PL120004B2 - Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija - Google Patents

Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija Download PDF

Info

Publication number
PL120004B2
PL120004B2 PL22113479A PL22113479A PL120004B2 PL 120004 B2 PL120004 B2 PL 120004B2 PL 22113479 A PL22113479 A PL 22113479A PL 22113479 A PL22113479 A PL 22113479A PL 120004 B2 PL120004 B2 PL 120004B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
contact structure
layer
thickness
nichrome
soprotivlenija
Prior art date
Application number
PL22113479A
Other languages
English (en)
Other versions
PL221134A2 (pl
Inventor
Jozef Cichosz
Katarzyna Gizicka
Original Assignee
Ct Nauk Prod Podzespolow
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ct Nauk Prod Podzespolow filed Critical Ct Nauk Prod Podzespolow
Priority to PL22113479A priority Critical patent/PL120004B2/pl
Publication of PL221134A2 publication Critical patent/PL221134A2/xx
Publication of PL120004B2 publication Critical patent/PL120004B2/pl

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest struktura kontaktowa przeznaczona do stosowania w cienkowarstwowych mikroukladach hybrydowych wytwarzanych technika napylania lub naparowywania, zwlaszcza posiadaja¬ cych nichromowa warstwa rezystywna. Sluzy ona do tworzenia polaczen lutowniczych mikroukladu hybry¬ dowego z innymi elementami ukladu elektronicznego.Znanajest z polskiego opisu patentowego nr 92 205 struktura kontaktowa, stosowana w cienkowarstwo¬ wych mikroukladach hybrydowych z nichromowa warstwa rezystywna, skladajaca sie z trzech kolejnych warstw: tytanu, nichromu, zlota. Warstwa tytanu o grubosci powyzej 40 nm, nalozona bezposrednio na warstwe rezystywna, zapewnia dobra adhezje oraz spelnia zadanie bariery oddzielajacej rezystywna warstwe nichromu od warstwy nichromu wchodzacej w sklad struktury kontaktowej. Znajdujaca sie na powierzchni warstwa zlota o grubosci powyzej 100 nm ma za zadanie zapewnic lutowalnosc struktury kontaktowej oraz konieczna bardzo mala rezystancje powierzchniowa. Warstwa nichromu o grubosci od 20 do 100 nm, znajdujaca sie pomiedzy tytanem i zlotem, dzieki dyfuzji chromu do zlota podczas operacji starzenia termicznego, wplywa na wydluzenie czasu rozpuszczania zlota w roztopionym lutowiu, co przy stosunkowo malej grubosci zlota, umozliwia cynowanie kontaktów metoda zanurzeniowa. Struktura kontaktowa wedlug wynalazku sklada sie z dwu warstw: adhezyjnej warstwy stopu zelazo-niklowego o zawartosci od 5 do 70 procent zelaza, korzystnie o grubosci od 25 do 1000 nm oraz warstwy powierzchniowej zlota, korzystnie o grubosci od 100 do 6000 nm. Warstwa ze stopu zelazoniklowego zapewnia dobra adhezje struktury kontakto¬ wej do warstwy rezystywnej.Na granicy miedzy stopem zelazoniklowym a zlotem, podczas operacji starzenia termicznego wytwarza sie warstwa przejsciowa, co uwidacznia sie dobra odpornoscia struktury kontaktowej na rozpuszczanie w roztopionym lutowiu. Znajdujaca sie na powierzchni warstwa zlota gwarantuje dobra zwilzalnosc, a tym samym lutowalnosc struktury kontaktowej. Zastosoanie w mikroukladach hybrydowych z nichromowa warstwa rezystywna, struktury kontaktowej wedlug wynalazku w miejsce wielowarstwy kontaktowej tytan- nichrom-zloto, pozwala na uproszczenie procesu technologicznego wytwarzania mikroukladów.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, ukazujacym strukture kontaktowa w przekroju poprzecznym.Struktura kontaktowa, skladajaca sie z warstwy adhezyjnej 1 i warstwy powierzchniowej zlota 2, naniesiona jest na nichromowa warstwe rezystywna 3 wytworzona na podlozu 4 ze szkla polikrystalicznego.Warstwe adhezyjna 1 o grubosci 200nm stanowi stop o zawartosci 10% zelaza i 90% niklu. Warstwa powierzchniowa zlota 2 ma grubosc 300 nm. Taka struktura kontaktowa charakteryzuje sie dobra zwilzal-2 120 004 noscie równa zwilzalnosci czystego zlota, a czas jej rozpuszczania w roztopionym lutowiu o skladzie 96,5% Sn i 3,5% Ag, wynosi wiecej nit 2,5 minuty. Podobne parametry wykazuje struktura kontaktowa posiadajaca warstwe adhezyjna 1 o zawartosci 70% zelaza i grubosci 150nm, przy warstwie powierzchniowej zlota 2 o grubosci 4000 nm.Dla struktury kontaktowej posiadajacej warstwe adhezyjna 1 o grubosci 1000 nm przy zawartosci 10% zelaza oraz warstwe powierzchniowa zlota 2 o grubosci 800 nm, czas rozpuszczania w roztopionym lutowiu siega powyzej 5 minut, przy zachowaniu zwilzalnosci równej zwilzalnosci czystego zlota.Zastrzezenia patentowe 1. Struktura kontaktowa dla cienkowarstwowych mikroukladów hybrydowych, zwlaszcza z nichro- mowa warstwa rezystywna, skladajaca sie z warstwy adhezyjnej i warstwy powierzchniowej zlota, znamienna tym, ze warstwe adhezyjna (1) stanowi stop zelaza z niklem o zawartosci od 5 do 70 procent zelaza. 2. Struktura wedlug zastrz. I, znamienna tym, ze grubosc warstwy adhezyjnej (1) wynosi od 25 do 1000 nm, a grubosc warstwy powierzchniowej zlota (2) wynosi od 100 do 6000 nm.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz.Cena 100 zl PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Struktura kontaktowa dla cienkowarstwowych mikroukladów hybrydowych, zwlaszcza z nichro- mowa warstwa rezystywna, skladajaca sie z warstwy adhezyjnej i warstwy powierzchniowej zlota, znamienna tym, ze warstwe adhezyjna (1) stanowi stop zelaza z niklem o zawartosci od 5 do 70 procent zelaza.
  2. 2. Struktura wedlug zastrz. I, znamienna tym, ze grubosc warstwy adhezyjnej (1) wynosi od 25 do 1000 nm, a grubosc warstwy powierzchniowej zlota (2) wynosi od 100 do 6000 nm. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz. Cena 100 zl PL
PL22113479A 1979-12-31 1979-12-31 Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija PL120004B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22113479A PL120004B2 (en) 1979-12-31 1979-12-31 Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22113479A PL120004B2 (en) 1979-12-31 1979-12-31 Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL221134A2 PL221134A2 (pl) 1980-11-17
PL120004B2 true PL120004B2 (en) 1982-02-27

Family

ID=20000653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22113479A PL120004B2 (en) 1979-12-31 1979-12-31 Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL120004B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL221134A2 (pl) 1980-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4372809A (en) Method for manufacturing solderable, temperable, thin film tracks which do not contain precious metal
JPS59145553A (ja) 複合構造体及びその形成方法
US5021300A (en) Solder back contact
JPH06196349A (ja) タンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材及びその製造方法
US3413711A (en) Method of making palladium copper contact for soldering
JP2001028462A (ja) 熱電素子及び熱電素子の製造方法
RU2494492C1 (ru) Способ создания токопроводящих дорожек
WO2002071418A1 (en) Resistor
US5508562A (en) Outer electrode structure for a chip type electronic part appropriate for reflow soldering
CN100483707C (zh) 用于半导体器件的引线框架
KR900003849B1 (ko) 배선 기판과 이를 사용한 서말 프린팅 헤드
JP7372813B2 (ja) チップ部品
PL120004B2 (en) Contact structure for thin film hybrid microcircuits,especially with nichrome resistive filmikroskhem,osobenno s nikhromovojj plenkojj soprotivlenija
JPH03179793A (ja) セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
KR910004288A (ko) 세정 작업없이 이온성 오염을 줄일 수 있는 납땜 방법
US3476531A (en) Palladium copper contact for soldering
JP7188568B2 (ja) 電子部品および実装構造体
JPS6038823A (ja) 半導体装置
JPS647542A (en) Formation of bump
JP2001011612A (ja) ターゲット材料、電極材料、及び実装部品
JP2668569B2 (ja) ロウ付け用材料
JP3169181B2 (ja) チップ型正特性サーミスタ
JPH06177494A (ja) 金属薄膜積層セラミックス基板
JP2686548B2 (ja) ロウ付け用材料
JP2730173B2 (ja) チップ部品の製造方法