PL108246B1 - Transistor generator generator tranzystorowy - Google Patents

Transistor generator generator tranzystorowy Download PDF

Info

Publication number
PL108246B1
PL108246B1 PL1976194514A PL19451476A PL108246B1 PL 108246 B1 PL108246 B1 PL 108246B1 PL 1976194514 A PL1976194514 A PL 1976194514A PL 19451476 A PL19451476 A PL 19451476A PL 108246 B1 PL108246 B1 PL 108246B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
circuit
generator
transistor
frequency
conductor
Prior art date
Application number
PL1976194514A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL108246B1 publication Critical patent/PL108246B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest generator tranzystorowy dla zakresu mikrofalo¬ wego w ukladzie Clappa.Stan techniki. Znany jest z opisu patentowego RFN nr 2 441 194 generator tranzystorowy dla za- 5 kresu mikrofalowego, zawierajacy pojemnosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, który jest wykonany zgodnie z technika paskowa i przedsta¬ wia obwód dlawiacy skladowe o wielkich czesto- 10 tliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci — 4 których konce sa zwarte za pomoca kondensato¬ rów blokujacych.W znanych ukladach generatorów dla zakresu w mikrofalowego, generator Clappa stwarza najlep¬ sze mozliwosci dla szerokopasmowego przestraJa¬ nia czestotliwosci, poniewaz indukcyjnosc obwodu moze byc skompensowana przez rezystancje bierna pojemnosci. Najwieksza czestotliwosc drgan wyni- 20 ka z wartosci pojemnosci kolektor-baza i najmniej¬ szej indukcyjnosci obwodu. Uklad sprzezenia zwrotnego sklada sie z pojemnosciowego dzielnika napiecia miedzy kolektorem i emiterem, jak rów¬ niez emiterem i baza, dla kltótrych moga byc wy- 25 korzystane przy wiekszych czestotliwosciach poje¬ mnosci bierne kolektor-emiter i emiter-baza. Wplyw elementów biernych, wystepujacych w stosowa¬ nych ukladach generatorów mikrofalowych, po¬ woduje naruszenie zachowania szerokiego pasma 30 i powoduje wystepowanie przeskoków czestotli¬ wosci.Istota wynalazku. Wedlug wynalazku w genera¬ torze tranzystorowym, w ukladzie sprzezenia zwrotnego kolektorowego tranzystora jeist wlaczo¬ ny czynny, selektyiwmy czestotfliwoscioiwo obwód tluimiieinia, zawierajacy polaczenie szeregoiwe prze- X wodiu o dlugosci — i rezystancji tlumiacej, diriu- 4 gi przewód dolaczona równoilegjle do rezystencji tliuimiaicej, zwarty z jednej stronjr do masy oraz \ nastepny przewód o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do puinlktu polaczenia pierw¬ szego przewodu z równoleglym obwodem a drugi koniec jest woliny.Korzystne skutki wynalazku. Generator tranzy¬ storowy wedlug wynalazku eliminuje wplyw ele¬ mentów biernych, dzieki czemu zostaja polepszo¬ ne wlasnosci w szerokim pasmie, jak równiez wy¬ eliminowane mozliwe do wystapienia przeskoki czestotliwosci generatora w pasmie uzytecznym.Konstrukcja generatora jest prosta i zawiera mala ilosc elementów. Ograniczona jest liczba stano¬ wisk kontrolnych.Objasnienie rysunku. Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysun¬ ku, na którym fig. 1 przedstawia obwód tlumie¬ nia w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrot- 109249108246 nego kolektorowego, fig. 2 — schemat zasadniczy ukladu generatora.Przyklad wykonania. W przedstawionej na fig. 1 czesci mikrofalowej generatora ze stalopradowym sprzezeniem zwrotnym kolektorowym, kolektor tranzystora Tr i anoda waraktora \x sa dola¬ czone do stalego potencjalu masy. Odprowadze¬ nie pradu kolektorowego tranzystora Tr i pradu wstecznego waraktora \± nastepuje w najprost¬ szym przypadku do masy poprzez zwarcie prze- X wodom I7 o dlugosci W przypadku warakto- 4 rów o malych pojemnosciach przy malych czesto¬ tliwosciach moze zostac pobudzony mikrofalowy obwód rezonansowy, który sklada sie z pojemno¬ sci kolektor-baza, pojemnosci baza-masa i zastep¬ czej indukcyjnosci; stalopradowego sprzezenia zwrotnego kolektorowego. Podczas elektronicznego grzestrajania generatora na wyzsze czestotliwosci zmniejsza sie stale pojemnosc tak, ze wystepuja ciagle male czestotliwosci, które okresla jeszcze jedynie pojemnosc baza-masa i zastepcza indukcyj- nosc miedzy kolektorem i masa.W celu wykluczenia mozliwych do wystapienia przeskoków czestotliwosci generatora, zastosowano silne tlumienie biernego mikrofalowego obwodu rezonansowego. Jest to realizowane za pomoca przedstawionego na fig. 1 czynnego, selektywnego czestotliwosciowo obwodu tlumienia. w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego kolektorowe¬ go, który sklada sie z przewodów 17, s7 i la o dlu- \ gosci — oraz rezystancji tlumiacej R^ Przewód 4 17 jest dolaczony do tranzystora Tr, a z* drugiej strony jest dolaczony szeregowo do rezystancji RD, do -której jest dolaczony równolegle przewód 18 o dlugosci — zwarty w zakresie przeskoków 4 czestotliwosci. Nastepny przewód s7 stanu jalowe¬ go jest doprowadzony do punktu polaczenia prze¬ wodu 17 z polaczeniem równoleglym rezystancji RD i przewodu 18.Przew&d s7 stanu jalowego i równolegle dola¬ czony, zwarty przewód 18 tworza uklad rezonan¬ sowy równolegly w zakresie czestotliwosci rów¬ nych polowie czestotliwosci srodkowych tj. w za¬ kresie przeskoków czestotliwosci. W wyniku tego rezystancja RD polaczona szeregowo z przewodem 17 tlumi silnie bierny obwód mikrofalowy i dzie¬ ki temu zapobiega mozliwym do wystapienia prze¬ skokom czestotliwosci generatora poza pasmo uzy¬ teczne.Fig. 2 przedstawia schemat zasadniczy ukladu generatora, dla ktÓTego charakterystyczne sa trzy obwody, mianowicie czesc mikrofalowa z elemen¬ tami okreslajacymi czestotliwosc, jak równiez ob¬ wód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwos¬ ciach oraiz iczyininy 'selektywny czestotliwos¬ ciowo obwód tlumienia w ukladzie stalopradowe¬ go sprzezenia zwrotnego kolektorowego tranzysto¬ ra. Fig. 2 przedstawia doprowadzenie pradu sta¬ lego do waraktorów Vt i V2. Sklada sie ono z X dwóch przewodów le i s6 o dlugosci —, przy czym jeden koniec przewodu 18 jest dolaczony do punk¬ tu polaczenia waraktorów Vt i V2. Punkt polacze¬ nia obu przewodów 16 i s6 jest oznaczony przez K a wolny koniec przewodu s0 przez A. Do punktu 5 polaczenia K jest dolaczona rezystancja Rv, która jest dolaczona do zacisku napieciowego Uv+ po¬ przez filtr przepustowy DF. Stan jalowy w punk¬ cie A wystepuje w punkcie B na skutek wlasno¬ sci transformacyjnej przewodów I6 i s6, a wiec 10 równiez przy waraktorze jako sSan jalowy. Do punktu K zostaje doprowadzony prad staly po¬ przez rezystancje Rv. Dobór wartosci dlugosci przewodów 16 i s6 jest tak przeprowadzony, ze transformacja stan jalowy/stan jalowy jest spel- 15 niona w zakresie srodkowych czestotliwosci. Re¬ zystancja Rv jest tak umieszczona, vze lesy ona mozliwie blisko punktu K. Zapobiega ona wysta¬ pieniu zmian impedancji biernych, które sa spo¬ wodowane rezonansem przewodów, prowadzacych 20 do zródla pradu stalego. Zmiany impedancji bier¬ nych moglyby powodowac przeskoki czestotliwosci podczas strojenia wewnatrz pasma uzytecznego.Doprowadzenie z punktu polaczenia K az do filtru pnzepoiistoweigo DF prowadzi polprzez rezystancje 25 i jest mozliwie krótkie.Podobnie sa zrealizowane doprowadzenia pradu stalego generatora do emitera i bazy tranzystora Tr (elementy 15, s5, RE, I4, s4, Rt, Ra). Czesc mikro¬ falowa generatora sklada sie z mikrofalowego tran- 30 zystora Tr, waraktorów Vt i V2 oraz przewodów llf 12 i 13. Przewód lt tworzy dodatkowa pojemnosc, a jeden jego koniec jest polaczony z baza mikro¬ falowego tranzystora Tr. Do kolektora mikrofalo¬ wego tranzystora Tr dolaczone sa szeregowo po- 35 laczone, przeciwnie spolaryzowane waraktory Vi, V2, z którymi w podluznym odgalezieniu laczy sie przewód 12 a w poprzecznym odgalezieniu laczy sie przewód I3. Waraktory V4 i V2 moga byc za¬ stapione równiez przez inne elementy pojemnos- 40 ciowe.Glówna czesc ukladu szerokopasmowego, prze- sitraijalnego generatora -tranzystorowego stanojwi ob¬ wód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwos¬ ciach^ który lacznie z wlasciwym ukladem wiel- 45 kiej czestotliwosci zapewnia korzystne zachowanie szerokiego pasma generatora. Doprowadzenie pra¬ dów stalych do czesci mikrofalowej ukladu musi odbywac sie poprzez obwody elektryczne, które wplywaja jedynie w niewielkim stopniu lu 50 ko na okreslone wlasnosci czesci mikrofalowej ge¬ neratora. Warunki te sa spelnione, gdy impedan- cja doprowadzen czesci mikrofalowej ma szerokie pasmo przenoszenia w stanie jalowym. 55 Zastrzezenie patentowe Generator tranzystorowy dla zakresu mikrofa¬ lowego w ukladzie Clappa, zawierajacy pojem¬ nosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia 60 polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, któ¬ ry jest wykonany zgodnie z technika linii pasko¬ wych i przedstawia ofowód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci , których konce sa zwarte przez 65 4108246 kondensatory blokujace, znamienny tym, ze w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego ko¬ lektorowego tranzystora jest wlaczony czynny, se¬ lektywny czestotliwosciowo obwód tlumienia, za¬ wierajacy polaczenie szeregowe przewodu (17) o dlugosci i rezystancji tlumiacej (RD), przewód 6 (18), dolaczony równolegle do rezystancji tlumiacej (RD) i zwarty z jednej strony do masy oraz na- X stepny przewód (s7) o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do punktu polaczenia pierw¬ szego przewodu (17) z równoleglym obwodem (RD, 18) a drugi koniec jest wolny.O ^y Fig.1 Vi V2 l2 -HI IM | m C Fig. 2 Uv+|0...6OV| \ PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Generator tranzystorowy dla zakresu mikrofa¬ lowego w ukladzie Clappa, zawierajacy pojem¬ nosciowe polaczenie trzypunktowe z pojemnoscia 60 polaczona szeregowo z indukcyjnoscia obwodu, któ¬ ry jest wykonany zgodnie z technika linii pasko¬ wych i przedstawia ofowód dlawiacy skladowe o wielkich czestotliwosciach, zawierajacy przewody o dlugosci , których konce sa zwarte przez 65 4108246 kondensatory blokujace, znamienny tym, ze w ukladzie stalopradowego sprzezenia zwrotnego ko¬ lektorowego tranzystora jest wlaczony czynny, se¬ lektywny czestotliwosciowo obwód tlumienia, za¬ wierajacy polaczenie szeregowe przewodu (17) o dlugosci i rezystancji tlumiacej (RD), przewód 6 (18), dolaczony równolegle do rezystancji tlumiacej (RD) i zwarty z jednej strony do masy oraz na- X stepny przewód (s7) o dlugosci —, którego jeden 4 koniec jest dolaczony do punktu polaczenia pierw¬ szego przewodu (17) z równoleglym obwodem (RD, 18) a drugi koniec jest wolny. O ^y Fig.1 Vi V2 l2 -HI IM | m C Fig.
2. Uv+|0...6OV| \ PL
PL1976194514A 1975-12-18 1976-12-18 Transistor generator generator tranzystorowy PL108246B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2557134A DE2557134C3 (de) 1975-12-18 1975-12-18 Transistoroszillator für den Mikrowellenbereich

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL108246B1 true PL108246B1 (pl) 1980-03-31

Family

ID=5964793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1976194514A PL108246B1 (pl) 1975-12-18 1976-12-18 Transistor generator generator tranzystorowy

Country Status (17)

Country Link
US (1) US4075580A (pl)
AT (1) AT359556B (pl)
AU (1) AU507193B2 (pl)
BE (1) BE849552A (pl)
CA (1) CA1083236A (pl)
CH (1) CH595720A5 (pl)
DE (1) DE2557134C3 (pl)
DK (1) DK561276A (pl)
FR (1) FR2335998A1 (pl)
GB (1) GB1570502A (pl)
IT (1) IT1065433B (pl)
LU (1) LU75914A1 (pl)
NL (1) NL7614109A (pl)
PL (1) PL108246B1 (pl)
SE (1) SE413963B (pl)
SU (1) SU689634A3 (pl)
ZA (1) ZA767046B (pl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2494929B1 (fr) * 1980-11-27 1986-04-11 Orega Electro Mecanique Oscillateur hyperfrequence a transistor, accordable par tension
US4378534A (en) * 1981-03-31 1983-03-29 Motorola, Inc. Wideband modulation sensitivity compensated voltage controlled oscillator
US4353038A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Motorola, Inc. Wideband, synthesizer switched element voltage controlled oscillator
US4646360A (en) * 1984-03-07 1987-02-24 Rca Corporation Constant bandwidth RF filter with improved low frequency attenuation
US4630006A (en) * 1985-05-31 1986-12-16 Anderson Keith V Current-tuned transistor oscillator
US4684904A (en) * 1986-01-06 1987-08-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Low phase noise two port voltage controlled oscillator
JPH04256206A (ja) * 1991-02-07 1992-09-10 Mitsubishi Electric Corp Mmic化発振器
JP2000151275A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置
CN114362694B (zh) * 2022-03-17 2022-05-17 壹甲子(成都)通讯有限公司 交流小信号驱动射频微波振荡器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3270292A (en) * 1963-11-15 1966-08-30 Rca Corp Ultra high frequency transistor oscillator
US3649937A (en) * 1970-03-23 1972-03-14 Rca Corp Electronically tuned ultra high frequency television tuner
US4010428A (en) * 1975-09-15 1977-03-01 Siemens Aktiengesellschaft Transistor oscillator utilizing clapp circuit configuration for operation in the microwave band

Also Published As

Publication number Publication date
FR2335998A1 (fr) 1977-07-15
GB1570502A (en) 1980-07-02
DK561276A (da) 1977-06-19
ATA847176A (de) 1980-04-15
AU2000876A (en) 1978-06-01
LU75914A1 (pl) 1978-05-16
NL7614109A (nl) 1977-06-21
DE2557134B2 (de) 1979-02-08
DE2557134C3 (de) 1979-10-04
AU507193B2 (en) 1980-02-07
ZA767046B (en) 1977-10-26
CA1083236A (en) 1980-08-05
SU689634A3 (ru) 1979-09-30
DE2557134A1 (de) 1977-06-30
CH595720A5 (pl) 1978-02-28
FR2335998B1 (pl) 1980-05-09
US4075580A (en) 1978-02-21
SE7613467L (sv) 1977-06-19
IT1065433B (it) 1985-02-25
AT359556B (de) 1980-11-25
BE849552A (fr) 1977-06-17
SE413963B (sv) 1980-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06140862A (ja) モノシリックに実現可能な無線周波数バイアス・チョーク
EP0350256A2 (en) Band elimination filter
US4187476A (en) SHF band oscillator circuit using FET
US4275364A (en) Resonant element transformer
PL108246B1 (pl) Transistor generator generator tranzystorowy
JPS63198408A (ja) バイアス回路
US4630003A (en) FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof
EP0064323B1 (en) An electronic circuit, such as an electronically tunable oscillator circuit, including an lc resonant circuit
KR19980032652A (ko) 집적발진기와 이러한 발진기를 이용하는 무선전화기
JPH06152206A (ja) 無反射終端
JPS5847312A (ja) 4端子網回路装置
US3457528A (en) Broadband negative resistance device
JPH0122258Y2 (pl)
JPH0645812A (ja) 共振器
JPH03218102A (ja) インターデジタルフィルタ
JPS62109410A (ja) マイクロ波増幅器用バイアス回路
JPH0332242B2 (pl)
JPH05152807A (ja) 電圧制御ろ波器
JPS6138885B2 (pl)
JPH0267809A (ja) 共振回路
SU1166261A1 (ru) Генератор СВЧ
JPS56153257A (en) Voltage dividing circuit for measurement of high voltage
Gupta A Small-Signal and Noise Equivalent Circuit for IMPATT Diodes (Short Papers)
RU2022445C1 (ru) Генератор свч
SU978311A1 (ru) Сверхвысокочастотный генератор