JPH04256206A - Ｍｍｉｃ化発振器 - Google Patents

Ｍｍｉｃ化発振器

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JPH04256206A
JPH04256206A JP3039521A JP3952191A JPH04256206A JP H04256206 A JPH04256206 A JP H04256206A JP 3039521 A JP3039521 A JP 3039521A JP 3952191 A JP3952191 A JP 3952191A JP H04256206 A JPH04256206 A JP H04256206A
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mmic
oscillator
coupling
capacitance
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JP3039521A
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Takayuki Kato
隆幸 加藤
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波集積回路基
板に搭載したＭＭＩＣ化発振器に関し、特にそのマイク
ロ波信号の帰還増幅を行う帰還増幅素子と外部負荷とを
容量結合する負荷結合容量に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のＭＭＩＣ化発振器を示す等
価回路図である。図において、１はマイクロ波集積回路
基板（図示せず）に搭載された、印加電圧により発振周
波数を制御可能なＭＭＩＣ化発振器で、これは、マイク
ロ波信号の増幅を行い、該増幅信号の一部を発振出力と
して外部負荷３００へ供給する信号増幅部１００と、自
己のリアクタンス成分を変化させて該信号増幅部１００
からの発振出力の周波数を制御するリアクタンス制御部
２００とから構成されている。
【０００３】上記信号増幅部１００において、１０はマ
イクロ波信号の帰還増幅を行う帰還増幅素子で、ここで
はＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いており、以下帰還増幅用
ＦＥＴという。１１０は該帰還増幅用ＦＥＴ１０と外部
負荷３００とを容量結合する負荷結合部で、該ＦＥＴ１
０のソース１０ａを所定電位にバイアスするソースバイ
アス部１１１と、ソース出力を外部負荷側に送る信号出
力部１１２とからなる。Ｒ４、Ｔ５は上記ソースバイア
ス部１１１を構成するバイアス抵抗及び伝送線路で、こ
れらはソース１０ａと接地との間に直列に接続されてい
る。またＴ６，Ｃ４，Ｔ７はそれぞれ上記信号出力部１
１２を構成する伝送線路，負荷結合容量，及び伝送線路
で、これらはソース端子１０ａから外部負荷側に順次接
続されている。またＣ３は上記帰還増幅用ＦＥＴ１０の
ドレイン１０ｂをマイクロ波信号に対して接地するコン
デンサで、これは接地部１２０を構成している。また１
１は上記ドレイン１０ｂに直流電圧Ｖｄｄを印加する定
電圧源である。
【０００４】また上記リアクタンス制御部２００におい
て、２１０はダイオードで、上記帰還増幅用ＦＥＴ１０
のゲート１０ｃと接地との間にその容量成分Ｃ２が可変
となるよう逆方向に挿入されている。なおＲ１は上記ダ
イオード２１０の内部抵抗である。またＴ２，Ｔ３は上
記ゲート１０ｃとダイオード２１０のアノード側との間
に挿入された直列接続の伝送線路、Ｃ１は上記ダイオー
ド２１０のカソード側と接地との間に挿入された容量で
あり、これらは接地と帰還増幅用ＦＥＴ１０のゲート１
０ｃとの間でのソース出力のフィードバック経路ＰＦＢ
となっている。また２１は直流制御電圧Ｖｃｏｎｔを発
生し、これにより上記ダイオード２１０の容量成分Ｃ２
を制御する周波数制御用の電圧源で、伝送線路Ｔ１を介
して上記ダイオード２１０のカソード側に接続されてい
る。またＴ４は上記伝送線路Ｔ２，Ｔ３の接続点と接地
との間に挿入された伝送線路で、フィードバック経路Ｐ
ＦＢでの信号の波形整合をとるためのものである。なお
ここでＲ２，Ｒ５は上記フィードバック経路ＰＦＢから
マイクロ波信号が漏れるのを防止するための抵抗である
。
【０００５】また、上記外部負荷３００は、上記発振出
力を増幅する１段高出力増幅器３１０と、該増幅出力を
電波として空中に放射するアンテナ３２０からなる。こ
こで、３０１は上記増幅器３１０を構成する信号増幅用
ＦＥＴ、３１１はそのゲートに上記発振出力を導入する
ための入力側伝送回路、Ｔ８〜Ｔ１１は入力側のインピ
ーダンス整合用伝送線路、Ｃ５は直流カット用容量であ
り、Ｔ１２，Ｃ６，Ｃ７，及びＲ６はそれぞれ上記信号
増幅用ＦＥＴ３０１のゲートバイアス回路を構成する伝
送線路，容量，及び抵抗である。また、３１２は上記Ｆ
ＥＴ３０１のドレイン出力をアンテナ３２０に導くため
の出力側伝送回路、Ｔ１３〜Ｔ１６は出力側のインピー
ダンス整合用伝送線路、Ｃ８は直流カット用容量、Ｔ１
７，Ｃ９，Ｃ１０，Ｒ７はそれぞれドレインバイアス回
路を構成する伝送線路、容量、及び抵抗である。
【０００６】なおここでは上記各素子や伝送線路はマイ
クロ波集積回路基板（以下、ＭＭＩＣ基板ともいう）上
にモノリシックに搭載されている。
【０００７】次に動作について説明する。定電圧源１１
の電圧Ｖｄｄ（通常３〜１０Ｖ程度）を帰還増幅用ＦＥ
Ｔ１０に印加すると、上記ＭＭＩＣ化発振器１では、ゲ
ート入力を上記ＦＥＴ１０により増幅してソース１０ａ
に出力しさらに該ソース出力をゲート入力とするという
信号のフィードバック増幅動作が行われる。この時、フ
ィードバック経路ＰＦＢではマイクロ波信号の帰還増幅
が行われると同時に、上記帰還増幅出力の一部が発振出
力として信号出力経路ＰＯＵＴ　を介して外部負荷３０
０に供給される。そして上記外部負荷３００では、上記
発振出力を１段高出力増幅器３１０により増幅し、この
増幅発振出力をアンテナ３２０より電波として空中に放
射する。
【０００８】このような発振状態において、上記リアク
タンス制御部２００の可変電圧源２１の電圧を変えると
、上記ダイオード２１０の容量成分Ｃ２が変化し、つま
りリアクタンス制御部２００のリアンタンスが変化し、
上記発振出力の周波数が変化する。このＭＭＩＣ化発振
器１ではこのようにして直流制御電圧Ｖｃｏｎｔにより
発振器１の発振周波数を変更することができる。
【０００９】なお特開昭６０−２２４３１０号公報には
、上記ＭＭＩＣ化発振器と同様、バラクタダイオードに
制御電圧を印加して発振周波数を制御する、マイクロ波
集積回路基板上に搭載された発振器が示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＭＭ
ＩＣ化発振器では、上記負荷結合部１１０の負荷結合容
量Ｃ４として、大きな容量素子を形成できるＭＩＭ（Ｍ
ｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）キャパシ
タを用いていたため、上記負荷結合容量値のバラツキが
大きいという問題点があった。
【００１１】すなわち、ＭＩＭキャパシタ等のコンデン
サでは、設計段階で計算した通りの容量値を得るのが一
般に困難であり、またＭＩＭキャパシタは下地金属層上
に層間絶縁膜を介して上地金属層を形成してなる積層構
造をしており、容量値が層間絶縁膜の膜厚と反比例の関
係にあるため、製造プロセスで、成膜時の温度変化や原
料ガス供給源でのガス組成の変化によってその膜厚がバ
ラツクと、容量値もバラツクという問題もある。例えば
、負荷結合容量が過大となった場合には図９に示すよう
に、可変電圧源２１の制御電圧（Ｃｏｎｔｒｏｌｌ　Ｖ
ｏｌｔａｇｅ）のある範囲内では発振出力が得られない
という発振停止領域Ｓの出現や、制御電圧のある範囲内
では急激に発振周波数ＦＯＳＣ　が変化する周波数ジャ
ンプ現象Ｊが起こり易く、逆に負荷結合容量が過少とな
った場合には、発振出力の低下が発生しやすいという問
題があった。
【００１２】このため従来は、例えば、負荷結合容量と
してのＭＩＭ容量Ｃ４を所望の値に設定した基準のＭＭ
ＩＣ化発振器と、ＭＩＭ容量Ｃ４を上記所望値に対して
±５パーセント程度の範囲でずらして設定したいくつか
の予備のＭＭＩＣ化発振器を設計し、これらを実際に作
ってみてその発振特性等を調べ、最も良い特性のＭＭＩ
Ｃ化発振器を選択して量産するという方法をとっていた
が、この方法では、量産体制に入るまでの設計段階等で
手間暇がかかり、また不経済であるという問題がある。
【００１３】また特開平２−１８３６０６号公報には、
帰還型ＭＩＣ化発振器において、帰還増幅回路を構成す
る伝送線路と出力取り出し用の伝送線路との間にマルチ
ランドコンデンサを配設し、これにより上記両伝送線路
の結合部でのインピーダンスを簡単に最適化できるよう
にしたものが示されており、一見、この公報記載のマル
チランドコンデンサが上記負荷結合容量として適用可能
なものとも考えられる。
【００１４】しかしこの公報には、マルチランドの具体
的な構成が何ら示されておらず、マルチランドコンデン
サを上記負荷結合容量として適用することは困難である
。またコンデンサのマルチランド化は、いくつかのコン
デンサを用意しておき、そのうち適当なものを選択する
という方法と考えられ、この方法は本来の機能に必要な
大きな容量を持つコンデンサを多数用意する必要があり
、集積化や素子の利用効率等の点で不利であり、近年の
低コスト、高集積化等の要請に沿わないという問題があ
る。
【００１５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、設計上や製造プロセス上でのキ
ャパシタ容量のバラツキをデバイスの使用状態で簡単に
修正することができ、これにより集積化や低コスト化を
阻害することなく、常に良好な発振特性でもって発振動
作させることができるＭＭＩＣ化発振器を得ることを目
的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＭＭＩＣ
化発振器は、マイクロ波信号の帰還増幅素子と外部負荷
とを結合する負荷結合容量として、バイアス電圧に応じ
て変化する可変容量を有し、上記帰還増幅素子と外部負
荷とを上記接合容量により結合するバラクタダイオード
を設けたものである。
【００１７】この発明に係るＭＭＩＣ化発振器は、マイ
クロ波信号の帰還増幅素子と外部負荷とを結合する負荷
結合容量として、ＭＭＩＣ基板上に形成され、帰還増幅
素子と外部負荷とを容量結合する主結合容量と、上記Ｍ
ＭＩＣ基板上に該主結合容量と近接して設けられ、上記
主結合容量と接続してその容量値を調整するための補助
結合容量とを備えたものである。
【００１８】この発明に係るＭＭＩＣ化発振器は、上記
主及び補助結合容量をワイヤボンドにより並列接続でき
るよう構成したものである。
【００１９】
【作用】この発明においては、マイクロ波信号の帰還増
幅素子と外部負荷とを結合する負荷結合容量として、バ
イアス電圧に応じて変化する可変容量を有し、上記帰還
増幅素子と外部負荷とを上記接合容量により結合するバ
ラクタダイオードを設けたから、上記バイアス電圧の調
整により負荷結合容量の値を変えることができ、設計上
や製造プロセス上でのキャパシタ容量のバラツキをデバ
イスの使用状態で簡単に修正することができる。この結
果集積化や低コスト化を阻害することなく、ＭＭＩＣ発
振器を常に良好な発振特性でもって発振動作させること
ができる。
【００２０】この発明においては、マイクロ波信号の帰
還増幅素子と外部負荷とを結合する負荷結合容量として
、ＭＭＩＣ基板上に帰還増幅素子と外部負荷とを接続す
る主結合容量を設けるとともに、上記ＭＭＩＣ基板上に
該主結合容量と近接して補助結合容量を配設したから、
上記補助結合容量をワイヤボンド等により主結合容量に
接続することにより、設計上や製造プロセス上でのキャ
パシタ容量のバラツキをデバイスの使用段階で簡単に修
正することができる。この結果上記同様、集積化や低コ
スト化の阻害を招くことなく、ＭＭＩＣ発振器での発振
動作を常に良好に行うことができる。
【００２１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の第１の実施例によるＭＭＩＣ化発振
器を示す等価回路図である。図において、図８と同一符
号は同一のものを示し、３はカソード側への印加電圧に
よりその容量成分が変化するバラクタダイオードで、負
荷結合容量として、伝送線路Ｔ６及びＴ７の間に挿入さ
れている。また２は上記バラクタダイオード３のカソー
ド側と伝送線路７との間に接続されたＤＣカット用容量
、１２は上記バラクタダイオード３への印加電圧を発生
するとともにその制御が可能な制御電圧源、５は上記バ
ラクタダイオード３のカソードと上記制御電圧源１２と
の間に接続されたＲＦカット用インダクタである。また
１３１は上記伝送線路Ｔ６，Ｔ７、バラクタダイオード
３、ＤＣカット用容量２、ＲＦカット用インダクタ５、
及び制御電圧源１２からなる信号出力部である。１０１
は該信号出力部１３１とソースバイアス部１１１からな
る負荷結合部である。なおここでは外部負荷３００につ
いては略記している。
【００２２】また図１２（ａ）　，図１２（ｂ）　は上
記バラクタダイオード３の構造を示す平面図及び断面図
であり、図中３０はＧａＡｓＭＭＩＣ基板で、Ｃは該基
板３０上に形成された平面コ字形状のカソード電極、Ａ
は上記基板３０上に形成された平面Ｔ字形状のアノード
電極で、その脚部が上記カソード電極Ｃのコ字状部内に
配置されている。また３１は上記基板３０のアノード電
極Ａ直下の領域に形成された空乏層である。ここでＷａ
　はアノード幅、つまり上記アノード電極Ａ脚部のカソ
ード電極Ｃと重なっている部分の長さで、またＬａ　は
アノード長、つまり上記アノード電極Ａの脚部のパター
ン幅である。 そしてこの構造のバラクタダイオードでは、容量はアノ
ード幅Ｗａ　とアノード長Ｌａ　の積に一次の近似では
比例する。
【００２３】次に動作について説明する。基本的な発振
動作は従来のＭＭＩＣ化発振器と同一であるので、ここ
では省略し、以下発振特性、つまり発振周波数と発振出
力の調節について説明する。
【００２４】図２はＸ帯（７ＧＨｚ〜９ＧＨｚ帯）のＭ
ＭＩＣ化発振器における発振周波数及び発振出力の、負
荷結合容量に対する依存性を示すグラフの一例であり、
図中Ｆ１，Ｐ１はそれぞれ発振周波数，及び発振出力の
安定領域、Ｆ２，Ｐ２はそれぞれ発振周波数，及び発振
出力の不安定領域である。
【００２５】この例では、負荷結合容量値Ｘが約０．１
８ｐＦ以上で発振周波数及び発振出力は不安定となる。 また負荷結合容量が小さくなるほど発振出力は低下する
ため、負荷結合容量値Ｘは若干の余裕を見て約０．１５
ｐＦ程度が最適値となる。
【００２６】この負荷結合容量値Ｘはアノード幅Ｗａが
５００μｍ程度のバラクタダイオードで実現可能な値で
あり、ＭＭＩＣ化発振器の設計誤差やプロセス変動の影
響で容量値が上記最適値からずれた場合は、上記バラク
タダイオード３に印加する制御電圧を制御電圧源１２に
より調整して常に最適な容量値を実現できる。
【００２７】このように本実施例では、マイクロ波信号
の帰還増幅用ＦＥＴ１０と外部負荷３００とを結合する
負荷結合容量として、バイアス電圧に応じて変化する可
変容量を有し、上記帰還増幅用ＦＥＴ１０と外部負荷３
００とを上記可変容量により結合するバラクタダイオー
ド３を設けたので、上記バイアス電圧の調整により負荷
結合容量値Ｘを変えることができ、設計誤差や製造プロ
セス変動に起因する負荷結合容量のバラツキをデバイス
の使用状態で簡単に修正することができる。この結果集
積化や低コスト化を阻害することなく、図７に示すよう
な常に安定な発振特性でもって発振動作を行うことがで
きる。
【００２８】また図１０（ａ）　〜図１０（Ｆ）　はそ
れぞれＭＭＩＣ化発振器における帰還増幅ＦＥＴと信号
出力部及び制御部との接続方法、つまり帰還増幅ＦＥＴ
のどの端子から出力を取り出し、どの端子を制御入力と
するかを示す。図１１はそれぞれの場合の変調感度特性
、つまり直流制御電圧Ｖｃｏｎｔの変化に対する発振周
波数Ｆの変化を説明するための図で、ここでは、横軸に
、上記発振周波数Ｆの目安となる可変リアクタンスの反
射係数の位相を、縦軸に、上記直流制御電圧Ｖｃｏｎｔ
の目安となる負荷側からみたＦＥＴの反射係数の位相を
とって示している。
【００２９】そして本実施例では図１０（Ｆ）　に示す
ように、ＦＥＴ１０のドレインを接地し、そのゲートに
リアクタンス制御部２００を、ソースに負荷結合部１０
１を接続し、ソースから発振出力を取り出すようにして
いるので、図１１の特性曲線Ｆで示すように変調感度が
大きく、また大出力化も可能である。
【００３０】図３は本発明の第２の実施例によるＭＭＩ
Ｃ化発振器を示す等価回路図であり、図において図１と
同一符号は同一のものを示し、６は負荷結合部１０１の
伝送線路Ｔ６と伝送線路Ｔ７の間に接続され、帰還増幅
用ＦＥＴ１０と外部負荷３００とを容量結合する主結合
容量で、その負荷結合容量値Ｘは設計段階で予想される
最適値より若干小さく設定されている。１７，２７はワ
イヤボンド等により上記主結合容量６と並列に接続でき
るよう、上記主結合容量６と近接して配置された、上記
負荷結合容量値Ｘを調整するための第１，第２の補助結
合容量である。また、１３２は上記主及び補助結合容量
６及び１７，２７、伝送線路Ｔ６，Ｔ７からなる信号出
力部、１０２は該信号出力部１３２とソースバイアス部
１１１からなる負荷結合部である。
【００３１】図４はＭＭＩＣ発振器の負荷結合容量部を
示す平面図で、上記主結合容量及び第１，第２の補助結
合容量のＭＭＩＣ基板（図示せず）上での配置を示して
いる。ここで上記主結合容量６は、下地電極層６ａ上に
層間絶縁膜６ｃを介して上地電極層６ｂを形成してなる
積層構造をしており、負荷結合容量として大きな容量値
Ｘ０　を有している。また上記下地及び上地電極層６ａ
，６ｂには所定の部分にボンディングパッド部８ａ，８
ｂが形成されている。また第１，第２の補助結合容量１
７，２７は、それぞれ下地電極層１７ａ，２７ａ上に層
間絶縁膜１７ｃ，２７ｃを介して上地電極層１７ｂ，２
７ｂを積層してなるもので、それぞれ上記負荷結合容量
を調整するための小さい容量値Ｘ１　，Ｘ２　を有して
いる。また１９ａ，１９ｂは第１の補助結合容量１７の
ボンディングパッド部、２９ａ，２９ｂは第２の補助結
合容量２７のボンディングパッド部である。
【００３２】また図５は図４と同一部分を示す平面図で
、ワイヤボンドにより主結合容量に補助結合容量を接続
して負荷結合容量値を調節している状態を示している。 なお上記図４及び図５では主結合容量６と第１，第２の
補助結合容量１７，２７を同一の大きさに描いているが
、実際のデバイスでは、補助結合容量の基板上での占有
面積は主結合容量に比べてかなり小さくなっている。
【００３３】次に作用効果について説明する。この実施
例では負荷結合容量値の調整は、基準となる主結合容量
６の容量値Ｘ０　を最適値よりも小さめに作成しておき
、ワイヤボンドにより、上記主結合容量６に第１，第２
の補助結合容量を適宜結合させることにより、負荷結合
容量として常に最適な容量値を得る。
【００３４】このように本実施例では、負荷結合容量と
して、その容量値Ｘ０　を設計段階で予想される最適値
より若干小さく設定した主結合容量６を設けるとともに
、上記容量値Ｘ０　を調整するための第１，第２の補助
結合容量１７，２７を設けたので、上記主結合容量６に
ワイヤボンド等により第１，第２の補助結合容量１７，
２７を順次並列接続していくことにより、設計上や製造
プロセス上での負荷結合容量のバラツキをデバイスの使
用段階で簡単に修正することができる。
【００３５】またこの実施例では、主結合容量６の大き
な容量値Ｘ０　を、第１，第２の補助結合容量１７，２
７の小さい容量値Ｘ１　，Ｘ２　により調整するように
しているので、いくつかの主結合容量を予め作っておき
、そのうち最適な容量値となっているものを選択する方
法等に比べて、負荷結合容量部の面積を小さくすること
ができる。
【００３６】なお、上記第２の実施例では、主及び補助
結合容量をワイヤボンドにより接続するようにしている
が、該容量の接続はこれに限るものではなく、これらを
電気的に接続できる方法であればどのようなものでもよ
い。
【００３７】また、上記各実施例ではバラクタダイオー
ドの負荷側にＤＣカット用容量４を有するものを示した
が、これは、図８に示す従来のＭＭＩＣ化発振器のよう
に発振器１の直後にＤＣカット用容量５を内蔵するバッ
ファアンプ３１０等が接続されている場合は不要である
。
【００３８】図６はこのような構成の本発明の第３の実
施例を示し、図において、３１０はＭＭＩＣ化発振器１
の出力に接続され、ＤＣカット用容量を内蔵するバッフ
ァアンプ、１３３はバラクタダイオード３，ＲＦカット
用インダクタ５，制御電圧源１２及び伝送経路Ｔ６，Ｔ
７からなる信号出力部、１０３は該信号出力部１３３と
ソースバイアス部１１１からなる負荷結合部である。こ
のように本実施例では、伝送線路Ｔ７とバラクタダイオ
ード３との間にＤＣカット用容量を接続していない点以
外は上記第１の実施例と同一である。
【００３９】なお、上記各実施例では、外部負荷が増幅
部３１０やアンテナ３２０である場合について示したが
、これはミキサーや周波数変換器でもよく、またアンテ
ナに代えて、電気信号を光信号に変えて伝送する光伝送
装置でもよい。
【００４０】また、上記各実施例では、ソースから発振
出力を取り出す場合を示したが、これは図１０（ｂ）　
に示すようにドレインに負荷結合部１０１を接続し、ド
レインから発振出力を取り出すようにしてもよい。この
場合、変調感度は図１１の特性曲線Ｂから分かるように
あまり良くないが、大出力化が可能である。
【００４１】さらに図１０（ｃ）　に示すようにゲート
を接地し、ソースに制御部２００を、ドレインに負荷結
合部１０１を接続した場合、図１１の特性曲線Ｃから分
かるように大きい変調感度を得ることができる。
【００４２】また図１０（ｄ）　に示すように帰還増幅
ＦＥＴ１０のゲートを接地し、ドレインに制御部２００
を、ソースに負荷結合部１０１を接続した場合、負荷側
からの影響を受けにくいというメリットがある。また図
１０（ｅ）に示すようにドレインを接地し、ソースに制
御部２００を、ゲートに負荷結合部１０１を接続した場
合も、図１０（ｄ）　の場合も同様負荷側からの影響を
受けにくいというメリットがあるが、大出力化は困難で
ある。
【００４３】さらにまた図１０（ａ）　に示すようにソ
ースを接地し、ドレインに制御部２００を、ゲートに負
荷結合部１０１を接続することもできるが、この場合は
あまりメリットはない。
【００４４】
【発明の効果】この発明に係るＭＭＩＣ化発振器によれ
ば、マイクロ波信号の帰還増幅素子と外部負荷とを結合
する負荷結合容量として、バイアス電圧に応じて変化す
る可変容量を有し、上記帰還増幅素子と外部負荷とを上
記接合容量により結合するバラクタダイオードを設けた
ので、上記バイアス電圧の調整により負荷結合容量の値
を変えることができ、設計上や製造プロセス上での負荷
結合容量のバラツキをデバイスの使用状態で簡単に修正
することができる。この結果集積化や低コスト化を阻害
することなく、常に良好な発振特性でもって発振動作を
行うことができる効果がある。
【００４５】この発明に係るＭＭＩＣ化発振器によれば
、マイクロ波信号の帰還増幅素子と外部負荷とを結合す
る負荷結合容量として、ＭＭＩＣ基板上に帰還増幅素子
と外部負荷とを接続する主結合容量を設けるとともに、
上記ＭＭＩＣ基板上に該主結合容量と近接して補助結合
容量を配設したので、上記主結合容量にワイヤボンド等
により補助結合容量を接続することにより、設計上や製
造プロセス上での負荷結合容量のバラツキをデバイスの
使用段階で簡単に修正することができる。この結果上記
同様、集積化や低コスト化の阻害を招くことなく、常に
良好な発振動作を行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例によるＭＭＩＣ化発振器
を示す等価回路図である。
【図２】上記ＭＭＩＣ化発振器における発振周波数，発
振出力の負荷結合容量依存性のグラフの一例を示す図で
ある。
【図３】本発明の第２の実施例によるＭＭＩＣ化発振器
を示す等価回路図である。
【図４】上記第２の実施例のＭＭＩＣ化発振器の負荷結
合容量部を示す平面図である。
【図５】上記第２の実施例において負荷結合容量値を調
整している状態を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施例によるＭＭＩＣ化発振器
を示す等価回路図である。
【図７】本発明のＭＭＩＣ化発振器における発振特性の
グラフの一例を示す図である。
【図８】従来のＭＭＩＣ化発振器を示す等価回路図であ
る。
【図９】従来のＭＭＩＣ化発振器における発振特性のグ
ラフの一例を示す図である。
【図１０】本発明のＭＭＩＣ化発振器において、帰還増
幅素子の発振出力を取り出す方法の変形例を示す図であ
る。
【図１１】上記各変形例における変調感度の特性曲線を
示す図である。
【図１２】本発明の第１及び第３の実施例によるＭＭＩ
Ｃ化発振器に用いたバラクタダイオードを説明するため
の図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ＭＭＩＣ化発振器２　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　ＤＣカット用容量３　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　バラクタダイオード
５　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ＲＦカット用インダクタ６　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　主結合容量１０　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　帰還増幅用ＦＥＴ１２
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　バラク
タダイオードの制御電圧源

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　マイクロ波信号の帰還増幅を行う帰還
    増幅素子を有し、該帰還増幅信号の一部を発振出力とし
    て外部負荷に供給する、マイクロ波半導体集積回路基板
    にモノリシックに搭載したＭＭＩＣ化発振器において、
    バイアス電圧に応じて変化する接合容量を有し、上記帰
    還増幅素子と外部負荷とを上記接合容量により結合する
    バラクタダイオードを備えたことを特徴とするＭＭＩＣ
    化発振器。
  2. 【請求項２】　　マイクロ波信号の帰還増幅を行う帰還
    増幅素子を有し、該帰還増幅信号の一部を発振出力とし
    て外部負荷に供給する、マイクロ波半導体集積回路基板
    にモノリシックに搭載したＭＭＩＣ化発振器において、
    上記基板上に形成され、帰還増幅素子と外部負荷とを容
    量結合する主結合容量と、上記基板上に該主結合容量と
    近接して設けられ、上記主結合容量と接続してその容量
    値を調整するための補助結合容量とを備えたことを特徴
    とするＭＭＩＣ化発振器。
  3. 【請求項３】　　請求項２記載のＭＭＩＣ化発振器にお
    いて、上記主及び補助結合容量は、これらをワイヤボン
    ドにより並列に接続できるよう構成したものであること
    を特徴とするＭＭＩＣ化発振器。
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