PL357700A1 - Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents

Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Info

Publication number
PL357700A1
PL357700A1 PL02357700A PL35770002A PL357700A1 PL 357700 A1 PL357700 A1 PL 357700A1 PL 02357700 A PL02357700 A PL 02357700A PL 35770002 A PL35770002 A PL 35770002A PL 357700 A1 PL357700 A1 PL 357700A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gallium
sub
nitride
iupac
seed
Prior art date
Application number
PL02357700A
Other languages
English (en)
Other versions
PL219601B1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL357700A priority Critical patent/PL219601B1/pl
Priority to US10/537,804 priority patent/US7811380B2/en
Priority to EP03778841.1A priority patent/EP1590509B1/en
Priority to TW092135281A priority patent/TWI334890B/zh
Priority to PCT/JP2003/015904 priority patent/WO2004053206A1/en
Priority to KR1020057010667A priority patent/KR101088991B1/ko
Priority to AU2003285767A priority patent/AU2003285767A1/en
Priority to JP2004558481A priority patent/JP4824313B2/ja
Priority to PL379547A priority patent/PL224993B1/pl
Publication of PL357700A1 publication Critical patent/PL357700A1/pl
Publication of PL219601B1 publication Critical patent/PL219601B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, znamienny tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny zawierający jony metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989) i jony akceptorów (II grupa IUPAC 1989 i XII grupa IUPAC 1989), zwłaszcza takich jak Mg, Zn, Cd, w którym rozpuszczany jest materiał źródłowy zawierający gal i dokonuje się krystalizacji azotku zawierającego gal, korzystnie o wzorze ogólnym Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<>1, z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż w przypadku rozpuszczania materiału źródłowego. Bardziej szczegółowo, co najmniej w strefie autoklawu, w której umieszczony został zarodek, w wyniku odpowiedniego zwiększenia temperatury lub odpowiedniego zmniejszenia ciśnienia wytwarza się przesycenie roztworu względem zarodka o poprzez kontrolę stężenia na poziomie, przy którym spontaniczna krystalizacja występuje w zaniedbywalnym stopniu, przeprowadza się krystalizację azotku zawierającego gal na powierzchni umieszczonego w autoklawie zarodka. Otrzymany objętościowy monokrystaliczny azotek zawierający gal wygrzewa się w atmosferze nie zawierającej wodoru, ale zawierającej tlen.
PL357700A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL219601B1 (pl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357700A PL219601B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
US10/537,804 US7811380B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
EP03778841.1A EP1590509B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
TW092135281A TWI334890B (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PCT/JP2003/015904 WO2004053206A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
KR1020057010667A KR101088991B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
AU2003285767A AU2003285767A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
JP2004558481A JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
PL379547A PL224993B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357700A PL219601B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL357700A1 true PL357700A1 (pl) 2004-06-14
PL219601B1 PL219601B1 (pl) 2015-06-30

Family

ID=32733400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL357700A PL219601B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL219601B1 (pl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191126A1 (en) 2013-05-30 2014-12-04 Ammono S.A. Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method
WO2016038099A1 (en) 2014-09-11 2016-03-17 Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191126A1 (en) 2013-05-30 2014-12-04 Ammono S.A. Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method
WO2016038099A1 (en) 2014-09-11 2016-03-17 Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method

Also Published As

Publication number Publication date
PL219601B1 (pl) 2015-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1514958B1 (en) Apparatus for obtaining a bulk single crystal using supercritical ammonia
EP1590509B1 (en) Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
TW588016B (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium nitride
RU2313623C2 (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ Ga2O3 И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
JP4663319B2 (ja) ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法
US7314517B2 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL224991B1 (pl) Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
Devi et al. A Study of Bisazido (dimethylamino‐propyl) gallium as a Precursor for the OMVPE of Gallium Nitride Thin Films in a Cold‐Wall Reactor System under Reduced Pressure
US20070196942A1 (en) Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal obtained by such method, and group III nitride substrate using the same
JP4768975B2 (ja) ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法
Bockowski Growth and doping of GaN and AlN single crystals under high nitrogen pressure
JP2003206198A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置
PL357700A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL232212B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
EP4484619A1 (en) Method for producing aln single crystals, aln single crystals, and device for producing aln single crystals
US20090223440A1 (en) Method of growing GaN crystals from solution
PL225423B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
JP2004277224A (ja) Ｉｉｉ族窒化物の結晶成長方法
PL221055B1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
US20160108547A1 (en) Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method
Kangawa et al. Possibility of AlN solution growth using Al and Li3N
PL225424B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL232211B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
KR20080036050A (ko) 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법, 반도체디바이스의 제조 방법, 및 이들 제조 방법에 사용하는용액과 융액
PL205721B1 (pl) Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych (54) z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII