RU2006106705A - Сверхпроводящий провод и способ его получения - Google Patents
Сверхпроводящий провод и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006106705A RU2006106705A RU2006106705/09A RU2006106705A RU2006106705A RU 2006106705 A RU2006106705 A RU 2006106705A RU 2006106705/09 A RU2006106705/09 A RU 2006106705/09A RU 2006106705 A RU2006106705 A RU 2006106705A RU 2006106705 A RU2006106705 A RU 2006106705A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal substrate
- textured metal
- applying
- superconducting layer
- textured
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Claims (14)
1. Сверхпроводящий провод, содержащий металлическую подложку и расположенный сверху сверхпроводящий слой (3), причем указанная металлическая подложка является текстурированной металлической подложкой (1), выровненной так, чтобы иметь поверхностный слой, простирающийся от ее поверхности на глубину 300 нм, со смещением кристаллографической оси относительно ориентационной оси по большей мере на 25° и шероховатостью Rp_v поверхности по большей мере 150 нм.
2. Сверхпроводящий провод по п.1, в котором указанная текстурированная металлическая подложка (1) расположена под промежуточным слоем (2), а указанный промежуточный слой (2) лежит под указанным сверхпроводящим слоем (3).
3. Способ получения сверхпроводящего провода, включающий в себя стадии выравнивания текстурированной металлической подложки (1) так, чтобы она имела поверхностный слой, простирающийся от ее поверхности на глубину 300 нм, со смещением кристаллографической оси относительно ориентационной оси по большей мере на 25° и шероховатостью Rp_v поверхности по большей мере 150 нм; и нанесения сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку.
4. Способ по п.3, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в восстановительной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
5. Способ по п.3, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в вакуумированной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
6. Способ по п.3, в котором стадию выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) осуществляют с помощью по меньшей мере одного из: зеркально-полирующей прокатки; механохимии; электролитического полирования и химического полирования.
7. Способ по п.6, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в восстановительной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
8. Способ по п.6, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в вакуумированной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
9. Способ по п.3, дополнительно включающий в себя стадии нанесения промежуточного слоя (2) на указанную текстурированную металлическую подложку (1); и нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанный промежуточный слой (2).
10. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в восстановительной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в вакуумированной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
12. Способ по п.9, в котором стадию выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) осуществляют с помощью по меньшей мере одного из: зеркально-полирующей прокатки; механохимии; электролитического полирования и химического полирования.
13. Способ по п.12, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в восстановительной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
14. Способ по п.12, дополнительно включающий в себя стадию термической обработки указанной текстурированной металлической подложки (1) в вакуумированной атмосфере по меньшей мере один раз после стадии выравнивания указанной текстурированной металлической подложки (1) и перед стадией нанесения указанного сверхпроводящего слоя (3) на указанную выровненную текстурированную металлическую подложку (1).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003-287971 | 2003-08-06 | ||
| JP2003287971A JP2005056754A (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 超電導線材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006106705A true RU2006106705A (ru) | 2006-07-27 |
| RU2332737C2 RU2332737C2 (ru) | 2008-08-27 |
Family
ID=34131494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006106705/09A RU2332737C2 (ru) | 2003-08-06 | 2004-07-13 | Сверхпроводящий провод и способ его получения |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060219322A1 (ru) |
| EP (1) | EP1653484B2 (ru) |
| JP (1) | JP2005056754A (ru) |
| KR (1) | KR101016868B1 (ru) |
| CN (1) | CN100477020C (ru) |
| AU (1) | AU2004264090A1 (ru) |
| CA (1) | CA2522078A1 (ru) |
| HK (1) | HK1091942A1 (ru) |
| RU (1) | RU2332737C2 (ru) |
| TW (1) | TW200518115A (ru) |
| WO (1) | WO2005015575A1 (ru) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4411265B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2010-02-10 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JP2007200870A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Ls Cable Ltd | 超伝導ケーブル用基板の製造方法 |
| JP5049530B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-10-17 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 酸化物超伝導体用テープ基材の研磨方法並びに酸化物超伝導体及び酸化物超伝導体用基材 |
| JP5252792B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-07-31 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 酸化物超伝導体用テープ基材の研磨方法並びに酸化物超伝導体及び酸化物超伝導体用基材 |
| CN101221898B (zh) * | 2007-01-08 | 2011-05-11 | 晶能光电（江西）有限公司 | 用于制造具有高质量表面的金属衬底的方法 |
| JP5049611B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-10-17 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 超電導体用テープ基材の製造方法及びテープ基材 |
| US8125243B1 (en) | 2007-03-12 | 2012-02-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Integrity checking of configurable data of programmable device |
| JP2008311222A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-12-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導線およびその製造方法 |
| DE102007024166B4 (de) * | 2007-05-24 | 2011-01-05 | Zenergy Power Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Metallsubstrats und Verwendung dessen für einen Hochtemperatur-Supraleiter |
| JP5113430B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-01-09 | 九州電力株式会社 | 金属めっき複合基材 |
| JP5173318B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-04-03 | 日本ミクロコーティング株式会社 | テープ状基材の研磨方法及び酸化物超伝導体用ベース基材 |
| JP5448425B2 (ja) | 2008-11-21 | 2014-03-19 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導膜成膜用基板、超電導線材及びそれらの製造方法 |
| DE102008058768B4 (de) * | 2008-11-24 | 2011-12-15 | Zenergy Power Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Metallsubstraten für HTS-Schichtanordnungen |
| JP2010163679A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物薄膜の成膜装置および成膜方法 |
| JP5435448B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2014-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 超電導線材用テープ状基材、その製造方法、及び超電導線材 |
| AT509633A1 (de) * | 2010-03-29 | 2011-10-15 | Ctr Carinthian Tech Res Ag | Hochtemperaturbeständige, elektrisch leitfähige dünnschichten |
| EP2381499B1 (en) * | 2010-04-26 | 2014-12-17 | Bruker HTS GmbH | Method for designing AC losses in a tape-type superconductor with anisotropy of critical currents |
| JP2012049086A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜線材、酸化物超電導薄膜線材用金属基板およびその製造方法 |
| JP5767896B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-08-26 | 株式会社フジクラ | 基材接続部を有する酸化物超電導導体とその製造方法 |
| JP5950900B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-07-13 | 古河電気工業株式会社 | 超電導線材用基板、超電導線材用基板の製造方法及び超電導線材 |
| EP2725586B9 (en) * | 2012-06-27 | 2018-09-19 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting wire |
| JP6056877B2 (ja) | 2015-01-07 | 2017-01-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 超伝導線、及び、超伝導コイル |
| WO2017105029A1 (ko) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 한국전기연구원 | 금속기판 결함에 의해 자기 정렬된 초전도 스트립을 구비하는 초전도 선재의 제조 방법 |
| JP6299802B2 (ja) | 2016-04-06 | 2018-03-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 超伝導安定化材、超伝導線及び超伝導コイル |
| CN112469668A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-03-09 | 株式会社藤仓 | 氧化物超导线材及其制造方法 |
| KR20210138858A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-22 | 한국전기연구원 | 유리기판을 이용한 고온초전도선재 및 이의 제조방법 |
| WO2022212565A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Averatek Corporation | Methods and devices for high resistance and low resistance conductor layers mitigating skin depth loss |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2008310C (en) * | 1989-02-04 | 1997-03-04 | Satoshi Takano | Superconducting wire |
| JP2803123B2 (ja) * | 1989-02-04 | 1998-09-24 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線 |
| JPH02248304A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体薄膜の製造方法 |
| JP2877367B2 (ja) * | 1989-09-05 | 1999-03-31 | 株式会社東芝 | 超電導線材 |
| DE4006094A1 (de) * | 1990-02-27 | 1991-08-29 | Kabelmetal Electro Gmbh | Hochtemperatursupraleiter aus einem gewellten metallrohr |
| DE69119022T2 (de) * | 1990-10-08 | 1996-10-31 | Sumitomo Electric Industries | Supraleitende Einrichtung mit ultradünnem Kanal aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP3278461B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2002-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線の製造方法 |
| US5389194A (en) * | 1993-02-05 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing |
| JP2994183B2 (ja) * | 1993-09-21 | 1999-12-27 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導素子およびその作製方法 |
| JP2813287B2 (ja) * | 1993-10-08 | 1998-10-22 | 株式会社東芝 | 超電導線材 |
| US6451450B1 (en) * | 1995-04-10 | 2002-09-17 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing a protective layer over a biaxially textured alloy substrate and composition therefrom |
| JP4033945B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2008-01-16 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導導体およびその製造方法 |
| US6458223B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-10-01 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
| GB2336849B (en) † | 1998-04-27 | 2003-02-26 | Telcon Ltd | Substrate materials |
| US6296701B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom |
| US6827634B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-12-07 | Agency Of Industrial Science And Technology | Ultra fine particle film forming method and apparatus |
| JP4316070B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2009-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 高強度配向多結晶金属基板および酸化物超電導線材 |
| US6455166B1 (en) * | 2000-05-11 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Metallic substrates for high temperature superconductors |
| US6617283B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-09-09 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom |
| US6569745B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-05-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shared bit line cross point memory array |
| JP2003055095A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
| US7129196B2 (en) * | 2003-07-21 | 2006-10-31 | Los Alamos National Security, Llc | Buffer layer for thin film structures |
-
2003
- 2003-08-06 JP JP2003287971A patent/JP2005056754A/ja active Pending
-
2004
- 2004-07-13 CN CNB2004800225796A patent/CN100477020C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-13 WO PCT/JP2004/009951 patent/WO2005015575A1/ja active Application Filing
- 2004-07-13 EP EP04747417.6A patent/EP1653484B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-13 KR KR1020067002410A patent/KR101016868B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-13 RU RU2006106705/09A patent/RU2332737C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-07-13 AU AU2004264090A patent/AU2004264090A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-13 CA CA002522078A patent/CA2522078A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-13 US US10/552,728 patent/US20060219322A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-02 TW TW093123083A patent/TW200518115A/zh unknown
-
2006
- 2006-11-13 HK HK06112483.3A patent/HK1091942A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1653484B1 (en) | 2012-08-08 |
| EP1653484A1 (en) | 2006-05-03 |
| HK1091942A1 (en) | 2007-01-26 |
| US20060219322A1 (en) | 2006-10-05 |
| CA2522078A1 (en) | 2005-02-17 |
| EP1653484A4 (en) | 2009-12-02 |
| KR20060055535A (ko) | 2006-05-23 |
| RU2332737C2 (ru) | 2008-08-27 |
| AU2004264090A1 (en) | 2005-02-17 |
| CN1833295A (zh) | 2006-09-13 |
| TW200518115A (en) | 2005-06-01 |
| JP2005056754A (ja) | 2005-03-03 |
| KR101016868B1 (ko) | 2011-02-22 |
| EP1653484B2 (en) | 2015-12-02 |
| CN100477020C (zh) | 2009-04-08 |
| WO2005015575A1 (ja) | 2005-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006106705A (ru) | Сверхпроводящий провод и способ его получения | |
| MY119277A (en) | Method of manufacturing semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers which includes a gas phase etching process, and semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers manufactured by the method | |
| CA2173354A1 (en) | Diamond-Coated Tools and Process for Making | |
| DE60329576D1 (de) | Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung | |
| US20150024541A1 (en) | Method for fabricating photovoltaic cells with plated contacts | |
| MY127915A (en) | HIGH SURFACE QUALITY GaN WAFER AND METHOD OF FABRICATING SAME | |
| EP1950800A3 (en) | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method | |
| TWI265550B (en) | Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device | |
| US8316745B2 (en) | Semiconductor wafer pre-process annealing and gettering method and system for solar cell formation | |
| EP1363322A3 (en) | GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same | |
| WO2004102620A3 (en) | Method to passivate conductive surfaces during semiconductor processing | |
| EP1176633A3 (en) | Surface treatment solution for polysilicon film and method of treating the surface of polysilicon film using the same | |
| EP1098365A3 (en) | Method for manufacturing semiconductor chips | |
| TW200503076A (en) | III-V compound semiconductor crystal and method for production thereof | |
| EP1396877A3 (en) | Substrate for electronic devices, manufacturing method therefor, and electronic device | |
| FR2926670A1 (fr) | Procede de production d'une tranche liee | |
| EP1551056A3 (en) | Nitride semiconductor thin film having fewer defects and method of growing the same | |
| WO2005013349A3 (en) | Controlled growth of highly uniform, oxide layers, especially ultrathin layers | |
| CN1502135A (zh) | Soi晶片及其制造方法 | |
| TW200607038A (en) | Contacts to semiconductor fin device and method for manufacturing the same | |
| EP1605499A3 (en) | Method for manufacturing a crystalline silicon layer | |
| ATE445034T1 (de) | Integriertes metallabscheidungs- und planarisierungsverfahren und vorrichtung dafür | |
| JP2005311199A5 (ru) | ||
| EP1246252A3 (en) | Electrode for silicon carbide semiconductor, silicon carbide semiconductor element comprising the electrode, and production method therefor | |
| JP2005136311A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130714 |