RU2004115754A - Способы и системы для обработки подложки с использованием динамических жидких менисков - Google Patents

Способы и системы для обработки подложки с использованием динамических жидких менисков Download PDF

Info

Publication number
RU2004115754A
RU2004115754A RU2004115754/28A RU2004115754A RU2004115754A RU 2004115754 A RU2004115754 A RU 2004115754A RU 2004115754/28 A RU2004115754/28 A RU 2004115754/28A RU 2004115754 A RU2004115754 A RU 2004115754A RU 2004115754 A RU2004115754 A RU 2004115754A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
meniscus
substrate
edge
head
moving
Prior art date
Application number
RU2004115754/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2328794C2 (ru
Inventor
Карл А. ВУДС (US)
Карл А. ВУДС
Джеймс П. ГАРСИА (US)
Джеймс П. ГАРСИА
Джон М. ДЕ-ЛАРИОС (US)
Джон М. ДЕ-ЛАРИОС
Майкл РАВКИН (US)
Майкл РАВКИН
Фред С. РЕДЕКЕР (US)
Фред С. РЕДЕКЕР
Original Assignee
Лам Рисерч Корпорейшн (Us)
Лам Рисерч Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/261,839 external-priority patent/US7234477B2/en
Priority claimed from US10/330,843 external-priority patent/US7198055B2/en
Priority claimed from US10/404,692 external-priority patent/US6988327B2/en
Application filed by Лам Рисерч Корпорейшн (Us), Лам Рисерч Корпорейшн filed Critical Лам Рисерч Корпорейшн (Us)
Publication of RU2004115754A publication Critical patent/RU2004115754A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2328794C2 publication Critical patent/RU2328794C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Claims (20)

1. Способ перемещения мениска с первой поверхности на вторую поверхность, заключающийся в том, что формируют мениск между первой поверхностью и расположенной в непосредственной близости от нее головкой и перемещают мениск с первой поверхности на расположенную рядом параллельную ей вторую поверхность.
2. Способ по п.1, в котором при перемещении мениска с первой поверхности на вторую поверхность первую часть мениска удерживают между первой частью головки и первой поверхностью, а вторую часть мениска удерживают между второй частью головки и второй поверхностью.
3. Способ по п.1, в котором мениск перемещают со второй поверхности на первую поверхность.
4. Система для перемещения мениска с первой поверхности на вторую поверхность, содержащая первую поверхность, вторую поверхность, которая расположена по существу в одной плоскости с первой поверхностью, и подвижную головку, которая имеет возможность перемещения в первом направлении по существу перпендикулярно первой и второй поверхностям и возможность перемещения во втором направлении по существу параллельно первой и второй поверхностям.
5. Система по п.4, в которой имеется расположенная вокруг подложки у ее края пластинка.
6. Способ оптимизации градиента поверхностного натяжения мениска, заключающийся в том, что выбирают первый материал для изготовления первой поверхности, выбирают второй материал для изготовления второй поверхности, отличающийся по своим гидрофильным свойствам от первого материала, и формируют мениск между первой и второй поверхностями.
7. Система с оптимизированным градиентом поверхностного натяжения, содержащая первую поверхность, изготовленную из первого материала, и расположенную по существу параллельно первой поверхности рядом с ней вторую поверхность, изготовленную из второго материала, который по своим гидрофильным свойствам отличается от первого материала.
8. Способ обработки края подложки, заключающийся в том, что формируют мениск в вогнутой части расположенной в непосредственной близости от края подложки головки, внутрь вогнутой части которой может входить по меньшей мере часть края подложки.
9. Способ по п.8, в котором в качестве опоры подложки используют расположенный сбоку от нее ролик с расположенной в непосредственной близости от края подложки головкой, и перемещают формируемый головкой мениск на край подложки.
10. Способ по п.9, в котором мениск перемещают с края подложки.
11. Способ по п.8, в котором при перемещении мениска увеличивают его размеры.
12. Способ по п.8, в котором край подложки имеет форму окружности, по меньшей мере часть которой входит внутрь мениска.
13. Способ по п.8, в котором мениск перемещают вдоль края подложки.
14. Способ по п.8, в котором при перемещении мениска на край подложки передний край мениска разделяется на две части, первая из которых удерживается между верхней поверхностью подложки и соответствующей верхней частью внутренней поверхности головки, а вторая удерживается между нижней поверхностью подложки и соответствующей нижней частью внутренней поверхности головки.
15. Способ по п.14, в котором при перемещении мениска с края подложки первая и вторая части переднего края мениска смыкаются и снова образуют передний край мениска.
16. Способ по п.14, в котором край подложки имеет форму окружности, при этом мениск формируют на дуге вокруг по меньшей мере части окружности края подложки.
17. Система обработки края подложки, содержащая расположенный сбоку от подложки ролик, первую расположенную на ролике в непосредственной близости от края подложки формирующую мениск головку, которая имеет вогнутый участок, внутрь которого может входить край подложки, и множество открытых на вогнутой части головки каналов, по меньшей мере через один из которых инжектируют жидкость, по меньшей мере один из них используют для создания разрежения и по меньшей мере еще один из них используют для регулирования поверхностного натяжения мениска.
18. Система по п.17, в которой край подложки имеет форму окружности, а первая головка формирует мениск, который охватывает по меньшей мере часть окружности края подложки.
19. Система для обработки края подложки, содержащая головку, которая имеет вогнутый участок, внутрь которого может входить край подложки, и множество открытых на вогнутой части головки каналов, по меньшей мере через один из которых инжектируют жидкость, по меньшей мере два или несколько из них используют для создания разрежения и по меньшей мере еще один из них используют для регулирования поверхностного натяжения мениска.
20. Система по п.19, в которой край подложки имеет форму окружности, а головка имеет форму дуги, расположенной вокруг по меньшей мере части окружности края подложки.
RU2004115754/28A 2002-09-30 2003-09-29 Способ (варианты) и система (варианты) для обработки подложек полупроводниковых приборов RU2328794C2 (ru)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/261,839 2002-09-30
US10/261,839 US7234477B2 (en) 2000-06-30 2002-09-30 Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US10/330,843 2002-12-24
US10/330,897 2002-12-24
US10/330,843 US7198055B2 (en) 2002-09-30 2002-12-24 Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US10/330,897 US7240679B2 (en) 2002-09-30 2002-12-24 System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US10/404,692 US6988327B2 (en) 2002-09-30 2003-03-31 Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US10/404,692 2003-03-31
US10/603,427 US7000622B2 (en) 2002-09-30 2003-06-24 Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US10/603,427 2003-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004115754A true RU2004115754A (ru) 2005-07-10
RU2328794C2 RU2328794C2 (ru) 2008-07-10

Family

ID=32074771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004115754/28A RU2328794C2 (ru) 2002-09-30 2003-09-29 Способ (варианты) и система (варианты) для обработки подложек полупроводниковых приборов

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7000622B2 (ru)
EP (1) EP1547129B1 (ru)
JP (1) JP4340655B2 (ru)
KR (1) KR101054191B1 (ru)
CN (1) CN100349255C (ru)
AU (1) AU2003277052A1 (ru)
IL (1) IL161684A0 (ru)
RU (1) RU2328794C2 (ru)
TW (1) TWI236700B (ru)
WO (1) WO2004032160A2 (ru)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US20040031167A1 (en) * 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7329321B2 (en) * 2002-09-30 2008-02-12 Lam Research Corporation Enhanced wafer cleaning method
US7520285B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
DE10302611B4 (de) * 2003-01-23 2011-07-07 Siltronic AG, 81737 Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild
KR101409565B1 (ko) 2003-04-10 2014-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101364928B1 (ko) 2003-04-10 2014-02-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US7350315B2 (en) 2003-12-22 2008-04-01 Lam Research Corporation Edge wheel dry manifold
KR20180042456A (ko) 2004-03-25 2018-04-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US20060000494A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Lam Research Corporation Self-draining edge wheel system and method
US7089687B2 (en) * 2004-09-30 2006-08-15 Lam Research Corporation Wafer edge wheel with drying function
KR100568873B1 (ko) * 2004-11-30 2006-04-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치
JP2006310756A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US7946303B2 (en) 2006-09-29 2011-05-24 Lam Research Corporation Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
JP4755573B2 (ja) * 2006-11-30 2011-08-24 東京応化工業株式会社 処理装置および処理方法、ならびに表面処理治具
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
SG192313A1 (en) 2007-02-08 2013-08-30 Fontana Technology Particle removal method and composition
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
JP4971078B2 (ja) * 2007-08-30 2012-07-11 東京応化工業株式会社 表面処理装置
US8051863B2 (en) * 2007-10-18 2011-11-08 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus
US8801865B2 (en) * 2007-11-23 2014-08-12 Lam Research Ag Device and process for wet treating a peripheral area of a wafer-shaped article
JP2009141081A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Sumco Corp 半導体ウェーハ表面検査装置
US20090211602A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Tokyo Electron Limited System and Method For Removing Edge-Bead Material
US8584613B2 (en) * 2008-06-30 2013-11-19 Lam Research Corporation Single substrate processing head for particle removal using low viscosity fluid
US8652266B2 (en) * 2008-07-24 2014-02-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications
KR101067608B1 (ko) 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5355179B2 (ja) * 2009-03-30 2013-11-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
NL2005666A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US20120175343A1 (en) * 2011-01-12 2012-07-12 Siltronic Corporation Apparatus and method for etching a wafer edge
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
US8858755B2 (en) 2011-08-26 2014-10-14 Tel Nexx, Inc. Edge bevel removal apparatus and method
JP5320455B2 (ja) * 2011-12-16 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6916003B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11664213B2 (en) * 2019-12-26 2023-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bevel edge removal methods, tools, and systems

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838289A (en) 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
JPH02130922A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
JPH0712035B2 (ja) 1989-04-20 1995-02-08 三菱電機株式会社 噴流式液処理装置
JPH02309638A (ja) 1989-05-24 1990-12-25 Fujitsu Ltd ウエハーエッチング装置
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
US5807522A (en) 1994-06-17 1998-09-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Methods for fabricating microarrays of biological samples
EP0767648B1 (en) 1994-06-30 1999-09-08 The Procter & Gamble Company Fluid transport webs exhibiting surface energy gradients
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US5861066A (en) * 1996-05-01 1999-01-19 Ontrak Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning edges of contaminated substrates
DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
CN1161817C (zh) * 1997-03-13 2004-08-11 株式会社东芝 电子枪组件
US5979478A (en) * 1997-05-05 1999-11-09 Screptock; Andrew D. Apparatus and method for treating water in a water supply system
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
EP0970511B1 (en) 1997-09-24 2005-01-12 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method and apparatus for removing a liquid from a surface
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JP4616948B2 (ja) 1997-09-24 2011-01-19 アイメック 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
JPH11350169A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Chemitoronics Co ウエットエッチング装置およびウエットエッチングの方法
US6523553B1 (en) * 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US20020121290A1 (en) 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
JP2004515053A (ja) 2000-06-26 2004-05-20 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド ウェーハ洗浄方法及び装置
US6555017B1 (en) 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
DE10108234B4 (de) * 2001-02-21 2004-03-18 Koenig & Bauer Ag Längsschneideinrichtung für eine materialbahn und Verfahren zur Reinigung der Längsschneideinrichtung
KR20090104115A (ko) 2001-06-12 2009-10-05 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 메가소닉 세정기 및 건조기 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004032160A9 (en) 2004-05-21
AU2003277052A1 (en) 2004-04-23
JP2006501691A (ja) 2006-01-12
US20040069326A1 (en) 2004-04-15
AU2003277052A8 (en) 2004-04-23
EP1547129B1 (en) 2012-04-04
CN1685471A (zh) 2005-10-19
US7000622B2 (en) 2006-02-21
KR101054191B1 (ko) 2011-08-03
IL161684A0 (en) 2004-09-27
TW200412613A (en) 2004-07-16
US20060081270A1 (en) 2006-04-20
US7192488B2 (en) 2007-03-20
WO2004032160A2 (en) 2004-04-15
JP4340655B2 (ja) 2009-10-07
TWI236700B (en) 2005-07-21
WO2004032160A3 (en) 2004-06-24
EP1547129A2 (en) 2005-06-29
RU2328794C2 (ru) 2008-07-10
CN100349255C (zh) 2007-11-14
KR20050067103A (ko) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004115754A (ru) Способы и системы для обработки подложки с использованием динамических жидких менисков
US10774415B2 (en) Mask and assembling method thereof
CA2355752A1 (en) Absorbent article employing surface layer with continuous filament and manufacturing process thereof
US8549777B2 (en) Method for manufacturing light guide plate, light guide plate, and light emitting sign using the light guide plate
CA2044496A1 (en) Thin film head slider fabrication process
WO2013048781A2 (en) Laser micromachining optical elements in a substrate
EP1791161A3 (en) Liquid processing method and liquid processing apparatus
US20210363625A1 (en) Mask strip and fabrication method thereof and mask plate
CN204725013U (zh) 一种用于激光切割设备的吸附平台
CN203999787U (zh) 一种蒸镀掩膜版
KR100823943B1 (ko) 유기 ｅｌ 평판 디스플레이 제작공정에 사용되는 다모델 대응 증착용 원장및 분할 마스크의 정렬 및 고정장치 및 이를 이용한 다모델 마스크조립체 제조방법과 이로부터 제조된 분할타입 일체형 마스크 조립체
US4465543A (en) Apparatus and method for arranging semiconductor pellets
GB2253364A (en) A method for roll forming of semiconductor component leads
FR2869455A1 (fr) Procede de fabrication de puces et support associe
JP7384883B2 (ja) 最適化された長さのマスクフレーム
IT1310892B1 (it) Cingolo per gruppo di traino di macchine trafilatrici
DE69301584D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Aufzeichnungsträgern
KR102272155B1 (ko) 길이 최적화된 마스크프레임
TW201406470A (zh) 吸附平台
JP3116923U (ja) 物体搬送機
CN218891772U (zh) 一种单气缸夹紧打开多方向真空定位机构
KR20200065585A (ko) 그라비아 오프셋 인쇄 시스템
US20090211424A1 (en) Method and Device for the Mechanical Structuring of Flexible Thin-Film Solar Cells
JP4396642B2 (ja) 位置決め装置
CN214770564U (zh) 镜架加工夹具

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130930