RU2004126704A - Нестехиометрическая керамическая мишень из niox - Google Patents

Нестехиометрическая керамическая мишень из niox Download PDF

Info

Publication number
RU2004126704A
RU2004126704A RU2004126704/02A RU2004126704A RU2004126704A RU 2004126704 A RU2004126704 A RU 2004126704A RU 2004126704/02 A RU2004126704/02 A RU 2004126704/02A RU 2004126704 A RU2004126704 A RU 2004126704A RU 2004126704 A RU2004126704 A RU 2004126704A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target according
impurity element
electrochemically active
active layer
elements
Prior art date
Application number
RU2004126704/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2310012C2 (ru
Inventor
Ксавье ФАНТОН (FR)
Ксавье Фантон
Жан-Кристоф ЖИРОН (DE)
Жан-Кристоф Жирон
Original Assignee
Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr)
Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr), Сэн-Гобэн Гласс Франс filed Critical Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr)
Publication of RU2004126704A publication Critical patent/RU2004126704A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2310012C2 publication Critical patent/RU2310012C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/085—Oxides of iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
    • G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
    • G02F1/1524—Transition metal compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • C03C2217/948—Layers comprising indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/405—Iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/652—Reduction treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00—Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Claims (22)

1. В основном керамическая мишень для распылительной установки, главным образом для магнетронного распыления, преимущественно состоящая из оксида никеля, отличающаяся тем, что оксид никеля является дефицитным по кислороду по сравнению со стехиометрическим составом.
2. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что стехиометрический дефицит создается за счет состава однородной смеси, образованной порошками оксида никеля и порошками никеля.
3. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что величина х строго меньше, чем 1.
4. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что мишень имеет электрическое сопротивление меньше, чем 10 Ом·см, предпочтительно меньше, чем 1 Ом·см и, еще более предпочтительно меньше, чем 0,1 Ом·см.
5. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что оксид никеля легируют примесным элементом.
6. Мишень по п.5, отличающаяся тем, что атомный процент примесного элемента, рассчитанный по отношению к никелю, составляет менее чем 50% предпочтительно менее чем 30% и, еще более предпочтительно менее чем 20%.
7. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что примесный элемент представляет собой элемент, оксид которого является электроактивным веществом при анодном окрашивании.
8. Мишень по п.7, отличающаяся тем, что примесный элемент выбирают из Co, Ir, Ru и Rh.
9. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что примесный элемент представляет собой элемент, оксид которого является электроактивным веществом при катодном окрашивании.
10. Мишень по п.9, отличающаяся тем, что примесный элемент выбирают из Mo, W, Re, Sn, In и Bi или смеси указанных элементов.
11. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что примесный элемент выбирают из элементов, относящихся к первой группе Периодической таблицы элементов.
12. Мишень по п.11, отличающаяся тем, что примесный элемент выбирают из H, Li, K и Na.
13. Мишень по п.1 или 2, отличающаяся тем, что примесный элемент представляет собой металл, или щелочную землю, или полупроводник, гидратированный или гидроксилированный оксид которого обладает протонной проводимостью.
14. Мишень по п.13, отличающаяся тем, что примесный элемент выбирают из Ta, Zn, Zr, Al, Si, Sb, U, Be, Mg, Ca, V и Y или смеси указанных элементов.
15. Способ получения тонкого слоя на основе оксида никеля путем магнетронного распыления, отличающийся тем, что в нем используют керамическую мишень по любому из пп.1-14.
16. Применение способа по п.15 для получения электрохимического вещества, обладающего способностью к анодному окрашиванию, в виде тонкого слоя на основе оксида никеля.
17. Электрохимическое устройство, включающее, по меньшей мере, одну подложку, на которой сформирован блок функциональных слоев, включающих, по меньшей мере, один электрохимически активный слой, способный обратимо и одновременно включать в себя ионы типа H+, Li+ или OHЇ и электроны, отличающееся тем, что указанный электрохимически активный слой основывается на оксиде никеля, полученного по способу по п.15, и/или из мишени по любому из пп.1-14.
18. Электрохимическое устройство, включающее, по меньшей мере, одну подложку, на которой сформирован блок функциональных слоев, включающих, по меньшей мере, один электрохимически активный слой, способный обратимо и одновременно включать в себя ионы типа H+, Li+ или OHЇ и электроны, отличающееся тем, что указанный электрохимически активный слой основывается на оксиде никеля, при этом указанный слой легирован примесным элементом, представляющим собой элемент, оксид которого является электроактивным веществом при анодном окрашивании, в частности, выбранным из Co, Ir, Ru и Rh или смеси указанных элементов, при этом указанный слой получают из мишени по любому из пп.1-8.
19. Электрохимическое устройство, включающее, по меньшей мере, одну подложку, на которой сформирован блок функциональных слоев, включающих, по меньшей мере, один электрохимически активный слой, способный обратимо и одновременно включать в себя ионы типа H+, Li+ или OHЇ и электроны, отличающееся тем, что указанный электрохимически активный слой основывается на оксиде никеля, при этом указанный слой легирован примесным элементом, представляющим собой элемент, оксид которого является электроактивным веществом при анодном окрашивании, в частности, выбранным из Mo, W, Re, Sn, In и Bi или смеси указанных элементов, при этом указанный слой получают из мишени по любому из пп.1-6 и 9-10.
20. Электрохимическое устройство, включающее, по меньшей мере, одну подложку, на которой сформирован блок функциональных слоев, включающих, по меньшей мере, один электрохимически активный слой, способный обратимо и одновременно включать в себя ионы типа H+, Li+ или OHЇ и электроны, отличающееся тем, что указанный электрохимически активный слой основывается на оксиде никеля, при этом указанный слой легирован примесным элементом, выбранным из элементов, относящихся к первой группе Периодической таблицы элементов, в частности, выбранным из H, Li, K и Na или смеси указанных элементов, при этом указанный слой получают из мишени по любому из пп.1-6 и 11-12.
21. Электрохимическое устройство, включающее, по меньшей мере, одну подложку, на которой сформирован блок функциональных слоев, включающих, по меньшей мере, один электрохимически активный слой, способный обратимо и одновременно включать в себя ионы типа H+, Li+ или OHЇ и электроны, отличающееся тем, что указанный электрохимически активный слой представляет собой металл, или щелочную землю, или полупроводник, гидратированный или гидроксилированный оксид которого обладает протонной проводимостью, в частности выбранный из Ta, Zn, Zr, Al, Si, Sb, U, Be, Mg, Ca, V и Y или смеси указанных элементов, при этом указанный слой получают из мишени по любому из пп.1-6 и 13-14.
22. Применение электрохимического устройства по любому из пп.17-21 для получения компонентов электрохромного остекления, в частности, для зданий или средств передвижения, таких как поезд, самолет или автомобиль, для получения компонентов экранов дисплеев или компонентов электрохромных зеркал.
RU2004126704/02A 2002-02-06 2003-02-04 НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКАЯ КЕРАМИЧЕСКАЯ МИШЕНЬ ИЗ NiOx RU2310012C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0201528 2002-02-06
FR0201528A FR2835534B1 (fr) 2002-02-06 2002-02-06 CIBLE CERAMIQUE NiOx NON STOECHIOMETRIQUE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004126704A true RU2004126704A (ru) 2005-06-10
RU2310012C2 RU2310012C2 (ru) 2007-11-10

Family

ID=27620003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004126704/02A RU2310012C2 (ru) 2002-02-06 2003-02-04 НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКАЯ КЕРАМИЧЕСКАЯ МИШЕНЬ ИЗ NiOx

Country Status (13)

Country Link
US (1) US8932436B2 (ru)
EP (1) EP1472386B1 (ru)
JP (1) JP4464139B2 (ru)
KR (1) KR100971961B1 (ru)
CN (2) CN1628185B (ru)
AT (1) ATE392493T1 (ru)
AU (1) AU2003222879A1 (ru)
DE (1) DE60320375T2 (ru)
ES (1) ES2305456T3 (ru)
FR (1) FR2835534B1 (ru)
PL (2) PL208859B1 (ru)
RU (1) RU2310012C2 (ru)
WO (1) WO2003066928A1 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7115927B2 (en) 2003-02-24 2006-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices
KR20080071973A (ko) * 2005-10-13 2008-08-05 엔.브이. 베카에르트 에스.에이. 스퍼터링에 의한 코팅 증착법
DE102009018874A1 (de) * 2009-04-24 2010-11-04 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co.Kg Nickelhaltiges Elektrodenmaterial
KR101731847B1 (ko) * 2011-07-01 2017-05-08 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 스퍼터링용 MgO 타겟
DE102011116062A1 (de) * 2011-10-18 2013-04-18 Sintertechnik Gmbh Keramisches Erzeugnis zur Verwendung als Target
EP2584062A1 (de) * 2011-10-19 2013-04-24 Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG Sputtertarget und seine Verwendung
JP5831975B2 (ja) * 2011-11-18 2015-12-16 学校法人東京理科大学 光発電可能な調光素子およびその製造方法
US8779407B2 (en) * 2012-02-07 2014-07-15 Intermolecular, Inc. Multifunctional electrode
US8569104B2 (en) * 2012-02-07 2013-10-29 Intermolecular, Inc. Transition metal oxide bilayers
JP5996227B2 (ja) * 2012-03-26 2016-09-21 学校法人 龍谷大学 酸化物膜及びその製造方法
WO2015005735A1 (ko) * 2013-07-12 2015-01-15 (주)펨빅스 금속산화물 막 구조물
KR101350294B1 (ko) 2013-07-12 2014-01-13 주식회사 펨빅스 균열이 없는 금속산화물 막 구조물
JP6365422B2 (ja) * 2015-06-04 2018-08-01 住友金属鉱山株式会社 導電性基板の製造方法
CN108793993B (zh) * 2018-06-01 2021-04-23 中国科学院深圳先进技术研究院 一种单相陶瓷靶材及其制备方法和用途
CN112481592A (zh) * 2020-11-13 2021-03-12 北京航大微纳科技有限公司 一种氧化镍基陶瓷靶材材料的热压成型制备方法
CN118043493A (zh) * 2021-12-01 2024-05-14 宁德时代新能源科技股份有限公司 一种掺杂氧化镍靶材及其制备方法和应用

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860507A (en) * 1972-11-29 1975-01-14 Rca Corp Rf sputtering apparatus and method
JPS5348594A (en) * 1976-10-14 1978-05-02 Nissan Motor Oxygen sensor
JPS61171034U (ru) * 1985-04-13 1986-10-23
JPH06104887B2 (ja) * 1986-06-16 1994-12-21 住友金属工業株式会社 セラミツク溶射材料および溶射方法
US4961979A (en) * 1988-04-05 1990-10-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical recording medium
JP2656296B2 (ja) * 1988-04-05 1997-09-24 株式会社東芝 情報記録媒体及びその製造方法
FR2680799B1 (fr) * 1991-09-03 1993-10-29 Elf Aquitaine Ste Nale Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element.
US5413667A (en) * 1992-11-04 1995-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyroelectric infrared detector fabricating method
US5708523A (en) * 1993-11-10 1998-01-13 Nippon Oil Co. Ltd. Counterelectrode for smart window and smart window
JPH07166340A (ja) * 1993-12-15 1995-06-27 Ulvac Japan Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JPH09152634A (ja) * 1995-03-03 1997-06-10 Canon Inc エレクトロクロミック素子及びその製造方法
WO1997008359A1 (fr) * 1995-08-23 1997-03-06 Asahi Glass Company Ltd. Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente
US5981092A (en) * 1996-03-25 1999-11-09 Tdk Corporation Organic El device
FR2746934B1 (fr) * 1996-03-27 1998-05-07 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique
ES2215228T3 (es) * 1996-09-05 2004-10-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositivo optico de conmutacion.
FR2793888B1 (fr) * 1999-05-20 2002-06-28 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique
US6521098B1 (en) * 2000-08-31 2003-02-18 International Business Machines Corporation Fabrication method for spin valve sensor with insulating and conducting seed layers
US20040107019A1 (en) * 2002-07-18 2004-06-03 Shyam Keshavmurthy Automated rapid prototyping combining additive and subtractive processes

Also Published As

Publication number Publication date
EP1472386A1 (fr) 2004-11-03
US20050115828A1 (en) 2005-06-02
FR2835534B1 (fr) 2004-12-24
KR20040088045A (ko) 2004-10-15
EP1472386B1 (fr) 2008-04-16
DE60320375D1 (de) 2008-05-29
PL370484A1 (en) 2005-05-30
PL208859B1 (pl) 2011-06-30
CN1628185B (zh) 2013-09-18
ATE392493T1 (de) 2008-05-15
FR2835534A1 (fr) 2003-08-08
DE60320375T2 (de) 2009-06-04
AU2003222879A1 (en) 2003-09-02
JP4464139B2 (ja) 2010-05-19
PL208506B1 (pl) 2011-05-31
CN1628185A (zh) 2005-06-15
US8932436B2 (en) 2015-01-13
KR100971961B1 (ko) 2010-07-23
RU2310012C2 (ru) 2007-11-10
JP2005525463A (ja) 2005-08-25
ES2305456T3 (es) 2008-11-01
WO2003066928A1 (fr) 2003-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004126704A (ru) Нестехиометрическая керамическая мишень из niox
Li et al. Electrode properties of Sr doped La2CuO4 as new cathode material for intermediate-temperature SOFCs
EP1774061B1 (fr) Procede et dispositif d'electrolyse de l'eau comprenant un materiau oxyde d'electrode particulier
JP5133695B2 (ja) 燃料電池構成部品
RU2404488C2 (ru) Многослойное покрытие
Zoolfakar et al. Engineering electrodeposited ZnO films and their memristive switching performance
JP2005525463A5 (ru)
JP2016504191A (ja) 錫およびチタンの混合金属酸化物材料
JP2014509440A5 (ru)
Park et al. Pt–WOx electrode structure for thin-film fuel cells
US20100108951A1 (en) Material for transparent conductive film
Ebe et al. Electrodeposition of Sb, Bi, Te, and their alloys in AlCl3–NaCl–KCl molten salt
Ma et al. A mechanistic study of electrodeposition of bismuth telluride on stainless steel substrates
JP2003500534A5 (ru)
KR20150065739A (ko) 실런트용 유리 조성물
He et al. Positive effect of incorporating Er0. 4Bi1. 6O3 on the performance and stability of La2NiO4+ δ cathode
Mazo et al. Thermal expansion behavior and high-temperature electrical conductivity of A2− xAx′ Cu1− yCoyO4±δ (A= La, Pr; A′= Pr, Sr) oxides with the K2NiF4-type structure
JP5005854B2 (ja) 電気化学デバイス
JPWO2018066483A1 (ja) 半導体素子
TW201932627A (zh) 氧穿透元件及濺鍍靶材
JP2022514547A (ja) 電気化学反応用アンチモン酸塩電気触媒
JP2006249554A (ja) スパッタリングターゲット及びその調製方法ならびにスパッタ方法
WO2021014706A1 (ja) 薄膜の製造方法及び積層体
Lee et al. Thin film oxy-apatite anodes for solid oxide fuel cells
Naylor et al. Electrodeposition of thermoelectric materials

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160205