KR101933727B1 - 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막 - Google Patents

원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원자층 증착법으로 산화물 박박을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스 및 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐이 도핑된 산화물 박막에 관한 것이다.
본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막 을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 용액이다. 또한, 본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법은: 48 내지 51%로 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계; 상기 희석된 하이드로겐 할라이드를 디아이(DI) 워터에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계; 산화물 박막이 형성된 기판을 원자층 증착용 챔버에 배치하는 단계; 및 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 치환하는 단계를 포함한다.

Description

원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막 {Halogen doping source for doping oxide thin film with halogen using atomic layer deposition, method for manufacturing the halogen doping source, method for doping oxide thin film with halogen using atomic layer deposition, and oxide thin film doped with halogen manufactured by using the method for doping oxide thin film with halogen}
본 발명은 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스 및 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 할로겐 도핑 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐원소가 도핑된 산화물 박막에 관한 것이다.
금속 산화물을 기판에 증착할 때 금속 산화물의 일부를 이종 원소로 도핑하여 금속 산화물의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 변화시키는 다양한 방법이 알려져있다. 그러한 이종 도핑 원소가 중 할로겐 원소인 경우, 즉, 금속 산화물의 산소 중 일부를 할로겐 원소로 치환하는 방법은 할로겐 원소의 휘발성이 커서 매우 어려운 것으로 알려져 있지만, 이런 어려움에도 불구하고 할로겐 원소를 금속 산화물의 산소 중 일부를 치환하는 기술로서 분무 열분해법(Spray Pyrolysis), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 전자선 증착법(E-Beam Evaporation), 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition) 등의 방법이 알려져 있다.
상기 방법들 중에서 화학기상증착법은 유기금속 전구체(Metal-Organic Precursor)를 사용하여 기체 상태로 금속 산화물을 기판에 직접 증착하는 증착법으로 작업조건이 깨끗하고 균질한 표면의 박막을 제조할 수 있다는 장점이 있다. 특히 화학기상증착법을 사용하여 할로겐 원소를 금속 산화물 박막에 도핑한 사례로서 불소(F)를 산화아연(ZnO) 박막내에 도핑하여 산화아연 박막의 전기적 특성을 향상시킨 방법이 보고되었다.
하지만 상기 방법으로 박막을 제조할 때에는 400℃ 이상의 고온 공정이 필요한데, 이러한 고온에서의 작업은 화합물의 특성을 변화시키는 등의 단점이 있어서 반도체, 디스플레이 분야와 같이 정밀함을 요구하는 분야 또는 휨성(Flexible) 기판이 적용된 차세대 전자소자에는 적용하기 어렵다.
상기 문제점을 해결하고 보다 간단하며 양질의 박막을 제조하기 위하여 최근 화학기상증착법을 응용한 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)이 새로운 금속 산화물 박막의 증착법으로 활발히 연구되고 있다. 원자층 증착법은 박막을 원자층 단위로 증착하기 때문에 두께의 조절이 용이하며 단차 피복(Step Coverage)이 좋아서, 복잡하고 다양한 구조의 기판 또는 구조물에 박막을 균일하게 증착을 할 수 있다는 장점이 있다. 또한 상 형성 온도가 매우 낮아 200℃ 이하의 저온에서 박막 증착 공정이 가능하다는 장점을 갖고 있다. 원자층 증착법에서 사용하는 소스(Source) 물질은 화학기상증착법에서 사용하는 유기금속 전구체와 같으며, 현재 금속 및 금속 산화물과 같은 세라믹 박막을 증착하기 위한 유기금속 전구체는 대부분이 상용화되어 있으며, 실제로 반도체 소자 및 투명전극 박막의 증착 공정에 많이 사용되고 있다. 하지만, 할로겐 원소와 같은 금속 이외의 물질은 원자층 증착법 또는 화학기상증착법용 소스 물질이 개발이 되어 있지 않다. 예컨데, 할로겐 원소 중 불소를 원자층 증착법에 사용하기 위해서는 불소 소스 물질로서 TiF4 또는 TaF5 등의 불소화 금속을 이용하여 MgF2와 CdF2 등의 금속 플로라이드(Metal Fluoride)를 증착하는 방법이 제안된 바 있다. 하지만, 상기 방법에 따라 TiF4 또는 TaF5를 이용하여 금속 플로라이드 박막을 제조할 경우, Ti, Ta와 같은 금속이 박막에 동시에 증착되므로 원하지 않는 이종 원소(Ti, Ta)의 오염에 대한 문제점이 있어서, TiF4 또는 TaF5를 이용하여 불소 등의 할로겐 원소를 원자층 증착 금속 산화물에의 도핑 소스로서 사용할 수는 없는 형편이다.
따라서, 본 발명은 원자층 증착법으로 산화물 박막을 증착할 때, 사용할 수 있는 할로겐 도핑 소스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 할로겐 도핑 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 원하는 조성의 할로겐 원소를 도핑할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 산화물 박막의 일부를 원하는 조성의 할로겐 원소를 도핑함으로써, 원치 않는 이종원소 물질에 의하여 오염되지 않고, 정량적으로 도핑량의 조절이 가능하며, 정밀도가 높은 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막, 및 상기 산화물 박막이 형성된 기판을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 할로겐 원소의 도핑량을 용이하게 조절함으로서, 산화물 박막의 우선 배향성을 조절하여 표면 형상을 용이하게 조절할 수 있는 방법 및 상기 방법으로 표면 형상이 조절된 산화물 박막, 및 상기 산화물 박막이 형성된 기판을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막 의 적어도 일부를 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 용액인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소, 염화수소, 브롬화수소 및 요오드화 수소 중 적어도 하나인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 용액은 불화수소 1ml 당 탈이온수(Deionized Water; DI Water)가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것이 바람직하다.
한편, 원자층 증착법으로 산화물 박막을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스의 제조방법은:
하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계;
상기 할라이드 또는 상기 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하이드로겐 할라이드는불화수소, 염화수소, 브롬화수소 및 요오드화 수소 중 적어도 하나인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 희석 용액은 하이드로겐 할라이드 1ml 당 탈이온수가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명은 기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:
금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;
하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;
상기 희석 용액 및 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;
상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계;
상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것이 바람직하다.
또는, 본 발명은 기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:
금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;
하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;
상기 희석 용액, 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질 및 물을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;
상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계;
상기 희석 용액 또는 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 5 단계는 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계가 미리 결정된 비율에 따라서 규칙적으로 반복되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방법은 상기 제 4 단계에 이어서, 상기 챔버 내부에 잔류한 금속 산화물 박막의 금속 소스를 챔버에서 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방법은 상기 제 5 단계에 이어서, 상기 챔버 내부에 잔류한 희석 용액 또는 물을 챔버에서 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방법은 상기 희석 용액의 농도에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것이 바람직하다.
또는, 상기 방법은 상기 제 5 단계에서 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수의 비율에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소, 염화수소, 브롬화수소 및 요오드화 수소 중 적어도 하나인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 희석 용액은 하이드로겐 할라이드 1ml 당 탈이온수가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 할로겐이 도핑된 산화물 박막은 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법에 의하여 형성된 산화물 박막인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 할로겐 도핑 소스를 이용하면 원자층 증착법을 이용하여 할로겐 원소를 산화물 박막 내에 정량적으로 도핑하여 할로겐 원소가 도핑된 금속 산화물 박막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 할로겐 도핑 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 할로겐 원소를 산화물 박막내에 도핑하면, 원치 않는 이종원소에 의한 오염없이, 정량적으로 도핑량의 조절이 가능한, 정밀도가 높은 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막, 및 상기 산화물 박막이 형성된 기판을 얻을 수 있다.
또한, 할로겐 원소의 도핑량을 정량적으로 조절함으로써, 산화물 박막의 우선 배향성을 조절하여 표면 형상을 조절할 수 있는 산화물 박막, 및 상기 산화물 박막이 형성된 기판을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 산화물 박막에 불소를 도핑하기 위한 도핑 소스를 제조하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 형성된 HF를 물에 희석한 불소 도핑용 소스를 이용하여 산화아연 박막에 불소를 도핑한 박막의 상태를 도시하는 FE-SEM 사진;
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 형성된 HCl을 물에 희석한 염소 도핑용 소스를 이용하여 산화아연 박막에 염소를 도핑한 박막의 상태를 도시하는 FE-SEM 사진;
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 형성된 불소 도핑용 소스를 이용하여 산화아연 박막에 불소를 도핑한 박막에 대하여 EDX 정량 분석을 실시한 결과를 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 형성된 염소 도핑용 소스를 이용하여 산화아연 박막에 염소를 도핑한 박막에 대하여 PES 분석을 실시한 결과를 도시하는 도면; 및
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 산화아연 박막에 불소를 도핑한 박막에 대하여 소스 분사 비율과 불소의 도핑량의 관계를 도시하는 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박박의 일부를 할로겐으로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스 및 그 제조 방법, 그리고 상기 할로겐 도핑 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑하는 방법을 이하에서 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 산화물 박막에 불소를 도핑하기 위한 도핑 소스를 제조하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에서 보듯이, 먼저, HF를 물에 48% 내지 51%의 농도로 희석하고, 상기 희석된 HF를 HF 0.5ml 당 탈이온수 50ml 정도의 비율로 혼합한 희석 용액을 제공하는 것으로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 할로겐 도핑 소스, 특히 불소를 도핑하기 위한 불소 도핑 소스의 준비는 완료된다.
한편, 도 1은 불소를 도핑하기 위한 소스로서 HF를 원료로한 도핑 소스를 제시하고 있지만, 도핑하려는 할로겐 원소의 종류에 따라서 HCl, HBr, HI 등 다른 하이드로겐 할라이드를 원료로 하여 물에 희석함으로서 다양한 종료의 할로겐 도핑용 도핑 소스를 얻을 수 있다. 예컨데, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 33% 내지 40%의 농도로 희석된 HCL을 HCL 0.5ml 당 탈이온수 50ml 정도의 비율로 혼합한 희석 용액을 제공하였으며, 상기 희석 용액을 이용하여 산화물 박막의 일부를 염소로 도핑하였다.
한편, 본 실시예에 따르면 원자층 증착법을 수행하기 위하여 원자층 증착기를 사용하였는데, 특히 본 실시예에서 사용된 원자층 증착기는 기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하고, 복수의 소스통은 최소한 금속 산화물 박막을 형성하기 위한 금속 소스가 담지되는 제 1 소스통과, 물이 담지되는 제 2 소스통과 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 희석 용액이 담지되는 제 3 소스통을 포함하는 것이 바람직하다.
또는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착기는 물이 담지되는 제 2 소스통 없이 금속 산화물 박막을 형성하기 위한 금속 소스가 담지되는 제 1 소스통과, 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 희석 용액이 담지되는 제 3 소스통만 포함할수도 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원자층 증착기는 소스통에 담지된 소스 등을 챔버 내부로 분사하기 위한 분사 수단, 챔버 내부의 금속 소스를 외부로 배출하기 위한 배출 수단, 상기 증착기의 동작을 제어하기 위한 제어 수단 등을 포함하는데, 상기 구성은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 기술이므로 상세한 설명을 생략하지만, 본 발명에 일체로 합체된다.
위에서 설명한 원자층 증착기 및 할로겐 도핑 소스를 이용하여 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막을 형성하는 방법을 이하에서 설명한다.
먼저, 제 1 단계로서 금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 원자층 증착기의 챔버 내부에 배치한다. 상기 기판은 Si 기판이 통상적으로 이용되지만, 금속 산화물 박막이 형성가능한 기판이라면 그 종류를 한정하지 않는다.
이어서, 제 2 단계로서 하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성한다. 즉, 희석 용액은 앞의 실시예에서 설명한 용액을 이용할 수 있다.
또한, 희석 용액의 농도는 뒤에서 설명할 방식으로 희석 용액을 챔버 내부로 분사하여 할로겐 원소를 도핑시킬 때, 희석 용액의 농도가 너무 낮으면 원하는 만큼 도핑이 될 수 없고, 희석 용액의 농도가 너무 진하면 부식이 일어날 수 있으므로, 그 점들을 감안하여 원하는 만큼 도핑이 가능한 것 이상으로 그리고 부식이 일어나는 농도 이하의 압력으로 희석 용액의 농도를 유지시키는 것이 바람직하다. 또는, 할로겐 원소의 농도가 높아서 부식이 우려되는 경우 소스통과 배관 등 할로겐 원소와 접촉하는 부분을 테플론 등이 코팅된 소재로 구성함으로서 부식을 방지할 경우에는 희석용액의 농도를 진하게 할 수 있는 등, 할로겐 원소의 농도 범위는 다양하게 조절이 가능하다.
이어서, 제 3 단계로서 희석 용액, 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질 및 물을 소스통에 각각 담지한다. 또는, 뒤에서 설명하듯이 물은 소스통에 담지하지 않을 수도 있다.
이어서, 제 4 단계로서 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 예컨데 산화아연 박박을 형성하기 위하여 금속 소스로 DEZ(diethylzinc)를 이용할 수 있으며, 형성하려는 산화물 박막의 종류에 따라서 다양한 종류의 금속 소스를 이용할 수 있다.
상기 금속 소스를 챔버 내부로 분사하면, 금속은 기판에 증착된다. 또한, 이때 기판에서 분리된 물질 및 소스통에서 나온 물질 등 챔버 내부에는 분사 후 잔류물이 존재할 수 있으는데, 이러한 잔류물은 챔버에서 제거하는 것이 바람직하다.
이어서, 제 5 단계로서 소스통에 담지된 희석 용액 또는 물을 상기 챔버 내부로 분사한다. 그러면, 상기 희석 용액의 H2O의 산소 및 하이드로겐 할라이드의 할로겐(F, Cl, Br, I)은 금속과 결합되므로, 결국 할로겐으로 도핑된 금속 산화물을 얻을 수 있다. 이 때, 금속 산화물 박막의 도핑되는 정도는 원칙적으로 희석 용액의 농도에 비례하므로, 희석 용액의 농도를 조절함으로서 금속 산화물 박막의 도핑양을 용이하게 조절할 수 있다. 단, 본 발명에 따르면 희석 용액의 농도를 계속 높여도 도핑되는 양은 일정 수준에서 더 이상 증가하지 않고, 희석 용액의 농도를 너무 높일 경우 부식이 발생할 수 있으므로, 희석 용액의 농도는 적절하게 제한하는 것이 바람직하다. 또는, 할로겐 원소의 농도가 높아서 부식이 우려되는 경우 소스통과 배관 등 할로겐 원소와 접촉하는 부분을 테플론 등이 코팅된 소재로 구성함으로서 부식을 방지할 경우에는 희석용액의 농도를 진하게 할 수 있는 등, 할로겐 원소의 농도 범위는 다양하게 조절이 가능하다. 또한, 제 5 단계의 분사 시에도 챔버 내부에는 잔류물이 존재할 수 있으며, 잔류물은 챔버에서 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방법은 상기 제 4단계 및 제 5 단계를 순차적으으로 원하는 사이클 만큼 반복함으로서 원하는 양만큼 할로겐이 도핑된 금속 산화물 박막을 원하는 두께로 얻을 수 있다.
또는, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 소스와 희석 용액을 교대로 분사하여 도핑된 금속 산화물 박막을 얻는 앞의 방법을 대신하여 희석 용액을 분사하는 단계에서 희석 용액과 물을 선택적으로 분사하고, 상기 사이클을 반복함으로서 할로겐이 도핑된 산화물 박막을 얻을 수도 있다.
상기 실시예에 따르면 제 4 단계와 제 5 단계를 순차적으로 1회 실시한 것을 1사이클이라고 정의하면, 제 4 단계로서 금속 소스를 분사한 후, 제 5 단계에서는 사이클에 따라서 희석 용액과 물을 선택적으로 분사할 수 있다. 예컨데, 물과 희석 용액을 4:1의 비율로 분사하고자 할 경우, 제 5 단계는 금속 소스의 분사한 후 물 분사를 4사이클 진행한 후 금속 소스 분사 및 희석 용액 분사를 1회 진행하게 된다. 본 실시예는 상기 방법으로 물과 희석 용액을 일정한 비율로 분사함으로서 금속 산화물 박막의 도핑양을 조절할 수 있다.
앞에서 설명한 실시예는 희석 용액의 농도에 따라서 금속 산화물 박막의 도핑양을 조절하는 것인 반면, 뒤에서 설명한 실시예는 희석 용액과 물의 분사량에 따라서 금속 산화물 박막의 도핑량을 조절하는 것이다. 뒤에서 설명한 실시예의 경우에도 희석 용액의 농도를 계속 높여도 도핑되는 양은 일정 수준에서 더 이상 증가하지 않고, 희석 용액의 농도를 너무 높일 경우 부식이 발생할 수 있으므로, 희석 용액의 농도는 적절하게 제한하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 형성된 HF를 물에 희석한 불소(F) 도핑용 소스를 이용하여 ZnO 박막에 불소를 도핑한 박막의 상태를 도시하는 FE-SEM 사진이다.
도 2는 원자층 증착기의 소스통에 DEZ(diethylzinc), HF 0.5ml 당 물 100ml로 희석된 희석용액 및 물을 각각 담지하고, 뒤에서 설명한 방법으로 희석 용액과 물을 미리 정해진 다양한 순서대로 분사하여 불소가 도핑된 산화아연 박막을 형성하였을때 각각 박막의 도핑된 도핑량과 조직의 상태를 도시하는 도면이다. 구체적으로, 도 2(a)는 희석 용액을 분사하지 않고 DEZ 및 물만 분사한 경우로서, 불소가 도핑되지 않은 산화박막의 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 2(b)는 DEZ/물의 분사 및 DEZ/희석용액의 분사를 4:1의 비율로 했을때 도핑된 산화아연 박막, 도 2(c)는 DEZ/물의 분사 및 DEZ/희석용액의 분사를 2:1의 비율로 했을때 도핑된 산화아연 박막, 도 2(d)는 DEZ/물의 분사 및 DEZ/희석용액의 분사를 1:1의 비율로 했을때 도핑된 산화아연 박막, 도 2(e)는 DEZ/물의 분사 및 DEZ/희석용액의 분사를 2:1의 비율로 했을때 도핑된 산화아연 박막, 도 2(f)는 DEZ/물의 분사를 하지 않고 DEZ/희석용액의 분사만 하였을때 도핑된 산화아연 박막의 상태를 각각 도시하는 도면이다.
도 2에서 보듯이, DEZ의 분사 이후에 분사되는 분사물인 물과 희석 용액의 분사 비율을 4:1로 한 경우는 산화아연 박막 내의 불소 함량(도핑양)이 0.2%, 2:1로 한 경우는 0.5%, 1:1로 한 경우는 0.7%, 1:4로 한 경우는 1.0%, 그리고 물을 분사하지 않고 희석 용액만 분사한 경우는 산화아연 박막의 1.2%가 도핑된 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 2(a)에서 보듯이, 불소로 도핑되지 않은 산화아연의 주상 형상(columnar shape)은 (002) 방향으로 성장한 결정립을, 웨지형 형상(wedge-like shape)은 (100) 방향으로 성장한 결정립을 나타낸다. 그런데, 도 2(b) 내지 도 2(f)에서 보듯이 불소가 도핑됨에 따라서 ZnO 결정의 우선 배향성을 (002) 방향에서 (100) 방향으로 점진적으로 조절되는 것을 확인할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 각각의 물과 희석 용액의 분사 비율을 조절한 경우 도핑양을 도시하는 도면으로서, 다양한 비율로 물 및 희석 용액을 분사했을때 경우에 포함되는 HF의 함량과 도핑양(산화아연 박막 내의 불소 함량)의 관계를 도시하는 도면이다. 도3에서 보듯이, HF의 함량과 도핑양은 선형적으로 증가하는 것을 볼 수 있는데, 이는 희석 용액의 농도를 조절하거나 희석 용액과 물의 분사 비율을 조절하는 등의 방법으로 하이드로겐 할라이드의 분사량을 조절함으로서 금속 산화물 박막의 도핑양을 조절할 수 있음을 보여준다.
도 4는 도 2와 유사한 방법으로 HCl을 물에 희석한 염소(Cl) 도핑용 소스를 이용하여 ZnO 박막에 염소를 도핑한 박막의 상태를 도시하는 FE-SEM 사진이다.
구체적으로, 좌측 상단의 도면부터 순서도로 희석 용액을 분사하지 않고 DEZ 및 물만 분사한 경우, DEZ/물의 분사 및 DEZ/희석용액의 분사를 각각 4:1, 2:1, 1:1, 1:2 및 1:4로 한 경우, 및 DEZ/희석용액만 분사한 경우의 염소로 도핑된 산화아연 박막의 상태를 각각 도시하는 도면이다.
도 4에서 보듯이, 염소로 도핑되지 않은 산화아연의 주상 형상(columnar shape)은 (002) 방향으로 성장한 결정립을, 웨지형 형상(wedge-like shape)은 (100) 방향으로 성장한 결정립을 나타내지만, 염소가 도핑양이 증가함에 따라서 ZnO 결정의 우선 배향성을 (002) 방향에서 (100) 방향으로 점진적으로 조절되는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 HF를 물에 희석한 불소(F) 도핑용 소스를 이용하여 ZnO 박막에 불소를 도핑한 박막에 대하여 EDX 분석을 실시한 결과를 도시하는 도면이다. 도 5에서 보듯이, 불소는 ZnO 박막에 잘 도핑되었고, 도핑용 소스의 사이클 조절을 통하여 도핑 양도 정확하게 조절되는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 HCl을 물에 희석한 염소(Cl) 도핑용 소스를 이용하여 ZnO 박막에 염소를 도핑한 박막에 대하여 PES 분석을 실시한 결과를 도시하는 도면이다. 도 5에서 보듯이, HCl의 주입비가 증가함에 따라 ZnO 박막의 도핑양이 선형적으로 증가하는 것을 확인할 수 있다.
이상으로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막을 상세하게 설명하였다. 하지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기 구성에 대한 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 오직 뒤에서 기재할 특허청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (18)

  1. 원자층 증착법으로 산화물 박막의 적어도 일부를 할로겐으로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스로서, 상기 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 용액이고, 상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 용액은 불화수소 1ml 당 탈이온수(Deionized Water; DI Water)가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스.
  4. 원자층 증착법으로 산화물 박막을 할로겐으로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스의 제조방법으로서, 상기 방법은:
    하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계;
    상기 할라이드 또는 상기 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 용액은 불화수소 1ml 당 탈이온수 (Deionized Water; DI Water)가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스의 제조방법.
  7. 기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:
    금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;
    하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;
    상기 희석 용액 및 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;
    상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계; 및
    상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하고,
    상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 또한, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  9. 기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:
    금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;
    하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;
    상기 희석 용액, 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질 및 물을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;
    상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계;
    상기 희석 용액 또는 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하고,
    상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 제 5 단계는 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계가 미리 결정된 비율에 따라서 규칙적으로 반복되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  12. 청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 4 단계 또는 제 5단계에 이어서, 상기 챔버 내부에 잔류한 잔류물을 챔버에서 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  13. 청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 희석 용액의 농도에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  14. 청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 5 단계에서 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수의 비율에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  15. 삭제
  16. 청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희석 용액은 하이드로겐 할라이드 1ml 당 탈이온수가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법.
  17. 삭제
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929433B1 (ko) * 2007-08-22 2009-12-03 (주)탑나노시스 탄소나노튜브 도전막의 제조방법
JP2013100577A (ja) 2011-11-08 2013-05-23 Asahi Glass Co Ltd フッ素ドープ酸化スズ膜形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX152941A (es) * 1979-07-31 1986-07-04 Siv Soc Italiana Vetro Mejoras en procedimiento para depositar sobre un substrato de vidrio ceramico u otra substancia mineral un revestimiento adherente de oxido de estano
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
KR100634262B1 (ko) * 2005-03-05 2006-10-13 삼성전자주식회사 복합 유전막을 갖는 반도체 장치의 제조 방법
JP2008078253A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7851380B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-14 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US20140130860A1 (en) * 2011-06-30 2014-05-15 Kyocera Corporation Method for forming alumina film and solar cell element
TWI586828B (zh) * 2012-02-10 2017-06-11 財團法人國家同步輻射研究中心 原子層沈積之摻雜方法
US20130260025A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Air Products And Chemicals, Inc. Group 2 Imidazolate Formulations for Direct Liquid Injection

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929433B1 (ko) * 2007-08-22 2009-12-03 (주)탑나노시스 탄소나노튜브 도전막의 제조방법
JP2013100577A (ja) 2011-11-08 2013-05-23 Asahi Glass Co Ltd フッ素ドープ酸化スズ膜形成方法

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