PL185373B1 - Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle - Google Patents

Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle

Info

Publication number
PL185373B1
PL185373B1 PL97324429A PL32442997A PL185373B1 PL 185373 B1 PL185373 B1 PL 185373B1 PL 97324429 A PL97324429 A PL 97324429A PL 32442997 A PL32442997 A PL 32442997A PL 185373 B1 PL185373 B1 PL 185373B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
glass
tin oxide
mole
silica
layer
Prior art date
Application number
PL97324429A
Other languages
English (en)
Other versions
PL324429A1 (en
Inventor
Michel J. Soubeyrand
Anthony C. Halliwell
Original Assignee
Libbey Owens Ford Co
Pilkington Plc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Libbey Owens Ford Co, Pilkington Plc filed Critical Libbey Owens Ford Co
Publication of PL324429A1 publication Critical patent/PL324429A1/xx
Publication of PL185373B1 publication Critical patent/PL185373B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/407Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453Coating containing SnO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • C23C16/402Silicon dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/211SnO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/24Doped oxides
    • C03C2217/241Doped oxides with halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

1. Sposób wytwarzania powloki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle, polegajacy na kontaktowaniu powierzchni goracego podloza szklanego z jednorodna pa- rowa mieszanina reagentów, które w wyniku reakcji dostarczaja powyzej wymienionego tlenku osadzajacego sie na powierzchni szkla, znamienny tym, ze szklo kontaktuje sie z jednorodna parowa mieszanina zawierajaca zwiazek organicznocynowy, fluorowodór, tlen i wode. PL PL PL PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle. W szczególności, przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny na gorącym podłożu szklanym, przez osadzanie chemiczne z fazy gazowej.
Zwykle powłoki z tlenku cyny są wytwarzane przez ciągłe powlekanie podłoża szklanego, wytwarzanego w procesie znanym w tej dziedzinie jako proces produkcji szkła float. Proces ten polega na wylewaniu szkła do kąpieli z roztopionej cyny, która jest odpowiednio zamknięta, a następnie przenoszeniu szkła (po wystarczającym ochłodzeniu) na walce odbierające, które są usytuowane równo z kąpielą, oraz na chłodzeniu szkła przemieszczanego po tych walcach, początkowo przez odprężarkę tunelową, a następnie przez otaczającą atmosferę. W części float tego procesu utrzymywana jest atmosfera nieutleniająca, aby uniemożliwić utlenianie wówczas, gdy szkło jest w kontakcie z kąpielą z roztopionej cyny. W odprężarce tunelowej utrzymywana jest atmosfera powietrza. Osadzanie chemiczne z fazy gazowej (CVD) różnych powłok może być dogodnie przeprowadzane w kąpieli lub w odprężarce tunelowej, albo nawet w strefie przejściowej pomiędzy nimi. Proces prowadzi się poprzez kontaktowanie powierzchni gorącego szkła z mieszaniną parową zawierającą substraty reakcji, czyli zawierającą związki wyjściowe, które podlegają rozkładowi pirolitycznemu, dla utworzenia związków tworzących powłokę z tlenku metalu. To oczywiście wymaga, aby substraty stosowane w powyższej reakcji miały temperatury parowania poniżej swych temperatur rozkładu termicznego. Istnieje kilka związków cyny, które mogą być odparowane w celu wytworzenia powłoki z tlenku cyny na szkle techniką CVD.
Pożądane parametry powłok z tlenku cyny na szkle, takie jak na przykład niska emisyjność, mała rezystancja na jednostkę powierzchni, duża przepuszczalność światła, duży współczynnik odbicia promieniowania podczerwonego, itd., polepszane są przez wprowadzenie domieszki do powłoki z tlenku cyny. Znane jest stosowanie różnych materiałów jako domieszki, ale najskuteczniejszym dla tlenku cynowego jest pierwiastek fluor. Fluor można doprowadzać do reakcji osadzania w postaci fluorku organicznocynowego lub jako oddzielny związek zawierający fluor, który reaguje w połączeniu ze związkiem cyny.
Substraty stosowane w procesach powlekania szkła są zwykle w postaci cieczy, ciała stałego, odparowanej cieczy lub odparowanego ciała stałego, cieczy lub ciała stałego zdyspergowanego w nośnej mieszaninie gazowej, albo odparowanej cieczy lub odparowanego ciała stałego zdyspergowanych w nośnej mieszaninie gazowej.
Do osadzania chemicznego powłok z tlenku cyny domieszkowanego fluorem, z fazy gazowej, stosowano zarówno organiczne jak i nieorganiczne związki cyny. Przykładowo, opis patentowy US 4 329 379 ujawnia proces tworzenia powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na gorącym podłożu szklanym przez kontaktowanie szkła z odparowanymi substratami reakcji z czterochlorku cyny, kwasu fluorowodorowego (HF), powietrza i wody. Podobnie, opis patentowy US 4 387 134 ujawnia, że cienkie warstwy z tlenku cyny domieszkowanego fluorem o rezystancjach na jednostkę powierzchni 1 do 10 omów na kwadrat mogą być wytwarzane z połączenia odparowanej wody, metanolu, HF, chlorku cynowego i gazowych H,/N2.
Inne znane sposoby nakładania powłok z domieszkowanego tlenku cyny na szkło polegają na odparowaniu mieszaniny związków organicznych cyny i fluoru, a następnie skierowaniu tych
185 373 odparowanych substratów na powierzchnię gorącego podłoża szklanego. Sposób taki został ujawniony w opisie patentowym US 4 293 594, który dodatkowo sugeruje stosowanie gazu nośnego zawierającego tlen.
Z opisu patentowego US 4 590 096 jest znany sposób osadzania chemicznego z fazy gazowej powłok z tlenku cyny domieszkowanego fluorem przy użyciu mieszaniny organicznego związku cyny, organicznej domieszki fluorowej, powietrza i pary wodnej. Według tego sposobu strumień gazowy zawiera wystarczającą ilość pary wodnej, tak że względna wilgotność strumienia gazu przy 18°C wynosi 6 do 100%.
Z opisu patentowego US 4 325 987 jest znany sposób chemicznego osadzania z fazy gazowej, w którym gazowa mieszanina czterochlorku cyny i pary wodnej w gazie nośnym, zawierającym co najmniej 30% wodoru, jest doprowadzana do powierzchni szkła. Oddzielna mieszanina gazowa HF i pary wodnej może być również dostarczana do powierzchni szkła. Jako korzystny związek cyny wymieniono czterochlorek cyny, i jest to jedyny związek cyny, dla którego podano przykłady. Wprawdzie wspomniano o możliwości stosowania lotnych związków cyny typu Sn(Alk), gdzie Alk oznacza niższy rodnik alkilowy i cynę dwubutylodwuacetylową, to jednakże nie zawiera on żadnych informacji dotyczących praktycznego zrealizowania sposobu ze wspomnianymi organicznymi związkami cyny, a zatem, opis ten nie wnosi nic nowego w odniesieniu do wykorzystania związków organicznych cyny.
Celem wynalazku było opracowanie sposobu nakładania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na powierzchnię gorącego szkła w procesie osadzania chemicznego z fazy gazowej, umożliwiającego uzyskanie powleczonego wyrobu szklanego o zadowalających właściwościach (tj. charakteryzującego się niewielką rezystancją na jednostkę powierzchni i jednorodnością rezystancji na jednostkę powierzchni), a ponadto tańszego niż sposoby znane.
Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle, polegający na kontaktowaniu powierzchni gorącego podłoża szklanego z jednorodną parową mieszaniną reagentów, które w wyniku reakcji dostarczają powyżej wymienionego tlenku osadzającego się na powierzchni szkła, według wynalazku charakteryzuje się tym, że szkło kontaktuje się z jednorodną parową mieszaniną zawierającą związek organicznocynowy, fluorowodór, tlen i wodę.
Korzystnie, stosuje się szkło wybrane z grupy złożonej ze szkła sodowo-wapniowo-krzemionkowego, szkła alkaliczno-wapniowo-krzemionkowego, szkła borowo-krzemianowego, szkła glinowo-krzemianowego, szkła fosforanowego, szkła ze stopionej krzemionki oraz ich połączeń, a zwłaszcza stosuje się szkło sodowo-wapniowo-krzemionkowe.
Korzystnie, stosuje się związek organicznocynowy wybrany z grupy złożonej z dwuchlorku dwumetylenocynowego, dwuchlorku dwuetylocynowego, dwuoctanu dwubutylocynowego, cyny czterometylowej, trójchlorku metylocynowego, chlorku trójetylocynowego, chlorku trój metylocynowego, trójchlorku etylocynowego, trójchlorku propylocynowego, trójchlorku izopropylocynowego, trójchlorku sec-butylocynowego, trójchlorku t-butylocynowego, trójchlorku fenylocynowego, trójchlorku karbetoksyetylocynowego oraz ich połączeń, a zwłaszcza stosuje się dwuchlorek dwumetylocynowy.
Korzystnie, stosuje się podłoże szklane mające temperaturę około 400 do 816°C.
Korzystnie, stosuje się jednolitą parową mieszaninę zawierającą dodatkowo jeden lub więcej związków wybranych z grupy obejmującej hel, azot, argon i podtlenek azotu.
Korzystnie, mieszaninę parową kontaktuje się ze szkłem, na którego powierzchni osadzono uprzednio warstwę materiału stanowiącego barierę dyfuzji sodu, tak że materiał stanowiący barierę dyfuzji sodu jest umieszczony pomiędzy powierzchnią podłoża szklanego a powłoką z tlenku cyny domieszkowanego fluorem.
Korzystnie, na powierzchni gorącego podłoża szklanego osadza się warstwę krzemionki, jako warstwę stanowiącą barierę dyfuzji sodu.
Korzystnie, warstwę krzemionki osadza się na powierzchni gorącego podłoża szklanego poprzez osadzanie chemiczne z fazy gazowej.
Korzystnie, warstwę krzemionki osadza się na powierzchni szkła pokrytego warstwą tlenku cyny.
185 373
Korzystnie, stosuje się parową mieszaninę zawierającą 0,2 do 2% molowych fluorowodoru, a zwłaszcza 0,5 do 1,5% molowych fluorowodoru.
Korzystnie, stosuje się parową mieszaninę zawierającą 2 do 50% molowych wody, a zwłaszcza 15 do 35% molowych wody.
Korzystnie, stosuje się parową mieszaninę zawierającą 10 do 60% molowych tlenu, a zwłaszcza 30 do 50% molowych tlenu.
Korzystnie, powierzchnię gorącego podłoża szklanego, mającego temperaturę około 400 do 816°C, kontaktuje się z jednorodną mieszaniną parową, zawierającą związek organicznocynowy, 0,2 do 2% molowych fluorowodoru, 2 do 50% molowych wody i 10 do 60% molowych tlenu.
Korzystnie, powierzchnię gorącego podłoża szklanego, pokrytego warstwą krzemionki i mającego temperaturę około 400 do 816°C, kontaktuje się z jednorodną mieszaniną parową, zawierającą związek organicznocynowy, 0,2 do 2% molowych fluorowodoru, 2 do 50% molowych wody i 10 do 60% molowych tlenu.
Niespodziewanie stwierdzono, że dzięki stosowaniu mieszaniny parowej według wynalazku, powłoka z tlenku cyny ma lepsze właściwości. Sposób według wynalazku jest szczególnie odpowiedni do wytwarzania szkła mającego powłokę z tlenku cyny domieszkowanego fluorem, używanego na oszczędne energetycznie okna w budownictwie, na szyby samolotowe lub samochodowe i w różnych urządzeniach optycznych i elektronicznych.
Powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem mogą być osadzane na powierzchni gorącego podłoża szklanego w procesie znanym ogólnie w tej dziedzinie jako osadzanie chemiczne z fazy gazowej (CVD). Zgodnie z tym procesem stosowane substraty łączy się ze sobą tak, aby utworzyć równomierny strumień tych substratów w postaci pary, który jest dostarczany do powierzchni gorącego podłoża szklanego, gdzie te substraty, w postaci pary, reagują z osadzaniem powłoki z domieszkowanego fluorem tlenku cyny na powierzchni gorącego podłoża szklanego. W atmosferze utleniającej, która musi istnieć przy powierzchni gorącego szkła, organicznocynowe związki powłoki ulegają rozkładowi pirolitycznemu, by utworzyć powłokę z tlenku cyny.
Proces ten zwykle przeprowadza się podczas wytwarzania szkła w procesie float i zachodzi on w kąpieli płynnego metalu, w odprężarce tunelowej lub w strefie przejściowej pomiędzy kąpielą a odprężarką, kiedy szkło jest jeszcze gorące. Podłoże szklane jest zwykle doprowadzane do temperatury w zakresie od 400 do 816°C. Są to typowe temperatury szkła podczas różnych etapów wytwarzania szkła w procesie float.
Podłoża szklane, nadające się do stosowania w procesie według przedmiotowego wynalazku, obejmują dowolne spośród konwencjonalnych podłoży szklanych znanych w tej dziedzinie do wytwarzania powlekanych wyrobów szklanych. Typowe podłoże szklane używane do wytwarzania szyb samochodowych i szkła płytowego, zwane jest zwykle szkłem sodowo-wapniowo-krzemionkowym. Inne odpowiednie szkła mogą być ogólnie traktowane jako szkło alkaliczno-wapniowo-krzemionkowe, szkło borowo-krzemianowe, szkło glinowo-krzemianowe, szkło borowo-glinowo-krzemianowe, szkło fosforanowe, stopiona krzemionka itd., jak również ich połączenia. Korzystnym szkłem jest szkło sodowo-wapniowo-krzemionkowe.
Strumień substratów reakcji, stosowany w procesie CVD według wynalazku, zawiera powlekający związek organicznocynowy, który jest doprowadzony do postaci pary i dostarczony do miejsca przy lub w pobliżu powierzchni przesuwającej się wstęgi szklanej. Odpowiednie związki organicznocynowe, użyteczne do praktycznej realizacji wynalazku, obejmują, ale bez ograniczenia do specjalnie podanych, dwuchlorek dwumetylocynowy, dwuchlorek dwuetylocynowy, dwuoctan dwubutylocynowy, cynę czterometylową, trójchlorek metylocynowy, chlorek trójetylocynowy, chlorek trójmetylocynowy, trójchlorek etylocynowy, trójchlorek propylocynowy, trójchlorek izopropylocynowy, trójchlorek sec-butylocynowy, trójchlorek t-butylocynowy, trójchlorek fenylocynowy, trójchlorek karbetoksyetylocynowy, itp., jak również ich połączenia. Związki te są ogólnie znane w technice CVD oraz są dostępne w handlu jako substraty do nakładania powłoki z tlenku cyny na gorące szkło. Korzystnym związkiem organicznocynowym jest dwuchlorek dwumetylocynowy. Ten związek organicznocynowy i ewentualnie gaz nośny, utleniacz, stabilizator, węglowodór, gaz obojętny, itp., są przeprowadzane do postaci
185 373 pary w celu utworzenia strumienia gazowego organicznocynowego substratu reakcji, czyli strumienia zawierającego organicznocynowy związek w postaci pary, utleniacz i obojętny gaz nośny.
Związek organicznocynowy w postaci pary można przygotować poprzez dowolną z procedur znanych w tej dziedzinie, taką jak np. odparowanie rozproszonych lub fluidyzowanych proszków organicznocynowych, albo przez odparowanie cząstek organicznocynowych w upakowanym złożu przez strumień gorącego gazu nośnego lub iniekcję rozpuszczonego związku organicznocynowego w gorący strumień gazu nośnego, albo przez przepuszczanie pęcherzyków gazu nośnego przez ciekły związek organicznocynowy. Procesy te są dokładnie przedstawione w opisach US: 3 852 098, 2 780 553, 4351 861, 4 571 350, 3 970 037, 4 212 663 oraz 4 261 722. Korzystny sposób przygotowania strumienia substratów, zawierającego odparowany związek organicznocynowy, polega na parowaniu tego związku w parowniku cienkowarstwowym w obecności mieszanki gazowej, jak podano, przykładowo, w opisie patentowym US 5 090 985. Jak zauważono powyżej, ten strumień gazowy, który zwykle zawiera obojętny gaz nośny, taki jak hel, azot lub argon, albo ich mieszaniny, może ewentualnie zawierać utleniacze, takie jak woda lub tlen. Korzystnymi gazami nośnymi są hel i azot oraz ich mieszaniny zawierające tlen jako utleniacz. Wynikowy strumień substratów, zawierający odparowany związek organicznocynowy, jest zwykle ogrzewany do temperatury 120°C do 230°C, a następnie doprowadzany do strefy reakcji przy powierzchni gorącego podłoża szklanego. Gazowy fluorowodór lub kwas fluorowy (gazowy fluorowodór lub kwas fluorowy oznaczany jest tu przez HF) łączony jest z odparowanymi związkami organicznocynowymi. Wytwarzany jest oddzielny strumień substratów, zawierający HF, który złożony jest z HF i nośnika, korzystnie pary wodnej. Dodanie wody do strumienia substratów, zawierającego HF zmniejsza również emisyjność powlekanego szkła z równoczesnym zwiększeniem prędkości narastania osadzanego tlenku cyny domieszkowanego fluorem. Strumień substratów zawierający HF może dodatkowo zawierać konwencjonalne środki wspomagające, przykładowo, hel, azot lub argon oraz ich mieszaniny, jak również utleniacze, przykładowo, tlen.
Strumień substratu zawierającego HF jest łączony ze strumieniem substratu zawierającego związek organicznocynowy w miejscu przed doprowadzeniem tych substratów do powierzchni gorącego podłoża szklanego, na którym ma być osadzana powłoka, ale korzystnie w bardzo niewielkiej odległości od tej powierzchni. Strumień substratu zawierający HF może być przygotowany przez odparowanie związku za pomocą sposobów opisanych powyżej w odniesieniu do parowania organicznego związku cyny lub przez stosowanie HF jako gazu. Strumień odparowanego substratu zawierającego HF może być łączony ze strumieniem substratu zawierającym odparowany związek organicznocynowy przez mieszanie tych dwóch gazowych strumieni przed doprowadzeniem do powierzchni gorącego podłoża szklanego. Alternatywnie, strumień substratu zawierający HF w cieczy lub roztworze może być wprowadzany do gorącego strumienia substratu zawierającego parowy związek organicznocynowy, przez co następuje odparowanie roztworu zawierającego fluor lub ciekłego związku. Po połączeniu parowe substraty, obejmujące związek organicznocynowy, HF, wodę i tlen, są doprowadzane do powierzchni gorącego szkła, gdzie reagują ze sobą, osadzając na tej powierzchni powłokę tlenku cyny domieszkowanego fluorem.
W korzystnym przykładzie realizacji strumień substratu, zawierający związek organicznocynowy jest wytwarzany przez odparowanie dwuchlorku dwumetylocynowego i obojętnego gazu nośnego, takiego jak azot, hel lub ich mieszanina, w parowniku, tak jak to opisano powyżej. Uzyskany strumień gazowy jest następnie łączony z gazowym tlenem. W tym samym czasie Hf i wodę łączy się w drugim parowniku, a uzyskany parowy (gazowy) strumień zawierający HF i parę wodną łączy się z gazowym strumieniem zawierającym związek organicznocynowy, by utworzyć jednolity parowy (gazowy) strumień substratów. Ten jednolity strumień substratów jest doprowadzany do powierzchni gorącego podłoża szklanego, gdzie na powierzchni tego gorącego podłoża szklanego osadzana jest powłoka z tlenku cyny domieszkowanego fluorem. Jednolity parowy strumień substratów może być doprowadzany do powierzchni szkła za pomocą dowolnego odpowiedniego urządzenia powlekającego, przykładowo, przedstawionego w opisie US 4 504 526.
185 373
Jednolita parowa mieszanina substratów, która jest doprowadzana do powierzchni gorącego podłoża szklanego, korzystnie zawiera (w procentach molowych) 10-60% tlenu, 2-50% wody i 0,2-2% HF, a najkorzystniej 30-50% tlenu, 15-35% wody i 0,5-1,5% HF. Ta jednolita parowa mieszanina zawiera również związek organicznocynowy, którego żądane stężenie jest funkcją żądanej grubości powłoki z tlenku cyny i liniowej prędkości podłoża. Organiczny związek cynowy jest zatem zawarty w gazowej mieszaninie w ilości wystarczającej do nakładania powłoki o żądanej grubości przy żądanej prędkości liniowej podłoża. Dla przeprowadzenia typowych operacji przemysłowych, zawartość organicznego związku cynowego w gazowej mieszaninie substratów powinna wynosić 0,01 do 8%.
Stwierdzono również, że przy tworzeniu powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem, według wynalazku, jest korzystne nakładanie warstwy materiału, która działa jako bariera dyfuzji sodu pomiędzy podłożem szklanym a powłoką z tlenku cyny domieszkowanego fluorem. Stwierdzono, że powlekane wyroby szklane wykazują mniejszą emisyjność, mniejszą rezystancję na jednostkę powierzchni i mniejsze zamglenie, kiedy powłoka z tlenku cyny domieszkowanego fluorem, osadzona według wynalazku, jest nałożona na szkło z warstwą dyfuzji sodu pomiędzy nimi, w porównaniu z nałożeniem bezpośrednio na szkło. Ta warstwa dyfuzji sodu jest korzystnie wykonana z krzemionki. Warstwa krzemionki jest korzystnie utworzona przy użyciu konwencjonalnych technik CVD.
Ponadto, jest korzystne postępowanie, w którym najpierw, na powierzchni gorącego podłoża szklanego, osadza się cienką warstwę tlenku cyny, a na niej cienką warstwę krzemionki, tak że spodnia struktura warstwowa z tlenku cyny i krzemionki powstaje pomiędzy szkłem, a później nakładaną warstwą tlenku cyny domieszkowanego fluorem. W tym przypadku cienka warstwa krzemionki działa nie tylko jako bariera dyfuzji sodu, ale w połączeniu z pierwszą (niedomieszkowaną) cienką warstwą tlenku cyny, pomaga w tłumieniu opalizacji w wynikowym powlekanym wyrobie szklanym. Wytwarzanie takich warstw przeciwopalizujących może być prowadzone zgodnie z opisem US 4 377 613.
Warunki procesu według wynalazku nie są ostro krytyczne dla dobrego łączenia i dostarczania parowych substratów. Opisane powyżej warunki procesu są typowe dla tego typu procesów. Czasami jednak warunki procesu, ujawnione w stanie techniki, mogą nie nadawać się dokładnie do każdego związku stosowanego w procesie według wynalazku. Dla związków, których dotyczy taki przypadek, specjalista może przeprowadzić konwencjonalne modyfikacje, np. przez podwyższenie lub obniżenie temperatury, przez zmianę stosunku łączenia związku organicznocynowego i HF, przez rutynowe modyfikacje warunków procesu parowania, itd., albo przez zastosowanie w praktycznej realizacji wynalazku innych warunków procesu, które mieszczą się w ramach warunków konwencjonalnych.
Proces według wynalazku może być powtarzany w razie potrzeby na danym podłożu tak, aby utworzyć powłokę złożoną z kilku kolejnych warstw, przy czym skład każdej z tych warstw niekoniecznie jest identyczny. Oczywiście przy danym natężeniu przepływu substratów grubość warstwy powłokowej zależy od prędkości ruchu podłoża. W takich warunkach stanowiska reakcji można w razie potrzeby zwielokrotnić przez ustawienie obok siebie dwóch lub więcej urządzeń powlekających. W ten sposób kolejne warstwy są nakładane na siebie zanim warstwy te mają czas ochłodzić się, przez co wytwarzana jest szczególnie jednorodna całkowita powłoka.
Przykład porównawczy.
Dwuchlorek dwumetylocynowy (DMT) stapia się i następnie odparowuje w parowniku cienkowarstwowym, znanym z powyżej omówionego opisu US 5 090 985. Równocześnie do tego parownika cienkowarstwowego, jako gaz nośny, wprowadza się hel. Parownik cienkowarstwowy jest wyposażony w płaszcz parowy, mający temperaturę około 177°C. Uzyskaną mieszaninę gazowego DMT i helu wyprowadza się z cienkowarstwowego parownika i transportuje wzdłuż głównego przewodu substratów. Do strumienia zawierającego DMT oraz gazowy hel w głównym przewodzie substratów, jest wprowadzany gazowy tlen. Uzyskany strumień gazowy jest nadal transportowany głównym przewodem substratów.
Równocześnie kwas trójfłuorooctowy (TFA) i woda są doprowadzane do drugiego parownika cienkowarstwowego, w którym utrzymuje się temperaturę około 200°C. Wynikową
185 373 mieszaninę gazowego TFA i wody wyprowadza się z drugiego parownika cienkowarstwowego i doprowadza się poprzez przewód zasilający do głównego przewodu substratów, aby połączyć mieszaninę gazową TFA/woda ze strumieniem gazowym DMT/He/O2, tak że strumienie te zostają dokładnie wymieszane, by utworzyć jednolity strumień substratów w postaci pary. Końcowy parowy strumień substratów zawiera w przybliżeniu (w procentach molowych) 44,2% tlenu, 22,1% wody, 30,2% helu, 0,97% TFA i 2,53% DMT, przy czym całkowite natężenie przepływu końcowej mieszaniny gazowej wynosi 384 dcm3 na minutę na metr szerokości wynikowego powleczonego wyrobu szklanego. Ten strumień substratów w postaci pary jest natychmiast doprowadzany za pomocą urządzenia powlekającego, przykładowo, znanego z opisu US 4 504 526, do powierzchni wstęgi szkła, na której uprzednio, konwencjonalnymi technikami CVD, osadzono pierwszą cienką warstwę tlenku cyny i drugą cienką warstwę krzemionki. Wstęga szkła jest poruszana z prędkością liniową w przybliżeniu 11,84 metrów na minutę i ma temperaturę 590°C do 650°C. Strumień substratów reaguje na powierzchni gorącego szkła tworząc powłokę z tlenku cyny domieszkowanego fluorem przykrywającą cienką warstwę krzemionki i cienką warstwę tlenku cyny. Grubość wynikowej warstwy tlenku cyny domieszkowanego fluorem wynosi w przybliżeniu 0,32 (tm (3200 A).
Rezystancja na jednostkę powierzchni jest mierzona w dwucalowych inkrementach na szerokości wynikowego powlekanego wyrobu szklanego. Ta rezystancja na jednostkę powierzchni jest w zakresie 13,3 do 18,0 oma na kwadrat, przy czym średnia rezystancja w przeliczeniu na jednostkę powierzchni wynosi 14,4 oma na kwadrat.
Przykład.
Dwuchlorek dwumetylenocynowy (DMT) stapia się i następnie odparowuje w cienkowarstwowym parowniku, znanym z powyżej omówionego opisu US 5 090 985. Równocześnie do tego parownika cienkowarstwowego wprowadza się hel, jako gaz nośny. Parownik cienkowarstwowy jest wyposażony w płaszcz parowy, mający temperaturę około 177°C. Uzyskaną mieszaninę gazowego DMT i helu wyprowadza się z cienkowarstwowego parownika i transportuje wzdłuż głównego przewodu substratów. Do strumienia zawierającego DMT oraz gazowy hel w głównym przewodzie substratów jest wprowadzany gazowy tlen. Uzyskany strumień gazowy jest nadal transportowany głównym przewodem substratów.
Równocześnie wodny roztwór HF jest doprowadzany do drugiego parownika cienkowarstwowego, w którym utrzymuje się temperaturę około 200°C. Do tego drugiego parownika jest doprowadzana również woda. Uzyskaną mieszaninę gazowego HF i wody wyprowadza się z drugiego parownika cienkowarstwowego i doprowadza się poprzez przewód zasilający do głównego przewodu substratów, aby połączyć mieszaninę gazową HF/woda ze strumieniem gazowym DMT/He/CR tak że strumienie te zostają dokładnie wymieszane, by utworzyć jednolity strumień substratów w postaci pary. Końcowy parowy strumień substratów zawiera w przybliżeniu (w procentach molowych) 42,9% tlenu, 24,6% wody, 29,3% helu, 0,70% HF i 2,5% DMT, przy czym całkowite natężenie przepływu końcowej mieszaniny gazowej wynosi 395 dcm3 na minutę na metr szerokości wynikowego powleczonego wyrobu szklanego. Ten parowy strumień substratów jest natychmiast doprowadzany przy użyciu urządzenia, przykładowo, znanego z opisu US 4 504 526, do powierzchni wstęgi szkła, na której uprzednio, konwencjonalnymi technikami CVD, osadzono pierwszą cienką warstwę tlenku cyny i drugą cienką warstwę krzemionki. Wstęga szkła jest poruszana z prędkością liniową w przybliżeniu 11,84 m na minutę i ma temperaturę 590°C do 650°C. Strumień substratów reaguje na powierzchni gorącego szkła tworząc powłokę z tlenku cyny domieszkowanego fluorem, przykrywającą cienką warstwę krzemionki i cienką warstwę tlenku cyny. Grubość wynikowej warstwy tlenku cyny domieszkowanego fluorem wynosi w przybliżeniu 0,32 pm (3200 A).
Rezystancja na jednostkę powierzchni jest mierzona w dwucalowych inkrementach na szerokości wynikowego powlekanego wyrobu szklanego. Ta rezystancja na jednostkę powierzchni jest w zakresie 13,0 do 15,9 oma na kwadrat, przy czym średnia rezystancja w przeliczeniu na jednostkę powierzchni wynosi 14,0 oma na kwadrat. Węższy zakres rezystancji, niż w przypadku powłoki porównywalnej, świadczy o lepszej i bardziej spójnej charakterystyce powłoki na szkle.
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz. Cena 2,00 zł.

Claims (19)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle, polegający na kontaktowaniu powierzchni gorącego podłoża szklanego z jednorodną parową mieszaniną reagentów, które w wyniku reakcji dostarczają powyżej wymienionego tlenku osadzającego się na powierzchni szkła, znamienny tym, że szkło kontaktuje się z jednorodną parową mieszaniną zawierającą związek organicznocynowy, fluorowodór, tlen i wodę.
  2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się szkło wybrane z grupy złożonej ze szkła sodowo-wapniowo-krzemionkowego, szkła alkaliczno-wapniowo-krzemionkowego, szkła borowo-krzemianowego, szkła glinowo-krzemianowego, szkła fosforanowego, szkła ze stopionej krzemionki oraz ich połączeń.
  3. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się szkło sodowo-wapniowokrzemionkowe.
  4. 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się związek organicznocynowy wybrany z grupy złożonej z dwuchlorku dwumetylocynowego, dwuchlorku dwuetylocynowego, dwuoctanu dwubutylocynowego, czterometylocyny, trójchlorku metylocynowego, chlorku trójetylocynowego, chlorku trójmetylocynowego, trójchlorku etylocynowego, trójchlorku propylocynowego, trójchlorku izopropylocynowego, trójchlorku sec-butylocynowego, trójchlorku t-butylocynowego, trójchlorku fenylocynowego, trójchlorku karbetoksyetylocynowego oraz ich połączeń.
  5. 5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako związek organicznocynowy stosuje się dwuchlorek dwumetylocynowy.
  6. 6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się podłoże szklane o temperaturze około 400 do 816°C.
  7. 7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się jednolitą parową mieszaninę zawierającą dodatkowo jeden lub więcej związków wybranych z grupy obejmującej hel, azot, argon i podtlenek azotu.
  8. 8. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mieszaninę parową kontaktuje się ze szkłem, na którego gorącej powierzchni osadzono uprzednio warstwę materiału stanowiącą barierę dyfuzji sodu, tak że materiał stanowiący barierę dyfuzji sodu jest umieszczony pomiędzy powierzchnią podłoża szklanego a powłoką z tlenku cyny domieszkowanego fluorem.
  9. 9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że na powierzchni gorącego podłoża szklanego osadza się warstwę krzemionki, jako warstwę stanowiącą barierę dyfuzji sodu.
  10. 10. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że warstwę krzemionki osadza się na powierzchni gorącego podłoża szklanego poprzez osadzanie chemiczne z fazy gazowej.
  11. 11. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że warstwę krzemionki osadza się na powierzchni szkła pokrytego warstwą tlenku cyny.
  12. 12. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 0,2 do 2% molowych fluorowodoru.
  13. 13. Sposób według zastrz. 12, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 0,5 do 1,5% molowych fluorowodoru.
  14. 14. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 2 do 50% molowych wody.
  15. 15. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 15 do 35% molowych wody.
  16. 16. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 10 do 60% molowych tlenu.
  17. 17. Sposób według zastrz. 16, znamienny tym, że stosuje się parową mieszaninę zawierającą 30 do 50% molowych tlenu.
    185 373
  18. 18. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że powierzchnię gorącego podłoża szklanego, mającego temperaturę około 400 do 816°C, kontaktuje się z jednorodną mieszaniną parową, zawierającą związek organicznocynowy, 0,2 do 2% molowych fluorowodoru, 2 do 50% molowych wody i 10 do 60% molowych tlenu.
  19. 19. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że powierzchnię gorącego podłoża szklanego, pokrytego warstwą krzemionki imającego temperaturę około 400 do 816°C, kontaktuje się z jednorodną mieszaniną parową, zawierającą związek organicznocynowy, 0,2 do 2% molowych fluorowodoru, 2 do 50% molowych wody i 10 do 60% molowych tlenu.
PL97324429A 1996-05-06 1997-05-06 Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle PL185373B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/642,921 US5698262A (en) 1996-05-06 1996-05-06 Method for forming tin oxide coating on glass
PCT/US1997/007597 WO1997042357A1 (en) 1996-05-06 1997-05-06 Method for forming tin oxide coating on glass

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL324429A1 PL324429A1 (en) 1998-05-25
PL185373B1 true PL185373B1 (pl) 2003-04-30

Family

ID=24578594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL97324429A PL185373B1 (pl) 1996-05-06 1997-05-06 Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle

Country Status (13)

Country Link
US (1) US5698262A (pl)
EP (1) EP0839218B1 (pl)
JP (1) JP4322314B2 (pl)
KR (1) KR100577945B1 (pl)
CN (1) CN1122115C (pl)
AT (1) ATE211779T1 (pl)
AU (1) AU2828197A (pl)
BR (1) BR9702244A (pl)
CA (1) CA2225961A1 (pl)
DE (1) DE69709525T2 (pl)
PL (1) PL185373B1 (pl)
RU (1) RU2194089C2 (pl)
WO (1) WO1997042357A1 (pl)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2738813B1 (fr) * 1995-09-15 1997-10-17 Saint Gobain Vitrage Substrat a revetement photo-catalytique
US7096692B2 (en) 1997-03-14 2006-08-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Visible-light-responsive photoactive coating, coated article, and method of making same
US6027766A (en) * 1997-03-14 2000-02-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Photocatalytically-activated self-cleaning article and method of making same
US5935716A (en) * 1997-07-07 1999-08-10 Libbey-Owens-Ford Co. Anti-reflective films
US6124026A (en) * 1997-07-07 2000-09-26 Libbey-Owens-Ford Co. Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article
FR2780054B1 (fr) * 1998-06-19 2000-07-21 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu
US6964731B1 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6660365B1 (en) 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
US6312831B1 (en) * 1999-04-30 2001-11-06 Visteon Global Technologies, Inc. Highly reflective, durable titanium/tin oxide films
US6602606B1 (en) 1999-05-18 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same
JP2001093996A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6111224A (en) * 1999-12-02 2000-08-29 Hatco Corporation Food warming oven with transparent heating shelves
US6413579B1 (en) * 2000-01-27 2002-07-02 Libbey-Owens-Ford Co. Temperature control of CVD method for reduced haze
EP1265820B1 (en) 2000-03-23 2005-01-05 University Of Southampton Optical waveguides and devices including same
US6643442B2 (en) 2000-03-23 2003-11-04 University Of Southampton Optical waveguides and devices including same
US6605341B2 (en) * 2000-05-19 2003-08-12 Tdk Corporation Functional film having specific surface dispersion ratio
MXPA03002138A (es) 2000-09-11 2004-05-04 Cardinal Cg Co Cubiertas protectoras temporales que contienen superficies hidrofilicas.
US6921579B2 (en) * 2000-09-11 2005-07-26 Cardinal Cg Company Temporary protective covers
JP2004518603A (ja) 2001-02-08 2004-06-24 カーディナル・シージー・カンパニー 被覆基材の縁部処理方法
US6902813B2 (en) * 2001-09-11 2005-06-07 Cardinal Cg Company Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers
US8093490B2 (en) 2001-12-03 2012-01-10 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for forming thin film, substrate having transparent electroconductive film and photoelectric conversion device using the substrate
WO2003050324A1 (en) 2001-12-03 2003-06-19 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for forming thin film, substrate having thin film formed by the method, and photoelectric conversion device using the substrate
US6733889B2 (en) 2002-05-14 2004-05-11 Pilkington North America, Inc. Reflective, solar control coated glass article
US7993741B2 (en) * 2002-12-06 2011-08-09 Cardinal Cg Company Preventing damage with separators
WO2005063646A1 (en) 2003-12-22 2005-07-14 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
EP1765740B1 (en) 2004-07-12 2007-11-07 Cardinal CG Company Low-maintenance coatings
WO2006080968A2 (en) 2004-11-15 2006-08-03 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing coatings having sequenced structures
CN1317740C (zh) * 2004-12-01 2007-05-23 四川大学 用高温氧化方法制备SnO2过渡层
US8092660B2 (en) 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US8197231B2 (en) 2005-07-13 2012-06-12 Purity Solutions Llc Diaphragm pump and related methods
MY160173A (en) * 2005-08-30 2017-02-28 Pilkington Group Ltd Light transmittance optimizing coated glass article for solar cell and method for making
US20070134501A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Mcmaster Alan J Self-cleaning coatings applied to solar thermal devices
US7989094B2 (en) 2006-04-19 2011-08-02 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
JP2010513175A (ja) * 2006-06-30 2010-04-30 カーディナル・シージー・カンパニー カーボンナノチューブグレージング技術
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
WO2008027087A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Pilkington Group Limited Method of forming a zinc oxide coated article
CA2664368A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
GB0803574D0 (en) * 2008-02-27 2008-04-02 Pilkington Group Ltd Coated glazing
FR2973023B1 (fr) 2011-03-25 2019-08-02 Saint-Gobain Glass France Vitrage multiple isolant comprenant deux empilements bas emissifs
US8609197B1 (en) 2011-03-29 2013-12-17 Owens-Brockway Glass Container Inc. Preparing glass containers for electrostatic coating
WO2013106312A2 (en) * 2012-01-10 2013-07-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Coated glasses having a low sheet resistance, a smooth surface, and/or a low thermal emissivity
US9610392B2 (en) 2012-06-08 2017-04-04 Fresenius Medical Care Holdings, Inc. Medical fluid cassettes and related systems and methods
US20130334089A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Michael P. Remington, Jr. Glass Container Insulative Coating
WO2014112415A1 (ja) * 2013-01-16 2014-07-24 旭硝子株式会社 積層膜付きガラス基板の製造方法
KR101933727B1 (ko) * 2013-08-26 2018-12-31 연세대학교 산학협력단 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막
CN103915529B (zh) * 2014-04-16 2016-10-26 沙嫣 微型非晶硅薄膜太阳能电池片的生产方法
CN104264127A (zh) * 2014-09-28 2015-01-07 中国建材国际工程集团有限公司 光伏电池用透明导电膜的生产方法
CN104294992B (zh) * 2014-10-17 2017-02-01 宁波华尔克应用材料有限公司 一种节能玻璃砖及其制备方法
EP3209498B1 (en) 2014-10-20 2024-12-11 Pilkington Group Limited Vacuum insulated glazing unit
KR102319630B1 (ko) 2014-10-23 2021-10-29 인프리아 코포레이션 유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법
KR102708400B1 (ko) * 2015-10-13 2024-09-20 인프리아 코포레이션 유기주석 옥사이드 하이드록사이드 패터닝 조성물,전구체 및 패터닝
WO2017100118A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Cardinal Cg Company Method of coating both sides of a substrate
WO2018093985A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
US12122707B2 (en) 2020-02-20 2024-10-22 Pilkington Group Limited Coated glass articles
CN112851334A (zh) * 2021-02-04 2021-05-28 宁波云川环保科技有限公司 一种基于氮化硅的加热体及其制备工艺
KR20240049398A (ko) 2021-09-13 2024-04-16 젤리스트 인코퍼레이티드 옥소스탄네이트가 풍부한 필름을 제조하기 위한 방법 및 전구체
CA3257557A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Mitsubishi Chemical Corporation HIGH-PURITY ALKYLETAIN COMPOUNDS AND THEIR MANUFACTURING PROCESSES
EP4568977A1 (en) 2022-08-12 2025-06-18 Gelest, Inc. High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof
EP4598932A1 (en) 2022-10-04 2025-08-13 Gelest, Inc. Cyclic azastannane and cyclic oxostannane compounds and methods for preparation thereof
WO2025202635A1 (en) 2024-03-26 2025-10-02 Pilkington Group Limited Coated glass articles

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34114A (en) * 1862-01-07 Improvement in piano-fortes
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US2118795A (en) * 1931-09-21 1938-05-24 Corning Glass Works Insulator
US2429420A (en) * 1942-10-05 1947-10-21 Libbey Owens Ford Glass Co Conductive coating for glass and method of application
GB604878A (en) 1944-12-11 1948-07-12 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to conductive vitreous articles and their manufacture
US2583000A (en) * 1946-05-14 1952-01-22 Pittsburgh Plate Glass Co Transparent conducting films
US2614944A (en) * 1947-07-22 1952-10-21 Pittsburgh Plate Glass Co Method of applying electroconductive films
US2556346A (en) * 1947-09-18 1951-06-12 Stromberg Bror Wilhelm Level indicator for liquidcontaining vessels
US2567331A (en) * 1949-07-21 1951-09-11 Libbey Owens Ford Glass Co Method of applying electrically conducting coatings to vitreous bases
GB705934A (en) 1951-05-17 1954-03-24 Pittsburgh Plate Glass Co Conductive article and production thereof
US2617741A (en) * 1951-12-19 1952-11-11 Pittsburgh Plate Glass Co Electroconductive article and production thereof
USRE25767E (en) * 1958-03-05 1965-04-27 Treating glass sheets
US3107177A (en) 1960-01-29 1963-10-15 Pittsburgh Plate Glass Co Method of applying an electroconductive tin oxide film and composition therefor
SU142000A1 (ru) 1961-01-27 1961-11-30 Б.П. Крыжановский Способ получени полупроводниковых слоев двуокиси олова
GB1101731A (en) 1964-02-27 1968-01-31 Ball Brothers Co Inc Coating of glass
DE1495783A1 (de) * 1964-03-07 1969-04-03 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von Polyaethylenterephthalat
US3420693A (en) * 1964-06-05 1969-01-07 Ball Brothers Co Inc Glass having dual protective coatings thereon and a method for forming such coatings
GB1211006A (en) 1967-03-28 1970-11-04 Dominion Glass Co Ltd Protective coating of glass containers
US3647531A (en) * 1967-04-11 1972-03-07 Tokyo Shibaura Electric Co Method of applying coating of metal oxides upon substrates
US3836444A (en) * 1968-10-01 1974-09-17 Inst Francais Du Petrole Process for polymerizing conjugated diolefins using organic compounds of the transition metals as catalysts
US3644741A (en) * 1969-05-16 1972-02-22 Energy Conversion Devices Inc Display screen using variable resistance memory semiconductor
CA918297A (en) * 1969-09-24 1973-01-02 Tanimura Shigeru Semiconductor device and method of making
JPS493816B1 (pl) * 1969-10-11 1974-01-29
CA927690A (en) 1970-07-13 1973-06-05 Ball Corporation Apparatus and method for treating vitreous surfaces
US3677814A (en) * 1970-10-26 1972-07-18 Ppg Industries Inc Process for forming electroconductive tin oxide films by pyrolyzation of alkyl and aryl tin fluorides
US3781315A (en) * 1971-07-09 1973-12-25 Prod Res & Chem Corp Halo alkoxy metal compounds
BE788501A (fr) * 1971-09-17 1973-01-02 Libbey Owens Ford Co Procede d'application d'enduits d'oxyde d'etain sur des substrats transparents
US3775453A (en) * 1972-03-14 1973-11-27 Schaper Preparation of hexafluoroisopropoxides of aluminum and group iv elements
JPS5128090B2 (pl) * 1972-03-17 1976-08-17
GB1419143A (en) * 1972-04-04 1975-12-24 Omron Tateisi Electronics Co Semiconductor photoelectric device
US4057480A (en) * 1973-05-25 1977-11-08 Swiss Aluminium Ltd. Inconsumable electrodes
US4093636A (en) * 1973-06-14 1978-06-06 Rhone - Poulenc Industries Epoxidation of olefinic compounds
US3949146A (en) * 1973-08-24 1976-04-06 Rca Corporation Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate
GB1454567A (en) 1974-03-07 1976-11-03 Ball Corp Method and apparatus for treating vitreous surfaces
GB1520124A (en) 1974-09-18 1978-08-02 M & T Chemicals Inc Process for applying stannic oxide coatings to glass
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
JPS5170492A (en) * 1974-12-16 1976-06-18 Kogyo Gijutsuin Teiteikono sankainjiumudodenmakuno seizoho
GB1517341A (en) 1975-01-02 1978-07-12 Day Specialties Coating solutions for dielectric materials
US4130673A (en) * 1975-07-02 1978-12-19 M&T Chemicals Inc. Process of applying tin oxide on glass using butyltin trichloride
US4069630A (en) * 1976-03-31 1978-01-24 Ppg Industries, Inc. Heat reflecting window
GB1516032A (en) * 1976-04-13 1978-06-28 Bfg Glassgroup Coating of glass
GB1523991A (en) 1976-04-13 1978-09-06 Bfg Glassgroup Coating of glass
GB1524326A (en) * 1976-04-13 1978-09-13 Bfg Glassgroup Coating of glass
US4265974A (en) * 1976-11-01 1981-05-05 Gordon Roy G Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4308316A (en) * 1977-04-04 1981-12-29 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4187336A (en) * 1977-04-04 1980-02-05 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
JPS5437077A (en) * 1977-08-02 1979-03-19 Agency Of Ind Science & Technol Chemical evaporation method and apparatus for same
US4349425A (en) * 1977-09-09 1982-09-14 Hitachi, Ltd. Transparent conductive films and methods of producing same
FR2409880B1 (fr) * 1977-11-29 1986-04-25 Pietsch Helge Siege suspendu de vehicule
CA1134214A (en) 1978-03-08 1982-10-26 Roy G. Gordon Deposition method
US4206452A (en) * 1978-04-28 1980-06-03 Fairway Trading, Inc. Tension cord burglar-alarm
JPS54150417A (en) * 1978-05-19 1979-11-26 Hitachi Ltd Production of transparent conductive layer
US4389238A (en) * 1978-07-17 1983-06-21 J. T. Baker Chemical Company Flowable herbicide and pesticide formulation
GB2026454B (en) 1978-07-20 1982-07-21 Bfg Glassgroup Coating glass with tin oxide
US4263335A (en) * 1978-07-26 1981-04-21 Ppg Industries, Inc. Airless spray method for depositing electroconductive tin oxide coatings
BE879189A (fr) * 1978-10-19 1980-04-04 Bfg Glassgroup Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus
CH640276A5 (en) 1978-10-20 1983-12-30 Roy Gerald Gordon Process for producing films of stannic oxide on a heated substrate
US4235945A (en) * 1978-12-01 1980-11-25 Ppg Industries, Inc. High resistivity electroconductive tin oxide films
US4254046A (en) * 1979-02-05 1981-03-03 Ppg Industries, Inc. Method for making dimethyltin difluoride
CH628600A5 (fr) 1979-02-14 1982-03-15 Siv Soc Italiana Vetro Procede pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede.
US4329699A (en) * 1979-03-26 1982-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US4325987A (en) * 1979-07-31 1982-04-20 Societa Italiana Vetro-Siv-S.P.A. Process for the production of an electrically conducting article
JPS5627154A (en) * 1979-08-10 1981-03-16 Canon Inc Electrophotographic receptor
DE3001125A1 (de) * 1980-01-14 1981-07-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige
IT1143300B (it) * 1980-01-31 1986-10-22 Bfg Glassgroup Procedimento e dispositivo per ricoprire il vetro
IT1143302B (it) 1980-01-31 1986-10-22 Bfg Glassgroup Procedimento e dispositivo per ricoprire il vetro
GB2068934B (en) 1980-01-31 1984-04-26 Bfg Glassgroup Coating hot glass with metals or metal compounds especially oxides
GB2068936A (en) 1980-01-31 1981-08-19 Bfg Glassgroup Coating hot glass with metals or metal compounds, especially oxides
US4419570A (en) * 1980-03-03 1983-12-06 Societa Italiana Vetro - Siv - S.P.A. Heating glass pane
GB2078213B (en) 1980-06-19 1983-10-26 Bfg Glassgroup Forming uniform multiconstituent coatings on glass
JPS602650B2 (ja) * 1980-06-26 1985-01-23 シャープ株式会社 液晶セル
JPS5720718A (en) * 1980-07-11 1982-02-03 Toyobo Co Ltd Polarizing plate with transparent conductive layer
DE3029174A1 (de) * 1980-08-01 1982-03-11 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen Monoalkylfluorozinn-verbindungen und ihre herstellung
US4325988A (en) * 1980-08-08 1982-04-20 Ppg Industries, Inc. Deposition of coatings from fine powder reactants
DE3031147A1 (de) * 1980-08-18 1982-03-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von glas mit einem vorbestimmten brechzahlprofil und alkalifreies glas aus einem oxis eines grundstoffes, das mit einem oder mehreren weiteren stoffen dotiert ist
US4293594A (en) * 1980-08-22 1981-10-06 Westinghouse Electric Corp. Method for forming conductive, transparent coating on a substrate
US4329418A (en) * 1980-11-14 1982-05-11 Lord Corporation Organometallic semiconductor devices
JPS5785866A (en) * 1980-11-18 1982-05-28 Mitsubishi Metal Corp Antistatic transparent paint
US4336295A (en) * 1980-12-22 1982-06-22 Eastman Kodak Company Method of fabricating a transparent metal oxide electrode structure on a solid-state electrooptical device
JPS57130303A (en) * 1981-02-03 1982-08-12 Sharp Kk Method of producing transparent conductive film
FI61983C (fi) * 1981-02-23 1982-10-11 Lohja Ab Oy Tunnfilm-elektroluminensstruktur
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
US4419386A (en) * 1981-09-14 1983-12-06 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4377613A (en) * 1981-09-14 1983-03-22 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
JPS5865438A (ja) * 1981-10-15 1983-04-19 Fuji Photo Film Co Ltd 光導電性組成物およびそれを用いた電子写真感光材料
CH643469A5 (fr) * 1981-12-22 1984-06-15 Siv Soc Italiana Vetro Installation pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide.
US4389234A (en) * 1982-03-18 1983-06-21 M&T Chemicals Inc. Glass coating hood and method of spray coating glassware
US4500264A (en) * 1982-06-04 1985-02-19 M&T Chemicals Inc. Air operated diaphragm pump system
NO157212C (no) * 1982-09-21 1988-02-10 Pilkington Brothers Plc Fremgangsmaate for fremstilling av belegg med lav emisjonsevne.
DE3239753C1 (de) * 1982-10-27 1984-03-29 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Farbneutrale,solarselektive Waermereflexionsschicht fuer Glasscheiben und Verfahren zur Herstellung der Schichten
US4605565A (en) * 1982-12-09 1986-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film
US4500567A (en) * 1982-12-23 1985-02-19 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method for forming tin oxide coating
DE3300589A1 (de) * 1983-01-11 1984-07-12 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Verfahren zur herstellung von indiumoxid-zinnoxid-schichten
DE3316548C2 (de) * 1983-03-25 1985-01-17 Flachglas AG, 8510 Fürth Verfahren zur Beschichtung eines transparenten Substrates
US4530857A (en) * 1983-05-13 1985-07-23 M&T Chemicals Inc. Glass container hot end coating formulation and method of use
GB2139612B (en) 1983-05-13 1987-03-11 Glaverbel Coating a hot vitreous substrate
FR2550138B1 (fr) * 1983-08-04 1985-10-11 Saint Gobain Vitrage Vitrage a basse emissivite, notamment pour vehicules
US4583920A (en) * 1983-12-28 1986-04-22 M&T Chemicals Inc. Positive displacement diaphragm pumps employing displacer valves
US4775552A (en) 1984-04-10 1988-10-04 M&T Chemicals Inc. Nebulizable coating compositions for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
US4731256A (en) * 1984-04-10 1988-03-15 M&T Chemicals Inc. Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
US4601917A (en) * 1985-02-26 1986-07-22 M&T Chemicals Inc. Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
GB8420534D0 (en) * 1984-08-13 1984-09-19 Pilkington Brothers Plc Coated products
US4668268A (en) * 1984-12-20 1987-05-26 M&T Chemicals Inc. Coating hood with air flow guide for minimizing deposition of coating compound on finish of containers
US4743506A (en) * 1984-12-28 1988-05-10 M&T Chemicals Inc. Tin oxide coated article
US4590096A (en) * 1984-12-28 1986-05-20 M&T Chemicals Inc. Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass
IN164438B (pl) 1984-12-28 1989-03-18 M & T Chemicals Inc
US4696837A (en) * 1985-06-25 1987-09-29 M&T Chemicals Inc. Chemical vapor deposition method of producing fluorine-doped tin oxide coatings
US4547400A (en) * 1985-02-25 1985-10-15 Ford Motor Company Method of making infrared reflective glass sheet-I
US4548836A (en) * 1985-02-25 1985-10-22 Ford Motor Company Method of making an infrared reflective glass sheet-II
US4737388A (en) * 1985-05-14 1988-04-12 M&T Chemicals Inc. Non-iridescent, haze-free infrared reflecting coated glass structures
US4600654A (en) * 1985-05-14 1986-07-15 M&T Chemicals Inc. Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
US4575317A (en) 1985-06-26 1986-03-11 M&T Chemicals Inc. Constant clearance positive displacement piston pump
US4788079A (en) 1985-10-30 1988-11-29 M&T Chemicals Inc. Method of making haze-free tin oxide coatings
US4726319A (en) * 1985-10-31 1988-02-23 M&T Chemicals Inc Apparatus and method for coating optical fibers
US4928627A (en) 1985-12-23 1990-05-29 Atochem North America, Inc. Apparatus for coating a substrate
US5122394A (en) 1985-12-23 1992-06-16 Atochem North America, Inc. Apparatus for coating a substrate
JPH0651909B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
US4731462A (en) * 1986-07-18 1988-03-15 M&T Chemicals Inc. Organotin compounds containing fluorine useful for forming fluorine-doped tin oxide coating
US4857095A (en) 1987-08-10 1989-08-15 Ford Motor Company Method for forming a fluorine-doped tin oxide coating on a glass substrate
US4853257A (en) 1987-09-30 1989-08-01 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath
US4863358A (en) 1988-05-14 1989-09-05 M&T Chemicals Inc. Submersible positive displacement piston pump
US5102691A (en) 1989-09-20 1992-04-07 Atochem North America, Inc. Method of pretreatment for the high-deposition-rate production of fluorine-doped tin-oxide coatings having reduced bulk resistivities and emissivities
US5140940A (en) 1991-01-08 1992-08-25 Atochem North America, Inc. Apparatus for depositing a metal-oxide coating on glass articles

Also Published As

Publication number Publication date
JP4322314B2 (ja) 2009-08-26
DE69709525T2 (de) 2002-08-29
DE69709525D1 (de) 2002-02-14
CA2225961A1 (en) 1997-11-13
JPH11509895A (ja) 1999-08-31
BR9702244A (pt) 1999-02-17
PL324429A1 (en) 1998-05-25
KR19990028727A (ko) 1999-04-15
KR100577945B1 (ko) 2006-08-30
AU2828197A (en) 1997-11-26
MX9800254A (es) 1998-07-31
ATE211779T1 (de) 2002-01-15
EP0839218B1 (en) 2002-01-09
CN1196760A (zh) 1998-10-21
RU2194089C2 (ru) 2002-12-10
CN1122115C (zh) 2003-09-24
EP0839218A1 (en) 1998-05-06
EP0839218A4 (pl) 1998-06-03
US5698262A (en) 1997-12-16
WO1997042357A1 (en) 1997-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL185373B1 (pl) Sposób wytwarzania powłoki z tlenku cyny domieszkowanego fluorem na szkle
US6521295B1 (en) Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby
AU602250B2 (en) Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath
EP0573639B1 (en) Coating composition for glass
US4847157A (en) Glass coating method and resulting article
US4500567A (en) Method for forming tin oxide coating
US5773086A (en) Method of coating flat glass with indium oxide
US4946712A (en) Glass coating method and resulting article
JPH0530907B2 (pl)
JP7372234B2 (ja) コーティングされたガラス物品、その作製方法、およびそれにより作製された光電池
MXPA98000254A (en) Method for forming a tin oxide coating on vid
WO2026047348A1 (en) Process for depositing a coating
WO2026047357A1 (en) Process for depositing a coating
JP2025505728A (ja) コーティングを形成する方法
MXPA98002841A (en) Coating of glass
WO2016132131A1 (en) A chemical vapour deposition process for depositing an iron doped tin oxide coating and a coated glass article formed thereby

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20050506