RU2003133464A - Способ и устройство генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, в частности, для литографии - Google Patents

Способ и устройство генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, в частности, для литографии Download PDF

Info

Publication number
RU2003133464A
RU2003133464A RU2003133464/28A RU2003133464A RU2003133464A RU 2003133464 A RU2003133464 A RU 2003133464A RU 2003133464/28 A RU2003133464/28 A RU 2003133464/28A RU 2003133464 A RU2003133464 A RU 2003133464A RU 2003133464 A RU2003133464 A RU 2003133464A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
liquid
xenon
range
noble gas
nozzle
Prior art date
Application number
RU2003133464/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Мартен ШМИДТ (FR)
Мартен ШМИДТ
Оливье СЮБЛЕМОНТЬЕ (FR)
Оливье СЮБЛЕМОНТЬЕ
Тиберио ЧЕККОТТИ (FR)
Тиберио ЧЕККОТТИ
Марк СЕЖЕР (FR)
Марк СЕЖЕР
Original Assignee
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr)
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr), Коммиссариат А Л`Энержи Атомик filed Critical Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr)
Publication of RU2003133464A publication Critical patent/RU2003133464A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Claims (18)

1. Способ генерирования света (30) в крайнем ультрафиолетовом диапазоне путем формирования плазмы при взаимодействии луча (24) лазера с целью, отличающийся тем, что используют цель, состоящую из плотного тумана (20), включающего микрокапли жидкости, представляющей собой сжиженный благородный газ, в частности, сжиженный ксенон, при этом жидкость получают путем сжижения благородного газа, жидкость сжимают путем подачи этого благородного газа, до давления в диапазоне от 5·105 до 50·105 Па, в случае ксенона, и температуру жидкого ксенона поддерживают в диапазоне от -70 до -20°С, причем давление и температуру газа, кроме того, выбирают так, что благородный газ находится в жидком состоянии, получаемую в результате жидкость под давлением инжектируют в сопло (4), минимальный внутренний диаметр которого выбирают в диапазоне от 60 до 600 мкм, причем это сопло выходит в область, где давление равно 10-1 Па или ниже, и в области выходного отверстия сопла образуется плотный и направленный туман из капель сжиженного благородного газа, средний размер которых превышает 1 мкм, в частности, находится в диапазоне от 5 до 50 мкм, в случае ксенона, этот плотный туман формирует струю, которая строго ограничена вдоль оси (X) сопла, и фокусируют луч лазера на получаемый таким образом плотный туман, так что луч лазера взаимодействует с плотным туманом для генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что благородный газ представляет собой ксенон, и жидкий ксенон сжимают с помощью газообразного ксенона до давления в диапазоне от 15·105 до 25·105 Па, и температуру жидкого ксенона поддерживают в диапазоне от -45 до -30°С.
3. Способ по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что благородный газ представляет собой ксенон, и свет, генерируемый в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, используют для изоляции подложки (44), на которую нанесен слой (46) светочувствительной смолы.
4. Устройство для генерирования света (30) в крайнем ультрафиолетовом диапазоне путем образования плазмы при взаимодействии луча (24) лазера с плотным туманом (20), состоящим из микрокапель жидкости, отличающееся тем, что жидкость представляет собой сжиженный благородный газ, в частности, жидкий ксенон, и тем, что содержит
резервуар (2) для содержания жидкости,
средство (12) инжектирования благородного газа под давлением в резервуар, используемого для создания давления жидкости, содержащейся в резервуаре, в диапазоне от 5·105 до 50·105 Па, в случае ксенона,
средство (8) получения жидкости, содержащейся в резервуаре, путем сжижения благородного газа, который инжектируют в резервуар, причем температуру жидкости поддерживают в диапазоне от -70 до -20°С, в случае, когда благородный газ представляет собой ксенон,
сопло (4), минимальный диаметр которого выбирают в диапазоне от 60 до 600 мкм, соединенное с резервуаром,
вакуумную камеру (14), содержащую сопло,
средство (28), направляющее в вакуумную камеру луч лазера, взаимодействующий с туманом,
средство отбора получаемого света для использования этого света, и
первое средство (16) откачки, используемое для поддержания в вакуумной камере первого давления, приблизительно равного 10-1 Па или меньше, причем в средстве инжектирования и в средстве получения жидкости поддерживают рабочие условия, обеспечивающие жидкое состояние благородного газа в сопле, что позволяет формировать в вакуумной камере, в выходном отверстии сопла, плотный и направленный туман из капель сжиженного благородного газа, средний размер которых превышает 1 мкм и, в частности, находится в диапазоне от 5 до 50 мкм в случае ксенона, и из этого плотного тумана формируется струя, которая строго ограничена осью (X) сопла.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что благородный газ представляет собой ксенон, и давление, под которым жидкий ксенон содержат в резервуаре (2), находится в диапазоне от 5·105 до 25·105 Па, при этом температура жидкого ксенона находится в диапазоне от -45 до -30°С.
6. Устройство по любому из пп.4 и 5, отличающееся тем, что дополнительно содержит
стенку (38), которая ограничивает вторую часть, и, которая содержит отверстие, расположенное напротив сопла, и это отверстие установлено на оси (X) сопла, и
второе средство (16а) откачки для установления во второй части второго давления, превышающего первое давление.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что стенка содержит разделитель (32), ось которого совпадает с осью (X) сопла и отверстие которого соответствует отверстию в стенке.
8. Устройство по любому из пп.5-8, отличающееся тем, что дополнительно содержит тепловой экран (39), который выполнен перфорированным и установлен напротив сопла так, что он образует канал для струи, формируемой из плотного тумана.
9. Устройство по любому из пп.4-8, отличающееся тем, что удельное сопротивление материала, составляющего сопло (4), больше или равно 108 Ом·см, удельная теплопроводность этого материала больше или равна 40 Вт/мК, и твердость по Виккерсу материала больше или равна 8000 Н/мм2.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что материал представляет собой керамику.
11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что керамика представляет собой нитрид алюминия.
12. Устройство по любому из пп.4-11, отличающееся тем, что дополнительно содержит коллектор, позволяющий направлять или фокусировать генерируемый свет к средству, использующему этот свет.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что коллектор содержит, по меньшей мере, один вогнутый отражатель.
14. Устройство по любому из пп.4-13, отличающееся тем, что дополнительно содержит средство защиты оптических элементов, установленных внутри устройства, от возможных осколков материала.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что средство защиты представляет собой средство, обеспечивающее циркуляцию благородного газа, содержащегося в вакуумной камере, перед поверхностью оптических элементов, открытой по отношению к осколкам материала.
16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что такое средство защиты представляет собой средство нагрева поверхности оптических элементов, открытой по отношению к осколкам материала.
17. Устройство по п.14, отличающееся тем, что средство защиты представляет собой средство создания положительного электрического смещения слоя металла, который содержится в этих оптических элементах.
18. Литографское устройство для обработки полупроводниковых подложек, содержащее
средство (48) для установки полупроводниковой подложки (44), на которую нанесен слой (46) светочувствительной смолы, предназначенной для изоляции в соответствии с заданным шаблоном,
маску (48), содержащую заданный шаблон в увеличенном виде,
устройство для генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне в соответствии с любым из пп.4-17,
оптическое средство (50), выполненное с возможностью передачи света на маску, которая создает изображение шаблона в увеличенном виде, и
оптическое средство (54), выполненное с возможностью уменьшения этого изображения и проецирования уменьшенного изображения на слой светочувствительной смолы.
RU2003133464/28A 2001-04-18 2002-04-16 Способ и устройство генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, в частности, для литографии RU2003133464A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR01/05241 2001-04-18
FR0105241A FR2823949A1 (fr) 2001-04-18 2001-04-18 Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2003133464A true RU2003133464A (ru) 2005-01-27

Family

ID=8862427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003133464/28A RU2003133464A (ru) 2001-04-18 2002-04-16 Способ и устройство генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, в частности, для литографии

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20040129896A1 (ru)
EP (1) EP1382230A1 (ru)
JP (1) JP2004533704A (ru)
KR (1) KR20030090745A (ru)
CN (1) CN1618259A (ru)
FR (1) FR2823949A1 (ru)
RU (1) RU2003133464A (ru)
TW (1) TW543099B (ru)
WO (1) WO2002085080A1 (ru)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7476886B2 (en) * 2006-08-25 2009-01-13 Cymer, Inc. Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source
DE10213482B4 (de) * 2002-03-22 2007-09-27 Xtreme Technologies Gmbh Detektoranordnung zur Impulsenergiemessung von gepulster Röntgenstrahlung
US6912267B2 (en) * 2002-11-06 2005-06-28 University Of Central Florida Research Foundation Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources
ATE476859T1 (de) * 2003-03-18 2010-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Einrichtung und verfahren zur erzeugung von extrem-ultraviolett-und/oder weicher röntgenstrahlung mittels eines plasmas
US6933515B2 (en) * 2003-06-26 2005-08-23 University Of Central Florida Research Foundation Laser-produced plasma EUV light source with isolated plasma
EP1642482B1 (en) 2003-06-27 2013-10-02 Bruker Advanced Supercon GmbH Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft x-ray radiation
DE102004003854A1 (de) * 2004-01-26 2005-08-18 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und Vorrichtungen zur Erzeugung fester Filamente in einer Vakuumkammer
DE102004005241B4 (de) * 2004-01-30 2006-03-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung
JP2005235959A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
FR2871622B1 (fr) 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
DE102004036441B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
TWI305296B (en) * 2004-07-27 2009-01-11 Cymer Inc Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source
JP4517147B2 (ja) * 2004-11-26 2010-08-04 国立大学法人 宮崎大学 極端紫外光源装置
CN100498420C (zh) * 2005-11-04 2009-06-10 中国科学院电工研究所 极紫外激光等离子体光源碎片隔离器
JP5215540B2 (ja) * 2006-07-18 2013-06-19 ギガフォトン株式会社 ターゲット物質供給装置
CN101111119B (zh) * 2006-07-20 2011-05-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种微流靶激光等离子体软x射线-极紫外光源
JP2008193014A (ja) * 2007-02-08 2008-08-21 Komatsu Ltd Ｌｐｐ型ｅｕｖ光源装置用ターゲット物質供給装置及びシステム
KR100841478B1 (ko) * 2007-08-28 2008-06-25 주식회사 브이엠티 다중 모세관의 장착이 가능한 액체 타겟 공급 장치 및 이를구비한 ｘ선 및 극자외선 광원 발생 장치
JP5133740B2 (ja) 2008-03-10 2013-01-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US20110122387A1 (en) * 2008-05-13 2011-05-26 The Regents Of The University Of California System and method for light source employing laser-produced plasma
JP5551426B2 (ja) * 2008-12-19 2014-07-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP5455661B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US20120228523A1 (en) 2009-11-09 2012-09-13 Tata Institute Of Fundamental Research Biological laser plasma x-ray point source
KR20120113237A (ko) * 2010-01-07 2012-10-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Ｅｕｖ 방사선 소스 및 리소그래피 장치
JP2013519211A (ja) * 2010-02-09 2013-05-23 エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド レーザー駆動の光源
CN102137539A (zh) * 2010-11-19 2011-07-27 成都中核高通同位素股份有限公司 用于反应堆辐照生产碘-125的氙气靶件及其制备方法
WO2013023710A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-21 Asml Netherlands B.V. Radiation source
US8879064B2 (en) * 2011-12-23 2014-11-04 Electro Scientific Industries, Inc. Apparatus and method for transporting an aerosol
JP2012256608A (ja) * 2012-08-17 2012-12-27 Gigaphoton Inc ターゲット物質供給装置
CN103217870B (zh) * 2013-04-19 2014-08-13 中国科学院上海光学精密机械研究所 激光束引导的液滴靶控制系统
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
IL234729B (en) 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
JP6707467B2 (ja) 2014-05-15 2020-06-10 エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション レーザ駆動シールドビームランプ
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US9576785B2 (en) 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
US10880979B2 (en) * 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source
EP3214635A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-06 Excillum AB Liquid target x-ray source with jet mixing tool
US10310380B2 (en) * 2016-12-07 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-brightness light source
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
US20230335389A1 (en) * 2022-04-18 2023-10-19 Kla Corporation Laser-sustained plasma source based on colliding liquid jets

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692934A (en) * 1984-11-08 1987-09-08 Hampshire Instruments X-ray lithography system
US5577091A (en) * 1994-04-01 1996-11-19 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point sources
US5577092A (en) * 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
SE510133C2 (sv) * 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
JPH10221499A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Ltd レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
US6031241A (en) * 1997-03-11 2000-02-29 University Of Central Florida Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications
JP2002514740A (ja) * 1998-05-06 2002-05-21 アメリカン テクノロジーズ グループ インコーポレイテッド 中性子及び他の粒子の生成方法及び装置
JP2000098094A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Nikon Corp Ｘ線発生装置
US6190835B1 (en) * 1999-05-06 2001-02-20 Advanced Energy Systems, Inc. System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process
US6377651B1 (en) * 1999-10-11 2002-04-23 University Of Central Florida Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target
FR2799667B1 (fr) * 1999-10-18 2002-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US6324256B1 (en) * 2000-08-23 2001-11-27 Trw Inc. Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US6760406B2 (en) * 2000-10-13 2004-07-06 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
US6657213B2 (en) * 2001-05-03 2003-12-02 Northrop Grumman Corporation High temperature EUV source nozzle

Also Published As

Publication number Publication date
US20040129896A1 (en) 2004-07-08
EP1382230A1 (fr) 2004-01-21
TW543099B (en) 2003-07-21
CN1618259A (zh) 2005-05-18
FR2823949A1 (fr) 2002-10-25
WO2002085080A1 (fr) 2002-10-24
KR20030090745A (ko) 2003-11-28
JP2004533704A (ja) 2004-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2003133464A (ru) Способ и устройство генерирования света в крайнем ультрафиолетовом диапазоне, в частности, для литографии
JP3118515U (ja) 極紫外光源内のガス噴射制御のためのノズル
JP4874409B2 (ja) レーザープラズマ極紫外放射線源
US6285743B1 (en) Method and apparatus for soft X-ray generation
US7531820B2 (en) Arrangement and method for the generation of extreme ultraviolet radiation
US6657213B2 (en) High temperature EUV source nozzle
JP3720284B2 (ja) レーザプラズマ極紫外光源及びレーザプラズマ極紫外光線の発生方法
JP4995379B2 (ja) 光源装置及びそれを用いた露光装置
JP2005251735A (ja) プラズマに基づき軟ｘ線放射線を発生するための方法および装置
US20060192157A1 (en) Device and method for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation
US20230107078A1 (en) Replacement and refill method for droplet generator
RU2658314C1 (ru) Высокояркостный источник эуф-излучения и способ генерации излучения из лазерной плазмы
JP4403216B2 (ja) 極紫外（ｅｕｖ）線を発生するｅｕｖ線源
US11852984B2 (en) Target debris collection device and extreme ultraviolet light source apparatus including the same
JP4629990B2 (ja) プラズマが隔離されたレーザ生成プラズマｅｕｖ光源
EP1367445B1 (en) Linear filament array sheet for EUV production
KR20190103313A (ko) 안내 장치 및 관련 시스템
JP4773690B2 (ja) Ｅｕｖ放射線源
RU2003118704A (ru) Лазерно-плазменный источник ионов и излучения
KR19980033304A (ko) 멀티 빔 소스를 사용하는 기판 상의 박막 증착

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20050418