PL225430B1 - Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym - Google Patents

Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym

Info

Publication number
PL225430B1
PL225430B1 PL379548A PL37954803A PL225430B1 PL 225430 B1 PL225430 B1 PL 225430B1 PL 379548 A PL379548 A PL 379548A PL 37954803 A PL37954803 A PL 37954803A PL 225430 B1 PL225430 B1 PL 225430B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
group
gallium
mineralizer
supercritical
nitride
Prior art date
Application number
PL379548A
Other languages
English (en)
Polish (pl)
Other versions
PL379548A1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PL357695A external-priority patent/PL232211B1/pl
Priority claimed from PL357706A external-priority patent/PL221055B1/pl
Priority claimed from PL02357704A external-priority patent/PL357704A1/xx
Application filed by Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością, Nichia Corp filed Critical Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority to PL379548A priority Critical patent/PL225430B1/pl
Publication of PL379548A1 publication Critical patent/PL379548A1/pl
Publication of PL225430B1 publication Critical patent/PL225430B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
PL379548A 2002-12-11 2003-12-11 Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym PL225430B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL379548A PL225430B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PLP-357695 2002-12-11
PL357695A PL232211B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
PL357706A PL221055B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PLP-357706 2002-12-11
PLP-357704 2002-12-11
PL02357704A PL357704A1 (en) 2002-12-11 2002-12-11 Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium
PCT/JP2003/015903 WO2004053208A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride
PL379548A PL225430B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL379548A1 PL379548A1 (pl) 2006-10-16
PL225430B1 true PL225430B1 (pl) 2017-04-28

Family

ID=32512152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL379548A PL225430B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7314517B2 (enExample)
JP (1) JP2006509707A (enExample)
AU (1) AU2003285766A1 (enExample)
PL (1) PL225430B1 (enExample)
WO (1) WO2004053208A1 (enExample)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY141883A (en) * 2001-06-06 2010-07-16 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
CN1300901C (zh) * 2001-10-26 2007-02-14 波兰商艾蒙诺公司 使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
US7125453B2 (en) 2002-01-31 2006-10-24 General Electric Company High temperature high pressure capsule for processing materials in supercritical fluids
US7063741B2 (en) 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
JP4416648B2 (ja) * 2002-05-17 2010-02-17 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン 発光素子の製造方法
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
US7410539B2 (en) 2002-12-11 2008-08-12 Ammono Sp. Z O.O. Template type substrate and a method of preparing the same
JP4824313B2 (ja) * 2002-12-11 2011-11-30 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
US7098487B2 (en) 2002-12-27 2006-08-29 General Electric Company Gallium nitride crystal and method of making same
US7859008B2 (en) 2002-12-27 2010-12-28 Momentive Performance Materials Inc. Crystalline composition, wafer, device, and associated method
US7638815B2 (en) 2002-12-27 2009-12-29 Momentive Performance Materials Inc. Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure
US7786503B2 (en) 2002-12-27 2010-08-31 Momentive Performance Materials Inc. Gallium nitride crystals and wafers and method of making
US8357945B2 (en) 2002-12-27 2013-01-22 Momentive Performance Materials Inc. Gallium nitride crystal and method of making same
US9279193B2 (en) 2002-12-27 2016-03-08 Momentive Performance Materials Inc. Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density
PL1769105T3 (pl) 2004-06-11 2014-11-28 Ammono S A Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania
WO2005122232A1 (en) 2004-06-11 2005-12-22 Ammono Sp. Z O.O. High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.
PL371405A1 (pl) 2004-11-26 2006-05-29 Ammono Sp.Z O.O. Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
US7704324B2 (en) 2005-01-25 2010-04-27 General Electric Company Apparatus for processing materials in supercritical fluids and methods thereof
US7521732B2 (en) 2005-11-18 2009-04-21 General Electric Company Vertical heterostructure field effect transistor and associated method
US7942970B2 (en) 2005-12-20 2011-05-17 Momentive Performance Materials Inc. Apparatus for making crystalline composition
US20110300051A1 (en) * 2008-11-07 2011-12-08 The Regents Of The University Of California Group-iii nitride monocrystal with improved purity and method of producing the same
US8960657B2 (en) 2011-10-05 2015-02-24 Sunedison, Inc. Systems and methods for connecting an ingot to a wire saw
WO2013062042A1 (ja) 2011-10-28 2013-05-02 三菱化学株式会社 窒化物結晶の製造方法および窒化物結晶

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU7346396A (en) * 1995-10-13 1997-04-30 Centrum Badan Wysokocisnieniowych Method of manufacturing epitaxial layers of gan or ga(a1,in)n on single crystal gan and mixed ga(a1,in)n substrates
FR2796657B1 (fr) * 1999-07-20 2001-10-26 Thomson Csf Procede de synthese de materiaux massifs monocristallins en nitrures d'elements de la colonne iii du tableau de la classification periodique
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
MY141883A (en) * 2001-06-06 2010-07-16 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
JP4693351B2 (ja) * 2001-10-26 2011-06-01 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン エピタキシャル成長用基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006509707A (ja) 2006-03-23
AU2003285766A1 (en) 2004-06-30
PL379548A1 (pl) 2006-10-16
US7314517B2 (en) 2008-01-01
WO2004053208A1 (en) 2004-06-24
AU2003285766A8 (en) 2004-06-30
US20060120931A1 (en) 2006-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL225430B1 (pl) Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym
PL224991B1 (pl) Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
KR100848380B1 (ko) 갈륨 함유 질화물의 벌크 단결정 및 그의 어플리케이션
US7811380B2 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US7081162B2 (en) Method of manufacturing bulk single crystal of gallium nitride
US7422633B2 (en) Method of forming gallium-containing nitride bulk single crystal on heterogeneous substrate
PL225422B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowych monokryształów azotku zawierającego gal
PL232212B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
PL225423B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
CN1973063B (zh) 块状单晶含镓氮化物及其应用
PL221055B1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL219601B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL225425B1 (pl) Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template) z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL225424B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL232211B1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego