PL108246B1 - Transistor generator generator tranzystorowy - Google Patents
Transistor generator generator tranzystorowy Download PDFInfo
- Publication number
- PL108246B1 PL108246B1 PL1976194514A PL19451476A PL108246B1 PL 108246 B1 PL108246 B1 PL 108246B1 PL 1976194514 A PL1976194514 A PL 1976194514A PL 19451476 A PL19451476 A PL 19451476A PL 108246 B1 PL108246 B1 PL 108246B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- circuit
- generator
- transistor
- frequency
- conductor
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest generator tranzystorowy dla zakresu mikrofalo¬ wego w ukladzie Clappa.Stan techniki. Znany jest z opisu patentowego RFN nr 2 441 194 generator tranzystorowy dla za- 5 kresu mikrofalowego, zawierajacy pojemnosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, który jest wykonany zgodnie z technika paskowa i przedsta¬ wia obwód dlawiacy skladowe o wielkich czesto- 10 tliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci — 4 których konce sa zwarte za pomoca kondensato¬ rów blokujacych.W znanych ukladach generatorów dla zakresu w mikrofalowego, generator Clappa stwarza najlep¬ sze mozliwosci dla szerokopasmowego przestraJa¬ nia czestotliwosci, poniewaz indukcyjnosc obwodu moze byc skompensowana przez rezystancje bierna pojemnosci. Najwieksza czestotliwosc drgan wyni- 20 ka z wartosci pojemnosci kolektor-baza i najmniej¬ szej indukcyjnosci obwodu. Uklad sprzezenia zwrotnego sklada sie z pojemnosciowego dzielnika napiecia miedzy kolektorem i emiterem, jak rów¬ niez emiterem i baza, dla kltótrych moga byc wy- 25 korzystane przy wiekszych czestotliwosciach poje¬ mnosci bierne kolektor-emiter i emiter-baza. Wplyw elementów biernych, wystepujacych w stosowa¬ nych ukladach generatorów mikrofalowych, po¬ woduje naruszenie zachowania szerokiego pasma 30 i powoduje wystepowanie przeskoków czestotli¬ wosci.Istota wynalazku. Wedlug wynalazku w genera¬ torze tranzystorowym, w ukladzie sprzezenia zwrotnego kolektorowego tranzystora jeist wlaczo¬ ny czynny, selektyiwmy czestotfliwoscioiwo obwód tluimiieinia, zawierajacy polaczenie szeregoiwe prze- X wodiu o dlugosci — i rezystancji tlumiacej, diriu- 4 gi przewód dolaczona równoilegjle do rezystencji tliuimiaicej, zwarty z jednej stronjr do masy oraz \ nastepny przewód o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do puinlktu polaczenia pierw¬ szego przewodu z równoleglym obwodem a drugi koniec jest woliny.Korzystne skutki wynalazku. Generator tranzy¬ storowy wedlug wynalazku eliminuje wplyw ele¬ mentów biernych, dzieki czemu zostaja polepszo¬ ne wlasnosci w szerokim pasmie, jak równiez wy¬ eliminowane mozliwe do wystapienia przeskoki czestotliwosci generatora w pasmie uzytecznym.Konstrukcja generatora jest prosta i zawiera mala ilosc elementów. Ograniczona jest liczba stano¬ wisk kontrolnych.Objasnienie rysunku. Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysun¬ ku, na którym fig. 1 przedstawia obwód tlumie¬ nia w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrot- 109249108246 nego kolektorowego, fig. 2 — schemat zasadniczy ukladu generatora.Przyklad wykonania. W przedstawionej na fig. 1 czesci mikrofalowej generatora ze stalopradowym sprzezeniem zwrotnym kolektorowym, kolektor tranzystora Tr i anoda waraktora \x sa dola¬ czone do stalego potencjalu masy. Odprowadze¬ nie pradu kolektorowego tranzystora Tr i pradu wstecznego waraktora \± nastepuje w najprost¬ szym przypadku do masy poprzez zwarcie prze- X wodom I7 o dlugosci W przypadku warakto- 4 rów o malych pojemnosciach przy malych czesto¬ tliwosciach moze zostac pobudzony mikrofalowy obwód rezonansowy, który sklada sie z pojemno¬ sci kolektor-baza, pojemnosci baza-masa i zastep¬ czej indukcyjnosci; stalopradowego sprzezenia zwrotnego kolektorowego. Podczas elektronicznego grzestrajania generatora na wyzsze czestotliwosci zmniejsza sie stale pojemnosc tak, ze wystepuja ciagle male czestotliwosci, które okresla jeszcze jedynie pojemnosc baza-masa i zastepcza indukcyj- nosc miedzy kolektorem i masa.W celu wykluczenia mozliwych do wystapienia przeskoków czestotliwosci generatora, zastosowano silne tlumienie biernego mikrofalowego obwodu rezonansowego. Jest to realizowane za pomoca przedstawionego na fig. 1 czynnego, selektywnego czestotliwosciowo obwodu tlumienia. w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego kolektorowe¬ go, który sklada sie z przewodów 17, s7 i la o dlu- \ gosci — oraz rezystancji tlumiacej R^ Przewód 4 17 jest dolaczony do tranzystora Tr, a z* drugiej strony jest dolaczony szeregowo do rezystancji RD, do -której jest dolaczony równolegle przewód 18 o dlugosci — zwarty w zakresie przeskoków 4 czestotliwosci. Nastepny przewód s7 stanu jalowe¬ go jest doprowadzony do punktu polaczenia prze¬ wodu 17 z polaczeniem równoleglym rezystancji RD i przewodu 18.Przew&d s7 stanu jalowego i równolegle dola¬ czony, zwarty przewód 18 tworza uklad rezonan¬ sowy równolegly w zakresie czestotliwosci rów¬ nych polowie czestotliwosci srodkowych tj. w za¬ kresie przeskoków czestotliwosci. W wyniku tego rezystancja RD polaczona szeregowo z przewodem 17 tlumi silnie bierny obwód mikrofalowy i dzie¬ ki temu zapobiega mozliwym do wystapienia prze¬ skokom czestotliwosci generatora poza pasmo uzy¬ teczne.Fig. 2 przedstawia schemat zasadniczy ukladu generatora, dla ktÓTego charakterystyczne sa trzy obwody, mianowicie czesc mikrofalowa z elemen¬ tami okreslajacymi czestotliwosc, jak równiez ob¬ wód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwos¬ ciach oraiz iczyininy 'selektywny czestotliwos¬ ciowo obwód tlumienia w ukladzie stalopradowe¬ go sprzezenia zwrotnego kolektorowego tranzysto¬ ra. Fig. 2 przedstawia doprowadzenie pradu sta¬ lego do waraktorów Vt i V2. Sklada sie ono z X dwóch przewodów le i s6 o dlugosci —, przy czym jeden koniec przewodu 18 jest dolaczony do punk¬ tu polaczenia waraktorów Vt i V2. Punkt polacze¬ nia obu przewodów 16 i s6 jest oznaczony przez K a wolny koniec przewodu s0 przez A. Do punktu 5 polaczenia K jest dolaczona rezystancja Rv, która jest dolaczona do zacisku napieciowego Uv+ po¬ przez filtr przepustowy DF. Stan jalowy w punk¬ cie A wystepuje w punkcie B na skutek wlasno¬ sci transformacyjnej przewodów I6 i s6, a wiec 10 równiez przy waraktorze jako sSan jalowy. Do punktu K zostaje doprowadzony prad staly po¬ przez rezystancje Rv. Dobór wartosci dlugosci przewodów 16 i s6 jest tak przeprowadzony, ze transformacja stan jalowy/stan jalowy jest spel- 15 niona w zakresie srodkowych czestotliwosci. Re¬ zystancja Rv jest tak umieszczona, vze lesy ona mozliwie blisko punktu K. Zapobiega ona wysta¬ pieniu zmian impedancji biernych, które sa spo¬ wodowane rezonansem przewodów, prowadzacych 20 do zródla pradu stalego. Zmiany impedancji bier¬ nych moglyby powodowac przeskoki czestotliwosci podczas strojenia wewnatrz pasma uzytecznego.Doprowadzenie z punktu polaczenia K az do filtru pnzepoiistoweigo DF prowadzi polprzez rezystancje 25 i jest mozliwie krótkie.Podobnie sa zrealizowane doprowadzenia pradu stalego generatora do emitera i bazy tranzystora Tr (elementy 15, s5, RE, I4, s4, Rt, Ra). Czesc mikro¬ falowa generatora sklada sie z mikrofalowego tran- 30 zystora Tr, waraktorów Vt i V2 oraz przewodów llf 12 i 13. Przewód lt tworzy dodatkowa pojemnosc, a jeden jego koniec jest polaczony z baza mikro¬ falowego tranzystora Tr. Do kolektora mikrofalo¬ wego tranzystora Tr dolaczone sa szeregowo po- 35 laczone, przeciwnie spolaryzowane waraktory Vi, V2, z którymi w podluznym odgalezieniu laczy sie przewód 12 a w poprzecznym odgalezieniu laczy sie przewód I3. Waraktory V4 i V2 moga byc za¬ stapione równiez przez inne elementy pojemnos- 40 ciowe.Glówna czesc ukladu szerokopasmowego, prze- sitraijalnego generatora -tranzystorowego stanojwi ob¬ wód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwos¬ ciach^ który lacznie z wlasciwym ukladem wiel- 45 kiej czestotliwosci zapewnia korzystne zachowanie szerokiego pasma generatora. Doprowadzenie pra¬ dów stalych do czesci mikrofalowej ukladu musi odbywac sie poprzez obwody elektryczne, które wplywaja jedynie w niewielkim stopniu lu 50 ko na okreslone wlasnosci czesci mikrofalowej ge¬ neratora. Warunki te sa spelnione, gdy impedan- cja doprowadzen czesci mikrofalowej ma szerokie pasmo przenoszenia w stanie jalowym. 55 Zastrzezenie patentowe Generator tranzystorowy dla zakresu mikrofa¬ lowego w ukladzie Clappa, zawierajacy pojem¬ nosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia 60 polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, któ¬ ry jest wykonany zgodnie z technika linii pasko¬ wych i przedstawia ofowód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci , których konce sa zwarte przez 65 4108246 kondensatory blokujace, znamienny tym, ze w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego ko¬ lektorowego tranzystora jest wlaczony czynny, se¬ lektywny czestotliwosciowo obwód tlumienia, za¬ wierajacy polaczenie szeregowe przewodu (17) o dlugosci i rezystancji tlumiacej (RD), przewód 6 (18), dolaczony równolegle do rezystancji tlumiacej (RD) i zwarty z jednej strony do masy oraz na- X stepny przewód (s7) o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do punktu polaczenia pierw¬ szego przewodu (17) z równoleglym obwodem (RD, 18) a drugi koniec jest wolny.O ^y Fig.1 Vi V2 l2 -HI IM | m C Fig. 2 Uv+|0...6OV| \ PL
Claims (2)
1. Zastrzezenie patentowe Generator tranzystorowy dla zakresu mikrofa¬ lowego w ukladzie Clappa, zawierajacy pojem¬ nosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia 60 polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, któ¬ ry jest wykonany zgodnie z technika linii pasko¬ wych i przedstawia ofowód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci , których konce sa zwarte przez 65 4108246 kondensatory blokujace, znamienny tym, ze w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego ko¬ lektorowego tranzystora jest wlaczony czynny, se¬ lektywny czestotliwosciowo obwód tlumienia, za¬ wierajacy polaczenie szeregowe przewodu (17) o dlugosci i rezystancji tlumiacej (RD), przewód 6 (18), dolaczony równolegle do rezystancji tlumiacej (RD) i zwarty z jednej strony do masy oraz na- X stepny przewód (s7) o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do punktu polaczenia pierw¬ szego przewodu (17) z równoleglym obwodem (RD, 18) a drugi koniec jest wolny. O ^y Fig.1 Vi V2 l2 -HI IM | m C Fig.
2. Uv+|0...6OV| \ PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2557134A DE2557134C3 (de) | 1975-12-18 | 1975-12-18 | Transistoroszillator für den Mikrowellenbereich |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL108246B1 true PL108246B1 (pl) | 1980-03-31 |
Family
ID=5964793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1976194514A PL108246B1 (pl) | 1975-12-18 | 1976-12-18 | Transistor generator generator tranzystorowy |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4075580A (pl) |
| AT (1) | AT359556B (pl) |
| AU (1) | AU507193B2 (pl) |
| BE (1) | BE849552A (pl) |
| CA (1) | CA1083236A (pl) |
| CH (1) | CH595720A5 (pl) |
| DE (1) | DE2557134C3 (pl) |
| DK (1) | DK561276A (pl) |
| FR (1) | FR2335998A1 (pl) |
| GB (1) | GB1570502A (pl) |
| IT (1) | IT1065433B (pl) |
| LU (1) | LU75914A1 (pl) |
| NL (1) | NL7614109A (pl) |
| PL (1) | PL108246B1 (pl) |
| SE (1) | SE413963B (pl) |
| SU (1) | SU689634A3 (pl) |
| ZA (1) | ZA767046B (pl) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2494929B1 (fr) * | 1980-11-27 | 1986-04-11 | Orega Electro Mecanique | Oscillateur hyperfrequence a transistor, accordable par tension |
| US4378534A (en) * | 1981-03-31 | 1983-03-29 | Motorola, Inc. | Wideband modulation sensitivity compensated voltage controlled oscillator |
| US4353038A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Motorola, Inc. | Wideband, synthesizer switched element voltage controlled oscillator |
| US4646360A (en) * | 1984-03-07 | 1987-02-24 | Rca Corporation | Constant bandwidth RF filter with improved low frequency attenuation |
| US4630006A (en) * | 1985-05-31 | 1986-12-16 | Anderson Keith V | Current-tuned transistor oscillator |
| US4684904A (en) * | 1986-01-06 | 1987-08-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low phase noise two port voltage controlled oscillator |
| JPH04256206A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Mmic化発振器 |
| JP2000151275A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 |
| CN114362694B (zh) * | 2022-03-17 | 2022-05-17 | 壹甲子(成都)通讯有限公司 | 交流小信号驱动射频微波振荡器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3270292A (en) * | 1963-11-15 | 1966-08-30 | Rca Corp | Ultra high frequency transistor oscillator |
| US3649937A (en) * | 1970-03-23 | 1972-03-14 | Rca Corp | Electronically tuned ultra high frequency television tuner |
| US4010428A (en) * | 1975-09-15 | 1977-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Transistor oscillator utilizing clapp circuit configuration for operation in the microwave band |
-
1975
- 1975-12-18 DE DE2557134A patent/DE2557134C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-09-16 CH CH1173776A patent/CH595720A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-09-30 LU LU75914A patent/LU75914A1/xx unknown
- 1976-11-15 AT AT847176A patent/AT359556B/de not_active IP Right Cessation
- 1976-11-17 GB GB47798/76A patent/GB1570502A/en not_active Expired
- 1976-11-17 US US05/742,665 patent/US4075580A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-23 CA CA266,333A patent/CA1083236A/en not_active Expired
- 1976-11-24 ZA ZA767046A patent/ZA767046B/xx unknown
- 1976-11-25 AU AU20008/76A patent/AU507193B2/en not_active Expired
- 1976-11-29 SU SU762425695A patent/SU689634A3/ru active
- 1976-12-01 FR FR7636204A patent/FR2335998A1/fr active Granted
- 1976-12-01 SE SE7613467A patent/SE413963B/xx unknown
- 1976-12-14 DK DK561276A patent/DK561276A/da not_active Application Discontinuation
- 1976-12-16 IT IT30464/76A patent/IT1065433B/it active
- 1976-12-17 NL NL7614109A patent/NL7614109A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-12-17 BE BE173394A patent/BE849552A/xx unknown
- 1976-12-18 PL PL1976194514A patent/PL108246B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2335998A1 (fr) | 1977-07-15 |
| GB1570502A (en) | 1980-07-02 |
| DK561276A (da) | 1977-06-19 |
| ATA847176A (de) | 1980-04-15 |
| AU2000876A (en) | 1978-06-01 |
| LU75914A1 (pl) | 1978-05-16 |
| NL7614109A (nl) | 1977-06-21 |
| DE2557134B2 (de) | 1979-02-08 |
| DE2557134C3 (de) | 1979-10-04 |
| AU507193B2 (en) | 1980-02-07 |
| ZA767046B (en) | 1977-10-26 |
| CA1083236A (en) | 1980-08-05 |
| SU689634A3 (ru) | 1979-09-30 |
| DE2557134A1 (de) | 1977-06-30 |
| CH595720A5 (pl) | 1978-02-28 |
| FR2335998B1 (pl) | 1980-05-09 |
| US4075580A (en) | 1978-02-21 |
| SE7613467L (sv) | 1977-06-19 |
| IT1065433B (it) | 1985-02-25 |
| AT359556B (de) | 1980-11-25 |
| BE849552A (fr) | 1977-06-17 |
| SE413963B (sv) | 1980-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06140862A (ja) | モノシリックに実現可能な無線周波数バイアス・チョーク | |
| EP0350256A2 (en) | Band elimination filter | |
| US4187476A (en) | SHF band oscillator circuit using FET | |
| US4275364A (en) | Resonant element transformer | |
| PL108246B1 (pl) | Transistor generator generator tranzystorowy | |
| JPS63198408A (ja) | バイアス回路 | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| EP0064323B1 (en) | An electronic circuit, such as an electronically tunable oscillator circuit, including an lc resonant circuit | |
| KR19980032652A (ko) | 집적발진기와 이러한 발진기를 이용하는 무선전화기 | |
| JPH06152206A (ja) | 無反射終端 | |
| JPS5847312A (ja) | 4端子網回路装置 | |
| US3457528A (en) | Broadband negative resistance device | |
| JPH0122258Y2 (pl) | ||
| JPH0645812A (ja) | 共振器 | |
| JPH03218102A (ja) | インターデジタルフィルタ | |
| JPS62109410A (ja) | マイクロ波増幅器用バイアス回路 | |
| JPH0332242B2 (pl) | ||
| JPH05152807A (ja) | 電圧制御ろ波器 | |
| JPS6138885B2 (pl) | ||
| JPH0267809A (ja) | 共振回路 | |
| SU1166261A1 (ru) | Генератор СВЧ | |
| JPS56153257A (en) | Voltage dividing circuit for measurement of high voltage | |
| Gupta | A Small-Signal and Noise Equivalent Circuit for IMPATT Diodes (Short Papers) | |
| RU2022445C1 (ru) | Генератор свч | |
| SU978311A1 (ru) | Сверхвысокочастотный генератор |