラ株式会社 封止用液状透明樹脂組成物、ウエハレベルチップサイズパッケージ、及び半導体装置
JP6664092B2 (ja) * 2015-10-07 2020-03-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、樹脂ワニス、プリプレグ、金属張積層板及びプリント配線板
RU2638169C2 (ru) * 2015-12-01 2017-12-12 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Композиция для получения нанокомпозитов с перестраиваемой полимерной матрицей
JP6489148B2 (ja) * 2017-04-05 2019-03-27 味の素株式会社 樹脂組成物
RU2674202C1 (ru) * 2018-04-27 2018-12-05 Акционерное общество "Институт новых углеродных материалов и технологий" (АО "ИНУМиТ") Гибридное связующее для получения тепло-химически стойкого пресс-материала и пресс-материал на его основе

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154861A (ja) * 1990-10-19 1992-05-27 Toshiba Silicone Co Ltd 樹脂組成物
JPH06136318A (ja) * 1992-09-09 1994-05-17 Seiko Epson Corp コーティング用組成物
JP2000109712A (ja) * 1998-10-08 2000-04-18 Kansai Paint Co Ltd 硬化型樹脂組成物
JP3672009B2 (ja) * 1999-04-14 2005-07-13 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
JP2005527113A (ja) * 2002-05-23 2005-09-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ナノ粒子充填アンダーフィル
US20050048700A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Slawomir Rubinsztajn No-flow underfill material having low coefficient of thermal expansion and good solder ball fluxing performance
US20040102529A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Campbell John Robert Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby
US20040101688A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Slawomir Rubinsztajn Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060097011A (ko) 2006-09-13
EP1665375A1 (en) 2006-06-07
WO2005024938A1 (en) 2005-03-17
BRPI0413780A (pt) 2006-10-31
AU2004271533A1 (en) 2005-03-17
EP1665375B1 (en) 2009-10-21
RU2363071C2 (ru) 2009-07-27
JP2007504334A (ja) 2007-03-01
MXPA06002594A (es) 2006-06-05
CA2537827A1 (en) 2005-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006110567A (ru) Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования
RU2417122C2 (ru) Сорбирующие газ системы из композиционных материалов и способы их изготовления
TWI548674B (zh) A photosensitive resin composition, a hardened asperity pattern, and a semiconductor device
RU2006110520A (ru) Модифицированные растворителем смоляные системы, содержащие наполнитель, которые имеют высокую tg, прозрачность и хорошую надежность в применениях в качестве герметика уровня полупроводниковой пластины
JP5107778B2 (ja) 硬化性樹脂ゾル及びその組成物
US10906009B2 (en) Method for manufacturing gas separation membrane
WO1994029368A1 (en) Energy-curable cyanate/ethylenically unsaturated compositions
KR20140059219A (ko) 액정 배향 처리제, 액정 배향막 및 액정 표시 소자
JP5910245B2 (ja) 塩基発生剤、感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該感光性樹脂組成物を用いたレリーフパターンの製造方法、及び物品
TW201336922A (zh) 苯并□、環氧化合物及酸酐之混合物
EP2832769A1 (en) Polyamide acid and resin composition containing same
Japip et al. The role of fluorinated aryl ether moiety in polyimide-co-etherimide on gas transport properties
CN104945624B (zh) 一种改性热固性树脂及其制备方法
KR100691039B1 (ko) 편광판, 그 제조방법 및 이를 구비한 액정표시장치
TWI758357B (zh) 可撓性元件基板形成用組成物
JP2007011221A (ja) 液晶配向剤
KR101940738B1 (ko) 탄소와 탄소의 다중 결합을 갖는 수지를 포함하는 접착제 조성물
WO2017082088A1 (ja) 液体を被精製物とする精製方法、ケイ素化合物含有液を被精製物とする精製方法、シリル化剤薬液、膜形成用材料又は拡散剤組成物の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス
JP5641250B2 (ja) 熱硬化膜形成用ポリエステル組成物
KR101709378B1 (ko) 가압 조건 하에서 수행되는 폴리이미드 제조방법
KR101645064B1 (ko) 폴리이미드 및 이의 제조방법
CN113583276A (zh) 苯并噁嗪增韧改性制备方法
JPS63182346A (ja) 粒子状ポリイミドの製造方法
JP2010202827A (ja) 自己架橋ポリイミドおよびその製造方法並びに光学装置
CN115826360B (zh) 感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、固化物和电子部件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100804