RU2005129861A - Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления - Google Patents

Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления Download PDF

Info

Publication number
RU2005129861A
RU2005129861A RU2005129861/28A RU2005129861A RU2005129861A RU 2005129861 A RU2005129861 A RU 2005129861A RU 2005129861/28 A RU2005129861/28 A RU 2005129861/28A RU 2005129861 A RU2005129861 A RU 2005129861A RU 2005129861 A RU2005129861 A RU 2005129861A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
interferometric modulator
etch stop
mirror
deactivable
Prior art date
Application number
RU2005129861/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Клэренс ЧУЙ (US)
Клэренс ЧУЙ
Маниш КОТХАРИ (US)
Маниш КОТХАРИ
Брайан Джеймс ГАЛЛИ (US)
Брайан Джеймс ГАЛЛИ
Минг-Хау ТАНГ (US)
Минг-Хау ТАНГ
Original Assignee
АйДиСи, ЭлЭлСи (US)
АйДиСи, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by АйДиСи, ЭлЭлСи (US), АйДиСи, ЭлЭлСи filed Critical АйДиСи, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2005129861A publication Critical patent/RU2005129861A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00777—Preserve existing structures from alteration, e.g. temporary protection during manufacturing
    • B81C1/00785—Avoid chemical alteration, e.g. contamination, oxidation or unwanted etching
    • B81C1/00793—Avoid contamination, e.g. absorption of impurities or oxidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00777—Preserve existing structures from alteration, e.g. temporary protection during manufacturing
    • B81C1/00785—Avoid chemical alteration, e.g. contamination, oxidation or unwanted etching
    • B81C1/00801—Avoid alteration of functional structures by etching, e.g. using a passivation layer or an etch stop layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0135—Controlling etch progression
    • B81C2201/014—Controlling etch progression by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Claims (35)

1. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, содержащий жертвенный слой; металлический зеркальный слой поверх жертвенного слоя; и однородный слой между жертвенным слоем и металлическим зеркальным слоем.
2. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.
3. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит слой остановки травления.
4. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.3, в котором слой остановки травления содержит материал, состоящий из, по меньшей мере, оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.
5. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.3, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, материал, выбранный из германия и молибдена.
6. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, по п.3, в котором жертвенный слой содержит аморфный материал и однородный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из титана и вольфрама.
7. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит слой диффузионного барьера, который замедляет диффузию металла из металлического зеркального слоя в жертвенный слой.
8. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.7, в котором слой диффузионного барьера содержит материал, выбранный из группы, состоящей из оксида кремния, нитрида кремния, титана и вольфрама.
9. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит буферный слой, который, по существу, предотвращает образование соответствующей кристаллографической ориентации металлического зеркального слоя под влиянием кристаллографической ориентации жертвенного слоя.
10. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.9, в котором буферный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния и нитрида кремния.
11. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.2, в котором однородный слой содержит матричный слой, имеющий кристаллическую ориентацию, которая по существу аналогична кристаллографической ориентации металлического зеркального слоя.
12. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.11, в котором матричный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из титана и вольфрама.
13. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором металлический зеркальный слой содержит алюминий.
14. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.13, в котором металлический зеркальный слой содержит, по меньшей мере, один сплав алюминия, выбранный из Al-Si, Al-Cu, Al-Ti и Al-Nd.
15. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором однородный слой имеет толщину в пределах от 100 до 700 Е.
16. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой; осаждение слоя остановки травления на жертвенный слой; осаждение второго зеркального слоя на слой остановки травления; и удаление жертвенного слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.
17. Способ по п.16, дополнительно содержащий селективное удаление части слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.
18. Способ по п.17, в котором селективное удаление части слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем, содержит травление части слоя остановки травления с использованием травителя, который удаляет часть слоя остановки травления со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем второго зеркального слоя.
19. Способ по п.16, в котором удаление жертвенного слоя содержит травление жертвенного слоя с использованием травителя, которое удаляет жертвенный слой со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем слоя остановки травления.
20. Способ по п.19, в котором травитель содержит XeF2.
21. Способ по п.16, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.
22. Способ по п.16, в котором слой остановки травления содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.
23. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой; осаждение слоя остановки травления на жертвенный слой; осаждение второго зеркального слоя на слой остановки травления; и удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, формируя таким образом открытую часть слоя остановки травления и неоткрытую часть слоя остановки травления, причем неоткрытая часть слоя остановки травления лежит под оставшейся частью второго зеркального слоя.
24. Способ по п.23, дополнительно содержащий удаление открытой части слоя остановки травления.
25. Способ по п.24, дополнительно содержащий селективное удаление жертвенного слоя, чтобы открыть часть слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.
26. Способ по п.25, дополнительно содержащий селективное удаление слоя остановки травления, лежащего под вторым зеркальным слоем.
27. Интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.26.
28. Способ по п.23, в котором удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть слой остановки травления, содержит травление второго зеркального слоя с использованием травителя, который удаляет второй зеркальный слой со скоростью, которая, по меньшей мере, примерно в 10 раз превышает скорость удаления травителем слоя остановки травления.
29. Способ по п.28, в котором травитель содержит водосодержащую кислоту.
30. Способ по п.23, в котором жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена.
31. Способ по п.30, в котором слой остановки травления содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама.
32. Недеактивируемый интерферометрический модулятор, изготовленный способом по п.23.
33. Способ изготовления интерферометрического модулятора, содержащий осаждение жертвенного слоя на первый зеркальный слой, причем жертвенный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из аморфного кремния, германия и молибдена; осаждение тонкого однородного слоя на жертвенный слой, причем тонкий однородный слой имеет толщину в пределах от 100 до 700 Е, при этом тонкий однородный слой содержит, по меньшей мере, один материал, выбранный из оксида кремния, аморфного кремния, нитрида кремния, германия, титана и вольфрама; осаждение второго зеркального слоя на тонкий однородный слой, причем второй зеркальный слой содержит, по меньшей мере, один металл, выбранный из Al-Si, Al-Cu, Al-Ti и Al-Nd; удаление части второго зеркального слоя, чтобы открыть тонкий однородный слой, таким образом, формируя открытую часть тонкого однородного слоя и неоткрытую часть тонкого однородного слоя, причем неоткрытая часть тонкого однородного слоя лежит под оставшейся частью второго зеркального слоя; и удаление жертвенного слоя, чтобы открыть ранее неоткрытую часть тонкого однородного слоя, лежащего под оставшейся частью второго зеркального слоя.
34. Интерферометрический модулятор, сформированный по п.16.
35. Недеактивируемый интерферометрический модулятор по п.1, в котором указанный однородный слой содержит тонкий слой, относящийся к, по меньшей мере, одному из жертвенного слоя и металлического зеркального слоя.
RU2005129861/28A 2004-09-27 2005-09-26 Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления RU2005129861A (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61341004P 2004-09-27 2004-09-27
US60/613,410 2004-09-27
US11/090,773 2005-03-25
US11/090,773 US20060066932A1 (en) 2004-09-27 2005-03-25 Method of selective etching using etch stop layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2005129861A true RU2005129861A (ru) 2007-04-10

Family

ID=35462575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005129861/28A RU2005129861A (ru) 2004-09-27 2005-09-26 Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления

Country Status (11)

Country Link
US (1) US20060066932A1 (ru)
EP (1) EP1640768A1 (ru)
JP (1) JP2006091852A (ru)
KR (1) KR20060092871A (ru)
AU (1) AU2005203258A1 (ru)
BR (1) BRPI0503833A (ru)
CA (1) CA2514349A1 (ru)
MX (1) MXPA05009864A (ru)
RU (1) RU2005129861A (ru)
SG (1) SG121046A1 (ru)
TW (1) TW200626481A (ru)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
EP2246726B1 (en) * 2004-07-29 2013-04-03 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7161730B2 (en) * 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
JP2009503565A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム，インコーポレイテッド Ｍｅｍｓデバイスのための支持構造、およびその方法
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2009509786A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Ｍｅｍｓ装置及びｍｅｍｓ装置における相互接続
US7630114B2 (en) 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
JP4929753B2 (ja) * 2006-02-22 2012-05-09 オムロン株式会社 薄膜構造体の形成方法並びに薄膜構造体、振動センサ、圧力センサ及び加速度センサ
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US20070228156A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Household Corporation Interoperability facilitator
US7643203B2 (en) * 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7711239B2 (en) * 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US8040587B2 (en) * 2006-05-17 2011-10-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Desiccant in a MEMS device
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7545552B2 (en) * 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7733552B2 (en) * 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
KR20100016195A (ko) * 2007-04-04 2010-02-12 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 희생층의 계면 변형에 의한 해제 에칭 공격의 제거방법
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7625825B2 (en) * 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US7569488B2 (en) * 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US8068268B2 (en) * 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
WO2009041951A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optimization of desiccant usage in a mems package
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US7851239B2 (en) 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
US8410690B2 (en) 2009-02-13 2013-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with desiccant
KR101614903B1 (ko) * 2009-02-25 2016-04-25 삼성디스플레이 주식회사 간섭 광 변조기 및 이를 채용한 디스플레이
US7864403B2 (en) * 2009-03-27 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity
JP5433509B2 (ja) * 2010-06-23 2014-03-05 株式会社エスケーエレクトロニクス 光干渉変調方式による表示装置の製造方法
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US10029908B1 (en) * 2016-12-30 2018-07-24 Texas Instruments Incorporated Dielectric cladding of microelectromechanical systems (MEMS) elements for improved reliability
DE102017206766A1 (de) * 2017-04-21 2018-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mems-wandler zum interagieren mit einem volumenstrom eines fluids und verfahren zum herstellen desselben

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4571603A (en) * 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5835255A (en) * 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
US4900136A (en) * 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5192946A (en) * 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US4900395A (en) * 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5192395A (en) * 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5179274A (en) * 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5293272A (en) * 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6199874B1 (en) * 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US5884083A (en) * 1996-09-20 1999-03-16 Royce; Robert Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system
DE69806846T2 (de) * 1997-05-08 2002-12-12 Texas Instruments Inc Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
EP1025711A1 (en) * 1997-10-31 2000-08-09 Daewoo Electronics Co., Ltd Method for manufacturing thin film actuated mirror array in an optical projection system
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6438149B1 (en) * 1998-06-26 2002-08-20 Coretek, Inc. Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter
EP1053574A4 (en) * 1997-12-29 2002-11-06 Coretek Inc FABRY-PEROT FILTER AND LASER WITH SURFACE EMISSION AND VERTICAL, CONFOCAL CAVITY, TUNABLE BY MICROELECTROMECHANICS
US6016693A (en) * 1998-02-09 2000-01-25 The Regents Of The University Of California Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6391675B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-21 Raytheon Company Method and apparatus for switching high frequency signals
US6194323B1 (en) * 1998-12-16 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6537427B1 (en) * 1999-02-04 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Deposition of smooth aluminum films
JP3592136B2 (ja) * 1999-06-04 2004-11-24 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6359673B1 (en) * 1999-06-21 2002-03-19 Eastman Kodak Company Sheet having a layer with different light modulating materials
US6862029B1 (en) * 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) * 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6407851B1 (en) * 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
US6531945B1 (en) * 2000-03-10 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductor with a magnetic core
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6795605B1 (en) * 2000-08-01 2004-09-21 Cheetah Omni, Llc Micromechanical optical switch
US6867897B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-15 Reflectivity, Inc Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays
US7083997B2 (en) * 2000-08-03 2006-08-01 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical MEMS process
US6522801B1 (en) * 2000-10-10 2003-02-18 Agere Systems Inc. Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor
US7268081B2 (en) * 2000-11-02 2007-09-11 California Institute Of Technology Wafer-level transfer of membranes with gas-phase etching and wet etching methods
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
JP3858606B2 (ja) * 2001-02-14 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルタの製造方法、干渉フィルタ、波長可変干渉フィルタの製造方法及び波長可変干渉フィルタ
US6808276B2 (en) * 2001-05-08 2004-10-26 Axsun Technologies, Inc. Suspended high reflectivity coating on release structure and fabrication process therefor
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6862022B2 (en) * 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US7057251B2 (en) * 2001-07-20 2006-06-06 Reflectivity, Inc MEMS device made of transition metal-dielectric oxide materials
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6870581B2 (en) * 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
JP2003136499A (ja) * 2001-11-05 2003-05-14 Seiko Epson Corp マイクロマシンおよびその製造方法
US7027200B2 (en) * 2002-03-22 2006-04-11 Reflectivity, Inc Etching method used in fabrications of microstructures
US7029829B2 (en) * 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US7071289B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-04 The University Of Connecticut Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same
US20040058531A1 (en) * 2002-08-08 2004-03-25 United Microelectronics Corp. Method for preventing metal extrusion in a semiconductor structure.
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW200413810A (en) * 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
WO2004072576A1 (ja) * 2003-02-17 2004-08-26 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 表面形状認識用センサ及びその製造方法
US6987432B2 (en) * 2003-04-16 2006-01-17 Robert Bosch Gmbh Temperature compensation for silicon MEMS resonator
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
US7087816B2 (en) * 2003-07-18 2006-08-08 D&Pl Technology Holding Company, Llc Cotton cultivar 00X01BR
US7190380B2 (en) * 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
US7183215B2 (en) * 2004-07-21 2007-02-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Etching with electrostatically attracted ions

Also Published As

Publication number Publication date
TW200626481A (en) 2006-08-01
KR20060092871A (ko) 2006-08-23
US20060066932A1 (en) 2006-03-30
BRPI0503833A (pt) 2006-05-09
CA2514349A1 (en) 2006-03-27
AU2005203258A1 (en) 2006-04-13
JP2006091852A (ja) 2006-04-06
SG121046A1 (en) 2006-04-26
MXPA05009864A (es) 2006-03-29
EP1640768A1 (en) 2006-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005129861A (ru) Способ селективного травления с использованием слоев остановки травления
US6884704B2 (en) Ohmic metal contact and channel protection in GaN devices using an encapsulation layer
WO2019210618A1 (zh) 掩膜版及其制作方法
KR101046064B1 (ko) 박막소자 제조방법
TW200414412A (en) Soi polysilicon trench refill perimeter oxide anchor scheme
JP2008508704A5 (ru)
JP2012504875A5 (ru)
JP2006013484A5 (ru)
JP2006237371A5 (ru)
US20040119125A1 (en) Semiconductor structure and method of manufacture
JP3456954B2 (ja) ガリウム−窒素からなるエピタキシャル半導体層の成長方法
JPH07221181A (ja) 半導体素子の金属配線の形成方法
EP0413645B1 (fr) Procédé de fabrication de transistor MOS mésa de type silicium sur isolant
US7805820B2 (en) Method of producing a thin-film resonator
CN104003349B (zh) 利用soi片制备mems器件的表面牺牲层工艺方法
TW200524077A (en) Method for preventing an increase in contact hole width during contact formation
JPH0284719A (ja) 半導体装置の製造方法
US8853797B2 (en) MEMS devices and fabrication thereof
JP2004111828A (ja) 転写マスク及び露光方法
JPH065509A (ja) 化合物半導体層の形成方法
EP1818973A1 (fr) Formation d'une portion de couche semiconductrice monocristalline séparée d'un substrat
JP2000332289A5 (ru)
CN112259607A (zh) 氮化镓半导体器件及其制备方法
JPS61135112A (ja) 半導体装置の製造方法
CN115428159A (zh) 相变存储器的制备方法和相变存储器

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20100118